半導(dǎo)體物理習(xí)題答案

1、第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài) 例1. 證明:對(duì)于能帶中的電子，K狀態(tài)和-K狀態(tài)的電子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= v(k)，并解釋為什么無(wú)外場(chǎng)時(shí)，晶體總電流等于零。解：K狀態(tài)電子的速度為：                                 

2、          （1）同理，K狀態(tài)電子的速度則為：                                      

3、  （2）從一維情況容易看出：                                              

4、0;                 （3）同理有：                                &#

5、160;                                                 &#

6、160;   （4）                                              

7、;                               （5）將式（3）（4）（5）代入式（2）后得：               

8、                           （6）利用（1）式即得：v(k)= v(k)因?yàn)殡娮诱紦?jù)某個(gè)狀態(tài)的幾率只同該狀態(tài)的能量有關(guān)，即：E(k)=E(k)故電子占有k狀態(tài)和-k狀態(tài)的幾率相同，且v(k)=v(k)故這兩個(gè)狀態(tài)上的電子電流相互抵消，晶體中總電流為零。例2. 已知一維晶體的電子能帶可寫(xiě)成： &

9、#160;                   式中，a為晶格常數(shù)。試求：（1）能帶的寬度；（2）能帶底部和頂部電子的有效質(zhì)量。解：（1）由E(k)關(guān)系                        

10、                                            （1）      &#

11、160;                             （2）令    得：      當(dāng)時(shí)，代入（2）得：對(duì)應(yīng)E(k)的極小值。 當(dāng)時(shí)，代入（2）得： 對(duì)應(yīng)E(k)的極大值。根據(jù)上述結(jié)果，求得和即可求得能帶寬

12、度。故：能帶寬度          （3）能帶底部和頂部電子的有效質(zhì)量：                                      習(xí)題與思考題

13、：1 什么叫本征激發(fā)？溫度越高，本征激發(fā)的載流子越多，為什么？試定性說(shuō)明之。2 試定性說(shuō)明Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫度系數(shù)的原因。3 試指出空穴的主要特征。4 簡(jiǎn)述Ge、Si和GaAs的能帶結(jié)構(gòu)的主要特征。5 某一維晶體的電子能帶為              其中E0=3eV，晶格常數(shù)a=5×10-11m。求：  （1）能帶寬度；   （2）能帶底和能帶頂?shù)挠行з|(zhì)量。6 原子中的電子和晶體中電子受勢(shì)場(chǎng)作用情況以及運(yùn)動(dòng)情況有何

14、不同？原子中內(nèi)層電子和外層電子參與共有化運(yùn)動(dòng)有何不同？7 晶體體積的大小對(duì)能級(jí)和能帶有什么影響？8 描述半導(dǎo)體中電子運(yùn)動(dòng)為什么要引入“有效質(zhì)量”的概念？用電子的慣性質(zhì)量描述能帶中電子運(yùn)動(dòng)有何局限性？9 一般來(lái)說(shuō)，對(duì)應(yīng)于高能級(jí)的能帶較寬，而禁帶較窄，是否如此？為什么？10有效質(zhì)量對(duì)能帶的寬度有什么影響？有人說(shuō)：“有效質(zhì)量愈大，能量密度也愈大，因而能帶愈窄?！笔欠袢绱?？為什么？11簡(jiǎn)述有效質(zhì)量與能帶結(jié)構(gòu)的關(guān)系？12對(duì)于自由電子，加速反向與外力作用反向一致，這個(gè)結(jié)論是否適用于布洛赫電子？13從能帶底到能帶頂，晶體中電子的有效質(zhì)量將如何變化？外場(chǎng)對(duì)電子的作用效果有什么不同？14試述在周期性勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的

15、電子具有哪些一般屬性？以硅的本征激發(fā)為例，說(shuō)明半導(dǎo)體能帶圖的物理意義及其與硅晶格結(jié)構(gòu)的聯(lián)系？15為什么電子從其價(jià)鍵上掙脫出來(lái)所需的最小能量就是半導(dǎo)體的禁帶寬度？16為什么半導(dǎo)體滿帶中的少量空狀態(tài)可以用具有正電荷和一定質(zhì)量的空穴來(lái)描述？17有兩塊硅單晶，其中一塊的重量是另一塊重量的二倍。這兩塊晶體價(jià)帶中的能級(jí)數(shù)是否相等？彼此有何聯(lián)系？18說(shuō)明布里淵區(qū)和k空間等能面這兩個(gè)物理概念的不同。19為什么極值附近的等能面是球面的半導(dǎo)體，當(dāng)改變存儲(chǔ)反向時(shí)只能觀察到一個(gè)共振吸收峰？ 第二章 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)與缺陷能級(jí)例1.半導(dǎo)體硅單晶的介電常數(shù)11.8，電子和空穴的有效質(zhì)量各為0.97，0.19和0.

16、16，0.53，利用類(lèi)氫模型估計(jì)：  （1）施主和受主電離能;  （2）基態(tài)電子軌道半徑解：（1）利用下式求得和。因此，施主和受主雜質(zhì)電離能各為：（2）基態(tài)電子軌道半徑各為：式中, 是波爾半徑。 習(xí)題與思考題：1 什么叫淺能級(jí)雜質(zhì)？它們電離后有何特點(diǎn)？2 什么叫施主？什么叫施主電離？施主電離前后有何特征？試舉例說(shuō)明之，并用能帶圖表征出n型半導(dǎo)體。3 什么叫受主？什么叫受主電離？受主電離前后有何特征？試舉例說(shuō)明之，并用能帶圖表征出p型半導(dǎo)體。4 摻雜半導(dǎo)體與本征半導(dǎo)體之間有何差異？試舉例說(shuō)明摻雜對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能的影響。5 兩性雜質(zhì)和其它雜質(zhì)有何異同？6 深能級(jí)雜質(zhì)

17、和淺能級(jí)雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體有何影響？7 何謂雜質(zhì)補(bǔ)償？雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)囊饬x何在？8 說(shuō)明雜質(zhì)能級(jí)以及電離能的物理意義。8為什么受主、施主能級(jí)分別位于價(jià)帶之上或?qū)е?，而且電離能的數(shù)值較??？9 純鍺、硅中摻入族或族元素后，為什么使半導(dǎo)體電性能有很大的改變？雜質(zhì)半導(dǎo)體（p型或n型）應(yīng)用很廣，但為什么我們很強(qiáng)調(diào)對(duì)半導(dǎo)體材料的提純？10把不同種類(lèi)的施主雜質(zhì)摻入同一種半導(dǎo)體材料中，雜質(zhì)的電離能和軌道半徑是否不同？把同一種雜質(zhì)摻入到不同的半導(dǎo)體材料中（例如鍺和硅），雜質(zhì)的電離能和軌道半徑又是否都相同？11何謂深能級(jí)雜質(zhì)？它們電離以后有說(shuō)明特點(diǎn)？12為什么金元素在鍺或硅中電離后可以引入多個(gè)施主或受主能級(jí)？13說(shuō)明摻雜

18、對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的影響。14說(shuō)明半導(dǎo)體中淺能級(jí)雜質(zhì)和深能級(jí)雜質(zhì)的作用有何不同？15什么叫雜質(zhì)補(bǔ)償？什么叫高度補(bǔ)償?shù)陌雽?dǎo)體？雜質(zhì)補(bǔ)償有何實(shí)際應(yīng)用？    第三章 半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布例1.有一硅樣品，施主濃度為，受主濃度為，已知施主電離能，試求的施主雜質(zhì)電離時(shí)的溫度。解：令和表示電離施主和電離受主的濃度，則電中性方程為：略去價(jià)帶空穴的貢獻(xiàn)，則得：（受主雜質(zhì)全部電離）式中：               對(duì)硅材料

19、60;  由題意可知  ,則                                              

20、    （1）當(dāng)施主有99%的N電離時(shí)，說(shuō)明只有1%的施主有電子占據(jù)，即 0.01。                                       198 

21、        ，代入式（1）得：去對(duì)數(shù)并加以整理即得到下面的方程：      用相關(guān)數(shù)值解的方法或作圖求得解為：   T=101.例2. 現(xiàn)有三塊半導(dǎo)體硅材料，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為：，。分別計(jì)算這三塊材料的電子濃度，；判斷這三塊材料的導(dǎo)電類(lèi)型；分別計(jì)算這三塊材料的費(fèi)米能級(jí)的位置。解：（1）室溫時(shí)硅的， 根據(jù)載流子濃度積公式：可求出   （2）即 ，故為p型半導(dǎo)體., 即 ，故為本征半導(dǎo)體.，即 ，故為n

22、型半導(dǎo)體.    (3)當(dāng)T=300k時(shí)，由                             得：               &#

23、160;     對(duì)三塊材料分別計(jì)算如下：     即 p型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在禁帶中線下0.37eV處。     即費(fèi)米能級(jí)位于禁帶中心位置。對(duì)n型材料有           即對(duì)n型材料，費(fèi)米能級(jí)在禁帶中心線上0.35eV處。 1 對(duì)于某n型半導(dǎo)體，試證明其費(fèi)米能級(jí)在其本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)之上。即EFn>EFi。2 試分別定性定量說(shuō)明：  

24、在一定的溫度下，對(duì)本征材料而言，材料的禁帶寬度越窄，載流子濃度越高；  對(duì)一定的材料，當(dāng)摻雜濃度一定時(shí)，溫度越高，載流子濃度越高。3 若兩塊Si樣品中的電子濃度分別為2.25×1010cm-3和6.8×1016cm-3，試分別求出其中的空穴的濃度和費(fèi)米能級(jí)的相對(duì)位置，并判斷樣品的導(dǎo)電類(lèi)型。假如再在其中都摻入濃度為2.25×1016cm-3的受主雜質(zhì)，這兩塊樣品的導(dǎo)電類(lèi)型又將怎樣？4 含受主濃度為8.0×106cm-3和施主濃度為7.25×1017cm-3的Si材料，試求溫度分別為300K和400K時(shí)此材料的載流子濃度和費(fèi)米能級(jí)的相對(duì)位

25、置。5 試分別計(jì)算本征Si在77K、300K和500K下的載流子濃度。6 Si樣品中的施主濃度為4.5×1016cm-3，試計(jì)算300K時(shí)的電子濃度和空穴濃度各為多少？7 某摻施主雜質(zhì)的非簡(jiǎn)并Si樣品，試求EF=（EC+ED）/2時(shí)施主的濃度。8 半導(dǎo)體處于怎樣的狀態(tài)才能叫處于熱平衡狀態(tài)？其物理意義如何。9 什么叫統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)？費(fèi)米分布和玻耳茲曼分布的函數(shù)形式有何區(qū)別？在怎樣的條件下前者可以過(guò)渡到后者？為什么半導(dǎo)體中載流子分布可以用玻耳茲曼分布描述？10說(shuō)明費(fèi)米能級(jí)的物理意義。根據(jù)費(fèi)米能級(jí)位置如何計(jì)算半導(dǎo)體中電子和空穴濃度？如何理解費(fèi)米能級(jí)是摻雜類(lèi)型和摻雜程度的標(biāo)志？11證明，在時(shí)，

26、對(duì)費(fèi)米能級(jí)取什么樣的對(duì)稱形式？12在半導(dǎo)體計(jì)算中，經(jīng)常應(yīng)用這個(gè)條件把電子從費(fèi)米能級(jí)統(tǒng)計(jì)過(guò)渡到玻耳茲曼統(tǒng)計(jì)，試說(shuō)明這種過(guò)渡的物理意義。13寫(xiě)出半導(dǎo)體的電中性方程。此方程在半導(dǎo)體中有何重要意義？14若n型硅中摻入受主雜質(zhì)，費(fèi)米能級(jí)升高還是降低？若溫度升高當(dāng)本征激發(fā)起作用時(shí)，費(fèi)米能級(jí)在什么位置？為什么？15如何理解分布函數(shù)與狀態(tài)密度的乘積再對(duì)能量積分即可求得電子濃度？16為什么硅半導(dǎo)體器件比鍺器件的工作溫度高？17當(dāng)溫度一定時(shí)，雜質(zhì)半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)主要由什么因素決定？試把強(qiáng)N、弱N型半導(dǎo)體與強(qiáng)P、弱P半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)與本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)比較。18如果向半導(dǎo)體中重?fù)绞┲麟s質(zhì)，就你所知會(huì)出現(xiàn)一些什么效

27、應(yīng)？ 第四章半導(dǎo)體的導(dǎo)電性例1.室溫下，本征鍺的電阻率為47，試求本征載流子濃度。若摻入銻雜質(zhì)，使每個(gè)鍺原子中有一個(gè)雜質(zhì)原子，計(jì)算室溫下電子濃度和空穴濃度。設(shè)雜質(zhì)全部電離。鍺原子的濃度為，試求該摻雜鍺材料的電阻率。設(shè)， 且認(rèn)為不隨摻雜而變化。解：本征半導(dǎo)體的電阻率表達(dá)式為：       施主雜質(zhì)原子的濃度 故                   其

28、電阻率    例2.在半導(dǎo)體鍺材料中摻入施主雜質(zhì)濃度，受主雜質(zhì)濃度；設(shè)室溫下本征鍺材料的電阻率，假設(shè)電子和空穴的遷移率分別為，若流過(guò)樣品的電流密度為，求所加的電場(chǎng)強(qiáng)度。 解：須先求出本征載流子濃度又                                

29、; 聯(lián)立得:  故樣品的電導(dǎo)率：      即:   E=1.996V/cm 習(xí)題與思考題：1 對(duì)于重?fù)诫s半導(dǎo)體和一般摻雜半導(dǎo)體，為何前者的遷移率隨溫度的變化趨勢(shì)不同？試加以定性分析。2 何謂遷移率？影響遷移率的主要因素有哪些？ 3 試定性分析Si的電阻率與溫度的變化關(guān)系。4 證明當(dāng)np，且電子濃度，空穴濃度時(shí)半導(dǎo)體的電導(dǎo)率有最小值，并推導(dǎo)min的表達(dá)式。5 0.12kg的Si單晶摻有3.0×10-9kg的Sb，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求出此材料的電導(dǎo)率。（Si單晶的密度為2.33g/cm3

30、，Sb的原子量為121.8） 6 試從經(jīng)典物理和量子理論分別說(shuō)明散射的物理意義。7 比較并區(qū)別下述物理概念：電導(dǎo)遷移率、霍耳遷移率和漂移遷移率。8 什么是聲子？它對(duì)半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)起什么作用？9 強(qiáng)電場(chǎng)作用下，遷移率的數(shù)值與場(chǎng)強(qiáng)E有關(guān)，這時(shí)歐姆定律是否仍然正確？為什么？10半導(dǎo)體的電阻系數(shù)是正的還是負(fù)的？為什么？11有一塊本征半導(dǎo)體樣品，試描述用以增加其電導(dǎo)率的兩個(gè)物理過(guò)程。12如果有相同的電阻率的摻雜鍺和硅半導(dǎo)體，問(wèn)哪一個(gè)材料的少子濃度高？為什么？13光學(xué)波散射和聲學(xué)波散射的物理機(jī)構(gòu)有何區(qū)別？各在什么樣晶體中起主要作用？14說(shuō)明本征鍺和硅中載流子遷移率溫度增加如何變化？15電導(dǎo)有效

31、質(zhì)量和狀態(tài)密度有何區(qū)別？它們與電子的縱有效質(zhì)量和橫有效質(zhì)量的關(guān)系如何？16對(duì)于僅含一種雜質(zhì)的鍺樣品，如果要確定載流子符號(hào)、濃度、遷移率和有效質(zhì)量，應(yīng)進(jìn)行哪些測(cè)量？17解釋多能谷散射如何影響材料的導(dǎo)電性。18為什么要引入熱載流子概念？熱載流子和普通載流子有何區(qū)別？ 第五章 非平衡載流子例1.某p型半導(dǎo)體摻雜濃度 ,少子壽命,在均勻光的照射下產(chǎn)生非平衡載流子,其產(chǎn)生率,   試計(jì)算室溫時(shí)光照情況下的費(fèi)米能級(jí)并和原來(lái)無(wú)光照時(shí)的費(fèi)米能級(jí)比較。設(shè)本征載流子濃度  .解: (1)無(wú)光照時(shí),空穴濃度  說(shuō)明無(wú)光照時(shí),費(fèi)米能級(jí)在禁帶中線下面0.35eV處。（2

32、）穩(wěn)定光照后，產(chǎn)生的非平衡載流子為：                                                  上面

33、兩式說(shuō)明，在之下，而在之上。且非平衡態(tài)時(shí)空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)和和原來(lái)的費(fèi)米能級(jí)幾乎無(wú)差別，與電子的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)相差甚遠(yuǎn)，如下圖所示。            光照前                            

34、;    光照后 習(xí)題與思考題 ：1 何謂非平衡載流子？非平衡狀態(tài)與平衡狀態(tài)的差異何在？2 漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)有什么不同？3 漂移運(yùn)動(dòng)與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)之間有什么聯(lián)系？非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的遷移率與擴(kuò)散系數(shù)之間有什么聯(lián)系？4 平均自由程與擴(kuò)散長(zhǎng)度有何不同？平均自由時(shí)間與非平衡載流子的壽命又有何不同？5 證明非平衡載流子的壽命滿足，并說(shuō)明式中各項(xiàng)的物理意義。6 導(dǎo)出非簡(jiǎn)并載流子滿足的愛(ài)因斯坦關(guān)系。7 間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？8 光均勻照射在6cm的n型Si樣品上，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生率為4×1021cm-3s-1，樣品壽命為8s。試計(jì)算光照前后樣品的電導(dǎo)率

35、。9 證明非簡(jiǎn)并的非均勻半導(dǎo)體中的電子電流形式為。10假設(shè)Si中空穴濃度是線性分布，在4m內(nèi)的濃度差為2×1016cm-3，試計(jì)算空穴的擴(kuò)散電流密度。11試證明在小信號(hào)條件下，本征半導(dǎo)體的非平衡載流子的壽命最長(zhǎng)。12區(qū)別半導(dǎo)體平衡狀態(tài)和非平衡狀態(tài)有何不同？什么叫非平衡載流子？什么叫非平衡載流子的穩(wěn)定分布？13摻雜、改變溫度和光照激發(fā)均能改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率，它們之間有何區(qū)別？試從物理模型上予以說(shuō)明。14在平衡情況下，載流子有沒(méi)有復(fù)合這種運(yùn)動(dòng)形式？為什么著重討論非平衡載流子的復(fù)合運(yùn)動(dòng)？15為什么不能用費(fèi)米能級(jí)作為非平衡載流子濃度的標(biāo)準(zhǔn)而要引入準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)？費(fèi)米能級(jí)和準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)有何區(qū)別？16

36、在穩(wěn)定不變的光照下，半導(dǎo)體中電子和空穴濃度也是保持恒定不變的，但為什么說(shuō)半導(dǎo)體處于非平衡狀態(tài)？17說(shuō)明直接復(fù)合、間接復(fù)合的物理意義。18區(qū)別：復(fù)合效應(yīng)和陷阱效應(yīng)，復(fù)合中心和陷阱中心，俘獲和復(fù)合，俘獲截面和俘獲幾率。 第六章 金屬和半導(dǎo)體接觸例1.設(shè)p型硅（如圖72），受主濃度，試求：   (1) 室溫下費(fèi)米能級(jí)的位置和功函數(shù)；        EV   (2) 不計(jì)表面態(tài)的影響，該p型硅分別與鉑和銀接觸后是否形成阻擋層？若能形成阻擋層，求半導(dǎo)體一邊勢(shì)壘高度。 

37、0;  已知：              硅電子親合能  解：（1）室溫下，可認(rèn)為雜質(zhì)全部電離，若忽略本征激發(fā)，則           得：     功函數(shù)         （2）不計(jì)表面態(tài)的影響。對(duì)p型硅，當(dāng)時(shí)，金屬中電子流向半

38、導(dǎo)體，使得半導(dǎo)體表面勢(shì)，空穴附加能量，使得能帶向下彎，形成空穴勢(shì)壘。所以， p型硅和銀接觸后半導(dǎo)體表面形成空穴勢(shì)壘，即空穴阻擋層。又因，所以，p型硅和鉑接觸后不能形成阻擋層。（3）銀和p-Si接觸形成的阻擋層其勢(shì)壘高度：例2.施主濃度的n型硅（如圖），室溫下功函數(shù)是多少？若不考慮表面態(tài)的影響，它分別同Al、Au、Mo接觸時(shí)，是形成阻擋層還是反阻擋層？硅的電子親合能取4.05eV。設(shè)，。解：設(shè)室溫下雜質(zhì)全部電離：則         即        

39、; n-Si 的功函數(shù)為：已知：，故二者接觸形成反阻擋層。，顯然，故Au 與n-Si接觸，Mo與n-Si接觸均形成阻擋層。 習(xí)題與思考題：1 什么是功函數(shù)？哪些因數(shù)影響了半導(dǎo)體的功函數(shù)？什么是接觸勢(shì)差？2 什么是Schottky勢(shì)壘？影響其勢(shì)壘高度的因數(shù)有哪些？3 什么是歐姆接觸？形成歐姆接觸的方法有幾種？試根據(jù)能帶圖分別加以分析。4 什么是鏡像力？什么是隧道效應(yīng)？它們對(duì)接觸勢(shì)壘的影響怎樣的？5 施主濃度為7.0×1016cm-3的n型Si與Al形成金屬與半導(dǎo)體接觸，Al的功函數(shù)為4.20eV，Si的電子親和能為4.05eV，試畫(huà)出理想情況下金屬-半導(dǎo)體接觸的能帶圖并標(biāo)明半

40、導(dǎo)體表面勢(shì)的數(shù)值。6 分別分析n型和p型半導(dǎo)體形成阻擋層和反阻擋層的條件。7 試分別畫(huà)出n型和p型半導(dǎo)體分別形成阻擋層和反阻擋層的能帶圖。8 什么是少數(shù)載流子注入效應(yīng)？9 某Shottky二極管，其中半導(dǎo)體中施主濃度為2.5×1016cm-3，勢(shì)壘高度為0.64eV，加上4V的正向電壓時(shí)，試求勢(shì)壘的寬度為多少？10試根據(jù)能帶圖定性分析金屬-n型半導(dǎo)體形成良好歐姆接觸的原因。11金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)是如何定義的？半導(dǎo)體的功函數(shù)與哪些因素有關(guān)？12說(shuō)明金屬半導(dǎo)體接觸在什么條件下能形成接觸勢(shì)壘（阻擋層）？分析n型和p型半導(dǎo)體形成阻擋層和反電阻率的條件？13分別畫(huà)出n型和p型半導(dǎo)體與金屬接觸

41、時(shí)的能帶圖？14半導(dǎo)體表面態(tài)是怎樣影響勢(shì)壘高度的？分別討論受主型表面態(tài)和施主型表面態(tài)的影響。15什么叫歐姆接觸？實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體金屬的歐姆接觸有幾種方法？簡(jiǎn)要說(shuō)明其物理原理。16應(yīng)該怎樣制作n型硅和金屬鋁接觸才能實(shí)現(xiàn)（1）歐姆接觸；（2）整數(shù)接觸。17試比較pn結(jié)和肖特基結(jié)的主要異同點(diǎn)。指出肖特基二極管具有哪些重要特點(diǎn)。18為什么金屬半導(dǎo)體二極管（肖特基二極管）消除了載流子注入后的存貯時(shí)間？19為什么對(duì)輕摻雜的p型半導(dǎo)體不能用四探針?lè)椒y(cè)量其電阻率？對(duì)輕摻雜的n型半導(dǎo)體如何分析其物理過(guò)程。20什么叫少數(shù)載流子注入效應(yīng)？21鏡像力和隧道效應(yīng)是如何影響金屬半導(dǎo)體接觸勢(shì)壘的？22比較擴(kuò)散理論和熱電子反射理

42、論在解決肖特基二極管整流特性時(shí)其主要區(qū)別在什么地方？23金屬與重?fù)诫s的半導(dǎo)體接觸能夠形成歐姆接觸，說(shuō)明其物理原理。 第七章 半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)例1.設(shè)在金屬與n型半導(dǎo)體之間加一電壓，且n-Si接高電位，金屬接低電位，使半導(dǎo)體表面層內(nèi)出現(xiàn)耗盡狀態(tài)。    (1)求耗盡層內(nèi)電勢(shì)V(x)；    (2)若表面勢(shì)；外加電壓5V, 施主濃度，求耗盡層厚度。設(shè)，解：（1）根據(jù)耗盡層近似，即假設(shè)空間電荷層的電子都已全部耗盡，電荷全由已電離的施主雜質(zhì)構(gòu)成，設(shè)摻雜是均勻的，則空間電荷層的電荷密度，故泊松方程可寫(xiě)為： 設(shè)為耗盡層寬度，則因半

43、導(dǎo)體內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)為零，有：     設(shè)體內(nèi)電勢(shì)為0，即 ，積分上式得；式中時(shí)，即為。（2）當(dāng)加電壓為時(shí)，表面勢(shì)由Vs提高為VsV，所以，外加電壓為V后，                           例2.試導(dǎo)出使表面恰為本征時(shí)表面電場(chǎng)強(qiáng)度，表面電荷密度和表面層電容的表示式（設(shè)p型硅情形）。 &#

44、160;  解：  當(dāng)表面恰為本征時(shí)，即Ei在表面與EF重合   所以    Vs=VB設(shè)表面層載流子濃度仍遵守經(jīng)典統(tǒng)計(jì)。則     表面恰為本征  故 但                            

45、0;          取對(duì)數(shù)即得：F函數(shù)：p型硅，且                       故     ，    因此： 習(xí)題與思考:1 解釋什么是表面積累、表面耗盡和表面反型？2 在由n型半導(dǎo)體組成的

46、MIS結(jié)構(gòu)上加電壓VG，分析其表面空間電荷層狀態(tài)隨VG變化的情況，并解釋其CV曲線。3 試述影響平帶電壓VFB的因素。4 什么是空間電荷區(qū)？如何才能在半導(dǎo)體表面形成正的空間電荷區(qū)和負(fù)的空間電荷區(qū)？5 說(shuō)明表面勢(shì)的物理意義，如何才能保證和？6 為什么半導(dǎo)體的表面會(huì)發(fā)生彎曲？說(shuō)明能帶向上彎和向下彎的條件？7 能帶彎曲以后形成電子勢(shì)壘還是空穴勢(shì)壘，如何判斷之。在能帶圖上討論n型半導(dǎo)體和表面空間電荷的關(guān)系。8 半導(dǎo)體表面積累、耗盡、本征和反型的物理意義是什么？分析n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體形成上述幾種狀態(tài)的條件，以圖示意之。9 為什么二氧化硅層下面的p型硅表面有自行變?yōu)閚型半導(dǎo)體的傾向？10分別對(duì)n型襯底

47、和p型襯底MOS結(jié)構(gòu)，畫(huà)出在外加偏壓條件下MOS結(jié)構(gòu)中對(duì)應(yīng)于載流子在積累、耗盡、強(qiáng)反型時(shí)能帶和電荷分布圖。11畫(huà)出MOS結(jié)構(gòu)的等效電路，寫(xiě)出MOS的電容表達(dá)式（包括歸一化電容的表達(dá)式）。設(shè)在實(shí)際MOS結(jié)構(gòu)中存在可動(dòng)離子，固定電荷和金半功函數(shù)差，說(shuō)明每種情況對(duì)MOS結(jié)構(gòu)CV特性的影響。12在忽略界面態(tài)影響情況下，可以用什么實(shí)驗(yàn)方法測(cè)量MOS結(jié)構(gòu)氧化層中固定電荷與可動(dòng)電荷，說(shuō)明試驗(yàn)方法及有關(guān)公式。13用耗盡近似方法推導(dǎo)半導(dǎo)體表面耗盡層的表面勢(shì)，厚度和空間表面電荷的表示式。14何謂異質(zhì)結(jié)？異質(zhì)結(jié)如何分類(lèi)？試以鍺和砷化鎵為例，說(shuō)明異質(zhì)結(jié)的表示法。15何謂突變異質(zhì)結(jié)和緩變異質(zhì)結(jié)？它們與同質(zhì)的突變pn結(jié)和

48、緩變pn結(jié)有何區(qū)別？16以晶格常數(shù)為a的金剛石結(jié)構(gòu)為例，計(jì)算（111），（110），（100）的懸掛鍵密度，并比較其大小。17如何區(qū)分界面的原子面密度和懸掛鍵面密度，是否原子面密度大的懸掛鍵面密度一定大？18比較異質(zhì)結(jié)與同質(zhì)結(jié)的不同。根據(jù)異質(zhì)結(jié)的獨(dú)特性質(zhì)，說(shuō)明異質(zhì)結(jié)的應(yīng)用。19為什么異質(zhì)結(jié)的電流輸運(yùn)機(jī)構(gòu)比同質(zhì)結(jié)復(fù)雜得多？ 第十章半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象 習(xí)題與思考:1 什么是電導(dǎo)？說(shuō)明復(fù)合效應(yīng)和陷阱效應(yīng)對(duì)光電導(dǎo)的影響？2 區(qū)別直接躍遷和間接躍遷（豎直躍遷和非豎直躍遷）。3 什么是聲子？它對(duì)半導(dǎo)體吸收特性起什么作用？4 使半導(dǎo)體材料硅、鍺和砷化鎵在光照下能夠產(chǎn)生電子空

49、穴對(duì)的光最大波長(zhǎng)為多少？5 半導(dǎo)體對(duì)光的吸收有哪幾種主要過(guò)程？哪些過(guò)程具有確定的長(zhǎng)波吸收限？寫(xiě)出對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)表示式。哪些具有線狀吸收光譜？哪些光吸收對(duì)光電導(dǎo)有貢獻(xiàn)？6 本征吸收中電子吸收光子時(shí)，可能出現(xiàn)哪幾種躍遷方式？它們有何不同？各在什么樣的半導(dǎo)體中容易發(fā)生？試舉一、二例說(shuō)明。7 什么是半導(dǎo)體的自由載流子光吸收？分別用經(jīng)典理論和量子理論說(shuō)明，并簡(jiǎn)要討論其結(jié)果。 （1）寫(xiě)出pn結(jié)光電二極管的伏安特性方程并畫(huà)出對(duì)應(yīng)的特性曲線； （2）pn結(jié)光電二極管的電流相應(yīng)于正偏置還是反偏置的二極管電流； （3）對(duì)于不同能量的光照，其曲線如何變化？8 要產(chǎn)生激光發(fā)射，為什么需要對(duì)半

50、導(dǎo)體重?fù)诫s？9 解釋p型半導(dǎo)體霍耳系數(shù)改變符號(hào)的原因。10區(qū)別：電導(dǎo)遷移率、漂移遷移率和霍耳遷移率。11何謂霍耳角？與磁感應(yīng)強(qiáng)度和載流子遷移率的關(guān)系如何？12為什么半導(dǎo)體的霍耳效應(yīng)比金屬大的多？綜合練習(xí)題一一、選擇填空（含多項(xiàng)選擇）  1. 與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）     A. 比半導(dǎo)體的大     B. 比半導(dǎo)體的小     C. 與半導(dǎo)體的相等  2. 室溫下，半導(dǎo)體Si摻硼的濃度為1014cm3，同時(shí)摻有濃度為1.1

51、×1015cm3的磷，則電子濃度約為（），空穴濃度為（），費(fèi)米能級(jí)（）；將該半導(dǎo)體升溫至570K，則多子濃度約為（），少子濃度為（），費(fèi)米能級(jí)（）。（已知：室溫下，ni1.5×1010cm3，570K時(shí)，ni2×1017cm3）     A. 1014cm3           B. 1015cm3           

52、;   C. 1.1×1015cm3      D. 2.25×1015cm3        E. 1.2×1015cm3      F. 2×1017cm3      G. 高于Ei         

53、0;    H. 低于Ei              I. 等于Ei  3. 施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（），受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（），本征激發(fā)后向半導(dǎo)體提供（）。     A. 空穴       B. 電子  4. 對(duì)于一定的半導(dǎo)體材料，摻雜濃度降低將導(dǎo)致禁帶寬度（），本征流子濃度（），功函數(shù)（）。&

54、#160;    A. 增加      B. 不變      C. 減少  5. 對(duì)于一定的n型半導(dǎo)體材料，溫度一定時(shí)，較少摻雜濃度，將導(dǎo)致（）靠近Ei。     A. Ec     B. Ev     C. Eg      D. Ef  6. 熱平衡時(shí)，半導(dǎo)體中電子濃

55、度與空穴濃度之積為常數(shù)，它只與（）有關(guān)，而與（）無(wú)關(guān)。     A. 雜質(zhì)濃度     B. 雜質(zhì)類(lèi)型     C. 禁帶寬度      D. 溫度  7. 表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）。     A. 施主態(tài)         B. 受主態(tài)   &#

56、160;    C. 電中性  8. 當(dāng)施主能級(jí)Ed與費(fèi)米能級(jí)Ef相等時(shí)，電離施主的濃度為施主濃度的（）倍。     A. 1      B. 1/2       C. 1/3       D. 1/4  9. 最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在（）附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是（）的陷阱   &

57、#160; A. Ea        B. Ed       C. E         D. Ei       E. 少子     F. 多子 10. 載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流，漂移運(yùn)動(dòng)長(zhǎng)生（）電流。     A. 漂移  &

58、#160;    B. 隧道       C. 擴(kuò)散 11. MIS結(jié)構(gòu)的表面發(fā)生強(qiáng)反型時(shí)，其表面的導(dǎo)電類(lèi)型與體材料的（），若增加摻雜濃度，其開(kāi)啟電壓將（）。     A. 相同       B. 不同       C. 增加       D. 減少二、思考題 

59、0; 1. 簡(jiǎn)述有效質(zhì)量與能帶結(jié)構(gòu)的關(guān)系。   2. 為什么半導(dǎo)體滿帶中的少量空狀態(tài)可以用帶有正電荷和具有一定質(zhì)量的空穴來(lái)描述？  3. 分析化合物半導(dǎo)體PbS中S的間隙原子是形成施主還是受主？S的缺陷呢？  4. 說(shuō)明半導(dǎo)體中淺能級(jí)雜質(zhì)、深能級(jí)雜質(zhì)的作用有何不同？  5. 為什么Si半導(dǎo)體器件的工作溫度比Ge半導(dǎo)體器件的工作溫度高？你認(rèn)為在高溫條件下工作的半導(dǎo)體應(yīng)滿足什么條件工廠生產(chǎn)超純Si的室溫電阻率總是夏天低，冬天高。試解釋其原因。  6. 試解釋強(qiáng)電場(chǎng)作用下GaAs的負(fù)阻現(xiàn)象。  7. 穩(wěn)定光照下，半導(dǎo)體中的電子和空

60、穴濃度維持不變，半導(dǎo)體處于平衡狀態(tài)下嗎？為什么？  8. 愛(ài)因斯坦關(guān)系是什么樣的關(guān)系？有何物理意義？  9. 怎樣才能使得n型硅與金屬鋁接觸才能分別實(shí)現(xiàn)歐姆接觸和整流接觸？ 綜合練習(xí)題二一、選擇填空  1.族化合物半導(dǎo)體起施主作用的缺陷是（  ）。    A. 正離子填隙          B. 正離子缺位           C.負(fù)離子

61、填隙  2.下列哪個(gè)參數(shù)不能由霍爾效應(yīng)確定（）    A. 遷移率             B. 載流子濃度           C. 有效質(zhì)量m*  3.非平衡電子的擴(kuò)散電流密度擴(kuò)的方向是（  ）。    A.流密度Sn的方向     &

62、#160; B.電子擴(kuò)散方向          C.電子濃度梯度方向  4. 有效陷阱中心的能級(jí)接近（）能級(jí)。    A.禁帶中心能級(jí)         B.施主或受主能級(jí)        C.費(fèi)米能級(jí)  5.在強(qiáng)電離區(qū)，N型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)位于（）    A.高于施主能級(jí) 

63、;        B.低于施主能級(jí)          C.等于施主能級(jí)  6.在強(qiáng)電場(chǎng)下，隨電場(chǎng)的增加，GaAs中載流子的平均漂移速率是（）    A.增加                 B.減少  

64、0;              C.不變   7.直接復(fù)合時(shí)，小注入的N型半導(dǎo)體的非平衡載流子壽命d主要決定于（  ）。    A.                 B.         &

65、#160;       C.    8.N型半導(dǎo)體的霍爾系數(shù)隨溫度的變化    A. 從正變到負(fù)          B. 從負(fù)到正            C. 始終為負(fù)  9.有效復(fù)合中心的能級(jí)接近（）能級(jí)。    A.禁帶中心能級(jí)Ei  

66、     B.施主或受主能級(jí)       C.費(fèi)米能級(jí)EF 10.對(duì)于某n型半導(dǎo)體構(gòu)成的金半阻擋層接觸，加上正向電壓時(shí)，隨著電壓增加，阻擋層的厚度將逐漸（）。    A. 變寬               B. 不變        

67、;        C. 變窄  綜合練習(xí)題三 一、單項(xiàng)選擇題（總分16分，每小題2分）1. 若某半導(dǎo)體導(dǎo)帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為零，則該半導(dǎo)體必定（    ）     a） 不含施主雜質(zhì)             b）不含受主雜質(zhì)         

68、;    c）本征半導(dǎo)體                d）處于絕對(duì)零度2. 半導(dǎo)體中載流子擴(kuò)散系數(shù)的大小決定于其中的（    ）     a） 散射機(jī)構(gòu)                 b

69、） 能帶結(jié)構(gòu)     c） 復(fù)合機(jī)構(gòu)                 d） 晶體結(jié)構(gòu)3. 在溫室條件下，1cm3的硅中摻入濃度為1016/cm3的N型雜質(zhì)，則其電導(dǎo)率將增加（    ）倍     a） 一百萬(wàn)          &

70、#160;        b） 一千萬(wàn)     c）十萬(wàn)                      d）無(wú)法確定4. 硅中摻金工藝主要用于制造（    ）器件     a） 大功率  

71、60;                b） 高反壓     c） 高頻                     d）低噪聲5. 現(xiàn)有一材料的電阻率隨溫度增加而先下降后上升，該材料是（  &#

72、160; ）     a）金屬                      b）本征半導(dǎo)體     c）摻雜半導(dǎo)體                d）高純化合物半

73、導(dǎo)體6. MOS器件的導(dǎo)電溝道是（    ）層     a）耗盡                      b）反型     c）阻擋            &

74、#160;         d）反阻擋7. 有效的復(fù)合中心能級(jí)通常都是靠近（    ）     a）Ec                       b）Ev       

75、;   c）Ei                       d）Ef8. 反向的PN結(jié)空間電荷區(qū)中不存在（    ）電流     a）少子            

76、60;        b）漂移     c）產(chǎn)生                     d）復(fù)合二、多項(xiàng)選擇題（總分24分，每小題3分）1. 以下的敘述中（    ）不屬于空穴的特征     a）空穴濃度等于價(jià)帶中空狀

77、態(tài)濃度     b）空穴所帶的正電荷等于電子電荷     c）空穴的能量等于原空狀態(tài)內(nèi)電子的能量的負(fù)值                    d）空穴的波矢與原空狀態(tài)內(nèi)電子的波矢相同2. 關(guān)于電子的費(fèi)米分布函數(shù)f(E)，敘述正確的是（    ）     a）是能量為E的

78、一個(gè)量子狀態(tài)被電子占據(jù)的幾率     b）電子在能量為E的狀態(tài)上服從泡利原理     c）當(dāng)EC-EFkT時(shí)，費(fèi)米分布可用波爾茲曼分布近似                    d）服從費(fèi)米分布的半導(dǎo)體是簡(jiǎn)并的3. 關(guān)于結(jié)的敘述中（    ）是正確的     a）流過(guò)結(jié)

79、的正向電流成分中空穴電流占優(yōu)勢(shì)     b）結(jié)的耗盡區(qū)寬度主要在N型側(cè)     c）流過(guò)結(jié)的反向電流成分中沒(méi)有復(fù)合電流                   d）降低N區(qū)的摻雜濃度可以提高結(jié)的反向擊穿電壓4. 下面四塊半導(dǎo)體硅單晶，除摻雜濃度不同外，其余條件均相同，由下面給出的數(shù)據(jù)可知：電阻率最大的是（    ），電阻率

80、最小的是（    ）     a） b）， c） d）5. 下列敘述正確的是（    ）     a）非平衡載流子在電場(chǎng)作用下，在壽命時(shí)間內(nèi)所漂移的距離叫牽引長(zhǎng)度     b）非平衡載流子在復(fù)合前所能擴(kuò)散深入樣品的平均距離稱為擴(kuò)散長(zhǎng)度     c）使半導(dǎo)體導(dǎo)帶底的電子逸出體外所需的最小能量叫電子親和能      

81、60;            d）復(fù)合中心指的是促進(jìn)復(fù)合過(guò)程的雜質(zhì)和缺陷6. 關(guān)于P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)的敘述（    ）是正確的     a）由溫度和受主濃度決定     b）當(dāng)溫度一定時(shí)，受主濃度越高，與的差就越小     c）當(dāng)受主濃度一定時(shí)，溫度越高，與的差就越小      

82、0;            d）用適當(dāng)波長(zhǎng)的光均勻照射半導(dǎo)體時(shí)，與的差變大7. 關(guān)于PN結(jié)擊穿的敘述（    ）是正確的     a）雪崩擊穿的擊穿電壓比隧道擊穿的擊穿電壓高     b）輕摻雜的PN結(jié)易發(fā)生雪崩擊穿     c）重?fù)诫s的PN結(jié)易發(fā)生隧道擊穿       

83、0;           d）P-i-N結(jié)的擊穿電壓要比一般PN結(jié)的擊穿電壓高8. 下列敘述中（    ）是正確的     a）PN結(jié)的接觸電勢(shì)差隨溫度升高要減小     b）PN結(jié)的接觸電勢(shì)差          c）零偏壓時(shí)的硅PN結(jié)微分電阻要比鍺PN結(jié)的微分電阻大   

84、60;              d）在相同的正向電壓情況下，鍺PN結(jié)的微分電阻要比硅PN結(jié)的小     e）在相同的正向電流情況下，鍺PN結(jié)的微分電阻要比硅PN結(jié)的大三、填空題（共15分，每題3分）1.在公式 中，是載流子的_，m*是載流子的_。2.N型硅摻砷后，費(fèi)米能級(jí)向_移動(dòng)，在室溫下進(jìn)一步升高溫度，費(fèi)米能級(jí)向_移動(dòng)。3.在同一個(gè)坐標(biāo)系中畫(huà)出硅和鍺二極管的伏安特性為_(kāi)4.一維情況下，描述非平衡態(tài)半導(dǎo)體中空穴運(yùn)動(dòng)規(guī)律的連續(xù)性方程為&

85、#160;      寫(xiě)出每一項(xiàng)的物理意義是：   _    _   _    _    _    _5.MOS結(jié)構(gòu)的強(qiáng)反型條件是 _四、解釋或說(shuō)明下列各名詞（共15分，每小題5分）   1.有效質(zhì)量              2.本征激發(fā)

86、              3.歐姆接觸和肖特基接觸五、說(shuō)明以下幾種效應(yīng)及其物理機(jī)制，并分別寫(xiě)出其可能的一種應(yīng)用（總分21分，每小題7分）   1.湯姆遜效應(yīng)            2.霍爾效應(yīng)            &

87、#160; 3.耿氏效應(yīng)六、計(jì)算題或證明題（總分59分，共 5小題）1.（12分）一塊足夠厚的P型硅樣品，室溫下電子遷移率，電子壽命，其表面處，穩(wěn)定注入的電子濃度。計(jì)算： 在距表面多遠(yuǎn)處？由表面擴(kuò)散到該處的非平衡少子的電流密度為（表面復(fù)合不計(jì)）。2.（12分）一硅結(jié)，結(jié)兩邊的摻雜濃度為，結(jié)面積，空穴壽命，空穴擴(kuò)散系數(shù)。室溫下計(jì)算： 加正偏壓時(shí)，流過(guò)的電流。3.（12分）已知本征鍺的電導(dǎo)率在310K是為，在273K時(shí)為。一個(gè)N型鍺樣品，在這兩個(gè)溫度時(shí)，施主濃度為。試計(jì)算： 在上述兩個(gè)溫度時(shí)摻雜鍺的電導(dǎo)率。（設(shè)，）4.（13分）設(shè)一均勻的N型硅樣品，在右半部用一穩(wěn)定的光照射，如圖所示。均勻產(chǎn)生電子

88、空穴對(duì)，產(chǎn)生率為g。若樣品足夠長(zhǎng)，求穩(wěn)態(tài)時(shí)： 1） 樣品兩邊的空穴濃度分布的表達(dá)式      2）畫(huà)出隨的分布示意圖。5.（10分）證明愛(ài)因斯坦關(guān)系式。             綜合練習(xí)題四          一、單項(xiàng)選擇題（總分16分，每小題2分） 1.設(shè)半導(dǎo)體能帶位于k=0處，則下列敘述（   

89、 ）正確     a）能帶底的電子有效質(zhì)量為正     b）能帶底的電子有效質(zhì)量為負(fù)     c）能帶底的電子有效質(zhì)量為負(fù)     d）能帶底附近電子的速度為負(fù) 2. 在室溫時(shí)T=300K，在本征半導(dǎo)體的兩端外加電壓U,則（    ）     a）價(jià)帶中的電子不參與導(dǎo)電     b）價(jià)帶中的電子參與導(dǎo)電 &#

90、160;   c）基本能級(jí)位于禁帶中央的下方     d）基本能級(jí)位于禁帶中央的上方3. 在制造半導(dǎo)體高速開(kāi)關(guān)器件時(shí)，認(rèn)為地?fù)饺虢?，其目的是?#160;   ）     a）減少關(guān)斷時(shí)間       b）增加電流放大倍數(shù)     c）提高擊穿電壓       d）增加少子壽命4. 關(guān)于載流子濃度 ,對(duì)同一材料，在一定

91、溫度時(shí)，正確的說(shuō)法是（    ）     a）僅適用于本征半導(dǎo)體    b）僅適用于p型半導(dǎo)體     c）僅適用于n型半導(dǎo)體     d）以上三種情況都適用5. 由（    ）散射決定的遷移率正比于           a）電離雜質(zhì)       b

92、）聲子波     c）光子波         d）電子間的6. 關(guān)于半導(dǎo)體中非平衡載流子的壽命，下列敘述不正確的是(     )。     a）壽命與材料類(lèi)型有關(guān)     b）壽命與材料的表面狀態(tài)有關(guān)     c）壽命與材料的純度有關(guān)     d）壽命與材料的晶格完整性有關(guān)7.

93、若pn結(jié)空間電荷區(qū)中不存在復(fù)合電流，則pn結(jié)一定在（    ）工作狀態(tài)。     a）反向     b）正向    c）擊穿    d）零偏壓8. 在同樣的條件下，硅二極管的反向飽和電流要比鍺二極管的要（    ）。     a）大       b）小    

94、  c）相等    d）無(wú)法判斷二、多項(xiàng)選擇題（總分24分，每小題3分）1. 關(guān)于霍耳效應(yīng)，下列敘述正確的是（   ）。     a）n型半導(dǎo)體的霍耳系數(shù)總是負(fù)值。     b）p型半導(dǎo)體的霍耳系數(shù)可以是正值，零或負(fù)值。     c）利用霍耳效應(yīng)可以判斷半導(dǎo)體的導(dǎo)電類(lèi)型。     d）霍耳電壓與樣品形狀有關(guān)。2. 下列（    ）不屬于熱電效應(yīng)。&

95、#160;    a）塞貝克效應(yīng)     b）帕耳帖效應(yīng)     c）湯姆遜效應(yīng)     d）帕斯托效應(yīng)3. 半導(dǎo)體pn結(jié)激光的發(fā)射，必須滿足的條件是（    ）。     a）形成粒子數(shù)分布反轉(zhuǎn)     b）共振腔     c）至少達(dá)到閾值的電流密度    

96、 d）pn結(jié)必須處于反向工作狀態(tài)4. 若 ，則正確的是（   ）。     a）金屬與n型半導(dǎo)體接觸形成阻擋層     b）金屬與p型半導(dǎo)體接觸形成反阻擋層     c）金屬與n型半導(dǎo)體提接觸形成反阻擋層     d）金屬與p型半導(dǎo)體接觸形成阻擋層5. 下列結(jié)構(gòu)中，（    ）可以實(shí)現(xiàn)歐姆接觸。     a）金屬-n+-n  &

97、#160;         b）金屬-p+-p     c）金屬-p-p+            d）金屬-n-n+6. 下列關(guān)于p+n結(jié)的敘述中，（    ）是正確的。     a）p+n結(jié)的結(jié)電容要比相同條件的pn結(jié)結(jié)電容大     b）流過(guò)p+n結(jié)的正向

98、電流中無(wú)產(chǎn)生電流成分     c）p+n結(jié)的開(kāi)關(guān)速度要比一般pn結(jié)的開(kāi)關(guān)速度快     d）p+n結(jié)的反向擊穿電壓要比一般pn結(jié)的低7. 對(duì)于硅pn結(jié)的擊穿電壓，敘述正確的是（     ）。     a）擊穿電壓>6.7V時(shí)，為雪崩擊穿     b）擊穿電壓<4.5V時(shí)，為隧道擊穿     c）隧道擊穿電壓的溫度系數(shù)為正值  

99、   d）雪崩擊穿電壓的溫度系數(shù)為負(fù)值8. 在理想MIS結(jié)構(gòu)中，下列結(jié)論（    ）正確。     a）平帶電壓為零           b）      c）無(wú)外加電壓時(shí)，半導(dǎo)體表面勢(shì)為零     d）無(wú)外加電壓時(shí)，半導(dǎo)體表面無(wú)反型層也無(wú)耗盡層三、填空題（共15分，每題3分）1.在晶體中電子所遵守的一維薛定諤方程，滿足此方程的布洛赫函數(shù)為                                 。2. 硅摻磷后，費(fèi)米能級(jí)向         &