闡述波導基于基片集成波導諧振腔微擾法測量微波介質(zhì)磁導率的策略畢業(yè)論文翻譯_第1頁
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1、闡述波導基于基片集成波導諧振腔微擾法測量微波介質(zhì)磁導率的策略畢業(yè)論文翻譯    線饋電,微帶線單端口饋電,微帶線雙端口饋電。通過電磁軟件的輔助仿真優(yōu)化了各項參數(shù),使之可以滿足饋電耦合的參數(shù)要求。6.對不同的饋電模型進行電磁仿真,計算出插入樣品前后的諧振頻率及品質(zhì)因數(shù),根據(jù)所得實驗數(shù)據(jù)計算出插入介質(zhì)樣品的磁導率,并與真實值進行比較,淺析誤差。關鍵詞:腔微擾法論文基片集成摘要:隨著現(xiàn)代工業(yè)對材料電磁特性要求的不斷提到,快速準確地得出材料樣品的介電常數(shù)及磁導率變得越來越重要。本論文通過論述淺析及仿真實驗,探討了一種測量微波材料磁導率的新策略。論文的主要工作包括

2、:1.淺析了幾類常見的測量磁導率策略的優(yōu)缺點,進行了測量方式的選擇,就腔微擾法的基本原理進行了詳細的論述淺析及公式推導,分別給出了當填充介質(zhì)是非磁性材料及磁性材料時的介質(zhì)樣品磁導率與磁損耗的具體計算公式,結(jié)合仿真數(shù)據(jù)對公式進行了誤差淺析,并給出了微擾條件。2.選擇了基片集成波導(substrate integrated waveguide SIW)作為本論文測量策略中所用器件的基本結(jié)構(gòu)。淺析了基片集成波導(SIW)的傳播特性,給出了基片集成波導(SIW)與介質(zhì)填充減高矩形波導的等效公式,并用實驗的方式驗證了等效公式的正確性。3.設計了基片集成波導(SIW)諧振腔,滿足微波頻段的參數(shù)要求。在全波

3、電磁仿真軟件中構(gòu)建了基片集成波導(SIW)諧振腔模型,給出了插入介質(zhì)樣品前后的電磁場分布圖,淺析了插入介質(zhì)樣品對磁場大小的影響。4.在本征方式下,分別對填充介質(zhì)是非磁性材料及磁性材料的介質(zhì)填充減高矩形波導諧振腔進行仿真,得出插入不同介質(zhì)樣品前后的諧振頻率點及品質(zhì)因數(shù),由此計算插入介質(zhì)樣品的磁導率,并對兩種情況下計算得磁導率精度不同進行了理由淺析及規(guī)律預測。之后將諧振腔換成基片集成波導(SIW)諧振腔進行了類似的仿真計算,證明了利用基片集成波導諧振腔代替介質(zhì)填充減高矩形波導是正確可行的,并得到了插入樣品的磁導率數(shù)據(jù)。5.設計了帶有不同饋電的基片集成波導(SIW)諧振腔,包括:同軸線饋電,微帶線單

4、端口饋電,微帶線雙端口饋電。通過電磁軟件的輔助仿真優(yōu)化了各項參數(shù),使之可以滿足饋電耦合的參數(shù)要求。6.對不同的饋電模型進行電磁仿真,計算出插入樣品前后的諧振頻率及品質(zhì)因數(shù),根據(jù)所得實驗數(shù)據(jù)計算出插入介質(zhì)樣品的磁導率,并與真實值進行比較,淺析誤差。    關鍵詞:腔微擾法論文 基片集成波導論文 磁導率論文         摘要4-5Abstract5-9第一章 緒論9-121.1 探討背景與作用9-101.2 國內(nèi)外探討近況10-111.3 本論文的主要工作11-12第二章 諧

5、振腔微擾法12-252.1 磁導率的基本概念1712-132.2 測量介質(zhì)復磁導率的一般策略及本論文的選擇1813-152.3 諧振腔微擾法原理15-232.4 本章小結(jié)23-25第三章 基片集成波導諧振腔25-343.1 引言253.2 基片集成波導(SIW)的結(jié)構(gòu)特點及與介質(zhì)填充減高矩形波導的等效25-273.3 基片集成波導(SIW)的傳播特性27-303.4 基片集成波導(SIW)構(gòu)成諧振腔30-333.5 本章小結(jié)33-34第四章 諧振腔的設計與參數(shù)計算34-474.1 基片集成波導諧振腔的設計34-394.2 諧振腔品質(zhì)因數(shù)的計算39-464.3 本章小結(jié)46-47第五章 介質(zhì)磁導率的實驗測量47-745.1 本征方式測量介質(zhì)復磁導率47-58。    來工作展望75-76參考文獻76-79附錄1攻讀碩士學位期間撰寫的論文79-80致謝80上一頁12諧振腔測量介質(zhì)復磁導率47-555.2 帶饋電的諧振腔測量介質(zhì)復磁導

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