內(nèi)存的安裝與調(diào)試

1、內(nèi)存的安裝與調(diào)試內(nèi)存是PC的重要必備配件，所有數(shù)據(jù)都要在內(nèi)存中先進(jìn)行讀取/寫入操作，才可能與CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，進(jìn)行下一步交換資料，其重要性不言而喻。那么該如何來安裝內(nèi)存呢？安裝內(nèi)存時(shí)又該注意些什么呢？ 內(nèi)存安裝基本功現(xiàn)在大家使用的內(nèi)存主要有168線（針）的SDRAM和184線的DDR SDRAM內(nèi)存兩種（如圖1）。內(nèi)存是PC的重要必備配件，所有數(shù)據(jù)都要在內(nèi)存中先進(jìn)行讀取/寫入操作，才可能與CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，進(jìn)行下一步交換資料，其重要性不言而喻。那么該如何來安裝內(nèi)存呢？安裝內(nèi)存時(shí)又該注意些什么呢？ 內(nèi)存安裝基本功現(xiàn)在大家使用的內(nèi)存主要有168線（針）的SDRAM和184線的DDR SDRAM

2、內(nèi)存兩種（如圖1）。 SDRAM內(nèi)存，168針（pin）接口，位寬64bit，工作電壓3.3v，具備PC66/100/133等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范以及PC150/166等擴(kuò)展的規(guī)范。SDRAM的命名是按照時(shí)鐘頻率來命名的，例如PC100（標(biāo)準(zhǔn)工作頻率100MHz）與PC133（標(biāo)準(zhǔn)工作頻率133MHz）。DDR SDRAM內(nèi)存是由三星公司于1996年提出的內(nèi)存規(guī)格，并得到了AMD、VIA、SiS以及Intel等主要芯片組廠商的支持。DDR模塊部份與SDRAM模塊相比，改為采用184針（pin），46層印刷電路板，在其他組件或封裝上則與SDRAM模塊相同。相比SDRAM的單向傳輸，它在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿與下降

3、沿均可進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，使數(shù)據(jù)傳輸率達(dá)到SDRAM的2倍。 DDR SDRAM則是以數(shù)據(jù)傳輸量作為命名原則，例如PC1600（DDR200）、PC2100（DDR266）、PC2700（DDR333）、PC3200（DDR400）等，單位MB/s。頻率越靠后的內(nèi)存性能一般越高，大家在選擇時(shí)可優(yōu)選。 目前DDR2內(nèi)存也已出現(xiàn)，在DDR數(shù)據(jù)雙倍傳送的基礎(chǔ)上發(fā)展成為數(shù)據(jù)四倍傳送，但目前實(shí)際性能相比DDR內(nèi)存并無太大提升，相關(guān)主板芯片組也尚未主宰市場(chǎng)，所以在短時(shí)期內(nèi)還難以成為市場(chǎng)主流。 由于CPU是直接從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)并將處理結(jié)果直接寫入內(nèi)存，當(dāng)在內(nèi)存中無法找到數(shù)據(jù)時(shí)才調(diào)用速度更慢的硬盤，所以，內(nèi)存的速度

4、和容量在很大程度上決定著計(jì)算機(jī)的整體性能，大家在選配內(nèi)存時(shí)應(yīng)盡可能配上更大容量的內(nèi)存以增加整機(jī)性能。一根內(nèi)存，主要由PCB線路板、內(nèi)存顆粒（芯片）、SPD芯片和各種小電阻電容組成。比較值得關(guān)注的是內(nèi)存條上一塊被稱為SPD的小芯片，它是一塊8腳小芯片（見圖2），里面保存著內(nèi)存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當(dāng)開機(jī)時(shí)，支持SPD功能的主板BIOS就會(huì)自動(dòng)讀取其中的信息，并按照讀取的值來自動(dòng)設(shè)置內(nèi)存的存取時(shí)間和各種參數(shù)，省卻了手動(dòng)一一設(shè)置的麻煩。當(dāng)然，這只是在BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置為“By SPD”的情況下才會(huì)實(shí)現(xiàn)的。小知識(shí): DDR內(nèi)存速度辨

5、識(shí)-7和-7.5納秒的一般為DDR266的內(nèi)存，-6納秒的一般為DDR333的內(nèi)存，-5納秒一般為DDR400內(nèi)存，-4納秒則為DDR500內(nèi)存，圖2就是一塊-6納秒的內(nèi)存芯片。2.CPU（主板）和內(nèi)存的搭配一些初接觸硬件的讀者常常會(huì)問，我的主板只支持DDR266或DDR333內(nèi)存，我能選用DDR400的內(nèi)存嗎？其能良好兼容嗎？ CPU和內(nèi)存頻率有一定對(duì)應(yīng)關(guān)系。在Intel芯片組主板上不同前端總線的Intel處理器和內(nèi)存規(guī)格的對(duì)應(yīng)關(guān)系如表1表1CPU 前端總線適配內(nèi)存Pentium 4/A400MHzDDR266Pentium 4B533MHzDDR333Pentium 4C800MHzDDR

6、400Pentium 4C800MHzDDR400賽揚(yáng)4400MHzDDR266賽揚(yáng)D533MHzDDR266/333Athlon XP266MHzDDR266Athlon XP333MHzDDR333Athlon XP400MHzDDR40064HT構(gòu)架800MHz/1GHzDDR400在使用賽揚(yáng)處理器的時(shí)候，Intel芯片組會(huì)自動(dòng)將內(nèi)存定義到DDR266的水平上，但在選擇內(nèi)存時(shí)還是應(yīng)優(yōu)選更高頻率的內(nèi)存，它們都具備良好的向下兼容性（也就是說DDR266的內(nèi)存能在DDR400主板上自動(dòng)降頻使用，DDR400內(nèi)存也能在DDR266主板上自動(dòng)降頻使用）和可超頻性。所以，在實(shí)際選購內(nèi)存時(shí)不必為此固步

7、自封，即便使用的是800MHz的I865PE、I848P或者PT800/PT880芯片組的主板+賽揚(yáng)處理器的搭配，考慮到將來超頻或升級(jí)的可能性，也最好還是購買DDR400或更高頻率的內(nèi)存。此外，目前DDR400內(nèi)存和DDR333內(nèi)存在價(jià)格上也差不多，所以不論主板和CPU支持的是DDR266還是DDR333內(nèi)存，都應(yīng)優(yōu)選DDR400或更高頻率的內(nèi)存。 一般情況下，大家購買一根大容量?jī)?nèi)存就能滿足需求，但在有些情況下應(yīng)盡可能選擇兩根內(nèi)存。 在購買內(nèi)存時(shí)，如果所配的是800MHz雙通道的P4處理器和主板，那么要想獲得雙通道性能，就必需同時(shí)購買兩根品牌、速度和容量完全一樣的DDR400或更高頻率的內(nèi)存（

8、如原本準(zhǔn)備購買256MB的內(nèi)存，就需要分開購買兩根128MB的內(nèi)存；原本準(zhǔn)備購買512MB一根的內(nèi)存，要實(shí)現(xiàn)雙通道也需改購為兩根256MB的內(nèi)存）。 另外，nForce2 IGP整合主板芯片組的IGP北橋整合了GeForce4 MX級(jí)顯示核心，顯存共享系統(tǒng)內(nèi)存。但大家知道，目前的CPU與內(nèi)存之間的接口位寬是64bit（bit=位），nForce一共有2個(gè)內(nèi)存通道，第一個(gè)DIMM插槽獨(dú)占64bit DDR通道，另外的DIMM2和DIMM3為第二個(gè)64bit DDR通道。所以，在使用單根內(nèi)存時(shí)顯示位寬只能達(dá)到64位，而使用兩根內(nèi)存時(shí)顯示位寬可提升到128位，這將大大提高其集成顯示核心的性能，所以這

9、類用戶在選擇內(nèi)存時(shí)也應(yīng)該首選兩根內(nèi)存。 除此而外，在I850主板上使用16位RDRAM內(nèi)存，也需雙根一起使用。內(nèi)存安裝步步通現(xiàn)在常用的內(nèi)存有168線的SDRAM內(nèi)存和184線的DDR SDRAM內(nèi)存兩種，主要外觀區(qū)別在于SDRAM內(nèi)存金手指上有兩個(gè)缺口，而DDR SDRAM內(nèi)存只有一個(gè)。1。手把手教內(nèi)存安裝第一步：安裝內(nèi)存前先要將內(nèi)存插槽兩端的白色卡子向兩邊扳動(dòng)，將其打開，這樣才能將內(nèi)存插入（見圖4）。第二步：然后插入內(nèi)存條，SDRAM內(nèi)存條的2個(gè)凹槽必須直線對(duì)準(zhǔn)內(nèi)存插槽上的兩個(gè)凸點(diǎn)（隔斷）。DDR內(nèi)存的安裝和SDRAM內(nèi)存的安裝基本一樣，差別在于DDR內(nèi)存及其插槽上只有一個(gè)對(duì)應(yīng)缺口，缺口對(duì)準(zhǔn)

10、內(nèi)存槽上的一個(gè)凸塊（見圖5）。再向下按入內(nèi)存，在按的時(shí)候需要稍稍用力（見圖6）。第三步：安裝好后內(nèi)存的兩個(gè)白色的固定桿（鎖緊扣）會(huì)自動(dòng)合攏，確保內(nèi)存條被固定住，即完成內(nèi)存的物理安裝（見圖7）。小提示 內(nèi)存的兩端各有一個(gè)（SDRAM）或兩個(gè)（DDR內(nèi)存）缺口，正好和內(nèi)存插槽兩端的白色卡子對(duì)應(yīng)，如果內(nèi)存插到位，該卡子會(huì)卡在內(nèi)存的缺口中。如果內(nèi)存插到底，兩端的卡子還是不能自動(dòng)合攏，你可用手將其扳到位（見圖8）。而要取下內(nèi)存，你可先扳開該固定桿，然后向上撥下內(nèi)存即可。將內(nèi)存安裝好后就可開機(jī)試機(jī)了。如果安裝內(nèi)存后出現(xiàn)顯示器黑屏、主機(jī)內(nèi)小喇叭發(fā)出連續(xù)的長(zhǎng)聲鳴叫聲、屏幕顯示“Error：Unable to

11、ControlA20 Line”出錯(cuò)信息等，一般是由內(nèi)存安裝不到位或內(nèi)存插槽內(nèi)積灰等而使內(nèi)存接觸不良所致。對(duì)于這種安裝問題，大家可先用小毛刷清掃內(nèi)存槽，并用橡皮將內(nèi)存金手指上的臟污擦拭干凈，然后再將內(nèi)存重新安裝插緊即可。 此外，同種類型，不同頻率的內(nèi)存可以混合使用。比如PC100內(nèi)存能夠與PC133內(nèi)存混用，DDR266內(nèi)存也能與DDR400內(nèi)存混用。為了保證內(nèi)存混插的成功性與系統(tǒng)穩(wěn)定性，需將低規(guī)范低頻率的內(nèi)存插入主板第一根內(nèi)存插槽。如機(jī)器上有一根DDR266的內(nèi)存條，而你又買了一根新的DDR400內(nèi)存條來擴(kuò)容，如果不想淘汰老內(nèi)存，那么就需將DDR266的內(nèi)存插在第一根插槽上。 另外，不同電壓

12、的內(nèi)存也最好不要混插，除非你主板說明書稱完全支持，例如有的主板上同時(shí)具備SDRAM和DDR兩種內(nèi)存插槽，但并不能同時(shí)使用SDRAM和DDR兩種內(nèi)存。 對(duì)于要實(shí)現(xiàn)雙通道功能的主板而言，在安裝內(nèi)存時(shí)也有講究。多數(shù)I865PE、I875P、PT880等支持雙通道內(nèi)存的主板一般都建有4根（2根+2根）內(nèi)存插槽（見圖9）或3根內(nèi)存插槽（2根+1根，多見于nForce2/nForce3主板）（見圖10）。為了讓使用者方便辨認(rèn)雙通道，廠家一般會(huì)對(duì)不同的內(nèi)存組以不同的顏色插槽區(qū)別。例如某主板上綠色的DIMM1與DIMM2，代表的是同一個(gè)通道A；紫色的DIMM3與DIMM4則代表的是另一個(gè)通道B（有的廠商還會(huì)將

13、組成一個(gè)雙通道的內(nèi)存槽標(biāo)為一樣的顏色，具體可參看主板說明書）。 而要正確的安裝雙通道內(nèi)存，實(shí)現(xiàn)雙通道內(nèi)存就必須將兩根內(nèi)存安裝在對(duì)應(yīng)的不同的通道上，也就是一根在A通道第1個(gè)插槽，一根在B通道的第1個(gè)插槽，或?qū)⑺母鶅?nèi)存槽全部插滿，才能發(fā)揮其應(yīng)有的效能（如是三根內(nèi)存槽的主板，則單獨(dú)那根內(nèi)存槽上必需插上內(nèi)存才能組成雙通道）。 安裝成功后，開機(jī)自檢時(shí)，會(huì)顯示出內(nèi)存工作在雙通道模式下在自檢完CPU和內(nèi)存后會(huì)出現(xiàn)“Dual Channel Mode Enabled（已開啟雙通道模式）”等字樣（見圖11）。當(dāng)然，你也可用everest、CPU-Z等軟件來更準(zhǔn)確的查看，例如用everest系統(tǒng)檢測(cè)軟件（下載地址

14、 DDR SDRAM”則表明已經(jīng)處于雙通道模式，如果只有“DDR SDRAM”則表示仍為單通道模式。這時(shí)你可參看主板說明書檢測(cè)內(nèi)存是否插對(duì)，如果是P4雙通道系統(tǒng)，請(qǐng)確定兩根內(nèi)存是一樣的。此外，需要說明的是，當(dāng)你使用DDR400內(nèi)存800MHz處理器的I875P主板打開雙通道后，將自動(dòng)運(yùn)行PAT性能加速技術(shù)，整機(jī)性能大約可以提升35%。內(nèi)存安裝的其他要點(diǎn)BIOS中對(duì)內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行正確設(shè)置也能提高內(nèi)存穩(wěn)定性和性能，下面以Intel芯片組主板的BIOS中關(guān)于內(nèi)存設(shè)置的參數(shù)為主為例說明。 內(nèi)存設(shè)置參數(shù)多在“Advanced Chipset Features（高級(jí)芯片組特性）”或“Frequency/Vo

15、ltage Control（頻率/電壓控制）”選項(xiàng)里。(1)SDRAM CAS Latency Time（內(nèi)存CAS延遲時(shí)間）設(shè)置，在BIOS設(shè)置中DDR內(nèi)存的CAS參數(shù)選項(xiàng)通常有“2”、“”、“3”幾種選擇，SDRAM則只有“2”、“3”兩個(gè)選項(xiàng)。設(shè)置更低的CAS周期可讓內(nèi)存運(yùn)行更快速，但內(nèi)存條不支持或本身質(zhì)量不佳，也不應(yīng)強(qiáng)行設(shè)低，強(qiáng)行設(shè)低可能會(huì)使系統(tǒng)不穩(wěn)定、丟失數(shù)據(jù)甚至無法啟動(dòng)。例如某內(nèi)存只支持CL（CAS）=3或CL=2.5，那么你就不要強(qiáng)制將BIOS中的此項(xiàng)參數(shù)設(shè)為CL=2。所以在選擇購買內(nèi)存時(shí)，最好選擇同樣CL設(shè)置的內(nèi)存，因?yàn)椴煌俣鹊膬?nèi)存混插在系統(tǒng)內(nèi)，系統(tǒng)會(huì)以較慢的速度來運(yùn)行，也就

16、是當(dāng)CL2.5和CL2的內(nèi)存同時(shí)插在主機(jī)內(nèi)，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)讓兩條內(nèi)存都工作在CL2.5狀態(tài)。 小知識(shí)：內(nèi)存的常見參數(shù)CAS（Column Address Strobe，列地址選通脈沖）延遲時(shí)間，內(nèi)存在存儲(chǔ)信息時(shí)就像一個(gè)大表格一樣，通過行（Column）和列（Row）來為所有存儲(chǔ)在內(nèi)存里的信息定位，CAS就是指要多少個(gè)時(shí)鐘周期后才能找到相應(yīng)的位置；Row-active Delay（tRAS），內(nèi)存行地址選通延遲；RAS-to-CAS Delay（tRCD），內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間，該參數(shù)可以控制SDRAM行地址選通脈沖RAS信號(hào)與列地址選通脈沖信號(hào)之間的延遲；Rowprecharge De

17、lay（tRP），內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間，該參數(shù)可以控制在進(jìn)行SDRAM刷新操作之前行地址選通脈沖預(yù)充電所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。 RAS To CAS Delay和RAS Precharge Time等設(shè)置，數(shù)值越小越好。例如某主板BIOS中有RAS-TO-CAS Delay設(shè)置，可選項(xiàng)有2和3。該參數(shù)可以控制SDRAM行地址選通脈沖RAS信號(hào)與列地址選通脈沖信號(hào)之間的延遲，對(duì)SDRAM進(jìn)行讀、寫或刷新操作時(shí)，需要在這兩種脈沖信號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為2，如果系統(tǒng)無法穩(wěn)定運(yùn)行則可將該參數(shù)設(shè)為3。(2)System Memory Frequency（系統(tǒng)內(nèi)存頻率）

18、，可選項(xiàng)：AUTO、100MHz、133MHz、166MHz、200MHz等。此項(xiàng)設(shè)置實(shí)現(xiàn)內(nèi)存異步運(yùn)行管理功能。AUTO：根據(jù)內(nèi)存的特性自動(dòng)設(shè)定內(nèi)存的工作頻率（建議）。(3)Memory Parity/ECC Check（內(nèi)存奇偶/ECC校驗(yàn)），可選項(xiàng)有Disabled（關(guān)閉）和Enabled（打開）。如果系統(tǒng)支持和使用了ECC內(nèi)存，可以將該參數(shù)設(shè)為Enabled（如I875P主板+ECC內(nèi)存），否則一定要將該參數(shù)設(shè)成Disabled。如此數(shù)據(jù)流就永遠(yuǎn)不會(huì)額外再補(bǔ)上一個(gè)校驗(yàn)碼，關(guān)閉BIOS中的“ECC Checking”可以提升系統(tǒng)整體性能達(dá)百分之一。 如果你的內(nèi)存穩(wěn)定性欠佳，或者想超頻，目前很多主流主板BIOS中都支持對(duì)內(nèi)存電壓進(jìn)行微調(diào)，適當(dāng)在BIOS中調(diào)高內(nèi)存電壓能對(duì)內(nèi)存的穩(wěn)定使用及超頻使用起到好的效果。 在主板插有多根內(nèi)存時(shí)出現(xiàn)程序異常、死機(jī)次數(shù)增加或不能正常啟動(dòng)時(shí)，可先拆下一兩根內(nèi)存看看，如果確實(shí)是內(nèi)存間有兼容性問題，可換一個(gè)品牌或型號(hào)的內(nèi)存以解決。此外，出現(xiàn)這類故障時(shí)，不妨升級(jí)一下主板的BIOS。 對(duì)于一些已知的主板和內(nèi)存間的兼容性問題，也應(yīng)早知道早預(yù)防。例如nForce2主板與Kingmax（Tiny-BGA封裝）和Apacer內(nèi)存有一些兼容性問題，大家在配機(jī)時(shí)就需注意。個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)在與兼