阻抗控制指引

1、1.0 目的確定阻抗控制的要求,規(guī)范阻抗計(jì)算方法,擬定阻抗測(cè)試 COUPON 設(shè)計(jì)之準(zhǔn)則,確保產(chǎn)品能夠滿足生產(chǎn)的 需要及客戶要求。2.0 范圍所有需要阻抗控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制作及審核。2.1 定義阻抗的定義:在某一頻率下,電子器件傳輸信號(hào)線中,相對(duì)某一參考層,其高頻信號(hào)或電磁波在傳播過程中 所受的阻力稱之為特性阻抗,它是電阻抗,電感抗,電容抗 的一個(gè)矢量總和。2.2 阻抗的分類:目前我司常見的阻抗分為:單端(線阻抗、差分(動(dòng)阻抗、共面阻抗此三種情況。 2.2.1單端(線阻抗:英文 single ended impedance,指單根信號(hào)線測(cè)得的阻抗。2.2.2差分(動(dòng)阻抗:英文 differen

2、tial impedance,指差分驅(qū)動(dòng)時(shí)在兩條等寬等間距的傳輸線中測(cè)試到的阻抗。 2.2.3共面阻抗:英文 coplanar impedance, 指信號(hào)線在其周圍 GND/VCC(信號(hào)線到其兩側(cè) GNE/VCC間距相等 之間傳輸時(shí)所測(cè)試到的阻抗。3.0 職責(zé)3.1 工程部負(fù)責(zé)本文件的編制及修訂。3.2 MI設(shè)計(jì)人員負(fù)責(zé)對(duì)客戶資料中阻抗要求的理解及轉(zhuǎn)換, 負(fù)責(zé)編寫阻抗控制的流程指示、菲林修改指示幾阻抗 測(cè)試 COUPON 的設(shè)計(jì)。 MI 在生產(chǎn)使用過程中負(fù)責(zé)解釋相關(guān)條款內(nèi)容。3.3 品保部 QAE 負(fù)責(zé)對(duì)工程資料的檢查及認(rèn)可。4.0內(nèi)容4.1阻抗設(shè)計(jì)流程: 4.2 阻抗控制需求的決定條件:當(dāng)

3、信號(hào)在 PCB 板導(dǎo)線中傳輸時(shí),若導(dǎo)線的長(zhǎng)度接近信號(hào)波長(zhǎng)的 1/7,此時(shí)的導(dǎo)線便成為信號(hào)傳輸線,一般信號(hào)傳輸線均需做阻抗控制。 PCB 制作時(shí),依客戶要求決定是否需管控阻抗,若客戶要求某一線寬需做阻 抗控制,生產(chǎn)時(shí)則需要管控改線寬的阻抗。 4.3 阻抗匹配的三個(gè)要素:4.3.1 輸出阻抗(原始主動(dòng)零件特性阻抗(信號(hào)線輸入阻抗(被動(dòng)零件 (PCB 板 阻抗的匹配4.3.2 當(dāng)信號(hào)在 PCB 上傳輸時(shí), PCB 板的特性阻抗必須與頭尾元件的電子阻抗相匹配,一但阻抗值超出公差,所傳出的信號(hào)能量將出現(xiàn)反射、散射、衰減或延誤等現(xiàn)象,從而導(dǎo)致信號(hào)不完整,信號(hào)失真。 4.4 阻抗影響因素:4.4.1 Er:

4、介質(zhì)介電常數(shù),與阻抗值成反比,介電常數(shù)按新提供的板材介電常數(shù)表計(jì)算。 4.4.2 H1, H2, H3.:線路層雨接地層間介質(zhì)厚度,與阻抗值成正比。 4.4.3 W1:阻抗線先底寬度; W2阻抗線線面寬度,與阻抗值成正比。A:當(dāng)內(nèi)層底銅為 HOZ 時(shí), W1=W2+0.3mil;內(nèi)層底銅為 10Z 時(shí), W1=W2+0.5mil;當(dāng)內(nèi)層底銅為 20Z 時(shí),W1=W2+1.2mil。B:當(dāng)外層底銅為 HOZ 時(shí), W1=W2+0.8mil; 外層底銅為 10Z 時(shí), W1=W2+1.2mil;當(dāng)外層底銅為 20Z 時(shí),W1=W2+1.6mil。C:W1為原稿阻抗線寬。 4.4.4 T:銅厚,與阻

5、抗值成反比。A:內(nèi)層為基板銅厚, HOZ 按 15UM 計(jì)算; 10Z 按 30UM 計(jì)算; 20Z 按 65UM 計(jì)算。B:外層為銅箔厚度 +鍍銅厚度,依據(jù)孔銅桂格而定,當(dāng)?shù)足~為 HOZ ,孔銅(平均 20UM, 最小 18UM 時(shí),表銅按 45UM 計(jì)算;孔銅(平均 25UM ,最小 20UM 時(shí),表銅按 50UM 計(jì)算;孔銅單點(diǎn)最小 25UM 時(shí),表銅 按 55UM 計(jì)算。C:當(dāng)?shù)足~為 10Z ,孔銅(平均 20UM ,最小 18UM 時(shí),表銅按 55UM 計(jì)算;孔銅(平均 25UM ,最小 20UM 時(shí),表銅按 60UM 計(jì)算;孔銅單點(diǎn)最小 25UM 時(shí),表銅按 65UM 計(jì)算。4.4

6、.5 S:相鄰線路與線路之間的間距,與阻抗值成正比(差動(dòng)阻抗 。4.4.6 C1:基材阻焊厚度,與阻抗值成反比; C2線面阻焊厚度,與阻抗值成反比; C3:線間阻焊厚度,與阻抗值成反比; CEr :阻焊介電常數(shù),與阻抗值成反比。A: 印一次阻焊油墨, C1值為 30UM,C2值為 12UM,C3值為 30UM 。 B: 印兩次阻焊油墨, C1值為 60UM,C2值為 25UM,C3值為 60UM 。 C:CEr:按 3.4計(jì)算。 4.5 阻抗的計(jì)算:(POLAR SI800 計(jì)算模式 4.5.1常見的單端(線阻抗計(jì)算模式:4.5.1.1 Surface Micro strip在 MI 中注明

7、PP 厚度和線寬的管 控范圍測(cè)量阻抗是否符合客戶要求 4.5.1.2 Coated Microstrip 4.5.1.3 Embedded Microstrip 4.5.1.4 Offset stripling適用范圍:外層阻焊前阻抗計(jì)算:參數(shù)說明:H1:外層到 VCC/GND間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度W1:阻抗線線底寬度Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)T1 :線路銅厚,包括基板銅厚 +電鍍銅厚適用范圍:外層阻焊前阻抗計(jì)算:參數(shù)說明:H1:外層到 VCC/GND間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度W1:阻抗線線底寬度Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)T1 :線路銅厚,包括基板銅厚 +電鍍銅厚。 CEr :阻焊介電

8、常數(shù)C1:基材阻焊厚度 C2:線面阻焊厚度適用范圍:與外層相鄰的第二個(gè)線路層阻抗計(jì)算 例如一個(gè) 6層板, L1L2均為線路層, L3為 GND 或 VCC 層,則 L2層的阻抗用此方式計(jì)算。 參數(shù)說明:H1:線路層到相鄰 VCC/GND間介質(zhì)厚度 H2:外層到第二個(gè)線路層間的介質(zhì)厚度 +第二個(gè) 線路層厚度W2:阻抗線線面寬度W1:阻抗線線底寬度T1:阻抗線銅厚 =基板銅厚Er1:介質(zhì)層介電常數(shù) (線路層到相鄰 VCC/GND間介質(zhì)Er2:介質(zhì)層介電常數(shù)(外層到第二個(gè)線路層間 介質(zhì) 4.5.1.5 Offset stripline 4.5.1.6 適用范圍:兩個(gè) VCC/GND夾一個(gè)線路層之阻抗

9、計(jì) 算參數(shù)說明:H1:線路層到較近之 VCC/GND間距離H2:線路層到較遠(yuǎn)之 VCC/GND間距離 +線路銅厚 Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層到相鄰 VCC/GND間介質(zhì)Er2:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層到較遠(yuǎn) VCC/GND間介質(zhì)W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度適用范圍:兩個(gè) VCC/GND夾一個(gè)線路層之阻抗計(jì) 算;例如一個(gè) 6層板, L2, L5層為 GND/VCC,L3, L4層為線路層需控制阻抗。 參數(shù)說明:H1:線路層 1到較近之 VCC/GND間距離H2:線路層 1到線路層 2間距 +線路層 1和線路層 2銅厚。 H3:線路層 2到較遠(yuǎn)之 VCC/GND間距離 Er1:介質(zhì)

10、層介電常數(shù) (線路層 1到相鄰 VCC/GND間介質(zhì)Er2:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層 1到線路層 2間介 質(zhì) 。Er3:介質(zhì)層介電常數(shù) (線路層 2到較遠(yuǎn) VCC/GND間介質(zhì) 。 T1:阻抗線銅厚 =基板銅厚W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度阻抗計(jì)算模式同 4.5.1.2,僅多一介質(zhì)層 (比如一個(gè) 4層板, L1層需做阻抗控制, L2層為線路層, L3層為 GND/VCC參考層4.5.2常見的差分(動(dòng)阻抗計(jì)算模式: 4.5.2.1 Edge-coupled Surface Microstrip阻抗計(jì)算模式同 4.5.1.4, 僅多兩個(gè)介質(zhì) 層(比如一個(gè) 9層板, L4層需要做阻 抗控制

11、, L2, L6層為 GND/VCC參考 層, L3, L5為線路層。 4.5.2.2 Edge-coupled Coated Microstrip 4.5.2.3 Edge-coupled Embedded Microstrip 適用范圍:外層阻焊前差動(dòng)阻抗計(jì)算參數(shù)說明:H1:外層到 VCC/GND間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度W1:阻抗線線底寬度S1:差動(dòng)阻抗線間距Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)T1:線路銅厚,包括基板銅厚 +電鍍銅厚適用范圍:外層阻焊后差動(dòng)阻抗計(jì)算參數(shù)說明:H1:外層到 VCC/GND間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度W1:阻抗線線底寬度S1:差動(dòng)阻抗線間距Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)

12、T1:線路銅厚,包括基板銅厚 +電鍍銅厚 CEr :阻抗介電常數(shù)C1:基材阻焊厚度C2:線面阻焊厚度 C3:差動(dòng)阻抗線間阻抗厚度適用范圍:與外層相鄰的第二個(gè)線路層差動(dòng)阻抗 計(jì)算參數(shù)說明:H1:線路層到相鄰 VCC/GND間介質(zhì)厚度 H2:外層到第二個(gè)線路層間的介質(zhì)厚度 +第二個(gè) 線路層銅厚W2:阻抗線線面寬度W1:阻抗線線底寬度T1:阻抗線銅厚 =基板銅厚Er1:介質(zhì)層介電常數(shù) (線路層到相鄰 VCC/GND間介質(zhì)Er2:介質(zhì)層介電常數(shù)(外層到第二個(gè)線路層間 介質(zhì)S1:差動(dòng)阻抗線間距4.5.2.4 Edge-coupled Offset stripline 4.5.2.5 Edge-coupl

13、ed Offset stripline 4.5.2.6 Edge-coupled Offset stripline 適用范圍:兩個(gè) VCC/GND夾一個(gè)線路層之阻抗 計(jì)算參數(shù)說明:H1:線路層到較近之 VCC/GND間距離H2:線路層到較遠(yuǎn)只 VCC/GND間距離 +阻抗線 路層銅厚Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層到相鄰 VCC/GND間介質(zhì)Er2:介 質(zhì) 層 介 電 常 數(shù) (線 路 層 到 較 遠(yuǎn) 之 VCC/GND間介質(zhì) W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度T1:阻抗線銅厚 =基板銅厚 S1:差動(dòng)阻抗線間隙 適用范圍:兩個(gè) VCC/GND夾兩個(gè)線路層之阻抗 計(jì)算:例如一個(gè) 6層板,

14、L2、 L5層為 GND/VCC, L3、 L4層為線路層需控制阻抗 參數(shù)說明:H1:線路層 1到較近之 VCC/GND間距離H2:線路層 1到線路層 2間距離 +線路層 1,線 路層 2銅厚H3:線路層 2到較遠(yuǎn)之 VCC/GND間距離 Er1:介質(zhì)層介電常數(shù) (線路層 1到相鄰 VCC/GND間介質(zhì)Er2:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層 1到線路層 2間 介質(zhì)Er3:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層 2到較遠(yuǎn)之VCC/GND間介質(zhì)W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度 T1:阻抗線銅厚 =基板銅厚 S1:差動(dòng)阻抗線間隙 適用范圍:兩個(gè) VCC/GND夾兩個(gè)線路層之阻抗 計(jì)算:例如一個(gè) 6層板, L2、

15、L5層為 GND/VCC, L3、 L4層為線路層需控制阻抗 參數(shù)說明:H1:線路層 1到較近之 VCC/GND間距離H2:線路層 1到線路層 2間距離 +線路層 1,線 路層 2銅厚H3:線路層 2到較遠(yuǎn)之 VCC/GND間距離 Er1:介質(zhì)層介電常數(shù) (線路層 1到相鄰 VCC/GND間介質(zhì)Er2:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層 1到線路層 2間 介質(zhì)Er3:介質(zhì)層介電常數(shù)(線路層 2到較遠(yuǎn)之 VCC/GND間介質(zhì)W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度 T1:阻抗線銅厚 =基板銅厚 S1:差動(dòng)阻抗線間隙 REr :差分阻抗線間填充樹脂的介電常數(shù)備注:當(dāng) REr=Er2時(shí), 4.5.2.5計(jì)算的

16、阻 抗值則會(huì)等于 4.5.2.6計(jì)算的阻抗值,因此一 般情況下不用類似于 4.5.2.6模式(含線 間填充樹脂計(jì)算阻抗值4.5.2.7 Edge-coupled Coated Microstrip 4.5.3 常見的共面阻抗計(jì)算模式4.5.3.1 Surface coplanar waveguide 4.5.3.2 Coated coplanar strips阻抗計(jì)算模式同 4.6.1.4, 僅多兩個(gè)介質(zhì) 層(比如一個(gè) 8層板, L4層需做阻抗控 制, L2, L6層為 GND/VCC參考層, L2, L5層為線路層阻抗計(jì)算模式同 4.6.1.2,僅多一介質(zhì)層 (比如一個(gè) 4層板, L1層需做

17、阻抗控制,L2層為線路層,L3層為 GND/VCC參考層 適用范圍:外層蝕刻后單線共面阻抗,參考層與阻 抗線在同一層面,即阻抗線被周圍 GND/VCC包圍, 周 圍 GND/VCC即 為 參 考 層 面 。 而 次 外 層 (innerlayer2為線路層,非 GND/VCC(即非參考 層 。參數(shù)說明:H1:外層到次外層之間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度 D1:阻抗線與 GND/VCC之間的距離T1:線路銅厚,包括基板銅厚 +電鍍銅厚 Er1:介質(zhì)層介電常數(shù) 適用范圍:阻焊后單線共面阻抗,參考層與阻抗線 在同一層面,即阻抗線被周圍 GND/VCC包圍, 周圍 GND/VC

18、C即為參考層面。而次外層(innerlayer2 為線路層,非 GND/VCC(即非參考層 。 參數(shù)說明:H1:外層到次外層之間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度 D1:阻抗線與 GND/VCC之間的距離T1:線路銅厚,包括基板銅厚 +電鍍銅厚 Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)C1:阻抗線與 GND 之間阻焊厚度 C2:線面阻焊厚 度CEr :阻焊介電常數(shù)4.5.3.3 Surface coplanar waveguide with ground 4.5.3.4 Coated coplanar waveguide with grond 4.5.3.5 Embedded coplanar

19、 waveguide適用范圍:外層蝕刻后單線共面阻抗,參考層為同 一層面的 GND/VCC層。 (阻抗線被周圍 GND/VCC包 圍,周圍 GND/VCC即為參考層面 。 參數(shù)說明:H1:外層到次外層 GND/VCC的介質(zhì)厚度 W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度 D1:阻抗線與 GND/VCC之間的距離T1:線路銅厚,包括基板銅厚 +電鍍銅厚 Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)適用范圍:阻焊后單線共面阻抗,參考層為同一層 面的 GND/VCC和次外層 GND/VCC層。 (阻抗線被周 圍 GND/VCC包圍,周圍 GND/VCC即為參考層面 。 參數(shù)說明:H1:外層到次外層 GND/VCC的介質(zhì)厚

20、度 W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度 D1:阻抗線與 GND/VCC之間的距離T1:線路銅厚,包括基板銅厚 +電鍍銅厚 Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)C1:阻抗線與 GND 之間阻焊厚度 C2:線面阻焊厚度CEr :阻焊介電常數(shù) 適用范圍:內(nèi)層單線共面阻抗, 參考層為同一層面 的 GND/VCC(阻抗線被周圍 GND/VCC包圍,周圍 GND/VCC即為參考層面 。而與其鄰近層為線路層, 非 GND/VCC。 參數(shù)說明:H2:阻抗線路層到其下一線路層之間的介質(zhì)厚度 H1:阻抗線路層到其上一線路層之間的介質(zhì)厚度 W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度 D1:阻抗線與 GND/VCC之間的距

21、離 T1:線路銅厚 =基板銅厚Er1:H1對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)Er2:H2對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)4.5.3.6 Embedded coplanar waveguide with ground 4.5.3.7 Offset coplanar waveguide 4.5.3.8 Diff surface coplanar waveguide 適用范圍:內(nèi)層單線共面阻抗, 參考層為同一層面 的 GND/VCC及與其鄰近 GND/VCC層 (阻抗線被周圍 GND/VCC包圍,周圍 GND/VCC即為參考層面 。 參數(shù)說明:H1:阻抗線路層到鄰近 GND/VCC之間的介質(zhì)厚度 H2:阻抗線路層到其上一線路層之

22、間的介質(zhì)厚度 W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度D1:阻抗線與 GND/VCC之間的距離T1:線路銅厚 =基板銅厚Er1:H1對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)Er2:H2對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)適用范圍:內(nèi)層單線共面阻抗, 參考層為同一層面 的 GND/VCC及與其鄰近的兩個(gè) GND/VCC層 (阻抗線 被周圍 GND/VCC包圍,周圍 GND/VCC即為參考層 面 。參數(shù)說明:H1:阻抗線路層到其鄰近 GND/VCC之間的介質(zhì)厚度 H2:阻抗線路層到其較遠(yuǎn) GND/VCC之間的介質(zhì)厚度 W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度D1:阻抗線與 GND/VCC之間的距離T1:線路銅厚 =基板銅厚Er1:H

23、1對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)Er2:H2對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)適用范圍:外層蝕刻后差分共面阻抗,參考層為同 一層面的 GND/VCC。 (阻抗線被周圍 GND/VCC包圍, 周 圍 GND/VCC即 為 參 考 層 面 。 而 次 外 層 (innerlayer2 為線路層, 非 GND/VCC(即非參考 層。參數(shù)說明:H1:外層到次外層線路層之間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度D1:阻抗線與 GND/VCC之間的距離S1:差分阻抗線之間的間距T1:線路銅厚,包括基板銅厚 +電鍍銅厚Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)4.5.3.9 Diff coated coplanar waveguide 4.

24、5.3.10 Diff surface coplanar waveguide 4.5.3.11 Diff coated coplanar waveguide 適用范圍:阻焊后差分共面阻抗,參考層與阻抗線 在同一層面,即阻抗線被周圍 GND/VCC包圍, 周圍 GND/VCC即為參考層面。而次外層(innerlayer2 為線路層,非 GND/VCC(即非參考層。參數(shù)說明:H1:外層到次外層線路層之間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度D1:阻抗線與 GND/VCC之間的距離S1:差分阻抗線之間的間距T1:線路銅厚,包括基板銅厚 +電鍍銅厚Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)C1:阻抗線與 G

25、ND 之間阻焊厚度 C2:線面阻焊厚 度C3:阻抗線間阻焊厚度 CEr:阻焊介電常數(shù)適用范圍:蝕刻后差分共面阻抗,參考層為同一層 面的 GND/VCC和次外層 GND/VCC層, (阻抗線被周 圍 GND/VCC包圍,周圍 GND/VCC即為參考層面。 參數(shù)說明:H1:外層到次外層之間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度D1:阻抗線與 GND/VCC之間的距離S1:差分阻抗線之間的間距T1:線路銅厚,包括基板銅厚 +電鍍銅厚Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)適用范圍:阻焊后差分共面阻抗,參考層為同一層 面的 GND/VCC和次外層 GND/VCC層。 (阻抗線被周 圍 GND/VCC包圍,

26、周圍 GND/VCC即為參考層面。 參數(shù)說明:H1:外層到次外層線路層之間的介質(zhì)厚度W2:阻抗線線面寬度 W1:阻抗線線底寬度D1:阻抗線與 GND/VCC之間的距離S1:差分阻抗線之間的間距T1:線路銅厚,包括基板銅厚 +電鍍銅厚Er1:介質(zhì)層介電常數(shù)C1:阻抗線與 GND 之間阻焊厚度 C2:線面阻焊厚 度C3:阻抗線間阻焊厚度 CEr:阻焊介電常數(shù)4.5.3.12 Diff embedded coplanar waveguide 4.5.3.13 Diff embedded coplanar waveguide with ground 4.5.3.14 Diff embedded cop

27、lanar waveguide 適用范圍:內(nèi)層差動(dòng)共面阻抗, 參考層為同一層面 的 GND/VCC(阻抗線被周圍 GND/VCC包圍,周圍 GND/VCC即為參考層面。 參數(shù)說明:H1:阻抗線路層到其下一線路層之間的介質(zhì)厚度 H2:阻抗線路層到其上一線路層之間的介質(zhì)厚度 W2:阻抗線線底寬度 W1:阻抗線線底寬度 D1:阻抗線與 GND/VCC之間的距離T1:線路銅厚 =基板銅厚 S1:差分阻抗線間隙Er1:H1對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù) Er2:H2對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)適用范圍:內(nèi)層差分共面阻抗, 參考層為同一層面 的 GND/VCC及與其鄰近的 GND/VCC層 (阻抗線被周 圍 GND/VCC包圍

28、,周圍 GND/VCC即為參考層面 。 參數(shù)說明: H1:阻抗線路層到其鄰近 GND/VCC之間的介質(zhì)厚度 H2:阻抗線路層到其上一線路層之間的介質(zhì)厚度 W2:阻抗線線底寬度 W1:阻抗線線底寬度 D1:阻抗線與 GND/VCC之間的距離T1:線路銅厚 =基板銅厚 S1:差分阻抗線間隙Er1:H1對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù) Er2:H2對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)適用范圍:內(nèi)層差分共面阻抗, 參考層為同一層面 的 GND/VCC及與其鄰近的兩個(gè) GND/VCC層 (阻抗線 被周圍 GND/VCC包圍,周圍 GND/VCC即為參考層 面 。參數(shù)說明: H1:阻抗線路層到其鄰近 GND/VCC之間的介質(zhì)厚度 H2:

29、阻抗線路層到其較遠(yuǎn) GND/VCC之間的介質(zhì)厚度 W2:阻抗線線底寬度 W1:阻抗線線底寬度 D1:阻抗線與 GND/VCC之間的距離T1:線路銅厚 =基板銅厚 S1:差分阻抗線間隙 Er1:H1對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù) Er2:H2對(duì)應(yīng)介質(zhì)層介電常數(shù)4.6 阻抗測(cè)試 COUPON 的設(shè)計(jì)4.6.1 COUPON添加位置:阻抗測(cè)試 OOUPON 一遍放置于 PNL 中間,不允許放置于 PNL 板邊,特殊情 況(比如 1PNL=1PCS除外。4.6.2 COUPON設(shè)計(jì)主要事項(xiàng):為保證阻抗測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性, COUPON 設(shè)計(jì)必須完全模擬板內(nèi)線路的 形式,若板內(nèi)阻抗線周圍被銅皮保護(hù), ,則 COUPO

30、N 上需設(shè)計(jì)銅皮替代保護(hù)線,若板內(nèi)阻抗線 為“蛇形”走線,則 COUPPON 上也需設(shè)計(jì)為“蛇形”走線。4.6.3 阻抗測(cè)試 COUPON 設(shè)計(jì)規(guī)范:4.6.3.1 單端(線阻抗:4.6.3.1.1測(cè)試 COUPON 主要參數(shù):A :測(cè)試孔直徑 1.20MM (2X/COUPON , 此為測(cè)試儀探頭大小; B :測(cè)試定位孔:統(tǒng)一按 2.0MM 制作(3X/COUPON , 鑼板定位; C :兩測(cè)試孔間距為:3.58MM 4.6.3.1.2 圖形注解: 4.6.3.13設(shè)計(jì) COUPON 注意事項(xiàng):1保護(hù)線與阻抗線直徑距需大于阻抗線寬。2阻抗線長(zhǎng)度一遍設(shè)計(jì)在 6-12INCH 范圍內(nèi)。3相鄰信號(hào)

31、層之最近 GND 或 POWER 層為阻抗測(cè)量之接地參考層。4 兩 GND 及 POWER 之間所加信號(hào)線的保護(hù)線不可以遮蔽到 GND 及 POWER 層之間任一層信號(hào)線。5為保證鍍銅的均勻性,需在外層空板位加搶電 PAD 或銅皮。4.6.3.2 差分(動(dòng)阻抗:4.6.3.2.1 測(cè)試 COPUPON 主要參數(shù):A :測(cè)試孔直徑 1.2MM(4X/COUPON,其中兩個(gè)為信號(hào)孔,另外兩 個(gè)為接地孔,均為測(cè)試儀探頭大小; B :測(cè)試定位孔:統(tǒng)一按 2.0MM 制作(3X/COPON , 鑼 板定位用; C 兩信號(hào)孔間距為:5.08MM ,兩接地孔間距為:10.16MM 。4.6.3.2.3 設(shè)計(jì)

32、 COUPON 注意事項(xiàng):1保護(hù)線與阻抗線之間距需大于阻抗線寬。2阻抗線長(zhǎng)度一般設(shè)計(jì)在 6-12INCH 范圍內(nèi)。3相鄰信號(hào)層之最近 GND 或 POWER 層為阻抗測(cè)量之接地參考層。4 兩 GND 及 POWER 之間所加信號(hào)線的保護(hù)線不可遮蔽到 GND 及 POWER 層之間任一層信號(hào)線。5兩信號(hào)孔引出差分阻抗線,兩接地孔在參考層需同時(shí)接地。6為保證鍍銅的均勻性,需在外層空板位加搶電 PAD 或銅皮。4.6.3.3 共面阻抗4.6.3.3.1 單端共面阻抗4.6.3.3.1.1 測(cè)試 COUPON 主要參數(shù):同單端阻抗。4.6.3.3.1.2 單端共面阻抗的類型:1 參考層與阻抗線在同一層

33、面, 即之阻抗線被周圍 GND/VCC包圍, 周圍 GND/VCC即為參考層面。而與信號(hào)層臨近的層面非 GND/VCC(即非參考層 。 POLAR 軟件計(jì)算模式見 4.5.3.1; 4.5.3.2; 4.5.3.5.2參考層為同一層面的 GND/VCC和與信號(hào)層臨近的 GND/VCC層。 (阻抗想被周圍 GND/VCC包圍,周圍 GND/VCC即為參考層面 。 POLAR 軟件計(jì)算模式見 4.5.3.4. (1 參考層與阻抗線在同一層面, 即阻抗線被周圍 GND/VCC包圍, 周圍 GND/VCC即為參考 層面。 4.6.3.3.1.4 設(shè)計(jì) COUPON 注意事項(xiàng):1阻抗線與保護(hù)銅皮之間距需與 GERBER 中一致。2阻抗線長(zhǎng)度一般設(shè)計(jì)在 6-12INCH 范圍內(nèi)。3阻抗線與其參考層面在同一層,參考層面為周圍大銅皮。4為保證鍍銅的均勻性,需在外層空板位加搶 PAD 或銅皮。5接地孔在信號(hào)線的同一層面與 GND 相連。(2參考層為同一層面的 GND/VCC和與信號(hào)層鄰近的 GND/VCC層。4.6.3.3.1.5 設(shè)計(jì) COUPON 注意事項(xiàng):1阻抗線與保護(hù)銅皮之間距需與 GERBER 中一致。2阻抗線長(zhǎng)度一般設(shè)計(jì)在 6-12INCH