半導(dǎo)體材料文獻(xiàn)綜述(共6頁(yè))_第1頁(yè)
半導(dǎo)體材料文獻(xiàn)綜述(共6頁(yè))_第2頁(yè)
半導(dǎo)體材料文獻(xiàn)綜述(共6頁(yè))_第3頁(yè)
半導(dǎo)體材料文獻(xiàn)綜述(共6頁(yè))_第4頁(yè)
半導(dǎo)體材料文獻(xiàn)綜述(共6頁(yè))_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩1頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上 姓 名:高東陽學(xué) 號(hào):學(xué) 院:化工與材料學(xué)院專 業(yè):化學(xué)工程與工藝班 級(jí):B0901指導(dǎo)教師:張 芳日 期: 2011 年12月 7日半導(dǎo)體材料的研究綜述 高東陽 遼東學(xué)院 B0901 摘要:半導(dǎo)體材料的價(jià)值在于它的光學(xué)、電學(xué)特性可充分應(yīng)用與器件。隨著社會(huì)的進(jìn)步和現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料越來越多的與現(xiàn)代高科技相結(jié)合,其產(chǎn)品更好的服務(wù)于人類,改變著人類的生活及生產(chǎn)。文章從半導(dǎo)體材料基本概念的界定、半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、半導(dǎo)體材料未來發(fā)展趨勢(shì)等方面對(duì)我國(guó)近十年針對(duì)此問題的研究進(jìn)行了綜述,希望能引起全社會(huì)的關(guān)注和重視。關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體材料,研究,綜述20世紀(jì)中葉,

2、和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明及其硅的研制成功,導(dǎo)致了電子;20世紀(jì)70年代初材料和GaAs激光器的發(fā)明,促進(jìn)了通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成了,使人類進(jìn)入了信息時(shí)代。超晶格概念的提出及其半導(dǎo)體超晶格、量子阱材料的研制成功,徹底改變了光電器件的設(shè)計(jì)思想,使半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與制造從“雜質(zhì)工程”發(fā)展到“能帶工程”。徹底改變?nèi)藗兊纳罘绞健T诖斯P者主要針對(duì)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、半導(dǎo)體材料的未來發(fā)展趨勢(shì)等進(jìn)行綜述,希望引起社會(huì)的關(guān)注,并提出了切實(shí)可行的建議。一、關(guān)于半導(dǎo)體材料基礎(chǔ)材料概念界定的研究陳良惠指出自然界的物質(zhì)、材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體、和絕緣體三大類。半導(dǎo)體的在10-3 109歐厘米范圍。在一般情況下

3、,半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度的升高而增大,這與導(dǎo)體恰 好相反。凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導(dǎo)體材料的范圍。參考文獻(xiàn)1 陳良惠. J. 中國(guó)工程材料(semiconductormaterial)是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作和集成電的電子材料,其在10(U-3)10(U-9)/厘米范圍內(nèi)。2 李雙美, 朱曉萍, 高宏. J. , 隨著社會(huì)的進(jìn)步以及科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,對(duì)于半導(dǎo)體材料的界定會(huì)越來越精確。二、關(guān)于半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀及解決對(duì)策的分析王占國(guó)指出中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)需求強(qiáng)勁,市場(chǎng)規(guī)模的增速遠(yuǎn)高于全球平均水平。不過,產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴(kuò)大和市場(chǎng)的繁榮并

4、不表明國(guó)內(nèi)企業(yè)分得的份額更大。相反,中國(guó)的半導(dǎo)體市場(chǎng)正日益成為外資公司的樂土。3 王占國(guó). J. , .朱黎輝說基于市場(chǎng)需求和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,我們判斷半導(dǎo)體行業(yè)在國(guó)內(nèi)有很大的增長(zhǎng)潛力。之所以這樣說,主要是基于國(guó)家政策的支持,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)離不開國(guó)家政策的支持。4 朱黎輝. J. ,市場(chǎng)需求巨大。計(jì)算機(jī)、通訊、消費(fèi)類電子產(chǎn)品的需求帶動(dòng)半導(dǎo)體的需求。國(guó)際產(chǎn)能轉(zhuǎn)移,芯片制造的封裝測(cè)試的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移比較明顯,國(guó)際大工廠紛紛在國(guó)內(nèi)設(shè)立工廠,或者把生產(chǎn)線交給國(guó)內(nèi)公司制造。5 紀(jì)磊. J. , .王占國(guó)說我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,產(chǎn)業(yè)逐步完善。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過長(zhǎng)期發(fā)展,已經(jīng)建立起基本的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。近幾年的加速發(fā)展縮短了與國(guó)

5、外先進(jìn)技術(shù)的差距。6 王占國(guó). J. , .美國(guó)是半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)源地,但20世紀(jì)80年代美國(guó)作為半導(dǎo)體的主要生產(chǎn)在全球的地位大幅度下降。為了應(yīng)對(duì)這種狀況,美國(guó)政府以巨大的國(guó)防支出來資助半導(dǎo)體業(yè)的研發(fā)。7 陳光華. J. , .技術(shù)是半導(dǎo)體行業(yè)的立足之本,這個(gè)行業(yè)的技術(shù)更新速度迅速。國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體公司的發(fā)展面臨強(qiáng)大的壓力,生存環(huán)境堪憂。一些學(xué)者在分析、總結(jié)的基礎(chǔ)上提出了一些建議。中國(guó)應(yīng)采取更加優(yōu)惠的政策、形成良好的投資環(huán)境吸引更多的資金流入到中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。8 J. , 凌玲說在短期內(nèi),可以借鑒走引進(jìn)、消化、吸收、趕超的路子,重點(diǎn)發(fā)展市場(chǎng)需求大的半導(dǎo)體適用技術(shù)和產(chǎn)品,通過技術(shù)改造、資本積累和市場(chǎng)開

6、拓的互動(dòng)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)水平的滾動(dòng)發(fā)展。9 凌玲. J. , .王彥指出中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與突破,人才是關(guān)鍵因素。目前我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最缺乏的就是人才,既包括技術(shù)人員,也包括半導(dǎo)體企業(yè)有經(jīng)驗(yàn)的中高階層主管。10 繆菁, 王彥. J. , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)在優(yōu)惠政策及便利的條件下朝著更快、更前的方向發(fā)展。三、關(guān)于半導(dǎo)材料的應(yīng)用及未來發(fā)展趨勢(shì)的研究InSb 是一種具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料,還材料具有較窄的禁寬度和較高的電子遷移率,被廣泛應(yīng)用于光電原件、磁阻元件及晶體管結(jié)之中。11 崔曉英. J. , . 光纖放大器是光纖通信發(fā)展史上的一個(gè)重要里程碑,它能夠延長(zhǎng)通信系統(tǒng)距離、擴(kuò)大用戶分配間的覆蓋范圍。而

7、浙適波耦合半導(dǎo)體量子點(diǎn)光纖放大器將比傳統(tǒng)的光纖放大器更具有重要的實(shí)際意義和應(yīng)用價(jià)值。12 同11鄭東梅指出GaN具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度大、臨界擊穿電壓高和介電常數(shù)小等特點(diǎn) ,在高亮度發(fā)光二極管、短波長(zhǎng)激光二極管、高性能紫外探測(cè)器和高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。13 鄭冬梅. J. , . 硅材料仍將是制造集成電路的主要材料,硅半導(dǎo)體器件和集成電路仍將是大生產(chǎn)的主流產(chǎn)品。適應(yīng)大直徑、細(xì)線條、銅工藝將成為半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展面臨的核心技術(shù)挑戰(zhàn)。14 劉彥勝. J. , .綜上所述,諸多學(xué)者對(duì)當(dāng)前半導(dǎo)體材料的現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢(shì)等進(jìn)行了多層次、多角度的探討。通過對(duì)這些文獻(xiàn)的研究分析,我們可以看出,半導(dǎo)體材料是一項(xiàng)發(fā)展前景很好的產(chǎn)業(yè)。因而我們有必要進(jìn)行更深入的研究。特別是在半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢(shì)上,我們?nèi)孕柽M(jìn)行更深層次的探索。參考文獻(xiàn)1 陳良惠. J. 中國(guó)工2 李雙美, 朱曉萍, 高宏. J. , 3 王占國(guó). J. , .4 朱黎輝. J. ,5 紀(jì)磊. J. ,

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論