高等固體物理

1、.第四章第四章 維度維度4.1 4.1 半導體低維電子系統(tǒng)半導體低維電子系統(tǒng) 4.2 4.2 二維體系中的相變二維體系中的相變4.3 4.3 準一維體系的準一維體系的PeierlsPeierls 不穩(wěn)定性和電荷密度波不穩(wěn)定性和電荷密度波.4.1 4.1 半導體低維電子系統(tǒng)半導體低維電子系統(tǒng)1.維度維度 三維自由電子氣體，沿三維自由電子氣體，沿z方向對體系的尺寸限制：方向對體系的尺寸限制： zW02202222)21(:)21)(,2,2)(2)( nzmzVnWmWnxykmkknnnn對對于于拋拋物物線線型型的的限限制制勢勢為為電電子子的的波波長長如如限限制制勢勢為為方方勢勢阱阱：平平面面上

2、上的的分分量量。是是波波矢矢在在F n=1k n=2電子只占據(jù)電子只占據(jù)n=1的子帶，二維體系的子帶，二維體系n1也占據(jù)，準二維體系也占據(jù)，準二維體系.2. Si反型層及反型層及GaAs-AlGaAs異質結異質結.金屬金屬SiO2耗盡層耗盡層反型層反型層F geV導帶導帶價帶價帶F 價帶價帶導帶導帶 zAsGaAlxx 1GaAsnmlsVcmcmnnmeVxse422642111010/10101042,067. 03 . 0, 3 . 0 程程長長的的彈彈性性散散射射平平均均自自由由高高遷遷移移率率：電電子子有有效效質質量量導導帶帶底底能能量量差差nmlsVcmcmVnmeVmSigse1

3、2040:/1010)101(202 . 0)100(2421112彈彈性性散散射射平平均均自自由由程程遷遷移移率率：表表面面電電子子的的有有效效質質量量： .Split gates and one-dimensional electron gasesThis split-gate technique was pioneered by the Semiconductor Physics Group at the Cavendish Laboratory of the University of Cambridge, in England, in 1986, by Trevor Thornton

4、 and Professor Michael Pepper. .3.量子化霍爾效應（量子化霍爾效應（Quantum Hall Effects (QHE) )(1)霍爾效應基礎霍爾效應基礎E. Hall, Am. J. Math. 2, 287 (1879)= Hall effect I+ -VVcurrent sourceresistivityHall voltageBxyzd.根據(jù)德魯特電導理論根據(jù)德魯特電導理論, 金屬中的電子在被雜質散射前的一段時金屬中的電子在被雜質散射前的一段時間間t t內(nèi)在電場下加速內(nèi)在電場下加速, 散射后速度為零散射后速度為零. t t稱為弛豫時間稱為弛豫時間. 電

5、子的電子的平均遷移速度為平均遷移速度為:meEvd/t t 電流密度為電流密度為:Enevjd0 mne/20t t 若存在外加靜磁場若存在外加靜磁場, 則電導率和電阻率都變?yōu)閺埩縿t電導率和電阻率都變?yōu)閺埩?yyyxxyxxyyyxxyxx ,此處此處jEEj ,仍成立仍成立有磁場時有磁場時, 加入羅侖茲力加入羅侖茲力, 電子遷移速度為電子遷移速度為mcBvEevddt t)( .穩(wěn)態(tài)時穩(wěn)態(tài)時, , , , 假定磁場沿假定磁場沿z z方向方向, , 在在xy xy 平面內(nèi)平面內(nèi)dnevj yxcyxycxjjEjjE t t t t 00mceBc 202000)(1,)(1,1t t t t

6、 t t t t ccyxxycyyxxcyxxyyyxx 易得易得2222,xyxxxyxyxyxxxxxx 如果如果 , 則當則當 為為0時時 也為也為0. 0 xy xx xx .另一方面另一方面t t cxxxyBnec 由此由此, , 當當 時時, , , , 為霍爾電導為霍爾電導0 xx yxyxEj xy BnecxyH 在量子力學下（在量子力學下（E沿沿x方向）方向）eExceAPmH 2)(21選擇矢量勢選擇矢量勢)0 , 0(BxA 波函數(shù)為波函數(shù)為)()()(212)(),(222222xxeExklxmdxdmxeyxyccyiky 21 eBclc經(jīng)典回旋半徑經(jīng)典回旋

7、半徑xxyxyxyEEj .,.3,2,1 ,0,)(),()2()21()(22002)()(22220 imeEklxlxxHeeyxmeEkleEiEcyccilxxyikicyccicy 解為：解為：Landau 能級能級 In two-dimensional systems, the Landau energy levels are completely seperate while in three-dimensional systems the spectrum is continuous due to the free movement of electrons in the

8、direction of the magnetic field. .計算平均速度計算平均速度 011*drximvBEcdrceBxyimviixiiy BneEcjy 與經(jīng)典結果相同與經(jīng)典結果相同. .在在LandauLandau能級上能級上, , 縱向電流為縱向電流為0.0.(2)整數(shù)量子霍爾效應整數(shù)量子霍爾效應1975年年S.Kawaji等首次測量了反型層的霍爾電導等首次測量了反型層的霍爾電導, 1978年年 Klaus von Klitzing 和和Th. Englert 發(fā)現(xiàn)霍爾平臺發(fā)現(xiàn)霍爾平臺, 但但直到直到1980年年, 才注意到霍爾平臺的量子化單位才注意到霍爾平臺的量子化單位

9、, 2eh.K. von Klitzing, G. Dorda, and M. Pepper, Phys. Rev. Lett. 45, 495 (1980) for a sufficiently pure interface ( Si-MOSFET ) = integer quantum Hall effect The Nobel Prize in Physics 1985for the discovery of the quantized Hall effect. K. von Klitzing（1943）.實驗設置示意圖實驗設置示意圖 實驗觀測到的霍爾電阻實驗觀測到的霍爾電阻1, 霍爾電

10、阻有臺階霍爾電阻有臺階,2, 臺階高度為臺階高度為 , i 為整數(shù)為整數(shù), 對應于占滿第對應于占滿第 i 個個Landau能級能級,精度大約為精度大約為5ppm.3, 臺階處縱向電阻為零臺階處縱向電阻為零.2ieh.When these levels are well resolved, if a voltage is applied between the ends of a sample, the voltage drop between voltage probes along the edge of a sample can go to zero in particular range

11、s of B, and the Hall resistance becomes extremely accurately quantised.由于雜質的作用由于雜質的作用, Landau, Landau能級的態(tài)密度將展寬能級的態(tài)密度將展寬( (如下圖如下圖). ). 兩種狀態(tài)兩種狀態(tài): : 擴展態(tài)擴展態(tài) 和和 局域態(tài)局域態(tài)只有擴展態(tài)可以傳導霍爾電流只有擴展態(tài)可以傳導霍爾電流(0(0度下度下), ), 因此若擴展態(tài)的占據(jù)數(shù)不變因此若擴展態(tài)的占據(jù)數(shù)不變, , 則霍爾電流不變則霍爾電流不變. . 當當FermiFermi能級位于能隙中時能級位于能隙中時, , 出現(xiàn)霍爾平臺出現(xiàn)霍爾平臺. . Laug

12、hlin(1981) Laughlin(1981) 和和 Halperin(1982)Halperin(1982)基于規(guī)范變換證明：基于規(guī)范變換證明：iehGiRhcieBnLandauihceBEgLandaumEgBnecGFermiHHcFH221)()(2)()( 能能級級：個個如如電電子子占占據(jù)據(jù)簡簡并并度度能能級級加加磁磁場場無無外外磁磁場場，能能級級處處于于能能隙隙中中如如 .應用：應用： (a)(a)電阻標準電阻標準)102(806.25812199082 精精度度年年起起，電電阻阻標標準準：自自eh.應用：應用： (b)(b)精細結構常數(shù)的測量精細結構常數(shù)的測量022 hce

13、 .(3)分數(shù)量子霍爾效應分數(shù)量子霍爾效應1982年年, 崔琦崔琦, H.L. Stomer 等發(fā)現(xiàn)具有分數(shù)量子數(shù)的霍爾平臺等發(fā)現(xiàn)具有分數(shù)量子數(shù)的霍爾平臺, 一年后一年后, R.B.Laughlin寫下了一個波函數(shù)寫下了一個波函數(shù), 對分數(shù)量子霍爾效應給出了很好的解釋對分數(shù)量子霍爾效應給出了很好的解釋.D. C. Tsui, H. L. Stormer, and A. G. Gossard, Phys. Rev. Lett. 48, 1559 (1982) for an extremely pure interface ( GaAs/AlGaAs heterojunction ) where

14、electrons could move ballistically = fractional quantum Hall effect R.B.Laughlin, Phys. Rev. Lett. 50, No.18 (1983) The Nobel Prize in Physics 1998Robert B. Laughlin(1950)DANIEL C. TSUI(1939)Horst L. Stormer(1949)for their discovery of a new form of quantum fluid with fractionally charged excitation

15、s.分數(shù)量子霍爾效應分數(shù)量子霍爾效應:崔琦崔琦, Stomer , Stomer 等發(fā)現(xiàn)等發(fā)現(xiàn), , 當當LandauLandau能級的占據(jù)數(shù)能級的占據(jù)數(shù)為為整整數(shù)數(shù)mpmpEghnvc,)( 有霍爾平臺有霍爾平臺.分數(shù)量子霍爾效應不可能在單粒子圖象下解釋分數(shù)量子霍爾效應不可能在單粒子圖象下解釋, , 引入相互作用引入相互作用 jijiiiiirrerVceApmH22)(21在超強磁場下在超強磁場下, , 電子位于第一電子位于第一LandauLandau能級能級. . 其單粒子波函數(shù)為其單粒子波函數(shù)為iyxzmIzzmcmm ,!2)4/|exp(122* 這一狀態(tài)對應于電子在一由下式給出的

16、面積內(nèi)運動這一狀態(tài)對應于電子在一由下式給出的面積內(nèi)運動)1(2|22 mlmzmc Laughlin Laughlin 建議了如下形式的波函數(shù)建議了如下形式的波函數(shù) jikckmjilzzzz)4/exp()()(22 這一狀態(tài)的占據(jù)數(shù)為這一狀態(tài)的占據(jù)數(shù)為mv1 .Laughlin 計算了計算了m=3, m=5時這一波函數(shù)的能量時這一波函數(shù)的能量, 發(fā)現(xiàn)比對應發(fā)現(xiàn)比對應密度下密度下CDW的能量要低的能量要低. 這一狀態(tài)稱為這一狀態(tài)稱為分數(shù)量子霍爾態(tài)分數(shù)量子霍爾態(tài), 或或Laughlin態(tài)態(tài), 當密度改變從而偏離占據(jù)數(shù)當密度改變從而偏離占據(jù)數(shù)1/3, 1/5時時, 對應于準對應于準粒子激發(fā)粒子激

17、發(fā), 激發(fā)譜具有能隙激發(fā)譜具有能隙, 準粒子的電荷為分數(shù)準粒子的電荷為分數(shù)(1/3, 1/5). 因因此此Laughlin態(tài)是一個態(tài)是一個不可壓縮的量子液體狀態(tài)不可壓縮的量子液體狀態(tài). FQHE 態(tài)態(tài). 綠球代表被暫時凍結的電子綠球代表被暫時凍結的電子, 藍色為代表性藍色為代表性電子的電荷密度電子的電荷密度, 黑色箭頭代表磁通線黑色箭頭代表磁通線.3/1 v.同同 IQHE一樣一樣, Fermi 能級處于能隙位置時能級處于能隙位置時, 出現(xiàn)出現(xiàn)FQHE 平臺平臺. 不同之處在于不同之處在于IHQE的能隙來源于單粒子態(tài)在強磁的能隙來源于單粒子態(tài)在強磁場中的量子化場中的量子化, 而而FQHE的能隙

18、來源于多體關聯(lián)效應的能隙來源于多體關聯(lián)效應. Haldane 和和 Halperin, 利用級聯(lián)模型利用級聯(lián)模型, 指出指出Laughlin 態(tài)的態(tài)的準粒子和準空穴激發(fā)將凝聚為高階分數(shù)態(tài)準粒子和準空穴激發(fā)將凝聚為高階分數(shù)態(tài), 如從如從 1/3 態(tài)態(tài)出發(fā)出發(fā), 加入準粒子導致加入準粒子導致 2/5態(tài)態(tài), 加入空穴導致加入空穴導致2/7態(tài)態(tài). 準粒子準粒子由這些態(tài)激發(fā)出來并凝聚為下一級的態(tài)由這些態(tài)激發(fā)出來并凝聚為下一級的態(tài) . P 為偶數(shù)為偶數(shù), 對應于粒子型元激發(fā)對應于粒子型元激發(fā)對應于空穴型元激發(fā)對應于空穴型元激發(fā)1 1 mppv.級聯(lián)模型的特點級聯(lián)模型的特點: : 1. 1. 無法解釋那一個

19、子態(tài)是較強的態(tài)無法解釋那一個子態(tài)是較強的態(tài). . 2. 2. 幾次級聯(lián)后幾次級聯(lián)后, , 準粒子的數(shù)目將超過電子的數(shù)目準粒子的數(shù)目將超過電子的數(shù)目. .3. 3. 系統(tǒng)在分數(shù)占據(jù)數(shù)之間沒有定義系統(tǒng)在分數(shù)占據(jù)數(shù)之間沒有定義. .4. 4. 準粒子具有分數(shù)電荷準粒子具有分數(shù)電荷. .復合費米子模型復合費米子模型 (CF)(CF) 一個復合費米子由一個電子和偶數(shù)個磁通線構成一個復合費米子由一個電子和偶數(shù)個磁通線構成. . 復復合費米子包含了所有的多體相互作用合費米子包含了所有的多體相互作用. . FQHE FQHE是是CFCF在一個有效磁場下的在一個有效磁場下的IQHE.IQHE. CF CF 具有

20、整數(shù)電荷具有整數(shù)電荷. . CF CF 模型可以給出所有觀察到的分數(shù)態(tài)模型可以給出所有觀察到的分數(shù)態(tài), , 包括這些態(tài)的相包括這些態(tài)的相對強度及當減小溫度對強度及當減小溫度, , 提高樣品質量時出現(xiàn)的次序提高樣品質量時出現(xiàn)的次序. . CF CF 指出指出: v=1/2 : v=1/2 態(tài)態(tài), , 對應的有效磁場為對應的有效磁場為0, 0, 是具有金屬是具有金屬特征的特殊狀態(tài)特征的特殊狀態(tài). .新進展新進展觀察到分數(shù)電荷漲落觀察到分數(shù)電荷漲落. .FQHE FQHE 的的Ginsburg Landau Ginsburg Landau 理論理論. .費米費米, , 玻色玻色 和分數(shù)統(tǒng)計和分數(shù)統(tǒng)計

21、. .邊緣態(tài)和共形場論邊緣態(tài)和共形場論. .利用一維結觀察分數(shù)電荷利用一維結觀察分數(shù)電荷 C.L. Kane and M.P.A. Fisher, Shot in the Arm for Fractional Charge, Nature 389, 119 (1997).The Quantum Hall effect (QHE) is one example of a quantum phenomenon that occurs on a truly macroscopic scale. The signature of QHE is the quantization plateaus in

22、the Hall resistance (Rxy) and vanishing magnetoresistance (Rxx) in a magnetic field. The QHE, exclusive to two-dimensional metals, has led to the establishment of a new metrological standard, the resistance quantum, , that contains only fundamental constant. As with many other quantum phenomena, the

23、 observation of the QHE usually requires low temperatures (previously reported highest temperature was 30 K). In graphene, a single atomic layer of graphite, however, we have observed a well-defined QHE at room temperature owing to the unusual electronic band structure and the relativistic nature of

24、 the charge carriers of graphene.Room-Temperature Quantum Hall Effect in GraphenePI: Philip Kim, Department of Physics, Columbia UniverstySupported by NSF (No. DMR-03-52738 and No. CHE-0117752), NYSTARDOE (No. DE-AIO2-04ER46133 and No. DE-FG02-05ER46215), and Keck FoundationNHMFLT=300 K B=45 TNovose

25、lov, K.S.; Jiang, Z.; Zhang, Y.; Morozov, S.V.;Stormer, H.L.; Zeitler, U.; Maan, J.C.; Boebinger, G.S.;Kim, P. and Geim, A.K., Science, 315 (5817), 1379 (2007).Figure: Magnetoresistance (Rxx) and Hall resistance (Rxy) ofgraphene as a function of the back gate voltage (Vg) in amagnetic field of B=45

26、T at room temperature. h/e2.4.2 4.2 二維體系中的相變二維體系中的相變連續(xù)相變的描述：序參量連續(xù)相變的描述：序參量 非零非零零零維度對相變、臨界行為有重要影響維度對相變、臨界行為有重要影響一維體系，一維體系，T0T0時，體系總是無序，不存在長程序，無相變時，體系總是無序，不存在長程序，無相變二維體系？二維體系？相變?nèi)Q于序參量的自由度數(shù)相變?nèi)Q于序參量的自由度數(shù)N=1,N=1,有相變，如二維有相變，如二維IsingIsing模型模型N=3,N=3,無相變，如二維無相變，如二維HeisenbergHeisenberg模型模型N=2: N=2: 序參量為零，但可有

27、準長程序，序參量為零，但可有準長程序， Kosterlitz-Thouless(K-T)Kosterlitz-Thouless(K-T)相變相變 相變概念的拓寬相變概念的拓寬 )()()()()()()(三維三維二維二維一維一維TcrerGTTr .序參量自由度序參量自由度n=2n=2的二維系統(tǒng)：的二維系統(tǒng)： 自旋自旋X-YX-Y模型模型，二維超流體、二維超導體及二維晶體等，二維超流體、二維超導體及二維晶體等低溫下，自旋的關聯(lián)隨距離作代數(shù)式的衰減。對有限尺寸的低溫下，自旋的關聯(lián)隨距離作代數(shù)式的衰減。對有限尺寸的樣品，二維樣品，二維X-YX-Y模型的低溫相就呈現(xiàn)出表觀的長程序（準長模型的低溫相就

28、呈現(xiàn)出表觀的長程序（準長程序），到高溫，則為沒有長程序的無序相所取代，期間有程序），到高溫，則為沒有長程序的無序相所取代，期間有無相變？無相變？19701970年：年：BrezinskiiBrezinskii提出渦旋對松解所對應的連續(xù)相變思想提出渦旋對松解所對應的連續(xù)相變思想 (Z.Eksp.Tev.Fiz.,59,907(1970)(Z.Eksp.Tev.Fiz.,59,907(1970)19731973年：年：KosterlitzKosterlitz和和ThoulessThouless討論二維超流相變，獨立提討論二維超流相變，獨立提 出類似想法并發(fā)展為較完整理論（出類似想法并發(fā)展為較完整理

29、論（J.Phys.C,6,1181(1973)J.Phys.C,6,1181(1973)基本思想：拓撲缺陷基本思想：拓撲缺陷( (如渦旋（如渦旋（Vortex)Vortex)介入的相變介入的相變.拓撲激發(fā)：拓撲激發(fā)： 二維點陣格點：格點二維點陣格點：格點i i上的自旋與上的自旋與X X軸夾角為軸夾角為通過任意一些格點，劃一閉合回路通過任意一些格點，劃一閉合回路L L，沿此回路逆時針方，沿此回路逆時針方向繞行一周，相鄰兩格點的方向角之差：向繞行一周，相鄰兩格點的方向角之差：i LiLiiii 1的的，拓拓撲撲性性激激發(fā)發(fā)角角將將是是多多值值的的，拓拓撲撲性性每每個個格格點點上上自自旋旋的的方方向

30、向為為拓拓撲撲荷荷決決定定了了渦渦旋旋的的強強度度，稱稱非非拓拓撲撲性性激激發(fā)發(fā)角角是是確確定定的的，單單值值的的，每每個個格格點點上上自自旋旋的的方方向向nnnLLL,.)2, 1(2, 0)2(:0)1( 0)(0)(20)(4)()(:)( rdvvvvvervvrDvvvvvvvrrvrvsvsvzvssvsvs之之間間沒沒有有相相互互作作用用：和和可可以以證證明明：和和無無源源場場分分為為無無旋旋場場將將速速度度場場定定義義速速度度場場看看成成流流體體中中的的速速度度勢勢，將將 拓撲激發(fā)和非拓撲激發(fā)和非拓撲激發(fā)可分拓撲激發(fā)可分開來討論開來討論.自旋渦旋自旋渦旋正渦旋正渦旋負渦旋負渦旋

31、.拓撲性元激發(fā)之間的相互作用拓撲性元激發(fā)之間的相互作用荷荷。該該拓拓撲撲性性元元激激發(fā)發(fā)的的拓拓撲撲置置上上，其其電電荷荷量量正正比比于于激激發(fā)發(fā)的的位位維維點點電電荷荷位位于于拓拓撲撲性性元元間間的的相相互互作作用用。這這些些二二點點電電荷荷之之用用在在形形式式上上等等同同于于二二維維拓拓撲撲性性元元激激發(fā)發(fā)的的相相互互作作 )(40)(2)(rEErverExyvzv 定定義義新新的的二二維維矢矢量量場場：平平面面上上的的二二維維矢矢量量是是無無源源場場拓拓撲撲性性元元激激發(fā)發(fā)所所對對應應的的二維靜電場二維靜電場二維點電荷：二維點電荷：二二維維泊泊松松方方程程二二維維平平面面內(nèi)內(nèi)：在在垂垂

32、直直于于直直線線的的任任何何均均勻勻帶帶電電的的直直線線電電荷荷，（足足三三維維泊泊松松方方程程分分布布在在二二維維平平面面里里，滿滿220222222)ln(2)()2()()(4)()1(yxrrrqrVrqrVrqrVzyx )ln(2),(arrqqrrUjijiji .K-TK-T相變相變正渦旋正渦旋負渦旋負渦旋渦旋對渦旋對低溫下，正負渦旋構成束低溫下，正負渦旋構成束縛對，對長程的自旋排列縛對，對長程的自旋排列影響不大，系統(tǒng)具有拓撲影響不大，系統(tǒng)具有拓撲長程序。長程序。高于某臨界溫度，系統(tǒng)中高于某臨界溫度，系統(tǒng)中產(chǎn)生大量的單個渦旋，導產(chǎn)生大量的單個渦旋，導致拓撲長程序被破壞。致拓撲長

33、程序被破壞。.壞壞準準長長程程序序大大量量渦渦旋旋自自發(fā)發(fā)產(chǎn)產(chǎn)生生，破破以以上上渦渦旋旋自自由由能能為為負負相相變變：自自由由能能等等于于零零自自由由能能：點點陣陣間間距距。相相應應的的熵熵一一個個渦渦旋旋的的能能量量：處處的的自自旋旋對對能能量量的的貢貢獻獻與與渦渦旋旋中中心心距距離離作作簡簡諧諧近近似似：只只考考慮慮最最近近鄰鄰相相互互作作用用模模型型量量： cBcBvBLvijjiijjiijjiTkJTaLTkaLJFaLTkaaLJrdrJErrJrJHJHYXssJHHamiltonHeisenberg2)ln()ln(,)ln(:)ln(22)2()22(2)(2)cos(:)(

34、22022 .考慮低溫下存在具有有限能量的束縛渦旋對（可由熱激發(fā)，不考慮低溫下存在具有有限能量的束縛渦旋對（可由熱激發(fā)，不破壞長程的自旋序破壞長程的自旋序) )及及核核心心能能中中。溫溫度度已已包包含含在在能能量量，表表示示渦渦旋旋的的核核心心區(qū)區(qū)域域的的為為渦渦旋旋度度量量渦渦旋旋系系統(tǒng)統(tǒng)的的約約化化KEnrsrsEarrrsrsKHHamiltoncrcarrv),()()(ln)()(2 渦旋對類似于屏蔽正負電荷相互作用的電介質的作用渦旋對類似于屏蔽正負電荷相互作用的電介質的作用K-TK-T理論是對屏蔽效應的重正化群的處理。理論是對屏蔽效應的重正化群的處理。自由能的第自由能的第n n級微

35、商在相變點出現(xiàn)突變就稱為第級微商在相變點出現(xiàn)突變就稱為第n n級相變級相變K-TK-T相變是無窮級相變是無窮級.Two dimensional helium Since helium is attracted to almost anything* , it will form a 2D film. Most long-range order is forbidden in 2D (Mermin-Wagner theorem), e.g. BEC not allowed for T0 because the system is susceptible to long-range phase d

36、ecoherence. However, it does become a superfluid. The transition is called the Kosterlitz-Thouless transition. Superfluid-normal fluid transition is caused by vortex-anti-vortex unbinding. KT predicts algebraic decay of single particle density matrix*except for Cs 0( )Tsarn rn.2d helium energetics I

37、n contrast to 3D the energy is a smooth function of temperature. Bump in Cv above the transition. No feature at the transition (only an essential singularity).4.3 4.3 準準一一維體系的維體系的PeierlsPeierls不穩(wěn)定性和電荷密度波不穩(wěn)定性和電荷密度波1.1.一維體系一維體系 導電聚合物、金屬鹵化物、導電聚合物、金屬鹵化物、KCPKCP晶體、過渡金屬三硫化合晶體、過渡金屬三硫化合物、電荷轉移有機復合物、有機超導體物、電荷轉

38、移有機復合物、有機超導體BechgaardBechgaard鹽鹽(TMTSF)(TMTSF)2 2X,X,有機鐵磁體有機鐵磁體m-PDPC,m-PDPC,半導體納米線或量子線半導體納米線或量子線2.2.一維晶格的能帶和布里淵區(qū)一維晶格的能帶和布里淵區(qū)constant charge distributionparabolic energy bandsfilled up to the Fermi wavevectormetallic conductivityankkmkEF4142)(220 .格點原子對電子的散射格點原子對電子的散射( (電聲相互作用電聲相互作用) )： 2221 alk：兩兩格格點點反反射射波波位位相相差差為為播播，受受格格點點反反射射，相相鄰鄰的的電電子子在在一一維維晶晶格格中中傳傳波波長長為為也也有有能能隙隙同同理理，上上發(fā)發(fā)生生跳跳躍躍，出出現(xiàn)現(xiàn)能能隙隙在在電電子子的的能能譜譜對對應應動動量量：，的的電電子子波波不不能能繼繼續(xù)續(xù)傳傳播播波波長長為為偏偏離離電電子子波波傳傳播播產(chǎn)產(chǎn)生生影影響響，格格原原子子對對之之間間不不能能完完全全抵抵消消，晶晶不不斷斷增增加加，各各反反射射波波動動量量增增加加，能能譜譜接接近近自自由由電電子子能能譜譜而而衰衰減減本本不不因因晶晶格格原原子子的的反反射射很很小小，原原入入射射電電子子