化學選修三高考專題練習(共5頁)

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上化學選修3專題練習1、A、B、C、D、E、F、G七種元素，除E為第四周期元素外，其余均為短周期元素。A、E、G位于元素周期表的s區(qū)，其余元素位于p區(qū)。A、E的原子最外層電子數(shù)相同，A的原子中沒有成對電子；B元素基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道，且每種軌道中的電子總數(shù)相同；C元素原子的外圍電子層排布式為nsnnpn+1；D元素的電負性為同周期元素第二高；F的基態(tài)原子核外成對電子數(shù)是成單電子數(shù)的3倍；G的基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道，且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)均相同?；卮鹣铝袉栴}：（1）寫出下列元素的元素符號：D ，G 。（2）原子序數(shù)比D小1的元素的第一電離能

2、高于D的原因是 。（3）由A、B、C形成的ABC分子中，含有 個鍵， 個鍵。（4）由D、E、F、G形成的E2DF4、GDF4的共熔體在冷卻時首先析出的物質(zhì)是 （填化學式），原因是 。2.化學物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（15分）現(xiàn)有六種元素，其中A、B、C、D為短周期主族元素，E、F為第四周期元素，它們的原子序數(shù)依次增大。請根據(jù)下列相關信息，回答問題A原子核外電子分占3個不同能級，且每個能級上排布的電子數(shù)相同B元素原子的核外p電子總數(shù)比s電子總數(shù)少1C原子p軌道上成對電子數(shù)等于未成對電子數(shù)，且與A同周期D元素的主族序數(shù)與周期數(shù)的差為4，且不與A元素在同一周期E是第七列元素F是第29號元素（1）A的基態(tài)原子中

3、能量最高的電子，其電子云在空間有 個方向，原子軌道呈 形。（2）E2+的基態(tài)核外電子排布式為 。（3）A、B、C三種元素的最簡單氫化物的熔點由低到高的順序是 。A、B、C三種元素中與AC2互為等電子體的分子的結(jié)構(gòu)式為 。（用元素符號表示）（4）BD3 中心原子的雜化方式為 ，其分子空間構(gòu)型為 。（5）用晶體的x射線衍射法對F的測定得到以下結(jié)果：F的晶胞為面心立方最密堆積（如右圖），又知該晶體的密度為9.00g/cm3，晶胞中該原子的配位數(shù)為 ；F的原子半徑是 cm；（阿伏加德羅常數(shù)為NA，要求列式計算）。3【化學選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）已知A、B、C、D、E、F為元素周期表中原子序數(shù)

4、依次增大的前20號元素，A與B；C、D與E分別位于同一周期。A原子L層上有2對成電子， B、C、D的核外電子排布相同的簡單離子可形成一種C3DB6型離子晶體X,，CE、FA為電子數(shù)相同的離子晶體。（1）寫出A元素的基態(tài)原子價電子排布式 ；F離子電子排布式 。（2）寫出X的化學式 和化學名稱 。 （3）寫出X涉及化工生產(chǎn)中的一個化學方程式 。（4）試解釋工業(yè)冶煉D不以DE3而是以D2A3為原料的原因： 。 B F（5）CE、FA的晶格能分別為786 KJ/mol l、3401KJ/mo，試分析導致兩者晶格能差異的主要原因是： 。（6）F與B可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：F與B形成離子化合

5、物的化學式為_；該離子化合物晶體的密度為a g/cm3，則晶胞的體積是 (只要求列出算式)。22.【化學選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）A、B、C、D四種短周期元素，原子序數(shù)依次增大，原子半徑按C、D、B、A順序逐漸減小。A、C同主族，B、D同主族；A、C的原子核內(nèi)質(zhì)子數(shù)之和為B、D的原子核內(nèi)質(zhì)子數(shù)之和的一半；C元素與其它三種元素均能形成離子化合物。試回答下列問題：（1）B的離子符號 ；D基態(tài)原子的核外電子排布式 ；C、D形成化合物的電子式 ；（2）同時含有上述四種元素的化合物有多種，試寫出其中兩種的化學式（要求：其中有一種水溶液顯中性）_、_；（3）A、B、C三元素中各由兩種組成的兩種化合物

6、，相互反應生成A的單質(zhì)的化學方程式為_ ；（4）B、C、D三元素中各由兩種組成的兩種化合物，發(fā)生化合反應且屬于氧化還原反應的化學方程式為 。4化學選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（15分）已知：A、B、C、D、E是周期表中前36號元素，A是原子半徑最小的元素，B元素基態(tài)原子的2P軌道上只有兩個電子， C元素的基態(tài)原子L層只有2對成對電子，D元素在第三周期元素中電負性最大，E2+的核外電子排布和Ar原子相同。請回答下列問題：（1）分子式為BC2的空間構(gòu)型為  ；D元素原子的核外電子排布式為  。（2）B第一電離能比C_（填“大”或“小”）；A與B形成的最簡單化合物的分子空間構(gòu)型為_，其

7、中心原子的雜化為    。（3）A2C所形成的晶體類型為   ；E單質(zhì)所形成的晶體類型為_。（4）若向由A、C組成某種化合物的稀溶液中加入少量二氧化錳，有無色氣體生成。則該化合物的分子式是 ，屬于 分子（填：“極性”或“非極性”），該反應的化學方程式是:_。（5）C跟E可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl的晶胞相似，同為面心立方結(jié)構(gòu)。該離子化合物晶體的密度為g·cm-3，NA表示阿伏加德羅常數(shù)，則該離子化合物晶胞的體積是 (用含、NA的代數(shù)式表示)。5.【化學選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了

8、發(fā)光二極管（LED）。目前市售LED晶片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主。已知鎵是鋁同族下一周期的元素。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答：鎵的基態(tài)原子的電子排布式是 。砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個數(shù)為 ，與同一個鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為 。N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是 （用氫化物分子式表示）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700時制得。（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為 。比較二者的第一電離能：As_Ga（填“<”、“>”或“=”）。下列說法正確的是 （填字母）。A砷化鎵晶胞

9、結(jié)構(gòu)與NaCl相同BGaP與GaAs互為等電子體C電負性：As>Ga D砷化鎵晶體中含有配位鍵6.2012·江蘇化學，21A一項科學研究成果表明，銅錳氧化物(CuMn2O4)能在常溫下催化氧化空氣中的一氧化碳和甲醛(HCHO)。(1)向一定物質(zhì)的量濃度的Cu(NO3)2和Mn(NO3)2溶液中加入Na2CO3溶液，所得沉淀經(jīng)高溫灼燒，可制得CuMn2O4。Mn2基態(tài)的電子排布式可表示為 _。NO的空間構(gòu)型是_ (用文字描述)。(2)在銅錳氧化物的催化下，CO被氧化為CO2，HCHO被氧化為CO2和H2O。H2O分子中O原子軌道的雜化類型為_。1 mol CO2中含有的鍵數(shù)目為_

10、。(3)向CuSO4溶液中加入過量NaOH溶液可生成Cu(OH)42。 不考慮空間構(gòu)型，Cu(OH)42的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為_。72012·課標全國理綜，37A族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含A族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題：(1)S單質(zhì)的常見形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是_；(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為_；(3)Se原子序數(shù)為_，其核外M層電子的排布式為_；(4)H2Se的酸

11、性比H2S_(填“強”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為_，SO離子的立體構(gòu)型為_；(5) H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因：_ _ (6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長為540.0 pm，密度為_g·cm3(列式并計算)，a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為_pm(列式表示)。82012·大綱全國理綜，27原子序數(shù)依次增大的短周期元素a、b、c、d和e中，a的最外層電子數(shù)為其周期數(shù)的二倍；b和d的A2B型氫化物均為V形分子，c的1價離子比e的1價離子少8個電子?；卮鹣铝袉栴}：(1)元素a

12、為_；c為_；(2)由這些元素形成的雙原子分子為_；(3)由這些元素形成的三原子分子中，分子的空間結(jié)構(gòu)屬于直線形的是_，非直線形的是_；(寫2種)(4)這些元素的單質(zhì)或由它們形成的AB型化合物中，其晶體類型屬于原子晶體的是_，離子晶體的是_，金屬晶體的是_，分子晶體的是_；(每空填一種)(5)元素a和b形成的一種化合物與c和b形成的一種化合物發(fā)生的反應常用于防毒面具中，該反應的化學方程式為_。9（1）C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應用。請回答下列問題：Ge的原子核外電子排布式為 C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中，能夠形成金屬晶體的是 按要求指出下列

13、氧化物的空間構(gòu)型、成鍵方式或性質(zhì)a.CO2分子的空間構(gòu)型及碳氧之間的成鍵方式 ； b.SiO2晶體的空間構(gòu)型及硅氧之間的成鍵方式 ； c.已知SnO2是離子晶體，寫出其主要物理性質(zhì) （寫出2條即可）d.CO可以和很多金屬形成配合物，如Ni(CO)4，Ni與CO之間的鍵型為 （2）將0.3mol的氣態(tài)高能燃料乙硼烷(B2H6)在氧氣中燃燒,生成固態(tài)三氧化二硼和液態(tài)水,放出649.5kJ熱量,該反應的熱化學方程式為 。已知:H2O(l)=H2O(g),H= +44kJ/mol,則11.2L(標準狀況)乙硼烷完全燃燒生成氣態(tài)水時放出的熱量是_kJ。10【化學選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）下面是C60

14、、金剛石和二氧化碳的分子模型。甲乙丙請回答下列問題：（1）硅與碳同主族，寫出硅原子基態(tài)時的核外電子排布式：_（2）從晶體類型來看，C60屬于_晶體。（3）二氧化硅結(jié)構(gòu)跟金剛石結(jié)構(gòu)相似，即二氧化硅的結(jié)構(gòu)相當于在硅晶體結(jié)構(gòu)中每個硅與硅的化學鍵之間插入一個O原子。觀察圖乙中金剛石的結(jié)構(gòu)，分析二氧化硅的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，Si、O原子形成的最小環(huán)上O原子的數(shù)目是_;晶體硅中硅原子與共價鍵的個數(shù)比為 （4）圖丙是二氧化碳的晶胞模型，圖中顯示出的二氧化碳分子數(shù)為14個。實際上一個二氧化碳晶胞中含有_個二氧化碳分子,二氧化碳分子中鍵與鍵的個數(shù)比為 。11、X、Y、T、Q 四種元素，位于元素周期表前四周期，元素的

15、性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息見下表。元素性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息X單質(zhì)為雙原子分子，分子中含有3對共用電子對，常溫下單質(zhì)氣體性質(zhì)穩(wěn)定，但其原子較活潑Y二價陽離子的外圍電子層排布為3d9T原子核外s軌道電子總數(shù)等于p軌道電子總數(shù)；人體內(nèi)含量最多的元素，且其單質(zhì)是常見的助燃劑Q第三周期主族元素中原子半徑最小請根據(jù)上述信息回答下列問題：（1）寫出X3的一種等電子體的化學式；X的氣態(tài)氫化物易液化的原因是。（2）寫出T元素基態(tài)原子的核外電子排布圖_；Q元素的原子核外有_種運動狀態(tài)不同的電子。（3）元素 X、T的電負性相比，的?。ㄌ钤孛Q）；元素X的第一電離能與T相比較，T的（填“大”或“小”）。（4）甲醛（CH2O）分子中鍵與鍵的個數(shù)之比為。（5）Y元素在周期表中位于區(qū)。Y單質(zhì)晶體的晶胞如右圖所示，該晶胞中實際擁有個原子，該晶體中Y原子在三維空間里的堆積方式為堆積。（6）在Y的硫酸鹽溶液中通入X的氣態(tài)氫化物至過量，先出現(xiàn)藍色沉淀，最后溶解形成深藍色的溶液。此藍色沉淀溶解的離子方程式為_。（7）元素X與Q可形成化合物XQ3，根據(jù)價層電子對互斥理論判斷XQ3的空間構(gòu)型為_，分子中X原子的雜化方式為_雜化。12、銅是重要金屬，Cu的化合物在科學研究和工業(yè)生產(chǎn)中具有許多用途，如CuSO4溶液常用作電解液、電鍍液等。請回答以下問題：（1）CuSO4可由金屬銅與濃硫酸反應制備，該反應的化學方程式為_；（2分）（2）Cu