薄膜材料概述

薄膜材料概述培訓(xùn)測(cè)試部陳維濤2016年3月18日,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,目錄,薄膜材料定義,薄膜的制備,薄膜材料性質(zhì),薄膜物性檢測(cè),薄膜材料歷史,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,最古老的薄膜：薄膜制備可上溯至三千多年前的中國(guó)商代，那時(shí)我們的祖先就已經(jīng)會(huì)給陶瓷上“釉”了。漢代發(fā)明了用鉛作助溶劑的低溫鉛釉。到了唐、宋時(shí)代，中國(guó)人的彩釉工藝達(dá)到了頂峰。釉涂層不僅是漂亮的裝飾層，而且增加了陶瓷器的機(jī)械強(qiáng)度，還使其不易污染、便于清洗。,可能最早的納米薄膜：古代銅鏡表面的防銹層（納米氧化錫薄膜）其年代可以追溯到商代，甚至更早,薄膜材料歷史,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜的歷史，要追溯到三千多年以前。近30年來(lái)，真正作為一門(mén)新型的薄膜科學(xué)與技術(shù)。目前，薄膜材料已是材料學(xué)領(lǐng)域中的一個(gè)重要分支，它涉及物理、化學(xué)、電子學(xué)、冶金學(xué)等學(xué)科，在國(guó)防、通訊、航空、航天、電子工業(yè)、光學(xué)工業(yè)等方面有著特殊的應(yīng)用，逐步形成了一門(mén)獨(dú)特的學(xué)科“薄膜學(xué)”。,薄膜學(xué),LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜材料定義與分類,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜材料,涂層或厚膜,薄膜(1um),(力、熱、磁、生物等),當(dāng)固體或液體的一維線性尺度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于其他二維時(shí)，我們將這樣的固體或液體稱為膜。,日常生活中的薄膜材料,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,8,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,日常生活中的薄膜材料,薄膜材料優(yōu)點(diǎn),LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜很薄，是實(shí)現(xiàn)微型化的主要手段薄膜是制備新型功能器件的有效手段探索物質(zhì)秘密的有力手段獲得常規(guī)情況下難以獲得的物質(zhì)獲得特殊界面結(jié)構(gòu)的膜層自動(dòng)化控制,薄膜,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜有很多異于塊體材料的優(yōu)勢(shì)，但是薄膜并不是由塊體材料直接壓制都成，只有專業(yè)制膜設(shè)備生成的膜才能稱為正真意義上的薄膜。,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,目錄,薄膜材料定義,薄膜的制備,薄膜材料性質(zhì),薄膜物性檢測(cè),薄膜制備方法,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜材料的制備技術(shù),濕式成膜,電鍍,物理氣相沉積技術(shù)（真空蒸鍍、濺射鍍膜）,化學(xué)氣相沉積技術(shù)（熱CVD、光CVD）,干式成膜,化學(xué)鍍,陽(yáng)極氧化,涂覆法（噴涂、甩膠、浸涂）,溶膠-凝膠膜,薄膜制備方法,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜制備分類,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,1、物理氣相沉積（PVD）,采用物理方法使物質(zhì)的原子或分子逸出，然后沉積在基片上形成薄膜的工藝根據(jù)使物質(zhì)的逸出方法不同，可分為蒸鍍、濺射和離子鍍,（1）真空蒸鍍,把待鍍的基片置于真空室內(nèi)，通過(guò)加熱使蒸發(fā)材料氣化（或升華）而沉積到某一溫度基片的表面上，從而形成一層薄膜，這一工藝稱為真空蒸鍍法,蒸發(fā)源可分為：電阻加熱、電子束加熱和激光加熱等,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜制備分類,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,（2）濺射（Sputtering）,當(dāng)具有一定能量的粒子轟擊固體表面時(shí)，固體表面的原子就會(huì)得到粒子的一部分能量，當(dāng)獲得能量足以克服周圍原子得束縛時(shí)，就會(huì)從表面逸出，這種現(xiàn)象成為“濺射”它可分為離子束濺射和磁控濺射,薄膜制備分類,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,離子束濺射,它由離子源、離子引出極和沉積室3大部分組成，在高真空或超高真空中濺射鍍膜法。利用直流或高頻電場(chǎng)使惰性氣體（通常為氬）發(fā)生電離，產(chǎn)生輝光放電等離子體，電離產(chǎn)生的正離子和電子高速轟擊靶材，使靶材上的原子或分子濺射出來(lái)，然后沉積到基板上形成薄膜。,離子束濺射工作原理圖,薄膜制備分類,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,磁控濺射,磁控濺射SiO2裝置圖,薄膜制備分類,在被濺射的靶極（陽(yáng)極）與陰極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，電場(chǎng)和磁場(chǎng)方向相互垂直。當(dāng)鍍膜室真空抽到設(shè)定值時(shí)，充入適量的氬氣，在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽(yáng)極(鍍膜室壁)之間施加幾百伏電壓，便在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，氬氣被電離。在正交的電磁場(chǎng)的作用下，電子以擺線的方式沿著靶表面前進(jìn)，電子的運(yùn)動(dòng)被限制在一定空間內(nèi)，增加了同工作氣體分子的碰撞幾率，提高了電子的電離效率。電子經(jīng)過(guò)多次碰撞后，喪失了能量成為“最終電子”進(jìn)入弱電場(chǎng)區(qū)，最后到達(dá)陽(yáng)極時(shí)已經(jīng)是低能電子，不再會(huì)使基片過(guò)熱。同時(shí)高密度等離子體被束縛在靶面附近，又不與基片接觸，將靶材表面原子濺射出來(lái)沉積在工件表面上形成薄膜。而基片又可免受等離子體的轟擊，因而基片溫度又可降低。更換不同材質(zhì)的靶和控制不同的濺射時(shí)間，便可以獲得不同材質(zhì)和不同厚度的薄膜。,磁控濺射,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,（3）離子鍍,離子鍍是在真空蒸鍍得基礎(chǔ)上，在熱蒸發(fā)源與基片之間加一電場(chǎng)（基片為負(fù)極），在真空中基片與蒸發(fā)源之間將產(chǎn)生輝光放電，使氣體和蒸發(fā)物質(zhì)部分電離，并在電場(chǎng)中加速，從而將蒸發(fā)的物質(zhì)或與氣體反應(yīng)后生成的物質(zhì)沉積到基片上。,薄膜制備分類,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,2、化學(xué)氣相沉積（CVD）,化學(xué)氣相沉積是使含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種化合物（或單質(zhì)）氣體在一定溫度下通過(guò)化學(xué)反應(yīng)生成固態(tài)物質(zhì)并沉積在基片上而生成所需薄膜的方法。特點(diǎn)：設(shè)備可以比較簡(jiǎn)單，沉積速率高，沉積薄膜范圍廣，覆蓋性好，適于形狀比較復(fù)雜的基片，膜較致密，無(wú)離子轟擊等優(yōu)點(diǎn)。特別是在半導(dǎo)體集成電路上得到廣泛應(yīng)用,常用的氣態(tài)物質(zhì)有各種鹵化物、氫化物及金屬有機(jī)化合物等，化學(xué)反應(yīng)種類很多，如熱解、還原、與水反應(yīng)、與氨反應(yīng)等,薄膜制備分類,化學(xué)氣相沉積CVD,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）,原料主要是金屬（非金屬）烷基化合物。優(yōu)點(diǎn)是可以精確控制很薄的薄膜生長(zhǎng)，適于制備多層膜，并可進(jìn)行外延生長(zhǎng)。,薄膜制備分類,薄膜的形成機(jī)理,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程(1)核生長(zhǎng)型（VolmerVeber型）特點(diǎn)：到達(dá)襯底上的沉積原子首先凝聚成核，后續(xù)飛來(lái)的沉積原子不斷聚集在核附近，使核在三維方向上不斷長(zhǎng)大而最終形成薄膜。這種類型的生長(zhǎng)一般在襯底晶格和沉積膜晶格不相匹配（非共格）時(shí)出現(xiàn)，大部分的薄膜的形成過(guò)程屬于這種類型。,薄膜的形成機(jī)理,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,(2)層生長(zhǎng)型（Frank-VanberMerwe型）特點(diǎn)：沉積原子在襯底的表面以單原子層的形式均勻地覆蓋一層，然后再在三維方向上生長(zhǎng)第二層、第三層。一般在襯底原子與沉積原子之間的鍵能接近于沉積原子相互之間鍵能的情況下（共格）發(fā)生這種生長(zhǎng)方式的生長(zhǎng)。以這種方式形成的薄膜，一般是單晶膜，并且和襯底有確定的取向關(guān)系。例如在Au襯底上生長(zhǎng)Pb單晶膜、在PbS襯底上生長(zhǎng)PbSe單晶膜等。,薄膜的形成機(jī)理,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,(3)層核生長(zhǎng)型（StraskiKrastanov型）特點(diǎn)：生長(zhǎng)機(jī)制介于核生長(zhǎng)型和層生長(zhǎng)型的中間狀態(tài)。當(dāng)襯底原子與沉積原子之間的鍵能大于沉積原子相互之間鍵能的情況下（準(zhǔn)共格）多發(fā)生這種生長(zhǎng)方式的生長(zhǎng)。在半導(dǎo)體表面形成金屬膜時(shí)常呈現(xiàn)這種方式的生長(zhǎng)。例如在Ge表面上沉積Cd，在Si表面上沉積Bi、Ag等都屬于這種類型。,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,三種不同的薄膜生長(zhǎng)方式,薄膜的形成機(jī)理,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,核生長(zhǎng)型薄膜形成的四個(gè)階段1.成核：在此期間形成許多小的晶核，按統(tǒng)計(jì)規(guī)律分布在基片表面上；2.晶核長(zhǎng)大形成較大的島:這些島具有小晶體的形狀；3.島與島之間聚接形成含有空溝道的網(wǎng)絡(luò)4.溝道被填充：在薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程中，當(dāng)晶核一旦形成并達(dá)到一定尺寸之后，另外再撞擊的離子不會(huì)形成新的晶核，而是依附在已有的晶核上或已經(jīng)形成的島上。分離的晶核或島逐漸長(zhǎng)大彼此結(jié)合便形成薄膜。,薄膜的形成機(jī)理,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,小島階段結(jié)合階段溝道階段連續(xù)薄膜,在薄膜的三種生長(zhǎng)方式種，核生長(zhǎng)型最為普遍，在理論上也較為成熟，我們主要討論這種類型的形成機(jī)理。,薄膜的形成機(jī)理,薄膜基底種類,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,基底又稱：基片，襯底,陶瓷基底金屬基底各種工具刀具件玻璃基底樹(shù)脂基底高分子基底柔性基底,單晶硅,玻璃,晶圓,薄膜基底,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,科研用各種基底,薄膜基底,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,科研用各種薄膜,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,目錄,薄膜材料定義,薄膜的制備,薄膜材料性質(zhì),薄膜物性檢測(cè),薄膜材料性質(zhì),LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜材料的表征,薄膜材料的表征,結(jié)構(gòu),物性,組份,電子結(jié)構(gòu),光學(xué)性質(zhì),電學(xué)性質(zhì),力、熱、磁、生物等性質(zhì),晶體結(jié)構(gòu),薄膜力學(xué)性質(zhì),LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,由于薄膜材料的不同，各種薄膜(如金屬膜、介質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜等)都有各自不同的性質(zhì)。但力學(xué)性質(zhì)則是各類薄膜都應(yīng)具有的性質(zhì)。,薄膜的力學(xué)性質(zhì)中包括有附著性質(zhì)、應(yīng)力性質(zhì)、張力性質(zhì)、彈性性質(zhì)和機(jī)械強(qiáng)度等。根據(jù)專業(yè)教學(xué)的要求，在本節(jié)中我們僅討論附著性質(zhì)和應(yīng)力性質(zhì)。,薄膜附著力,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,(a)平界面(b)形成化合物的界面(c)合金的擴(kuò)散界面(d)機(jī)械咬合界面,測(cè)量附著力的方法有很多種。常用的方法有劃痕法、拉張法和剝離法等。,薄膜材料定義,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,附著力與膜厚的關(guān)系,薄膜附著力,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,附著力與基體溫度的關(guān)系,(在薄膜沉積之后再用烘箱加熱),薄膜應(yīng)力,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,應(yīng)力的定義、產(chǎn)生原因應(yīng)力：在材料內(nèi)部單位面積上的作用力稱為應(yīng)力，用表示。外應(yīng)力：如果這種應(yīng)力是由于薄膜受外力作用引起的則稱為外應(yīng)力；內(nèi)應(yīng)力：如果應(yīng)力是由薄膜本身原因引起的則稱為內(nèi)應(yīng)力。它們的單位通常采用Pa或者N/m2表示。,薄膜內(nèi)應(yīng)力,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,結(jié)構(gòu)應(yīng)力：晶格失配（長(zhǎng)度，角度）引起的應(yīng)力；生長(zhǎng)過(guò)程產(chǎn)生的內(nèi)部缺陷；,熱應(yīng)力：由于襯底與薄膜材料之間線膨脹系數(shù)的差別，在薄膜制備以后溫度變化時(shí)在薄膜與襯底中產(chǎn)生的應(yīng)力。,薄膜內(nèi)應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致：薄膜卷曲，膜層斷裂，導(dǎo)致失效,薄膜內(nèi)應(yīng)力,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜內(nèi)應(yīng)力的測(cè)量方法，大致可分為兩種：即測(cè)量晶格畸變和測(cè)量基體變形。在測(cè)量晶格畸變時(shí)均采用x射線衍射法。在測(cè)量基體變形時(shí)采用圓形基體或短條形基體。在采用圓形基體時(shí)，因受薄膜的應(yīng)力作用整個(gè)基體都均勻地變形。如果開(kāi)始時(shí)基體是平面狀，然后變成碗狀并可看作球面的一部分，則測(cè)量球面曲率再計(jì)算出應(yīng)力。這時(shí)可用牛頓環(huán)法、光截面顯微鏡法和觸針?lè)ㄟM(jìn)行觀察測(cè)量。在采用短條形基體時(shí)，將基體一端因薄膜內(nèi)應(yīng)力作用產(chǎn)生的變位作為測(cè)量對(duì)象，其測(cè)量方法有直視法、光杠桿法、單縫衍射法、干涉計(jì)法、電微天平法和電容量法等。,薄膜內(nèi)應(yīng)力,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,(1)熱收縮效應(yīng)(2)相轉(zhuǎn)移效應(yīng)(3)空位的消除(4)表面張力(表面能)和表面層(5)表面張力和晶粒間界弛豫(6)界面失配(7)雜質(zhì)效應(yīng)(8)原子、離子埋入效應(yīng),薄膜內(nèi)應(yīng)力的成因,薄膜內(nèi)應(yīng)力,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,真空蒸發(fā)Au膜全應(yīng)力S與膜厚d的關(guān)系,薄膜電學(xué)性質(zhì),LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,金屬膜是在電子學(xué)領(lǐng)域中應(yīng)用最為廣泛的一種薄膜。例如，半導(dǎo)體器件的電極、各種集成電路中的導(dǎo)線和電極、電阻器、電容器、超導(dǎo)器件、敏感元件和光纖通信用元器件等。雖然各種元器件及集成電路對(duì)金屬膜性能有不同要求，但是作為共性的要求則需集中研究，例如：電阻率、電阻率溫度系數(shù)和非歐姆特性等與膜厚、環(huán)境溫度和電場(chǎng)的關(guān)系等。,不同材料，不同襯底，不同制膜方式，不同膜厚，不同溫度，薄膜都會(huì)有不同的性質(zhì)體現(xiàn)，所以對(duì)薄膜性質(zhì)的檢測(cè)要有專業(yè)化的高精度的高穩(wěn)定性的檢測(cè)儀器，才能滿足行業(yè)需求。,LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,目錄,薄膜材料定義,薄膜的制備,薄膜材料性質(zhì),薄膜物性檢測(cè),薄膜物性檢測(cè),LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜的性能取決于薄膜的結(jié)構(gòu)和成分。其中薄膜結(jié)構(gòu)的研究可以依所研究的尺度范圍被劃分為以下三個(gè)層次：（1）薄膜的宏觀形貌，包括薄膜尺寸、形狀、厚度、均勻性等；（2）薄膜的微觀形貌，如晶粒及物相的尺寸大小和分布、孔洞和裂紋、界面擴(kuò)散層及薄膜織構(gòu)等；（3）薄膜的顯微組織，包括晶粒內(nèi)的缺陷、晶界及外延界面的完整性、位錯(cuò)組態(tài)等。,薄膜物性檢測(cè),LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜膜厚檢測(cè),光學(xué)測(cè)量方法,不透明薄膜厚度測(cè)量的等厚干涉條紋（FET）和等色干涉條紋（FECO）法,透明薄膜厚度測(cè)量的干涉法,薄膜物性檢測(cè),LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜膜厚檢測(cè),機(jī)械測(cè)量方法,1、表面粗糙度儀法,用直徑很小的觸針滑過(guò)被測(cè)薄膜的表面，同時(shí)記錄下觸針在垂直方向的移動(dòng)情況并畫(huà)出薄膜表面輪廓的方法被稱為粗糙度儀法。這種方法不僅可以被用來(lái)測(cè)量表面粗糙度，也可以被用來(lái)測(cè)量薄膜臺(tái)階的高度。,2、稱重法如果薄膜的面積A、密度和質(zhì)量m可以被精確測(cè)定的話，由公式,就可以計(jì)算出薄膜的厚度d。,薄膜物性檢測(cè),LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜膜厚檢測(cè),機(jī)械測(cè)量方法,3石英晶體振蕩器法,將石英晶體沿其線膨脹系數(shù)最小的方向切割成片，并在兩端面上沉積上金屬電極。由于石英晶體具有壓電特性，因而在電路匹配的情況下，石英片上將產(chǎn)生固有頻率的電壓振蕩。將這樣一只石英振蕩器放在沉積室內(nèi)的襯底附近，通過(guò)與另一振蕩電路頻率的比較，可以很精確地測(cè)量出石英晶體振蕩器固有頻率的微小變化。在薄膜沉積的過(guò)程中，沉積物質(zhì)不斷地沉積到晶片的一個(gè)端面上，監(jiān)測(cè)振蕩頻率隨著沉積過(guò)程的變化，就可以知道相應(yīng)物質(zhì)的沉積質(zhì)量或薄膜的沉積厚度。,薄膜物性檢測(cè),LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,優(yōu)點(diǎn)：提供清晰直觀的形貌圖像，分辨率高，觀察景深長(zhǎng)，可以采用不同的圖像信息形式，可以給出定量或半定量的表面成分分析結(jié)果等。,掃描電子顯微(SEM),分辨率可達(dá)1-2nm,薄膜物性檢測(cè),LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,薄膜物性檢測(cè),LeadingPhysicalPropertyAnalysisofThin-FilmMaterials,專注激情嚴(yán)謹(jǐn)勤勉,透射電子