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電場(chǎng)（一）庫(kù)侖定律 電場(chǎng)強(qiáng)度,一、選擇題,1. D,2. B,二、填空題,1.,2.,3.,庫(kù)侖力為：,與萬(wàn)有引力之比為：,三、計(jì)算題,解:,取電荷元dq，其矢徑與x軸的交角為,電場(chǎng)（二）電場(chǎng)強(qiáng)度 高斯定理,一、選擇題,1. C,2. C,解題思路：以A為中心，補(bǔ)上個(gè)相同得立方體。A位于體心。每個(gè)側(cè)面的面積為abcd的4倍?？傠娡繛閝/ 0。由對(duì)稱(chēng)性，abcd的電通量為q/ 240。,二、填空題,1.,異,2.,三、計(jì)算題,1. 解:,(1),(2),作以r為半徑的高斯面，高斯面內(nèi)所包含的電量為：,由高斯定理：,作以r為半徑的高斯面，高斯面內(nèi)所包含的電量為：,由高斯定理：,2. 解:,作以r為半徑，高為 l 的同軸封閉圓柱面為高,斯面，高斯面上的電通量為,所包含的電量為：,由高斯定理：,作以r為半徑，高為 l 的同軸封閉圓柱面為高斯面，高斯面上的電通量為：,所包含的電量為：,由高斯定理：,作以r為半徑，高為l的同軸封閉圓柱面為高斯面，高斯面上的電通量為,所包含的電量為：,由高斯定理：,電場(chǎng)（三）電勢(shì) 電勢(shì)差,一、選擇題,1. B,2. C,解題思路：O點(diǎn)的電勢(shì)為：,電場(chǎng)力作功：,，外力作功：,二、填空題,1.,（1),（2）,2.,三、計(jì)算題,1. 解:,(1),以O(shè)為對(duì)稱(chēng)點(diǎn)作垂直于平板平面的圓柱面為高斯面，設(shè)底面積為S，長(zhǎng)度為2xP，如圖所示。,高斯面內(nèi)所包含的電量為：,高斯面內(nèi)所包含的電通量為：,由高斯定理：,對(duì)于Q點(diǎn)：,以Q為對(duì)稱(chēng)點(diǎn)作垂直于平板平面的圓柱面為高斯面，設(shè)底面積為S，長(zhǎng)度為2x,高斯面內(nèi)所包含的電量為：,高斯面內(nèi)所包含的電通量為：,由高斯定理：,(2),作P Q的積分路徑，場(chǎng)強(qiáng)分布為分段函數(shù)， P 平板邊界,邊界 Q,2. 解:,以左端為坐標(biāo)原點(diǎn)O，

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