集成電路封裝材料-包封保護(hù)材料VIP

包封材料芯片黏接材料功能及作用Bump材料第3章芯片黏接材料3.1芯片黏接材料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用芯片黏接方法及黏接材料分類及異同點(diǎn)導(dǎo)電膠組成及作用、導(dǎo)電機(jī)理、分類（結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電方向、基體、固化條件、導(dǎo)電粒子）導(dǎo)電膠膜優(yōu)點(diǎn)互連焊料作用、優(yōu)點(diǎn)、參數(shù)、互連實(shí)現(xiàn)、焊料基本要求低溫封接玻璃及要求3.2芯片黏接材料類別和材料特性芯片黏接材料發(fā)展方向納米顆粒填充芯片黏接材料、碳系導(dǎo)電黏接材料3.3新技術(shù)與材料發(fā)展包封保護(hù)材料：IC封裝中，包封保護(hù)所用的材料。按封裝形式及具體工藝不同分類：（固態(tài)）環(huán)氧塑封料EMC（EpoxyMoldingCompound）或稱遞模成型材料TMC(TransferMoldingCompound);液態(tài)塑封料（LiquidMoldingCompound）或底部填充料（Underfill）、包裝材料等，包含芯片底部填充用有機(jī)材料，如非導(dǎo)電漿材料(Non-ConductivePaste,NCP)、非導(dǎo)電膜（Non-ConductiveFilm,NCF）。圖4-1塑料封裝中的包封保護(hù)用塑封料示例EMC：主要應(yīng)用于IC芯片的封裝保護(hù)，是IC電路后道封裝的主要材料之一。塑料封裝中，通常用EMC對(duì)芯片有互連部位進(jìn)行包封保護(hù)，而在高可靠性的金屬、陶瓷封裝中，通常采用封蓋技術(shù)將芯片與互連部位保護(hù)在特性氣氛空腔內(nèi)，在部分金屬、陶瓷封裝中也會(huì)用到EMC進(jìn)行包封。Underfill是一種適用于FC芯片結(jié)構(gòu)的材料，將液體EMC填充在芯片與基板之間的夾縫中，將互連部位密封保護(hù)起來。UnderfillNCP，NCF，更適合窄節(jié)距互連的環(huán)境下提供保護(hù)。目錄4.1環(huán)氧塑封料4.2底部填充料目錄4.1環(huán)氧塑封料4.1.1

環(huán)氧塑封料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用4.1.2環(huán)氧塑封料類別和材料特性4.1.3新技術(shù)與材料發(fā)展4.1.1環(huán)氧塑封料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用圖4-2典型的環(huán)氧塑封料封裝形式4.1.1環(huán)氧塑封料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用圖4-3環(huán)氧塑封料實(shí)物圖主體材料：熱固性樹脂，加熱后基于高分子聚合物化學(xué)膠聯(lián)來固化成型。環(huán)氧塑封料組成：環(huán)氧樹脂、固化劑、固化促進(jìn)劑、無機(jī)填充料（硅微粉）、增韌劑、偶聯(lián)劑、著色劑等助劑。在專用設(shè)備進(jìn)行混合、加熱，制造成一定形狀、尺寸的用于IC封裝的專用熱固性塑料。4.1.1環(huán)氧塑封料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用環(huán)氧塑封料基本要求：（1）CTE低。（2）導(dǎo)熱性好。（3）氣密性好，化學(xué)穩(wěn)定性好，具有耐酸堿、耐高濕、耐高溫的性能，可以減少外界環(huán)境對(duì)電子元器件影響。（4）良好的機(jī)械強(qiáng)度，可以對(duì)芯片起到支撐和保護(hù)作用。（5）良好的加工成型特性。4.1.1環(huán)氧塑封料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用環(huán)氧塑封料基本要求：還需具備黏度低、流動(dòng)性好的特點(diǎn)。當(dāng)引線框架和芯片預(yù)先放置在模具型腔中時(shí)，環(huán)氧塑封料通過傳遞塑封成型技術(shù)，流經(jīng)引線框架和芯片，并將集成電路芯片包裹其中，不會(huì)引起芯片與元器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)明顯變形。填充后會(huì)發(fā)生聚合反應(yīng)，使制件具有較好的機(jī)械穩(wěn)定性、耐濕性和抗熱性。4.1.1環(huán)氧塑封料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用WLP對(duì)環(huán)氧塑封料關(guān)鍵技術(shù)要求：填料粒徑?。?lt;75mm）、翹曲小、無空洞、無流痕(Flowmark)。一般用液態(tài)有機(jī)材料（如光敏絕緣介質(zhì)材料），部分公司仍使用環(huán)氧塑封料，采用模壓方式(CompressionMolding)進(jìn)行封裝。4.1.1環(huán)氧塑封料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用4.1.1環(huán)氧塑封料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用圖4-5

圓片級(jí)封裝流程圖環(huán)氧塑封料供應(yīng)商集中在日本（Sumitomo,住友，HitachiChemical日立化成）、韓國、中國（江蘇中鵬材料股份有限公司，江蘇華海誠科新材料股份有限公司、天津凱華絕緣材料有限公司），高端主要是日本、韓國。進(jìn)口環(huán)氧塑封料占據(jù)國內(nèi)大部分中高端市場(chǎng)。4.1.1環(huán)氧塑封料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用分類型號(hào)主要封裝范圍標(biāo)準(zhǔn)型環(huán)氧塑封料EMC－LRB中小規(guī)模、大規(guī)模集成電路EMC－LJB分立器件、中小規(guī)模集成電路高熱導(dǎo)型環(huán)氧塑封料EMC－LJD功率器件EMC－LQD低應(yīng)力型環(huán)氧塑封料EMC－LRY大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路低線膨脹系數(shù)型環(huán)氧塑封料EMC－QRP超大規(guī)模、特大規(guī)模集成電路低鈾含量型環(huán)氧塑封料EMC－QHU存儲(chǔ)器類特大規(guī)模集成電路環(huán)保型環(huán)氧塑封料EMC－QRCEMC－QFG環(huán)保型器件及電路4.1.2環(huán)氧塑封料類別和材料特性表4-1國產(chǎn)環(huán)氧塑封料的分類（SJ/T11197—2013

）環(huán)氧塑封料按封裝形式分類：分立器件用、集成電路用，沒有明確界限。制造流程基本相同，壓塑封裝用不需要預(yù)成型打餅，需要控制粉碎粒徑，用戶直接使用顆粒料進(jìn)行封裝。4.1.2環(huán)氧塑封料類別和材料特性圖4-6環(huán)氧塑封料的制造流程環(huán)氧塑封料工作集中在降低應(yīng)力、介電常數(shù)。目前降低塑封料應(yīng)力的方法：（1）添加應(yīng)力改性劑，一般為硅橡膠或有機(jī)硅，可以與樹脂形成海島結(jié)構(gòu)或直接與樹脂反應(yīng)，形成微細(xì)均勻分散體系，從而吸收塑封料的應(yīng)力，達(dá)到降低應(yīng)力目的。（2）降低塑封料的CTE。主要是提高填料和使用新的樹脂體系。介電性是表征絕緣性能的重要參數(shù)，用低介電常數(shù)材料，采用低介電常數(shù)型基體樹脂（如聚雙環(huán)戊二烯環(huán)氧樹脂），或低是電常數(shù)填料，控制原材料純度至關(guān)重要。一般硅微粉填充，介電性能得到改善，細(xì)顆粒填充比粗顆粒填充體系介電常數(shù)低。4.1.2環(huán)氧塑封料類別和材料特性12inch（300mm）–18inch(450mm);Intel、Samsung及TSMC推動(dòng)向18inch時(shí)代發(fā)展，工藝圖形90nm-65nm,45nm,40nm,32nm,28nm,16nm,7nm,5nm發(fā)展，將硅片改善至更高集成度、功能性和速度，同時(shí)可以滿足銅布線技術(shù)和低介電常數(shù)層介質(zhì)技術(shù)的要求。進(jìn)一步，對(duì)填料粒徑要求越來越高，對(duì)翹曲度要求也越來越高。4.1.3新技術(shù)與材料發(fā)展環(huán)氧塑封料發(fā)展方向：填料尺寸小，材料CTE小，與IC硅片及金屬化層結(jié)合力高、防潮能力高、環(huán)保、良好的連續(xù)成膜性能，具體要求：（1）在大的溫度、頻率范圍內(nèi)，具有優(yōu)良的介電性能，能夠滿足高電壓（大于600V）的需求。（2）具有較好的成型加工性能。（3）高導(dǎo)熱率，國外3.0W/m·K以上。（4）低吸水率，雙85，168小時(shí)，吸水率小于0.15%.（5）高黏接力：對(duì)于鍍銀、鍍鎳鈀金框架，要提高黏接力，溫度敏感1級(jí)。（6）QFN/BGA的低翹曲度及普適性。4.1.3新技術(shù)與材料發(fā)展4.2底部填充料圖4-7倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)中的底部填充料作用：可緩解芯片、互連材料（焊球）和基板三者的CTE不匹配產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力，分解芯片正面承載的應(yīng)力，同時(shí)保護(hù)焊球、提高芯片的抗跌落性、熱循環(huán)可靠性，在高功率器件中還能傳遞芯片間的熱量。窄節(jié)距互連，TCB（Therma-compression–bonding）。傳統(tǒng)TCB工藝逐層疊加芯片，采用毛細(xì)管底部填充工藝來填充芯征空隙，保護(hù)互連線。隨著芯片堆疊層數(shù)的增加和層間空隙的減小，傳統(tǒng)工藝需要花費(fèi)更多的時(shí)間來填充處理，且增加封裝無缺陷疊層結(jié)構(gòu)難度，導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低和可靠性問題。4.2底部填充料隨著封裝制程及新材料進(jìn)步，新一代材料被開發(fā)出來，NCP(Non-ConductivePaste),NCF(Non-ConductiveFilm),回流固化ReflowCuringNCP/NCF可以發(fā)揮IC中大容量、窄節(jié)距銅柱工藝先進(jìn)性?？s短固化時(shí)間，增強(qiáng)封裝可靠性，實(shí)現(xiàn)更大I/O數(shù)量，更窄節(jié)距。4.2底部填充料4.2底部填充料圖4-8以NCP為一級(jí)互連材料的倒裝芯片封裝示意圖4.2底部填充料4.2.1

底部填充料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用4.2.2底部填充料類別和材料特性4.2.3新技術(shù)與材料發(fā)展4.2.1

底部填充料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用根據(jù)使用環(huán)境差異，分為一級(jí)封裝底部填充料和二級(jí)封裝底部填充料。一級(jí)封裝，芯片到芯片載體/基板之間封裝，相關(guān)的有FC,TSV芯片及TSV中介層封裝。主要發(fā)展方向，底部填充料與焊球電氣互連的封裝工藝和器件可靠性的兼容性；底部填充料對(duì)芯片、基板、TSV芯片、TSV中介轉(zhuǎn)接層的黏接強(qiáng)度要求。二級(jí)封裝，WLCSP，疊層封裝，采用底部填充膠。黏度，高溫穩(wěn)定性是關(guān)鍵。毛細(xì)作用是必要因素。4.2.1

底部填充料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用倒裝芯片底部填充膠起到將連接焊點(diǎn)密封保護(hù)起來的作用。底部填充料是影響倒裝芯片組裝質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一。當(dāng)芯片承受熱沖擊或機(jī)械沖擊時(shí)，焊球和黏接劑之間的牢固黏接可以平均分散整個(gè)芯片的應(yīng)力，并降低芯片、基板、焊球之間熱膨脹系數(shù)差異造成的負(fù)面影響，以保持焊點(diǎn)的可靠性。填充料黏度和高溫穩(wěn)定性是相當(dāng)關(guān)鍵的。毛細(xì)作用是完成整個(gè)封裝的必要因素。4.2.1

底部填充料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用材料CTE/(ppm/℃)倒裝芯片中的應(yīng)用硅2.5芯片或硅基板FR-4基板16有機(jī)基板氧化鋁6.9陶瓷基板焊料18～22互連聚酰亞胺45柔性有機(jī)基板環(huán)氧樹脂55～75底部填充料中的樹脂二氧化硅0.5底部填充料中的填料表4-2倒裝芯片結(jié)構(gòu)中主要材料的CTE值4.2.1

底部填充料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用底部填充料使整個(gè)系統(tǒng)的CTE介于芯片與基板CTE之間，強(qiáng)化焊接連接強(qiáng)度，降低連接點(diǎn)疲勞應(yīng)力，從而增加壽命。還起到保護(hù)器件免受外部環(huán)境帶來的潮濕、離子污染、輻射、機(jī)械損傷等的影響，提高芯片整體可靠性。底部填充料供應(yīng)商：日立化成（HitachiChemical），納美仕（Namics），信越化工（ShinEtsu），陶氏化學(xué)（DowChemical），洛德（Lord）等公司。選擇取決于應(yīng)用，如芯片尺寸、鈍化材料、基板材料、焊料類型和封裝體在實(shí)際應(yīng)用中所處的環(huán)境等。4.2.1

底部填充料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用新型高密度封裝結(jié)構(gòu)出現(xiàn)，導(dǎo)致毛細(xì)管底部填充料+回流向NCP/NCF材料+熱壓工藝轉(zhuǎn)變圖4-9CUF工藝與圓片級(jí)NCF工藝對(duì)比4.2.1

底部填充料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用NCP供應(yīng)商：漢高（Henkel），納美仕（Namics），長瀨產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社（Nagase），日立化成（HitachiChemical），松下（Panasonic）。NCF供應(yīng)商：漢高（Henkel），日立化成（HitachiChemical），日本電工（NittoDenko），納美仕（Namics），住友（Sumitomo）。4.2.1

底部填充料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用圖4-10Amkor研究的TC－NCP應(yīng)用在SamsungGalaxy智能手機(jī)中PoP微處理器截面圖C2芯片節(jié)距縮小至10mm4.2.1

底部填充料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用圖4-11Hynix（海力士）生產(chǎn)的AMD圖形處理器單元截面圖NCF-TCB依次將DRAM堆疊，每個(gè)芯片底部填充料凝膠化、焊料熔化、底部填充料固化、焊料固化需要10s，海力士提出新的集成方法，由40s縮短到14s4.2.2

底部填充料類別和材料特性組成：以環(huán)氧樹脂為主，添加球形硅粉，以及固化劑、促進(jìn)劑、表面處理劑等。特性：低CTE，高Tg，高模量，低離子含量，低吸濕量，低介電常數(shù)，良好的助焊劑兼容性，良好的熱導(dǎo)率。4.2.2

底部填充料類別和材料特性圖4-12底部填充料的分類4.2.2

底部填充料類別和材料特性圖4-13組裝后底部填充技術(shù)在應(yīng)用于窄節(jié)距互連時(shí)易產(chǎn)生孔洞4.2.2

底部填充料類別和材料特性預(yù)成型底部填充技術(shù)PreassemblyUnderfill，指底部填充料在芯片互連之前就被施加在芯片或基板上，在后續(xù)的回流和熱壓鍵合過程中，芯片凸點(diǎn)互連與底部填充固化的工藝同時(shí)完成。包括：非流動(dòng)底部填充料（No-flowUnderfillNUF）、圓片級(jí)底部填充料（WLUF）、NCP、NCF。NUF中No-flow過程是將封裝材料及助焊劑等在焊料回流時(shí)同時(shí)進(jìn)行焊球的互連過程。NCP/NCF是一種非導(dǎo)電材料（膜），是利用倒裝鍵合的熱壓方式將焊球互連及封裝材料固化同步完成。4.2.2

底部填充料類別和材料特性1）CapillaryUnderfill圖4-14毛細(xì)管底部填充的工藝流程首先將一層助焊劑涂在帶有凸點(diǎn)焊盤的基板上；然后將芯片焊料凸點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)基板焊盤；加熱進(jìn)行焊料回流，使凸點(diǎn)互聯(lián)；接著通過溶劑噴霧等方式進(jìn)行助焊劑清洗；沿芯片邊緣注入底部填充料，底部填充料借助毛細(xì)作用會(huì)被吸入芯片和基板的空隙；最后加熱固化。4.2.2

底部填充料類別和材料特性1）CapillaryUnderfill流動(dòng)速度是影響底部填充工藝生產(chǎn)效率的主要因素之一，降低黏度至關(guān)重要。因空隙越來越小，采用大尺寸填充料易造成堵孔、產(chǎn)生氣泡，要求更換使用更小尺寸填充料進(jìn)行填充。生產(chǎn)效率，采用絲網(wǎng)印刷方式進(jìn)行提高。4.2.2

底部填充料類別和材料特性1）CapillaryUnderfill圖4-15采用絲網(wǎng)印刷方式進(jìn)行底部填充過程熱板約120

oC，底部填充料在毛細(xì)作用下流向芯片、焊球、基板之間，最終完成填充。網(wǎng)版開口干膜開口4.2.2

底部填充料類別和材料特性2）塑封底部填充料是環(huán)氧塑封料的一種變形，由Cookson

Electronics在2000年提出，后來德克斯工業(yè)(Dexter)，Intel，Amkor，星科金朋(STATS)和意法半導(dǎo)體（STMicroElectronics）報(bào)道過相關(guān)技術(shù)。常規(guī)倒裝芯片塑封，毛細(xì)管底部填充工藝兩步法：先使用毛細(xì)流動(dòng)型填充工藝，使用底部填充料填充芯片和基板之間的空隙；加熱固化以后，再使用標(biāo)準(zhǔn)塑封化合物器件整體密封，起到保護(hù)封裝體作用。塑封底部填充工藝將底部填充與器件塑封兩個(gè)步驟統(tǒng)一。塑封同時(shí)，底部填充料進(jìn)入芯片和基板空隙中，隨后一起固化、密封。更簡單、更快速。4.2.2

底部填充料類別和材料特性2）塑封底部填充料圖4-16毛細(xì)管底部填充（CUF,CapillaryUnderfill）工藝與塑封底部填充（MUF,MoldedUnderfill）工藝對(duì)比4.2.2

底部填充料類別和材料特性2）塑封底部填充料傳統(tǒng)底部填充料中，SiO2質(zhì)量含量50%~70%，塑封底部填充，SiO2質(zhì)量含量達(dá)80%，要求SiO2尺寸更小。4.2.2

底部填充料類別和材料特性2）塑封底部填充料塑封底部填充工藝面臨的挑戰(zhàn)：（1）芯片和基板之間的塑封底部填充料的流動(dòng)通常由真空輔助。（2）環(huán)氧塑封料的SiO2填料尺寸必須非常小才能滿足流動(dòng)性。（3）塑封底部填充料的環(huán)氧塑封料成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于封裝成型的成本。（4）環(huán)氧塑封料、芯片和基板之間的CTE不匹配，容易造成翹曲。（5）成型溫度受到焊球熔點(diǎn)的限制。（6）焊球高度和節(jié)距不能太小。4.2.2

底部填充料類別和材料特性3）非流動(dòng)底部填充料圖4-17非流動(dòng)底部填充工藝的工藝流程4.2.2

底部填充料類別和材料特性3）非流動(dòng)底部填充料具備毛細(xì)管底部填充料的性能，還需具備助焊功能。早期非流動(dòng)底部填充料中不含或只含很少的SiO2填料，具有較高的CTE，降低封裝可靠性。難點(diǎn)：SiO2填料容易被限制在焊球之間，造成焊球連接失效。改進(jìn)：在加熱過程中施加壓力、采用雙層非流動(dòng)底部填充工藝。非流動(dòng)底部填充工藝大大簡化了倒裝芯片底部填充料工藝過程。4.2.2

底部填充料類別和材料特性4）圓片級(jí)底部填充料圓片級(jí)封裝指以整片晶圓為封裝結(jié)構(gòu)單元，封裝之后進(jìn)行單個(gè)組件切割，大大提高封裝效率。出現(xiàn)圓片級(jí)底部填充料，可靠性高、生產(chǎn)成本低，能夠與SMT工藝兼容。4.2.2

底部填充料類別和材料特性4）圓片級(jí)底部填充料圖4-18圓片級(jí)底部填充工藝的工藝流程4.2.2

底部填充料類別和材料特性4）圓片級(jí)底部填充料去除了助焊劑及其后續(xù)清除過程，焊料回流過程中周圍底部填充料可以有效地保護(hù)焊球，防止焊球開裂、失效和機(jī)械破損，底部填充料的固化和焊球接點(diǎn)的形成同時(shí)進(jìn)行。有效提高生產(chǎn)效率。符合焊料凸瞇的窄節(jié)距、小直徑、高度降低及芯片厚度變薄的發(fā)展方向，可用于2.5D封裝中，得到廣泛應(yīng)用。進(jìn)一步加強(qiáng)了芯片制造廠、封裝企業(yè)及材料供應(yīng)商之間的配合。4.2.2

底部填充料類別和材料特性5）非導(dǎo)電漿料（NCP）直接通過熱壓方式使凸點(diǎn)和焊盤直接接觸實(shí)現(xiàn)互連，省去助焊劑相關(guān)工序。NCP起形成機(jī)械連接并保持凸點(diǎn)和焊盤的接觸壓力的作用。圖4-19使用NCP進(jìn)行熱壓鍵合的組裝過程4.2.2

底部填充料類別和材料特性5）非導(dǎo)電漿料（NCP）與普通底部填充料相比，NCP具有黏度高、快速固化、極短時(shí)間膠化特性。性能R2323iHX-6B-5G3FFR3007-6R9020UFR217CUF低應(yīng)力CUF好流動(dòng)性輔助CUF可行NCP應(yīng)用OSP填充量wt%50506062Tg（DMA）℃120100134140熱膨脹系數(shù)（CTE）ppm/℃37362727彎曲模量GPa6.07.07.38.0黏度mPa·s70001000150090000膠化時(shí)間s550@160℃420@150℃120@150℃2@170℃

4@270℃固化時(shí)間min90@160℃60@150℃30@150℃60@150℃表4-3CUF與NCP材料特性表4.2.2

底部填充料類別和材料特性5）非導(dǎo)電漿料（NCP）NCP研究方向：減少孔洞、確?；ミB效果，可從降低最小黏度、提高去氧化活性、控制固化速度著手。優(yōu)良的導(dǎo)熱性、較長工作壽命受到關(guān)注。4.2.2

底部填充料類別和材料特性6）非導(dǎo)電膜（NCF）NCF材質(zhì)柔軟，可以夾在PET（聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯）之類的塑料薄膜中作為卷材使用?？捎迷赪LP中。圓片級(jí)NCF的材料為改性環(huán)氧樹脂，在80~95oC下具有高流動(dòng)性，在該溫度下可實(shí)現(xiàn)無孔洞層壓。NCF缺點(diǎn)是：黏合速度比NCP慢，對(duì)于不同凸點(diǎn)高度的芯片沒有靈活性，只能考慮配以不同厚度的膜。NCF優(yōu)點(diǎn)：成本低、操作方便、片間間距小，可以采用無孔熱軋復(fù)合機(jī)在凸點(diǎn)圖形的晶圓活性側(cè)進(jìn)行鍵合。4.2.2

底部填充料類別和材料特性6）非導(dǎo)電膜（NCF）圖4-20使用NCF的倒裝鍵合過程4.2.2

底部填充料類別和材料特性6）非導(dǎo)電膜（NCF）圓片級(jí)NCF特性：與晶圓正面具有良好的黏著力和良好的機(jī)械性能，以防止NCF在切割過程是被損壞，熱壓焊時(shí)NCF基體可以快速軟化、流動(dòng)和潤濕。NCF導(dǎo)電性和載流能力有限，在高溫/高濕度和熱循環(huán)下的可靠性需進(jìn)一步提高。在高電流密度環(huán)境下需要滿足接觸點(diǎn)的低接觸電阻、高載流能力和高可靠性要求。使用問題：孔洞和晶圓減薄和劃片進(jìn)所產(chǎn)生的晶圓或芯片裂紋，以及NCF分層。4.2.2

底部填充料類別和材料特性6）非導(dǎo)電膜（NCF）需求解決方法晶圓層壓能力在