T/CIE 145-2022輻射誘生缺陷的深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試方法

ICS3108001

CCSL.40.

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CIE145—2022

輻射誘生缺陷的深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試方法

Measurementmethodofradiationinducedtrapsby

deepleveltransientspectroscopy

2022-12-31發(fā)布2023-01-31實(shí)施

中國(guó)電子學(xué)會(huì)發(fā)布

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版

T/CIE145—2022

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

一般要求

4…………………2

測(cè)試人員

4.1……………2

儀器與設(shè)備

4.2…………………………2

測(cè)試環(huán)境

4.3……………3

測(cè)試方法

5…………………3

測(cè)試目的

5.1……………3

測(cè)試計(jì)劃

5.2……………3

被測(cè)樣品

5.3……………3

測(cè)試程序

5.4……………3

數(shù)據(jù)處理

5.5……………4

測(cè)試報(bào)告

6…………………4

附錄資料性基于深能級(jí)瞬態(tài)譜的缺陷測(cè)試原理和數(shù)據(jù)處理方法

A()………………5

附錄資料性輻射誘生缺陷的深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試示例

B()……………8

附錄資料性基于深能級(jí)瞬態(tài)譜的缺陷測(cè)試數(shù)據(jù)記錄表格

C()………10

附錄資料性缺陷的深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試報(bào)告

D()………11

T/CIE145—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由中國(guó)電子學(xué)會(huì)可靠性分會(huì)提出并歸口

。

本文件起草單位工業(yè)和信息化部電子第五研究所哈爾濱工業(yè)大學(xué)

:、。

本文件主要起草人彭超雷志鋒何玉娟張戰(zhàn)剛肖慶中來(lái)萍黃云李興冀楊劍群徐曉東

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

T/CIE145—2022

引言

空間應(yīng)用中的半導(dǎo)體器件會(huì)受到惡劣的輻射環(huán)境的影響質(zhì)子和電子等高能粒子長(zhǎng)期的輻照會(huì)在

。

半導(dǎo)體器件中形成深能級(jí)陷阱這些深能級(jí)陷阱作為非輻射復(fù)合中心將降低半導(dǎo)體器件的載流子壽

。,

命最終導(dǎo)致半導(dǎo)體器件性能退化因此對(duì)深能級(jí)陷阱進(jìn)行測(cè)試和表征是空間用半導(dǎo)體器件研制和抗

,。,

輻射加固設(shè)計(jì)中面臨的一個(gè)重要的課題

。

深能級(jí)瞬態(tài)譜是開(kāi)展半導(dǎo)體器件中輻射誘生缺陷測(cè)試的一種有效手段它能獲取多數(shù)或

(DLTS)。

少數(shù)載流子陷阱的關(guān)鍵信息如陷阱能級(jí)位置陷阱濃度和俘獲截面等這些陷阱信息是評(píng)估輻射環(huán)境

,、。

對(duì)半導(dǎo)體器件影響的關(guān)鍵參數(shù)針對(duì)待測(cè)的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)和缺陷的多樣性發(fā)展出了電容深能級(jí)瞬

。,-

態(tài)譜電流深能級(jí)瞬態(tài)譜界面態(tài)陷阱光激發(fā)等不同的測(cè)試

(C-DLTS)、-(I-DLTS)、-DLTS、-DLTSDLTS

技術(shù)這導(dǎo)致基于的缺陷測(cè)試方法缺乏規(guī)范化難以工程化應(yīng)用本文件對(duì)的適用范

。DLTS,。DLTS

圍測(cè)試方法流程等做出規(guī)范化約定從而推動(dòng)基于的缺陷測(cè)試技術(shù)在空間用半導(dǎo)體器件輻照

、、,DLTS

評(píng)估試驗(yàn)中的應(yīng)用

。

Ⅱ

T/CIE145—2022

輻射誘生缺陷的深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試方法

1范圍

本文件規(guī)定了利用電容瞬態(tài)深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試輻射誘生缺陷的方法和程序

(DLTS)。

本文件適用于包含結(jié)肖特基結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中輻射誘生深能級(jí)缺陷的測(cè)試

P-N、、MOS。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備管理指南

GB/Z27427

航天電子產(chǎn)品靜電防護(hù)要求

GB/T32304

半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法

GJB128B

微電子器件試驗(yàn)方法和程序

GJB548C

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GJB128B、GJB548C。

31

.

復(fù)合中心recombinationcenter

半導(dǎo)體中對(duì)非平衡載流子壽命的長(zhǎng)短起決定性作用的雜質(zhì)和缺陷

。

注復(fù)合中心可以同時(shí)俘獲導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴從而促進(jìn)載流子的復(fù)合顯著降低載流子壽命

:,,。

32

.

陷阱中心trapcenter

半導(dǎo)體中有顯著積累非平衡載流子作用的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)

。

注陷阱中心對(duì)電子和空穴的俘獲概率有很大差異只對(duì)一種載流子表現(xiàn)出顯著俘獲作用

:,。

33

.

深能級(jí)缺陷deepleveltrap

能級(jí)位置距離帶隙邊緣導(dǎo)帶底或價(jià)帶頂較遠(yuǎn)靠近帶隙中間位置的缺陷

(),。

注深能級(jí)缺陷可以作為復(fù)合中心和陷阱中心部分深能級(jí)缺陷也可能距離帶隙邊緣較近

:。