電子信息技術(shù)集成電路知識考點

電子信息技術(shù)集成電路知識考點姓名_________________________地址_______________________________學號______________________-------------------------------密-------------------------封----------------------------線--------------------------1.請首先在試卷的標封處填寫您的姓名，身份證號和地址名稱。2.請仔細閱讀各種題目，在規(guī)定的位置填寫您的答案。一、選擇題1.1.集成電路的基本結(jié)構(gòu)主要包括（）

A.晶體管

B.半導體材料

C.晶體管與半導體材料

D.電源

答案：C

解題思路：集成電路的基本結(jié)構(gòu)是由晶體管和半導體材料構(gòu)成的，因此選項C是正確的。

2.2.晶體管的主要類型有（）

A.晶體管

B.雙極型晶體管

C.場效應晶體管

D.以上都是

答案：D

解題思路：晶體管包括雙極型晶體管和場效應晶體管，因此選項D包含了所有主要類型。

3.3.集成電路按照功能可以分為（）

A.模擬集成電路

B.數(shù)字集成電路

C.混合集成電路

D.以上都是

答案：D

解題思路：集成電路根據(jù)功能可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和混合集成電路，因此選項D是全面的。

4.4.模擬集成電路主要包括（）

A.放大器

B.比較器

C.集成運算放大器

D.以上都是

答案：D

解題思路：模擬集成電路涵蓋了多種功能，包括放大器、比較器和集成運算放大器，因此選項D是正確的。

5.5.數(shù)字集成電路主要包括（）

A.觸發(fā)器

B.計數(shù)器

C.微處理器

D.以上都是

答案：D

解題思路：數(shù)字集成電路包括觸發(fā)器、計數(shù)器和微處理器等多種組件，因此選項D是全面的。

6.6.集成電路的制造工藝包括（）

A.晶體生長

B.光刻

C.離子注入

D.以上都是

答案：D

解題思路：集成電路的制造工藝包括晶體生長、光刻和離子注入等多個步驟，因此選項D是正確的。

7.7.集成電路的封裝方式包括（）

A.封裝

B.檢測

C.壓焊

D.以上都是

答案：D

解題思路：集成電路的封裝涉及封裝、檢測和壓焊等多個環(huán)節(jié)，因此選項D是正確的。

8.8.集成電路的發(fā)展趨勢包括（）

A.微小型化

B.高速化

C.低功耗

D.以上都是

答案：D

解題思路：集成電路的發(fā)展趨勢包括微小型化、高速化和低功耗等多個方面，因此選項D是全面的。二、填空題1.1.集成電路中的半導體材料主要包括（硅、鍺、砷化鎵等）

2.2.晶體管的主要參數(shù)包括（放大系數(shù)、截止頻率、功耗、輸入阻抗、輸出阻抗等）

3.3.集成電路的可靠性主要包括（耐久性、穩(wěn)定性、抗干擾性、容錯性等）

4.4.集成電路的熱穩(wěn)定性主要包括（熱膨脹系數(shù)、熱導率、熱阻等）

5.5.集成電路的抗干擾能力主要包括（電磁兼容性、輻射抗擾度、靜電放電敏感度等）

6.6.集成電路的封裝方式有（DIP、SOP、SSOP、TSSOP、QFP、BGA等）

7.7.集成電路的設(shè)計方法有（模擬電路設(shè)計、數(shù)字電路設(shè)計、混合信號設(shè)計等）

8.8.集成電路的應用領(lǐng)域有（通信、計算機、消費電子、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制等）

答案及解題思路：

答案：

1.硅、鍺、砷化鎵等

2.放大系數(shù)、截止頻率、功耗、輸入阻抗、輸出阻抗等

3.耐久性、穩(wěn)定性、抗干擾性、容錯性等

4.熱膨脹系數(shù)、熱導率、熱阻等

5.電磁兼容性、輻射抗擾度、靜電放電敏感度等

6.DIP、SOP、SSOP、TSSOP、QFP、BGA等

7.模擬電路設(shè)計、數(shù)字電路設(shè)計、混合信號設(shè)計等

8.通信、計算機、消費電子、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制等

解題思路：

1.對于半導體材料的選擇，需要根據(jù)具體的應用場景和功能要求來決定，硅因其良好的電功能和成本效益成為主流，而鍺和砷化鎵等材料則常用于特定的高功能應用。

2.晶體管參數(shù)的選擇直接影響到電路的功能，例如放大系數(shù)決定了放大能力，截止頻率決定了電路的工作帶寬。

3.可靠性是評價集成電路功能的重要指標，涉及材料的穩(wěn)定性和電路設(shè)計的容錯能力。

4.熱穩(wěn)定性涉及到集成電路在高溫下的功能保持，熱導率和熱阻是影響散熱功能的關(guān)鍵參數(shù)。

5.抗干擾能力是集成電路在實際應用中必須具備的能力，包括對電磁干擾、輻射干擾和靜電放電的抵抗能力。

6.集成電路的封裝方式影響其尺寸、散熱功能和連接方式，不同封裝適用于不同的應用場景。

7.集成電路設(shè)計方法因電路類型和應用需求而異，模擬設(shè)計關(guān)注連續(xù)信號的放大和處理，數(shù)字設(shè)計則關(guān)注離散信號的邏輯處理。

8.集成電路的應用領(lǐng)域廣泛，涵蓋了幾乎所有與電子技術(shù)相關(guān)的行業(yè)，從基礎(chǔ)通信到高端醫(yī)療設(shè)備。三、判斷題1.1.集成電路是采用半導體工藝將多個電子元件集成在一起的電子元件。

答案：正確

解題思路：集成電路（IntegratedCircuit，IC）通過半導體工藝將多個電子元件（如晶體管、電阻、電容等）集成在一個硅芯片上，從而實現(xiàn)復雜的電子功能。

2.2.晶體管是集成電路的核心元件。

答案：正確

解題思路：晶體管是電子電路中的基本放大和開關(guān)元件，是集成電路中實現(xiàn)邏輯功能的基本單元。

3.3.模擬集成電路主要用于處理模擬信號。

答案：正確

解題思路：模擬集成電路（AnalogIC）專門設(shè)計用于處理連續(xù)變化的模擬信號，如放大、濾波、轉(zhuǎn)換等。

4.4.數(shù)字集成電路主要用于處理數(shù)字信號。

答案：正確

解題思路：數(shù)字集成電路（DigitalIC）用于處理離散的數(shù)字信號，實現(xiàn)邏輯運算、存儲、控制等功能。

5.5.集成電路的制造工藝包括晶體生長、光刻、離子注入等。

答案：正確

解題思路：集成電路制造工藝包括晶體生長、光刻、離子注入、蝕刻、化學氣相沉積等步驟，用于在硅片上形成電路圖案。

6.6.集成電路的封裝方式有封裝、檢測、壓焊等。

答案：正確

解題思路：集成電路的封裝是將芯片固定在封裝殼中，并連接引腳的工藝過程，包括封裝、檢測、壓焊等步驟。

7.7.集成電路的設(shè)計方法有硬件描述語言、電路仿真等。

答案：正確

解題思路：集成電路設(shè)計方法包括使用硬件描述語言（如Verilog、VHDL）進行邏輯描述，以及使用電路仿真工具進行功能驗證和功能分析。

8.8.集成電路的應用領(lǐng)域有通信、計算機、消費電子等。

答案：正確

解題思路：集成電路廣泛應用于通信、計算機、消費電子、醫(yī)療設(shè)備、汽車電子等多個領(lǐng)域，幾乎涵蓋了現(xiàn)代電子技術(shù)的各個方面。四、簡答題1.1.簡述集成電路的基本結(jié)構(gòu)。

答案：

集成電路的基本結(jié)構(gòu)通常包括以下部分：

（1）襯底：為集成電路提供基礎(chǔ)，常見的有硅（Si）、鍺（Ge）等。

（2）擴散區(qū)：通過摻雜工藝在襯底上形成N型或P型區(qū)域。

（3）隔離區(qū)：采用隔離技術(shù)將不同晶體管或電路單元隔離開。

（4）溝道：在晶體管內(nèi)部形成的導電溝道，用于控制電流流動。

（5）電極：與晶體管或電路單元相連的引腳，用于與外部電路連接。

（6）連接線：連接不同電路單元或晶體管，實現(xiàn)電路的完整功能。

解題思路：

首先明確集成電路的基本概念，然后從襯底、擴散區(qū)、隔離區(qū)、溝道、電極、連接線等組成部分逐一描述，闡述其功能和在集成電路中的作用。

2.2.簡述晶體管的主要參數(shù)及其作用。

答案：

晶體管的主要參數(shù)及其作用

（1）直流電流放大系數(shù)（β）：表示晶體管的放大能力，用于放大輸入信號。

（2）集電極基極電壓（Vcb）：表示晶體管在放大狀態(tài)下的工作電壓，用于確定晶體管的工作點。

（3）集電極發(fā)射極飽和電壓（Vce）：表示晶體管在飽和狀態(tài)下的工作電壓，用于確定晶體管的開關(guān)特性。

（4）輸入阻抗：表示晶體管的輸入信號對電路的影響程度，用于分析晶體管對電路的影響。

（5）輸出阻抗：表示晶體管的輸出信號對電路的影響程度，用于分析晶體管對電路的影響。

解題思路：

首先明確晶體管的主要參數(shù)，然后分別闡述各個參數(shù)的作用，如放大能力、工作電壓、輸入/輸出阻抗等。

3.3.簡述集成電路的制造工藝。

答案：

集成電路的制造工藝主要包括以下步驟：

（1）光刻：在襯底上制作圖形，為后續(xù)摻雜、刻蝕等工藝提供參考。

（2）摻雜：通過擴散或離子注入技術(shù)將摻雜物質(zhì)引入襯底，形成所需晶體管。

（3）刻蝕：將多余的摻雜物質(zhì)去除，形成所需的電路圖形。

（4）離子注入：將離子注入到襯底中，形成N型或P型摻雜區(qū)域。

（5）氧化：在襯底表面形成氧化層，保護晶體管，同時作為隔離層。

（6）金屬化：在電路圖形上形成金屬層，連接不同電路單元。

（7）封裝：將集成電路封裝在保護性外殼中，方便使用。

解題思路：

首先列出集成電路的制造工藝步驟，然后依次介紹每個步驟的具體操作和目的。

4.4.簡述集成電路的封裝方式及其作用。

答案：

集成電路的封裝方式主要包括以下幾種：

（1）塑料封裝：具有良好的電絕緣性和化學穩(wěn)定性，適用于低成本產(chǎn)品。

（2）陶瓷封裝：具有良好的耐熱功能和機械強度，適用于高溫環(huán)境。

（3）球柵陣列（BGA）：具有較高密度，適用于大尺寸芯片。

（4）倒裝芯片封裝（FlipChip）：提高信號傳輸速度，適用于高頻電路。

封裝的作用

（1）保護：保護集成電路免受外界環(huán)境影響，延長使用壽命。

（2）散熱：幫助散熱，防止芯片過熱。

（3）電氣連接：實現(xiàn)芯片與外部電路的連接。

（4）便于使用：方便安裝、拆卸和測試。

解題思路：

首先列舉集成電路的封裝方式，然后介紹每種封裝方式的特點和適用場合，最后闡述封裝的作用。

5.5.簡述集成電路的設(shè)計方法。

答案：

集成電路的設(shè)計方法主要包括以下幾種：

（1）模擬電路設(shè)計：基于模擬電路理論，設(shè)計電路實現(xiàn)特定功能。

（2）數(shù)字電路設(shè)計：基于數(shù)字電路理論，設(shè)計電路實現(xiàn)邏輯功能。

（3）數(shù)?；旌想娐吩O(shè)計：結(jié)合模擬電路和數(shù)字電路的特點，設(shè)計電路實現(xiàn)混合功能。

（4）電路仿真設(shè)計：通過電路仿真軟件模擬電路功能，優(yōu)化設(shè)計。

解題思路：

首先列出集成電路的設(shè)計方法，然后分別介紹每種方法的原理和適用場合。

6.6.簡述集成電路的應用領(lǐng)域。

答案：

集成電路的應用領(lǐng)域廣泛，主要包括以下幾方面：

（1）通信領(lǐng)域：如移動通信、衛(wèi)星通信等。

（2）消費電子：如手機、平板電腦、家用電器等。

（3）計算機與互聯(lián)網(wǎng)：如CPU、GPU、內(nèi)存等。

（4）汽車電子：如汽車電子控制單元、傳感器等。

（5）醫(yī)療電子：如醫(yī)療設(shè)備、監(jiān)護儀等。

（6）工業(yè)控制：如PLC、工業(yè)等。

解題思路：

首先列舉集成電路的應用領(lǐng)域，然后簡要介紹每個領(lǐng)域中的典型應用。

7.7.簡述集成電路的發(fā)展趨勢。

答案：

集成電路的發(fā)展趨勢

（1）集成度提高：晶體管數(shù)量越來越多，集成度越來越高。

（2）頻率提高：提高工作頻率，提高處理速度。

（3）功耗降低：降低芯片功耗，提高能效。

（4）尺寸縮?。簻p小芯片尺寸，提高便攜性。

（5）三維集成電路：通過垂直堆疊提高芯片功能。

解題思路：

首先列舉集成電路的發(fā)展趨勢，然后分別介紹每個趨勢的具體內(nèi)容。

8.8.簡述集成電路在現(xiàn)代社會的重要性。

答案：

集成電路在現(xiàn)代社會具有重要性，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

（1）推動科技發(fā)展：集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的基礎(chǔ)，推動科技進步。

（2）提高生產(chǎn)效率：集成電路使電子產(chǎn)品小型化、智能化，提高生產(chǎn)效率。

（3）改善生活質(zhì)量：集成電路應用于各種電子產(chǎn)品，提高人們生活質(zhì)量。

（4）推動產(chǎn)業(yè)升級：集成電路產(chǎn)業(yè)鏈涉及眾多行業(yè)，推動產(chǎn)業(yè)升級。

（5）保障國家安全：集成電路是國家安全的重要基石。

解題思路：

首先闡述集成電路在現(xiàn)代社會的重要性，然后從推動科技發(fā)展、提高生產(chǎn)效率、改善生活質(zhì)量、推動產(chǎn)業(yè)升級、保障國家安全等方面進行論述。

：五、論述題1.1.闡述集成電路在通信領(lǐng)域的作用。

在通信領(lǐng)域，集成電路作為核心組件，起著的作用。以下為具體論述：

（1）集成化、小型化設(shè)計，使通信設(shè)備更輕便、便攜。

（2）集成度高，降低通信系統(tǒng)的功耗，延長電池壽命。

（3）集成度高的芯片可實現(xiàn)多種功能，如基帶處理、調(diào)制解調(diào)等，提高通信系統(tǒng)功能。

（4）芯片設(shè)計優(yōu)化，滿足不同通信協(xié)議需求，如4G/5G等。

2.2.闡述集成電路在計算機領(lǐng)域的作用。

在計算機領(lǐng)域，集成電路扮演著重要角色。以下為具體論述：

（1）集成度高，降低計算機硬件成本，提高系統(tǒng)功能。

（2）降低能耗，延長計算機使用時間。

（3）芯片設(shè)計創(chuàng)新，實現(xiàn)多核心、異構(gòu)計算等先進技術(shù)。

（4）提高計算機系統(tǒng)穩(wěn)定性，減少故障率。

3.3.闡述集成電路在消費電子領(lǐng)域的作用。

在消費電子領(lǐng)域，集成電路同樣發(fā)揮著重要作用。以下為具體論述：

（1）集成度高，減小電子設(shè)備體積，便于攜帶。

（2）提高電子設(shè)備功能，如快充技術(shù)、圖像處理等。

（3）集成芯片可實現(xiàn)多種功能，如音頻解碼、視頻編解碼等。

（4）降低功耗，延長電子設(shè)備使用時間。

4.4.闡述集成電路在醫(yī)療領(lǐng)域的作用。

在醫(yī)療領(lǐng)域，集成電路為醫(yī)療設(shè)備和器械的發(fā)展提供了強大動力。以下為具體論述：

（1）提高醫(yī)療器械的智能化水平，如心電監(jiān)護儀、超聲波儀器等。

（2）降低醫(yī)療設(shè)備功耗，延長設(shè)備使用壽命。

（3）集成芯片可應用于微創(chuàng)手術(shù)、手術(shù)等領(lǐng)域，提高手術(shù)精度和安全性。

（4）集成芯片可實現(xiàn)遠程醫(yī)療，為患者提供便捷的醫(yī)療服務。

5.5.闡述集成電路在國防領(lǐng)域的作用。

在國防領(lǐng)域，集成電路扮演著關(guān)鍵角色。以下為具體論述：

（1）提高武器系統(tǒng)的信息化水平，實現(xiàn)精準打擊。

（2）降低設(shè)備功耗，延長設(shè)備在復雜環(huán)境下的使用壽命。

（3）提高系統(tǒng)可靠性，減少故障率。

（4）芯片設(shè)計創(chuàng)新，支持國防科研，提升國防實力。

6.6.闡述集成電路在智能領(lǐng)域的作用。

在智能領(lǐng)域，集成電路發(fā)揮著不可或缺的作用。以下為具體論述：

（1）提高智能設(shè)備功能，如智能手機、智能家居等。

（2）降低能耗，延長設(shè)備使用時間。

（3）集成芯片可實現(xiàn)多種功能，如圖像識別、語音識別等。

（4）推動智能設(shè)備向小型化、低功耗、低成本方向發(fā)展。

7.7.闡述集成電路在新能源領(lǐng)域的作用。

在新能源領(lǐng)域，集成電路為能源轉(zhuǎn)化、存儲與調(diào)控提供支持。以下為具體論述：

（1）提高新能源設(shè)備的智能化水平，如太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)等。

（2）降低新能源設(shè)備功耗，提高能源利用效率。

（3）集成芯片可實現(xiàn)能源管理系統(tǒng)，優(yōu)化能源配置。

（4）推動新能源設(shè)備的研發(fā)與應用。

8.8.闡述集成電路在人工智能領(lǐng)域的作用。

在人工智能領(lǐng)域，集成電路作為基礎(chǔ)組件，對人工智能技術(shù)的發(fā)展起著關(guān)鍵作用。以下為具體論述：

（1）提高人工智能處理器功能，加快運算速度。

（2）降低能耗，提高人工智能系統(tǒng)的能效比。

（3）集成芯片可應用于深度學習、語音識別等領(lǐng)域，助力人工智能技術(shù)發(fā)展。

（4）推動人工智能與各行業(yè)深度融合，實現(xiàn)智能化升級。

答案及解題思路：

1.集成電路在通信領(lǐng)域的作用主要表現(xiàn)為集成化設(shè)計、降低功耗、滿足多種通信協(xié)議需求、提高通信系統(tǒng)功能等方面。

2.集成電路在計算機領(lǐng)域的作用主要表現(xiàn)在降低成本、提高功能、降低功耗、支持先進技術(shù)、提高穩(wěn)定性等方面。

3.集成電路在消費電子領(lǐng)域的作用主要體現(xiàn)在減小設(shè)備體積、提高功能、降低功耗、支持多種功能等方面。

4.集成電路在醫(yī)療領(lǐng)域的作用主要體現(xiàn)在提高智能化水平、降低功耗、延長設(shè)備使用壽命、支持微創(chuàng)手術(shù)等方面。

5.集成電路在國防領(lǐng)域的作用主要體現(xiàn)在提高信息化水平、降低功耗、提高系統(tǒng)可靠性、支持科研、提升國防實力等方面。

6.集成電路在智能領(lǐng)域的作用主要體現(xiàn)在提高設(shè)備功能、降低功耗、支持多種功能、推動設(shè)備小型化、低成本發(fā)展等方面。

7.集成電路在新能源領(lǐng)域的作用主要體現(xiàn)在提高設(shè)備智能化水平、降低功耗、提高能源利用效率、支持能源管理、推動新能源設(shè)備研發(fā)等方面。

8.集成電路在人工智能領(lǐng)域的作用主要體現(xiàn)在提高處理器功能、降低能耗、支持人工智能技術(shù)發(fā)展、推動行業(yè)智能化升級等方面。

解題思路：

本題要求闡述集成電路在不同領(lǐng)域的作用，需要結(jié)合各領(lǐng)域特點，分別論述。解答過程中，可以參考集成電路的基本功能特點，如集成度高、功耗低、功能優(yōu)等，以及在實際應用中的具體表現(xiàn)。通過對不同領(lǐng)域的分析，展示集成電路在各領(lǐng)域的重要作用。六、計算題1.1.計算晶體管的放大倍數(shù)。

給定一個NPN晶體管，其β（共射極電流增益）為100，輸入電阻為10kΩ，輸入端電壓為10mV，基極電流為10μA。

計算：晶體管的放大倍數(shù)（A）是多少？

2.2.計算晶體管的輸入電阻。

一個BJT晶體管的共射極輸出特性曲線表明，當輸出電流為1mA時，輸出電壓為1V。

計算該晶體管的輸入電阻（rπ）。

3.3.計算晶體管的輸出電阻。

已知一個晶體管的輸出特性曲線，當輸出電流為1mA時，輸出電壓為0.5V；當輸出電流為2mA時，輸出電壓為1V。

計算該晶體管的輸出電阻（r0）。

4.4.計算集成運算放大器的電壓增益。

一個運算放大器的電路中，反饋電阻Rf為10kΩ，輸入電阻Rin為100kΩ。

計算運算放大器的電壓增益（A）。

5.5.計算集成運算放大器的輸入電阻。

一個運算放大器的理想輸入電阻為無窮大，但實際測量得到輸入電阻為2MΩ。

計算該運算放大器的輸入電阻。

6.6.計算集成運算放大器的輸出電阻。

在一個運算放大器的輸出端，當輸出電壓為5V時，輸出電流為2mA。

計算該運算放大器的輸出電阻（Rout）。

7.7.計算數(shù)字集成電路的功耗。

一個數(shù)字集成電路在時鐘頻率為1GHz時，每個門的功耗為10mW。

如果該集成電路包含1000個門，計算其總功耗。

8.8.計算集成電路的傳輸延遲時間。

一個集成電路的輸入到輸出的傳輸路徑包含10個邏輯門，每個邏輯門的延遲時間為1ns。

計算整個集成電路的傳輸延遲時間。

答案及解題思路：

1.答案：A=βRin/(1βRout)

解題思路：使用晶體管放大倍數(shù)的公式，首先計算Rout（輸出電阻），假設(shè)為無窮大，然后代入公式計算放大倍數(shù)。

2.答案：rπ=(1β)Rin

解題思路：輸入電阻rπ是基極電阻與晶體管電流增益β的乘積。

3.答案：r0=ΔVout/ΔIout

解題思路：輸出電阻r0是輸出電壓變化ΔVout與輸出電流變化ΔIout的比值。

4.答案：A=Rf/Rin

解題思路：運算放大器的電壓增益由反饋電阻Rf與輸入電阻Rin決定，負號表示相位相反。

5.答案：輸入電阻=2MΩ

解題思路：直接讀取測量得到的輸入電阻值。

6.答案：Rout=Vout/Iout

解題思路：輸出電阻Rout是輸出電壓Vout與輸出電流Iout的比值。

7.答案：總功耗=10mW1000=10W

解題思路：將單個門的功耗乘以門的數(shù)量得到總功耗。

8.答案：傳輸延遲時間=10ns

解題思路：將每個邏輯門的延遲時間相加得到總延遲時間。七、設(shè)計題1.1.設(shè)計一個簡單的放大電路。

題目描述：設(shè)計一個基于運算放大器的放大電路，要求輸入信號頻率為1kHz，放大倍數(shù)為20倍，輸出電壓范圍在±10V之間。

參考知識點：運算放大器、負反饋、電壓增益計算、頻率響應。

2.2.設(shè)計一個簡單的比較器電路。

題目描述：設(shè)計一個簡單的比較器電路，能夠比較兩個輸入電壓值，當輸入A大于輸入B時，輸出高電平，否則輸出低電平。

參考知識點：比較器電路設(shè)計、閾值設(shè)置、輸出邏輯設(shè)計。

3.3.設(shè)計一個簡單的計數(shù)器電路。

題目描述：設(shè)計一個簡單的異步計數(shù)器電路，能夠計數(shù)到10，并能夠通過外部復位信號進行復位。

參考知識點：計數(shù)器設(shè)計、時鐘信號、觸發(fā)器應用。

4.4.設(shè)計一個簡單的微處理器電路。

題目描述：設(shè)計一個簡單的微處理器核心電路，包括控制單元和ALU（算術(shù)邏輯單元），能夠執(zhí)行基本的邏輯和算術(shù)運算。

參考知識點：微處理器架構(gòu)、控制單元設(shè)計、ALU設(shè)計。

5.5.