物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-2025年高考化學沖刺復習（新高考）原卷版

搶分秘籍3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

考情分析

①原子核外電子的排布

②元素的電離能、電負性及微粒半徑的大小比較

③“兩大理論”與微粒構(gòu)型

考向預測④分子性質(zhì)與微粒間作用

⑤成鍵方式、晶體類型的判斷

⑥有關(guān)晶體的計算

⑦解釋原因類簡答題

物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的相關(guān)知識不論在必修模塊還是選修模塊中均處于相當重要的地位，是分析物質(zhì)的結(jié)構(gòu)和

性質(zhì)重要的理論依據(jù)，隨著新課標新高考的實施，在選擇題中涉及物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的題目增多，創(chuàng)新

增大，綜合性增強。木專題的考查點主要圍繞原子、分子和晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)設置的，根據(jù)試題的外觀征

以及考查模塊的不同，可將物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)分為四個考查熱點：一是原子、分子和晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的正誤

判斷；二是“位一構(gòu)一性”的元素綜合推斷；三是晶胞結(jié)構(gòu)分析與計算；四是選擇性必修2模塊單設題目的考

查。

解題技法

技法1原子或離子中各微粒間的數(shù)量關(guān)系

（1）對于原子:質(zhì)子數(shù)=核電荷數(shù)=核外電子數(shù)=原子序數(shù)。

（2）質(zhì)量數(shù)=質(zhì)子數(shù)+中子數(shù)。

（3）質(zhì)子數(shù)=陽離子的核外電子數(shù)+陽離子所帶正電荷數(shù)。

（4）質(zhì)子數(shù)=陰離子的核外電子數(shù)-陰離子所帶負電荷數(shù)。

技法2元素、核素、同位素之間的關(guān)系

L具有相同核電荷數(shù)的同一類原子的總稱,

同種元素可包含多種不同的核素

f兀素具有一定數(shù)目的虹和一定數(shù)目的

@）-…到生壬的一種原子

\扁者/質(zhì)子數(shù)相同,中子數(shù)不同的同一種元

素的不同核素的薪

一去具有相同的質(zhì)子數(shù)/中子數(shù)L核素1互稱同位素

兀素一不同的中子數(shù)中子數(shù)2,核素2

，（在周期表中同

屬一個位置）

宏觀概念，一類原子微觀概念，不同原子微觀概念，相互關(guān)系

技法3核外電子排布

（1）核外電子排布規(guī)律

能量規(guī)律離核由近到遠，電子能量由低到高

每層最多容納的電子數(shù)為2/

數(shù)量規(guī)律最外層不超過8個（K層為最外層時不超過2個）

次外層不超過18個

(2)原子結(jié)構(gòu)示意圖

(3)基態(tài)原子的核外電子排布原理

1）能量最低原理：即電子盡可能地先占有能量低的軌道，然后進入能量高的軌道，使整個原子的能量處于最

低狀態(tài)。如圖為構(gòu)造原理示意圖，即基態(tài)原子核外電子在原子軌道上的排布順序圖:

OOO

OO

O

2）泡利不相容原理

每個原子軌道里最多只能容納』個電子，且自旋狀態(tài)相反。

2s2s

如2s軌道上的電子排布為門，不能表示為印。

3）洪特規(guī)則

當電子排布在同一能級的不同軌道時，基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨占據(jù)一個軌道，且自旋狀態(tài)相同。

如2P3的電子排布為

2p,T一2P、

不能表示為卜“一I或

2p

洪特規(guī)則特例：當能量相同的原子軌道在全滿（p6、『。、?4）、半滿（p3、d\P）和全空（P。、d。、f°）狀態(tài)時，體

系的能量最低，如：24Cr的電子排布式為Is22s22P63s23P63d54s1。

(4)表示基態(tài)原子核外電子排布的四種方法

表示方法舉例

電子排布式Cr:1s22s22P63s23P63d54sl

簡化表示式Cu:[Ar]3d104sl

價電子排布式Fe:3d64s2

Is2s2p

電子排布圖(或軌道表示式)

技法4微粒半徑的比較(以短周期為例)

1.相同電性微粒半徑大小的比較

①原子半徑：左下角的鈉最大

②陽離子半徑：左下角的鈉離子最大

③陰離子半徑：左下角的磷離子最大

2.不同電性微粒半徑大小的比較

①同周期：陰離子半徑〉陽離子半徑，如Na+<C「

②同元素：電子數(shù)越多，微粒半徑越大，如Fe2+>Fe3+

③同結(jié)構(gòu)：質(zhì)子數(shù)越多，離子半徑越小，如Na+<02-

技法5根據(jù)價層電子對互斥模型判斷分子或離子的空間結(jié)構(gòu)

L方法I

根據(jù)上述方法I計算出◎鍵電子對數(shù)和中心原子上的孤電子對數(shù)，在確定了。鍵電子對數(shù)和中心原子上的

孤電子對數(shù)后，可以依據(jù)下面的方法確定相應的較穩(wěn)定的分子或離子的空間結(jié)構(gòu)：

0鍵電子對數(shù)+孤電子對數(shù)=價層電子對數(shù)價層電子對相互排斥,VSEPR模型略去孤電子對〉分子的空間結(jié)構(gòu)

以CO2、NH4+、NF3為例：

①CO2：中心C原子的價電子為4,配位原子為氧原子，配位原子數(shù)為2,即有2對0鍵電子對數(shù)，中心C

原子上的孤電子對數(shù)=[4-2x(8-6)]/2=0,即中心C原子無孤電子對，VSEPR模型就是分子的實際構(gòu)型，價層

電子對數(shù)為2的VSEPR模型為直線形，則CO2的實際構(gòu)型為直線形。

②NH4+：中心N原子的價電子為5,配位原子為氫原子，配位原子數(shù)為4,NH4+帶1個正電荷，中心N原

子上的孤電子對數(shù)=[5-l-4x(2-l)]/2=0,即中心N原子無孤電子對，VSEPR模型就是分子的實際構(gòu)型，價層

電子對數(shù)為4的VSEPR模型為正面體形，則NH4+的實際構(gòu)型為正四面體形。

③NF3：中心N原子的價電子為5,配位原子為氟原子，配位原子數(shù)為3,不帶電荷，中心N原子上的孤電

子對數(shù)=[5-3x(8-7)]/2=l,即中心N原子有1孤電子對，VSEPR模型略去1孤電子對才是分子的實際構(gòu)型，

價層電子對數(shù)為4的VSEPR模型為正面體形，則NF3的實際構(gòu)型為三角錐形。

2.方法II

根據(jù)上述方法II計算出價層電子對總數(shù)和中心原子上的孤電子對數(shù),根據(jù)價層電子對總數(shù)得出VSEPR模型，

由VSEPR模型略去孤電子對就可以得出分子的實際構(gòu)型。

價層電子對數(shù)價層電子對相互排斥,VSEPR模型略去孤電子對）分子的空間結(jié)構(gòu)

以82、NH4\NF3為例：

①C02：中心C原子的價電子為4,配位原子為氧原子,不計算配位原子數(shù)，中心C原子的價層電子對數(shù)=4/2=2,

中心碳原子與兩個氧原子結(jié)合，故CO2中C原子孤電子對數(shù)=2-2=0,即中心C原子無孤電子對，VSEPR模

型就是分子的實際構(gòu)型，價層電子對數(shù)為2的VSEPR模型為直線形，則CO2的實際構(gòu)型為直線形。

②NH4+：中心N原子的價電子為5,配位原子為氫原子，配位原子數(shù)為4,NH4+帶1個正電荷，中心N原

子的價層電子對數(shù)=（5+4-1）/2=4,中心N原子與4個氫原子結(jié)合，故NH4+中N原子孤電子對數(shù)=4-4=0,即

中心N原子無孤電子對，VSEPR模型就是分子的實際構(gòu)型，價層電子對數(shù)為4的VSEPR模型為正面體形，

則NH4+的實際構(gòu)型為正四面體形。

③NF3：中心N原子的價電子為5,配位原子為氟原子，配位原子數(shù)為3,不帶電荷，中心N原子的價層電

子對數(shù)=（5+3）/2=4,中心N原子與3個氟原子結(jié)合，故NF3中N原子孤電子對數(shù)=4-3=1,即中心N原子有

1孤電子對，VSEPR模型略去1孤電子對才是分子的實際構(gòu)型，價層電子對數(shù)為4的VSEPR模型為正面體

形，則NF3的實際構(gòu)型為三角錐形。

【特別說明】①中心原子不含孤電子對的分子（或離子），VSEPR模型與分子（或離子）的空間結(jié)構(gòu)一致。

②中心原子若有孤電子對，孤電子對也要占據(jù)中心原子周圍的空間，并與成鍵電子對互相排斥，則VSEPR

模型與分子的空間結(jié)構(gòu)不一致。推測分子的立體模型必須略去VSEPR模型中的孤電子對。

技法6雜化軌道類型的判斷方法

L根據(jù)價層電子對互斥模型判斷中心原子的雜化類型、空間結(jié)構(gòu)

在確定了分子或離子的中心原子上的成鍵電子對數(shù)和孤電子對數(shù)后，可以依據(jù)下面的方法確定其中心原子

的雜化軌道類型：。鍵電子對數(shù)（成鍵電子對數(shù)）+孤電子對數(shù)=價電子對數(shù)=雜化軌道數(shù)［2—§

<3sp2

49sp3

根據(jù)雜化類型及孤電子對數(shù)即可判斷分子或離子的空間結(jié)構(gòu)，列表如下:

價層電子對雜化軌道類成鍵電子對孤電子對雜化軌道分子空間結(jié)實例

數(shù)型數(shù)數(shù)數(shù)構(gòu)

2

2sp20直線形BeCL、CO2>HCN

30平面三角形BF3、SO3、CO32

3sp23

21V形SnBr2、SO2、NO2一

3

40四面體形CHCl3>SiCl4>PO4-

4sp3314三角錐形NH3、PCb、SO32

22V形0F2、H2O、NH2-

2.根據(jù)雜化軌道間的夾角判斷

雜化軌道間的夾角雜化軌道類型

109028‘sp3

120°sp2

180°sp

3.根據(jù)分子或離子的空間結(jié)構(gòu)判斷

分子或離子的空間結(jié)構(gòu)雜化軌道類型

正四面體形sp3

平面三角形sp2

直線形sp

4.根據(jù)共價鍵類型判斷

由雜化軌道理論可知，原子之間成鍵時，未參與雜化的軌道用于形成兀鍵，雜化軌道用于形成。鍵或用來

容納未參與成鍵的孤電子對。對于能明確結(jié)構(gòu)式的分子、離子，其中心原子的雜化軌道數(shù)n=中心原子形成

的。鍵數(shù)+中心原子上的孤電子對數(shù)，即可將結(jié)構(gòu)式和電子式相結(jié)合，從而判斷中心原子形成的0鍵數(shù)和中

心原子上的孤電子對數(shù)，進而判斷雜化軌道數(shù)。例如：

①在SiF4分子中，基態(tài)硅原子有4個價電子，與4個氟原子形成4個◎鍵，沒有孤電子對，n=4,則SiF4

分子中硅原子采用sp3雜化。

②在HCHO分子中，基態(tài)碳原子有4個價電子，與2個氫原子形成2個◎鍵，與氧原子形成C=O,C=O中

有1個◎鍵、1個兀鍵，沒有孤電子對，n=3,則HCHO分子中碳原子采用sp?雜化。

5.以碳原子為中心原子的分子中碳原子的雜化類型

①沒有形成兀鍵，為sp3雜化：CH4、CC14、—C—

I

_\\/

②形成一個兀鍵，為sp2雜化：CH2=CH2、苯(大兀鍵)、C=o、C=C

//\

③形成兩個兀鍵，為sp雜化：CH三CH、O=C=O(CO2)>S=C=S(CS2)

技法7確定等電子體的方法

1.確定方法：同主族代換或同周期相鄰元素替換，交換過程中注意電荷變化。變換過程中注意電荷變化，并

伴有元素種類的改變

序號方法示例

豎換：把同族元素(同族原子價電子數(shù)相同)上下交換，

1CO2與CS2、03與SO2

即可得到相應的等電子體

橫換：換相鄰主族元素，這時候價電子發(fā)生變化，再通

2N2與CO

過得失電子使價電子總數(shù)相等

。3與NO5、CH4與NH]

3可以將分子變換為離子，也可以將離子變換為分子

CO與CN-

把。換成前一個原子（N）

如:國CN

少了1個電子，再得1個電子

把N換成前一個原子（C）

少了1個電子，再得1個電子口

口把C換成后一個原子（N）（多1個電子）小口

口：把（）換成前一個原子（N）（少1個電子）"匕1

2.常見的等電子體匯總

微粒通式價電子總數(shù)立體構(gòu)型

、，直線形

CO2CNSNO2,N3AX216e-

（萬、24e-平面三角形

COF,NS03AX3

SO2、03、NO5AX218e-V形

正四面體形

sor>porAX432e-

、三角錐形

porsor>CIOFAX326e-

co、N2AX10e-直線形

、8e-正四面體形

CH4NH4AX4

技法8晶體類型的判斷方法

L依據(jù)構(gòu)成晶體的微粒和微粒間作用力判斷

由陰、陽離子形成離子鍵構(gòu)成的晶體為離子晶體；由原子形成的共價鍵構(gòu)成的晶體為原子晶體；由分子依

靠分子間作用力形成的晶體為分子晶體；由金屬陽離子、自由電子以金屬鍵形成的晶體為金屬晶體

2.依據(jù)物質(zhì)的分類判斷

①活潑金屬氧化物和過氧化物（如K2O、NazCh等），強堿（如NaOH、KOH等），絕大多數(shù)的鹽是離子晶體

②部分非金屬單質(zhì)、所有非金屬氫化物、部分非金屬氧化物、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)有機物的晶體是分

子晶體

③常見的單質(zhì)類原子晶體有金剛石、晶體硅、晶體硼等，常見的化合物類原子晶體有SiC、SiO2,AIN,BP、

CaAs等

④金屬單質(zhì)、合金是金屬晶體

3.依據(jù)晶體的熔點判斷

不同類型晶體熔點大小的一般規(guī)律：原子晶體〉離子晶體〉分子晶體。金屬晶體的熔點差別很大，如鴇、鉗

等熔點很高，他等熔點很低

4.依據(jù)導電性判斷

①離子晶體溶于水及熔融狀態(tài)時均能導電

②原子晶體一般為非導體

③分子晶體為非導體，但分子晶體中的電解質(zhì)（主要是酸和強極性非金屬氫化物）溶于水時，分子內(nèi)的化學鍵

斷裂形成自由移動的離子，也能導電

④金屬晶體是電的良導體

5.依據(jù)硬度和機械性能判斷

一般情況下，硬度：原子晶體〉離子晶體〉分子晶體。金屬晶體多數(shù)硬度大，但也有較小的，且具有延展性

技法9晶胞中微粒數(shù)目的計算方法——均攤法

1.原則：晶胞中任意位置上的一個原子如果是被〃個晶胞所共有，那么，每個晶胞對這個原子分得的份額就

1

是〃

2.方法:

①長方體（正方體）晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計算

a.處于頂點上的粒子，同時為8個晶胞所共有，每個粒子有0屬于該晶胞

1

b.處于棱邊上的粒子，同時為4個晶胞所共有，每個粒子有w屬于該晶胞

1

c.處于晶面上的粒子，同時為2個晶胞所共有，每個粒子有，屬于該晶胞

d.處于晶胞內(nèi)部的粒子，則完全屬于該晶胞

②非長方體晶胞中粒子視具體情況而定

-71---------頂點上：上

:棱上-----/12

三棱柱:面上-----------棱上：

:底面------——內(nèi)部：1

上棱上一）頂點上:春

六棱柱手側(cè)面——11

-1---------k棱上：3

/、、

1六、內(nèi)部:

會底面一1

石墨晶胞每一層內(nèi)碳原子排成六邊形，其頂點（1個碳

平面型1

原子）被三個六邊形共有，每個六邊形占9

3.熟記幾種常見的晶胞結(jié)構(gòu)及晶胞含有的粒子數(shù)目

4個Na+,1個Cs+,4個S2一,4個Ca2+,

粒子數(shù)目8個C

4個C廠1個C「4個Zn2+8個1

晶體簡單立方體心立方面心立方氮化硼干冰

mJ3

晶體結(jié)構(gòu)七■1

2.0

粒子數(shù)目1個原子2個原子4個原子4個B,4個N4個CO2

技法10原子分數(shù)坐標參數(shù)的確定方法

1.原子分數(shù)坐標參數(shù)

(1)概念：以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置，稱為原子分數(shù)坐標

(2)原子分數(shù)坐標的確定方法

①依據(jù)已知原子的坐標確定坐標系取向

②一般以坐標軸所在正方體的棱長為1個單位

③從原子所在位置分別向x、y、z軸作垂線，所得坐標軸上的截距即為該原子的分數(shù)坐標

粒子坐標

6>------3

若1(0,0,0),3(1,1,0),5(0,0,1),則6的原子分數(shù)坐

111

標為(0,1,1),7為(1,1,1),9為@，，2)

（3）面心立方晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標和投影圖

粒子坐標

1111

若1(0,0,0),13(2,2,0),12(1,2,5),則15的原子分數(shù)

1111

,1々----------坐標為，為，，

11(21,2),11(221)

（4）金剛石晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標和投影圖

粒子坐標

若a原子為坐標原點，晶胞邊長的單位為1,則原子1、2、3、

111133313331

4的坐標分別為為,4>4）>（4,4,4）>（4>4>4）>（4，4，4）

技法11計算晶體密度的思維方法

技法12計算晶體中粒子間距離的思維方法

1、關(guān)于元素周期律、元素周期表的認識誤區(qū)

（1）誤認為主族元素的最高正價一定等于族序數(shù)。但是，F(xiàn)無正價。

（2）誤認為元素的非金屬性越強，其氧化物對應水化物的酸性就越強。但是，HC1O、H2sCh是弱酸，忽略

了關(guān)鍵詞“最高價”。

（3）誤認為同周期相鄰兩主族元素原子序數(shù)之差等于1。忽視了相差11（第4、5周期）和25（第6、7周期）。

（4）誤認為失電子難的原子得電子的能力一定強。碳原子、稀有氣體元素的原子失電子難，得電子也難。

（5）誤認為得失電子多的原子，得失電子的能力一定強。

（6）誤認為最高正價和最低負價絕對值相等的元素只有第WA族的某些元素。忽視了第IA族的H的最高

正價為+1價，最低負價為一1價。

2、分子結(jié)構(gòu)性質(zhì)認識的5個易錯易混點

（1）誤認為分子的穩(wěn)定性與分子間作用力和氫鍵有關(guān)，其實分子的穩(wěn)定性與共價鍵的強弱有關(guān)。

（2）誤認為組成相似的分子，中心原子的雜化類型相同，其實要看其◎鍵和孤電子對數(shù)是否分別相同。如

C02和SCh中心原子的雜化方式不同，CO2分子中C原子是sp雜化，SO2分子中S原子是sp2雜化。

（3）誤認為只要含有氫鍵物質(zhì)的熔、沸點就高，其實不一定，分子間的氫鍵會使物質(zhì)的熔、沸點升高，而

分子內(nèi)氫鍵一般會使物質(zhì)的熔、沸點降低。

（4）誤認為只含有極性鍵的分子都一定是極性分子，其實不一定。如C02、BF3等是非極性分子。

（5）誤認為雜化軌道構(gòu)型和分子構(gòu)型一致，其實不一定。如H2O中氧原子是sp3雜化，雜化軌道構(gòu)型為四

面體，但由于分子中存在孤對電子，根據(jù)價層電子對互斥理論可知，H20的分子構(gòu)型是V形。

3、晶胞計算易錯提醒

（1）在使用均攤法計算晶胞中微粒個數(shù)時，要注意晶胞的形狀，不同形狀的晶胞，應先分析任意位置上的

一個粒子被幾個晶胞所共有。如六棱柱晶胞中，頂點、側(cè)棱、底面上的棱、面心原子依次被6、3、4、2個

晶胞所共有。

（2）在計算晶胞中粒子個數(shù)的過程中，不是任何晶胞都可用均攤法。

（3）注意晶胞與團簇分子的區(qū)別，前者可用均攤法計算，后者不能用均攤法計算，而是直接數(shù)原子個數(shù)計

算分子式。

得分特訓

【熱點一】原子、分子和晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的正誤判斷

1.（2025?山東煙臺?一模）SCh固態(tài)時有無限長鏈形式（2-SCh）和三聚分子形式（y-SCh）,其結(jié)構(gòu)如圖所示，受

熱可分解生成以單分子形式存在的SO3（g）o下列說法正確的是

B.分子中0-S-0鍵角：SO3（g）＜Y-SO3

C.B-SO3晶體中存在的作用力只有共價鍵

D.lmol%SO3分子中含共價鍵的數(shù)目為9NA

2.（2025?四川遂寧?三模）從微觀視角探析物質(zhì)結(jié)構(gòu)及性質(zhì)是學習化學的有效方法。下列實例與解釋不符的

是

選項實例解釋

AH2O的沸點高于HFH-OO的鍵能大于F-HF的鍵能

B被和鋁都能與NaOH反應鍍和鋁電負性相近，極化能力相似

C磷脂分子頭部親水，尾部疏水；細胞膜是磷脂雙分子層細胞膜雙分子層頭向外，尾向內(nèi)排列

D識別K+的能力：18-冠-6>12-冠-4冠醒空腔直徑大小不同

3.（2025?河北邯鄲?三模）鉆的一種配合物Na31Co（NO2）6]在分析化學中常用來檢驗K+，原理為

弱酸性或中性

++

2K+Na+[Co（NO2\K2Na[Co（NO2）6]o下列化學用語表述正確的是

A.中子數(shù)為33的鉆原子：*C。

B.Na3〔Co（NO2）6]中鉆元素的化合價為+3價，配位數(shù)為3

C.NO；中N原子的雜化軌道類型為sp2,其空間結(jié)構(gòu)為V形

“z/

D.基態(tài)鉀原子最外層的電子云圖為------------*

/y

X

4.（2025?北京房山?一模）從微觀視角探析物質(zhì)結(jié)構(gòu)及性質(zhì)是學習化學的有效方法。下列對事實的解釋不亞

確的是

選項實例解釋

A原子光譜是不連續(xù)的線狀譜線原子的能級是量子化的

B鍵角：NH3>H2O孤電子對與成鍵電子對的斥力小于成鍵電子對之間的斥力

C沸點：CO>N2CO為極性分子，N2為非極性分子

D酸性：CF3COOH>CH3COOH電負性F>H,CF3coOH竣基中羥基的極性更大

5.（2025?河北?模擬預測）下列有關(guān)物質(zhì)的性質(zhì)或結(jié)構(gòu)的解釋錯誤的是

A.氨氣極易溶于水，因為氨分子與水分子間能形成氫鍵且二者均為極性分子

B.甲醛為平面結(jié)構(gòu)，因為分子中C原子采取的雜化類型為sp2

C.三氟乙酸的酸性大于乙酸，因為氟的電負性大于氫

D.圓形容器中結(jié)出的冰是圓形的，因為晶體具有自范性

【熱點二】“位一構(gòu)一性”的元素綜合推斷

6.（2025?陜西?二模）前四周期元素X、Y、Z、W、R原子序數(shù)依次增大，其中由X、Y、Z組成的化合物

常作合成藥品中的溶劑或原料，其結(jié)構(gòu)如圖所示。X與其它4種元素均不在同一周期；W的基態(tài)原子價電

子排布式為ns%p2n；R的基態(tài)原子M層填滿電子，N層填充了1個電子。下列說法正確的是

XX

II

X—Y—XX—Y—X

X—y—X

I

x—Y—x

I

X

A.元素的第一電離能：W>Z>Y

B.X、Z、W三種元素形成的化合物只含共價鍵

C.ZX3和X3W+空間結(jié)構(gòu)均為三角錐型

D.R元素在元素周期表中屬于s區(qū)

7.（2025?四川宜賓?二模）某營養(yǎng)補充劑的結(jié)構(gòu)如圖所示。W、X、Y、Z為原子序數(shù)依次增大的短周期元素,

X、Y、Z同周期，YZ?的電子總數(shù)為23,R是血紅蛋白中重要的金屬元素。下列說法正確的是

WWZ

—

—

—H

YTX

—

—

—

WW

A.電負性：W>X

B.第一電離能：Z>Y

C.簡單氫化物的熱穩(wěn)定性：Y>Z

D.基態(tài)原子的未成對電子數(shù)：R>X

8.（2025?四川遂寧?三模）短周期主族元素X、Y、Z、M、N的原子序數(shù)依次增大，其中基態(tài)Y原子s能級

電子數(shù)是p能級電子數(shù)的兩倍，Z和M位于同一主族且其基態(tài)原子中未成對電子數(shù)在同周期元素中最多，

由上述五種元素形成的某化合物可作離子導體，其結(jié)構(gòu)如圖所示，陽離子有類似苯環(huán)的結(jié)構(gòu)。下列說法錯

誤的是

X—Y/丫一X

III[MN6]

XYyrV

N7/Y-X

1-L

I

X

A.該離子導體中含有離子鍵、共價鍵、配位鍵

B.簡單陰離子半徑大小順序：Z>N>M

C.電負性大小順序：X<Y<Z

D.化合物ZN3的水解產(chǎn)物之一可用于漂白

9.（2025?湖北?二模）X、Y、Z、W為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素，其中Y、Z、W在第二周期且

相鄰：M的基態(tài)原子3d軌道上有2個未成對電子，且價層電子的空間運動狀態(tài)有6種。由該五種元素形成

的一種配合物的結(jié)構(gòu)如圖所示，其中Y、Z、W原子的最外層均達到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。下列說法正確的是

xyvwx

xw-x-WXX

A.該配合物中存在的化學鍵有共價鍵、配位鍵、氫鍵

B.Imol該配合物中含有4mol配體，且M的化合價為+2

C.X、Y、Z三種元素可以形成鹽

D.ZX3形成的晶體中配位數(shù)為12

10.（2025?河南信陽?二模）原子序數(shù)依次增大的短周期元素X、Y、Z、M,在一定條件下形成結(jié)構(gòu)如圖

所示的一種團簇分子。X是宇宙中含量最多的元素，Y元素基態(tài)原子的價層電子排布是nsnnp2\Z元素基

態(tài)原子最外層電子數(shù)與最內(nèi)層電子數(shù)相等，M元素基態(tài)原子最外層電子數(shù)等于其電子層數(shù)。下列說法確的

是

A.該團簇分子的分子式為XZMY3

B.基態(tài)原子第一電離能：Y>Z>M

C.工業(yè)上主要采用電解水溶液法制備Z的單質(zhì)

D.常溫下M的單質(zhì)能溶于濃硝酸

【熱點三】晶胞結(jié)構(gòu)分析與計算

11.（2025?陜西?二模）碑化線（GaAs）的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，將Mn摻雜到晶體中得到稀磁性半導體材料,

其晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙所示，下列說法正確的是

A.圖甲中，As原子位于Ga原子構(gòu)成的正四面體空隙中

B.圖甲中，距離As原子最近的As原子數(shù)為6

C.圖甲中，若晶胞參數(shù)為apm,則Ga原子與As原子的最短距離為日apm

D.稀磁性半導體材料中，Mn、As的原子個數(shù)比為1：2

12.(2025?四川?二模)一種鋁(Ta)的化合物的四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(b<2a)。己知NA為阿伏加德羅常數(shù)的

值。原子分數(shù)坐標x、y、ze[0,l),原子分數(shù)坐標為1時記為00M、N的原子分數(shù)坐標分別為(0,0,0),(0,0,1/2),

下列說法錯誤的是

A.P的原子分數(shù)坐標為(1/2,0,1/4)B.該化合物的化學式為KjTaOz耳

C.與Q距離相等且最近的K+有8個D.該晶體的密度是g/cn?

abNA

13.(2025?江西贛州?一模)汞及其化合物在我國應用的歷史悠久，可用作醫(yī)藥、顏料等。一種含汞化合物

的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該晶胞的密度為dg/cm)A的分數(shù)坐標為(0,0,0)。

下列說法正確的是

A.B的分數(shù)坐標為

B.晶胞中相鄰的兩個S2-之間的距離為走anm

2

C.阿伏加德羅常數(shù)號為932*

da

D.圖2是晶胞的俯視圖

14.(2025?黑龍江哈爾濱?二模)睇酸亞鐵晶胞的結(jié)構(gòu)如圖，其晶胞參數(shù)分別為m,a=p=7=900,

以晶胞參數(shù)建立分數(shù)坐標系，Sb原子填充在0原子形成的八面體空隙中。下列說法正確的是

..原子分數(shù)坐標

xnm

OFe

OSb

OO

原,子分數(shù)坐標（0,0,0）

每個晶胞含有12個。原子

B.距離體心Fe原子最近的Sb原子一定有10個

（C+X

晶胞中M點Sb原子的原子的數(shù)坐標為0,0,—

設NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，該晶體密度為.2g<nr3

15.（2025?湖南?二模）銅和氧形成的一種離子化合物的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，設陽離子和陰離子的半徑分別

為opm和。pm。下列相關(guān)說法不正確的是

。氧?銅

該離子化合物的化學式可以表示為C%O

晶體中每個陽離子周圍緊鄰且距離相等的陽離子個數(shù)為12個

【熱點四】物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題

16.（2025?海南?一模）含氮化合物豐富多彩，由于組成和結(jié)構(gòu)的不同，有的呈堿性、有的呈中性、有的呈

酸性。請回答下列問題：

（1）硝酸是一種強酸，能溶解很多物質(zhì)，HgS的極小，不溶于硝酸，但溶于王水（濃鹽酸、濃硝酸的混

合液）：3HgS+12HC1+2HNO3=3H2[HgCl4]+3S+2NOT44H2Oo

①基態(tài)硫原子核外電子的運動狀態(tài)有種。C1元素位于周期表的_______區(qū)。Hg為第六周期元素，與

Zn同族，則基態(tài)Hg原子的價層電子排布式為0

②請解釋HgS不溶于硝酸而溶于王水的原因：。

(2)乙胺呈堿性，其衍生物乙酰胺接近中性。在乙酰胺分子中，氮原子上的孤對電子與碳氧雙鍵能形成p-

萬共軟體系，影響氨基氮上的電子云密度。

①乙胺中N原子的雜化方式為o

②乙酰胺的堿性比乙胺弱，請分析其原因：。

(3)氨硼烷(NHs-BHj)儲氫密度高，是最具價值的優(yōu)質(zhì)固體儲氫材料之一?？捎萌缦聝煞N方法制備氨硼烷。

方法ii：BH3和NH3在DMA(CHKHCH3)作溶齊IJ的條件下可合成氨硼烷：DMA.BH3+NH3=NH3.

BH3+DMAO

實驗表明，方法i比方法ii的產(chǎn)率更高，相同條件下，NH3,DMA和THF分別與B原子的結(jié)合能力由大

到小的順序為o

17.(2025?浙江紹興?一模)結(jié)構(gòu)探究是化學研究的重要內(nèi)容，請回答：

(1)CeO2的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，Ce的配位數(shù)是。若晶胞棱長anm,則Ce與O的最小核間距為—

nm。

(2)某離子存在如圖所示按六邊形擴展的二維層狀結(jié)構(gòu)，該離子的最簡式為,其中N原子的

雜化方式為___________

(3)下列描述正確的是

A.MgO的熔點高于Na?O是因為MgO離子鍵百分比更高

B.基態(tài)Cr原子價層電子的空間運動狀態(tài)為6種

C.HF分子內(nèi)的化學鍵有方向性，HF分子間的作用力沒有方向性

D.含鈣化合物中鈣元素常顯+2價，原因是鈣的第二電離能小于其第一電離能

（4）己知Na2s2O3可被§氧化為Na2s4。6。試從物質(zhì)結(jié)構(gòu)的角度分析SQ〉的結(jié)構(gòu)應為（a）而不是（b）的原

因：?

■OOI2-TSS廣

IIIIIIII

0—S—S—S—S—00—S—0—0—s—0

IIIIIIII

_ooJLoo

（a）（b）

（5）已知：BCI3中心B原子有空軌道，可以與H2。分子形成配位鍵，從而使原有的鍵削弱、斷裂，發(fā)生

水解。下列鹵化物最難發(fā)生水解的是o

A.PC13B.A1C13C.CC14D.SiCl4

18.（2025?山東棗莊?一模）氮、磷元素可形成許多結(jié)構(gòu)和性質(zhì)特殊的化合物?；卮鹣铝袉栴}：

甲乙

（1）甲中銳的化合價為，中心離子配位數(shù)為；帆元素在周期表中的位置為.

（2）乙中氮原子的孤電子對位于—軌道上；碳氧鍵鍵長小于甲醇中碳氧鍵鍵長，可能的原因是=

（3）用?、。分別表示K+和某未知微粒，其構(gòu)成的四方晶胞如圖a所示，圖b、圖c分別顯示的是K+和該

未知微粒在晶胞XZ面、yz面上的位置：

工府LE