東南大學(xué)2012年半導(dǎo)體物理試卷

試題編號(hào)：試題名稱：半導(dǎo)體物理PAGE第1頁共4頁東南大學(xué)2012年半導(dǎo)體物理試卷姓名學(xué)號(hào)填空（每空1分，共34分）1．純凈半導(dǎo)體Si中摻=5\*ROMANV族元素的雜質(zhì)，當(dāng)雜質(zhì)電離時(shí)釋放。這種雜質(zhì)稱雜質(zhì)；相應(yīng)的半導(dǎo)體稱型半導(dǎo)體。2．當(dāng)半導(dǎo)體中載流子濃度的分布不均勻時(shí)，載流子將做運(yùn)動(dòng)；在半導(dǎo)體存在外加電壓情況下，載流子將做運(yùn)動(dòng)。3．nopo=ni2標(biāo)志著半導(dǎo)體處于狀態(tài)，當(dāng)半導(dǎo)體摻入的雜質(zhì)含量改變時(shí)，乘積nopo改變否？；當(dāng)溫度變化時(shí)，nopo改變否？。4．非平衡載流子通過而消失，叫做壽命τ，壽命τ與在中的位置密切相關(guān)，對(duì)于強(qiáng)p型和強(qiáng)n型材料，小注入時(shí)壽命τn為，壽命τp為。5．是反映載流子在電場作用下運(yùn)動(dòng)難易程度的物理量，是反映有濃度梯度時(shí)載流子運(yùn)動(dòng)難易程度的物理量，聯(lián)系兩者的關(guān)系式是，稱為關(guān)系式。6．半導(dǎo)體中的載流子主要受到兩種散射，它們分別是和。前者在下起主要作用，后者在下起主要作用。7．半導(dǎo)體中淺能級(jí)雜質(zhì)的主要作用是；深能級(jí)雜質(zhì)所起的主要作用。8．對(duì)n型半導(dǎo)體，如果以EF和EC的相對(duì)位置作為衡量簡并化與非簡并化的標(biāo)準(zhǔn)，那末，為非簡并條件；為弱簡并條件；為簡并條件。12．當(dāng)P-N結(jié)施加反向偏壓增大到某一數(shù)值時(shí)，反向電流密度突然開始迅速增大的現(xiàn)象稱為，其種類為：、和。13．指出下圖各表示的是什么類型半導(dǎo)體？將下列英文名詞翻譯成中文，并解釋之（每題6分，共24分）（1）indiectrecombination（2）diffusionlength（3）hotcarriers（4）spacechargeregion簡要回答（共26分）1．（7分）平衡p-n結(jié)的空間電荷區(qū)示意圖如下，畫出空間電荷區(qū)中載流子漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的方向（在下圖右側(cè)直線上添加尖頭即可）。并說明擴(kuò)散電流和漂移電流之間的關(guān)系。2．（10分）n型半導(dǎo)體的電阻率隨溫度的變化曲線如圖所示，試解釋為什么會(huì)出現(xiàn)這樣的變化規(guī)律。3.（9分）光照一塊n型硅樣品，t=0時(shí)光照開始，非平衡載流子的產(chǎn)生率為G，空穴的壽命為τ，則光照條件下少數(shù)載流子所遵守的運(yùn)動(dòng)方程為，寫出樣品在摻雜均勻條件下的方程表達(dá)式（2）寫出樣品摻雜均勻、光照恒定且被樣品均勻吸收條件下的方程表達(dá)式計(jì)算（16分）單晶硅中均勻地?fù)饺雰煞N雜質(zhì)摻硼1.51016cm-3,摻磷5.01015cm-3。試計(jì)算：（1）室溫下載流子濃度（4分）；（2）室溫下費(fèi)米能級(jí)位置（4分）；（3）室溫下電導(dǎo)率（4分）；：（4）600K下載流子濃度（4分