2025年廣東高考化學(xué)復(fù)習(xí)專練：原子、分子、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（解析版）

重難點(diǎn)08原子、分子、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

命題趨勢

考點(diǎn)三年考情分析2025考向預(yù)測

原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)2024?廣東卷T12、T14：2023?廣東卷T14；

預(yù)計(jì)2025年高考中原子、分子、晶體

結(jié)構(gòu)與性質(zhì)會(huì)滲透在有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)、元

分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)2024?廣東卷T4、T9；

素周期表與周期律、化工流程分析中進(jìn)

行考查

晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)2024?廣東卷T18；2023?廣東卷T18；

重難詮釋

◎

【思維導(dǎo)圖】

r原子定義及組成

r原子結(jié)構(gòu)--原子序數(shù)與電子捧布

J原子ftg?母子云儂

r分子定義及組成

物質(zhì)結(jié)構(gòu)-分子結(jié)構(gòu)-一分子結(jié)構(gòu)類型（共價(jià)、禺子、金屬）

J分子對(duì)稱性

r晶體與晶體

L晶體結(jié)構(gòu)__晶體結(jié)構(gòu)類型（離子晶體、分子晶體、金麗

體）

晶體躍陷

【高分技巧】

一、原子結(jié)構(gòu)

1.一個(gè)信息豐富的粒子（原子或離子）符號(hào)

元素化合價(jià)

質(zhì)量數(shù)一離子所帶電荷數(shù)

質(zhì)子數(shù)原子（或離子）個(gè)數(shù)

2.粒子間的“四個(gè)”數(shù)量關(guān)系

（1）質(zhì)子數(shù)=核電荷數(shù)=核外電子數(shù)=原子序數(shù)。

（2）質(zhì)量數(shù)=質(zhì)子數(shù)+中子數(shù)。

（3）質(zhì)子數(shù)=陽離子的核外電子數(shù)+陽離子所帶正電荷數(shù)。

（4）質(zhì)子數(shù)=陰離子的核外電子數(shù)-陰離子所帶負(fù)電荷數(shù)。

3.核外電子排布規(guī)律

（1）能量最低原理:基態(tài)原子核外電子優(yōu)先占據(jù)能量最低的原子軌道，如Ge:Is22s22P63s23P63小。4s24P2。

（2）泡利原理:每個(gè)原子軌道上最多只能容納2個(gè)自旋狀態(tài)相反的電子。

（3）洪特規(guī)則:當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí)，基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，且自

旋狀態(tài)相同。

4.核外電子排布的四種表達(dá)方式

表示方法舉例

電子排布式Fe:ls22s22p63s23P63d64s2

簡化電子排布式Fe:[Ar]3d64s2

價(jià)層電子排布式Fe:3d64s2

電子排布圖

0:^[tTItiltltl

Is2s2p

（或軌道表示式）

二、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

1.雜化軌道類型與分子空間結(jié)構(gòu)的關(guān)系

雜化軌雜化軌分子空

實(shí)例

道類型道數(shù)目間結(jié)構(gòu)

直線形

sp2CO2>BeCl2>HgCl2

平面三角形

BF3>BCI3>CH2O

sp23

形

VS02>SnBr2

四面體形

CH4>CCI4>CH3CI

sp34

三角錐形

NH3>PH3>NF3

V形H2S>H2O

［注意］雜化軌道數(shù)=與中心原子結(jié)合的原子數(shù)+中心原子的孤電子對(duì)數(shù)。

2.分子空間結(jié)構(gòu)與價(jià)層電子對(duì)互斥模型

中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=0鍵電子對(duì)數(shù)（與中心原子結(jié)合的原子數(shù)）+中心原子的孤電子對(duì)數(shù)=◎鍵電子對(duì)數(shù)

1,、

+1（a-xb）o

其中a為中心原子的價(jià)電子數(shù)，x、b分別為與中心原子結(jié)合的原子數(shù)及與中心原子結(jié)合的原子最多能接受

的電子數(shù)（H為1,其他原子為“8-該原子的價(jià)電子數(shù)”）。粒子為陽離子時(shí)，中心原子的價(jià)電子數(shù)要減去離子

所帶電荷數(shù);粒子為陰離子時(shí)，中心原子的價(jià)電子數(shù)要加上離子所帶電荷數(shù)。如S02中硫原子的孤電子對(duì)數(shù)

為勺2三2fH3。+中氧原子的孤電子對(duì)數(shù)為6T-3xl］；c。歹中碳原子的孤電子對(duì)數(shù)為4+2-3x2_0。

［特別提醒］

（1）在計(jì)算孤電子對(duì)數(shù)時(shí)，出現(xiàn)0.5或1.5,則把小數(shù)進(jìn)位為整數(shù)，即1或2。如NO2的中心原子N的孤

電子對(duì)數(shù)為-0.5切,則價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,故VSEPR模型為平面三角形，分子空間結(jié)構(gòu)為V形。

2

（2）利用價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷分子（或離子）空間結(jié)構(gòu)。

價(jià)層電孤電子分子（或離子）

示例

子對(duì)數(shù)對(duì)數(shù)空間結(jié)構(gòu)

20O__O~~082、BeCl

直線形2

BF3、SO3、

30

Acol~

平面三角形

31so

V形2

冬CH、NH}

40

正四面體形so/、cci4

NH3、PC13、

41

三角錐形

H3O+

飛

42H2S

V形

3.共價(jià)鍵

(1)◎鍵、兀鍵的判斷。

①由軌道重疊方式判斷:‘頭碰頭”重疊為0鍵，“肩并肩”重疊為7T鍵。

②由共用電子對(duì)數(shù)判斷:單鍵為。鍵;雙鍵或三鍵，其中一個(gè)為◎鍵，其余為兀鍵。

③由成鍵軌道類型判斷:s軌道形成的共價(jià)鍵全部是。鍵;雜化軌道形成的共價(jià)鍵全部為0鍵。

(2)配位鍵與配合物。

①配位鍵。

一方提供孤電子對(duì)，另一方提供空軌道形成的共價(jià)鍵。

②配位化合物的組成。

如硫酸四氨合銅，化學(xué)式為[CU(NH3)4]SO4,Cu2+為中心離子，NH3為配體，配位鍵的數(shù)目為4,配位數(shù)為

NHa

4,表示為[H3N—fu—NH3]2+Soj。

NH3

③配位化合物的形成條件。

配體?有孤電子對(duì)『???，?H2O?NH3?CO?

I??,?F"?Cr?CN"?

中心原子(或離子):有空軌道，如Fe3+、Cu2+、Zn2+、Ag+等。

4.分子性質(zhì)

(1)分子結(jié)構(gòu)與分子極性的關(guān)系。

非極性分子

t

單質(zhì)-—正、負(fù)電中心重合——結(jié)構(gòu)對(duì)稱

tt

雙原子分子多原子分子

II

化合物--正、負(fù)電中心不重合'—結(jié)構(gòu)不對(duì)稱

I

極性分子

(2)溶解性。

①“相似相溶”規(guī)律:非極性溶質(zhì)一般能溶于非極性溶劑，極性溶質(zhì)一般能溶于極性溶劑，若存在氫鍵，則溶

劑和溶質(zhì)之間的氫鍵作用力越大，溶解性越好。

②“相似相溶”還適用于分子結(jié)構(gòu)的相似性，如乙醇和水互溶，而戊醇在水中的溶解度明顯減小。

三、氫鍵對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響

1.氫鍵的類型

氫鍵可分為分子間氫鍵和分子內(nèi)氫鍵。

2.氫鍵對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響

(1)當(dāng)形成分子間氫鍵時(shí)，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)將升高:分子間有氫鍵的物質(zhì)熔化或汽化時(shí)，除了要克服純粹的

分子間作用力外，還必須破壞分子間的氫鍵，所以這些物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)比同系列氫化物的熔、沸點(diǎn)高，

如:HF、H20>NH3沸點(diǎn)反常。

（2）當(dāng)形成分子內(nèi)氫鍵時(shí)，往往會(huì)降低分子間作用力，從而使物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)降低，如:鄰羥基苯甲醛（熔

點(diǎn)、:-7°C,沸點(diǎn):193.7。。和對(duì)羥基苯甲醛（熔點(diǎn)沸點(diǎn):246.6。。.

（3）氫鍵也影響物質(zhì)的溶解度:在極性溶劑中，如果溶質(zhì)分子和溶劑分子之間可以形成氫鍵，則物質(zhì)的溶解

H

度增大，如NHs極易溶于水，因NH3與H2O之間能形成氫鍵（H—1…H—0）,且都是極性分子。

~II

HH

（4）對(duì)物質(zhì)密度的影響:氫鍵可使固體或液體的密度減小;使氣體物質(zhì)的密度增大。

（5）氫鍵的存在使分子間因氫鍵而發(fā)生“締合”，形成“締合分子”:相當(dāng)多的H2O分子、HF分子“締合”而形

成（也。％分子、（HF）。分子。

四、晶體結(jié)構(gòu)分析與簡單計(jì)算

1.晶胞參數(shù)的計(jì)算方法

確定晶胞中物質(zhì)的一

晶胞的質(zhì)量晶

微粒個(gè)數(shù)化學(xué)式微

粒

胞

間

體

距

積

離

晶體的密度一

2.晶體密度的計(jì)算方法

一個(gè)晶胞所含

的粒子數(shù)目H

一個(gè)晶胞的

摩爾質(zhì)量”--白.

質(zhì)量m=一

NA

阿伏加德羅晶體的密

由八M

常數(shù)NA度片石土

aNA

立方晶胞

?晶胞的體積—

的邊長a

3.金屬晶體空間利用率的計(jì)算方法

球體積

空間利用率=*100%,球體積為金屬原子的總體積。

晶胞體積

五、晶胞中原子坐標(biāo)參數(shù)確定與投影圖

1.體心晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)參數(shù)和投影圖

VW

190

2臺(tái)------今

y

40^-----?X

ill

(1)若原子1為(0,0,0),則原子9的坐標(biāo)為弓，-)o

(2)xy平面上的投影圖為[O]

2.面心立方晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)參數(shù)和投影圖

逝181

國盟我。上

1Y

——

(1)原子10?15分別位于六個(gè)面的面心，原子1的坐標(biāo)為(0,0,0),則確定坐標(biāo)參數(shù):

111111111去、嗎，

10(0,-),11(_,5,1)、12(1,---).13(-,--0),14(-)0,1|)o

、,—rn

(2)xy平面上的投影圖為—O--Oo

3.金剛石晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)參數(shù)和投影圖

1111R

（1）若a原子為坐標(biāo)原點(diǎn)，晶胞邊長的單位為1,則原子1、2、3、4的坐標(biāo)分別為（士±）、（士--

44444

令、67》（|，|，%

（2）xy平面上的投影圖為茂$-4一

巧一

六、晶體熔、沸點(diǎn)高低的比較

1.一般情況下，不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低規(guī)律:共價(jià)晶體〉離子晶體〉分子晶體，如金剛石>NaCDCM金

屬晶體熔、沸點(diǎn)有的很高，如鴇、鉗等;有的則很低，如汞等）。

2.形成共價(jià)晶體的原子半徑越小、鍵長越短，則鍵能越大，其熔、沸點(diǎn)就越高，如金剛石>碳化硅>晶體硅。

3.形成離子晶體的陰、陽離子的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)就越高，如

MgO>MgCl2>NaOCsCL

4.金屬晶體中金屬離子半徑越小，離子所帶電荷數(shù)越多，其形成的金屬鍵越強(qiáng)，金屬單質(zhì)的熔、沸點(diǎn)就越高,

如Al>Mg>Nao

5.分子晶體的熔、沸點(diǎn)比較規(guī)律。

（1）形成分子間氫鍵的分子，其熔、沸點(diǎn)較高，如H2O>H2Se>H2S。

（2）組成和結(jié)構(gòu)相似的分子，相對(duì)分子質(zhì)量越大，其熔、沸點(diǎn)就越高，如HI>HBr>HCl。

（3）組成和結(jié)構(gòu)不相似的分子（相對(duì)分子質(zhì)量接近），分子極性越大，其熔、沸點(diǎn)就越高，如C0>N2。

（4）同分異構(gòu)體分子中，支鏈越少，其熔、沸點(diǎn)就越高，如正戊烷>異戊烷>新戊烷。

（5）同分異構(gòu)體中的芳香煌及其衍生物，鄰位取代物〉間位取代物〉對(duì)位取代物的熔、沸點(diǎn)，如鄰二甲苯〉

間二甲苯,對(duì)二甲苯。

限時(shí)提升練

（建議用時(shí)：40分鐘）

考向01原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

1.（2025?廣東?聯(lián)考）下列化學(xué)用語或圖示表述正確的是

A.CN-的電子式海［:C5N：『

B.NaCl溶液中的水合離子:

C.金剛石中碳原子米取sp2雜化

D.應(yīng)中共價(jià)鍵的電子云圖：

【答案】A

【解析】A.CN-與N2互為等電子體，電子式為［:C三N:，A正確；

B.Na+的電子層數(shù)為2,Cr的電子層數(shù)為3,因此Na卡的粒子半徑比C「小，則氯化鈉溶液中的水合離子

C.金剛石中每個(gè)碳原子與周圍四個(gè)碳原子形成四個(gè)共價(jià)鍵，碳原子采取sd雜化，C錯(cuò)誤;

D.H原子的◎軌道為球形，應(yīng)中共價(jià)鍵的電子云圖為,D錯(cuò)誤;

故選Ao

2.（2025?廣東廣州?階段考）下列化學(xué)用語或圖示表達(dá)正確的是

A.乙烯分子中C原子雜化軌道示意圖：

9

B.HC1的電子云輪廓圖:

c.由Na和C1形成離子鍵的過程：Nax+.C1：—?NaiCl：

????

D.基態(tài)Fe?+原子的價(jià)層電子排布式：3d54sl

【答案】B

【解析】A.乙烯分子中C原子采用sp2雜化，雜化軌道的夾角為120。，圖示為乙快分子中C原子sp雜化

軌道示意圖，故A錯(cuò)誤；

B.HC1中H原子s軌道與C1原子p軌道“頭碰頭”形成共價(jià)鍵，共價(jià)鍵的電子云輪廓圖：故B

正確；

c.由Na和ci形成離子鍵的過程：NaC1：—?Na+［^ci：］_,故c錯(cuò)誤；

D.基態(tài)鐵原子失去最外層2個(gè)電子形成基態(tài)Fe?+,基態(tài)價(jià)層電子排布式為3d6,故D錯(cuò)誤;

故選B。

3.（2025?廣東肇慶?一模）下列化學(xué)用語或圖示表達(dá)不正確的是

+2+

A.叫。?的電子式：Na［：O：O：］-NaB.丙烯的結(jié)構(gòu)簡式：CH3CHCH2

3s3P

C.3Pz電子云輪廓圖：——寸D.基態(tài)C「的價(jià)層電子軌道表示式：dUHE

【答案】B

【解析】A.過氧化鈉為離子化合物，電子式正確，A正確；

B.丙烯的結(jié)構(gòu)簡式：CH3CH=CH2,B錯(cuò)誤；

C.3Pz電子云輪廓圖為紡錘形，圖示正確，C正確；

D.基態(tài)C「的價(jià)層電子排布式為3s23P6,價(jià)電子軌道表示式正確，D正確；

故選Bo

4.（2025?廣東汕尾?一模）下列有關(guān)化學(xué)用語使用正確的是

A.KOH的電子式：K［：O：H］B.COZ分子的立體構(gòu)型：直線形

C.乙烯的結(jié)構(gòu)簡式：c2H4D.基態(tài)Fe2+的價(jià)層電子排布圖：

3d4s

ununiJE

【答案】B

【解析】A.KOH的電子式：K+［：O：H］--A錯(cuò)誤;

B.CO2分子中的C原子為sp雜化，立體構(gòu)型為直線形，B正確；

C.乙烯的結(jié)構(gòu)簡式中碳碳雙鍵不能省略，應(yīng)為CH2=CH2,C錯(cuò)誤；

D.基態(tài)Fe2+在基態(tài)Fe原子的基礎(chǔ)上失去了4s軌道的兩個(gè)電子，價(jià)層電子排布圖為

3d

ttt

故答案選B。

5.（2025?廣東肇慶?月考）我國運(yùn)動(dòng)員在2024年巴黎奧運(yùn)會(huì)上取得了佳績。下圖所示可為運(yùn)動(dòng)員補(bǔ)充能量

的物質(zhì)分子結(jié)構(gòu)式。其中R、W、Z、X、Y為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素，Z和Y同族。下列有

關(guān)敘述正確的是

R

I

XRRR

II—I

X-Y-X-W-WZ

—

——

——z—w

II

XRR

Iz

RI

R

A.鍵角：ZR3<R2X

B.Y的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物是一種中強(qiáng)酸

C.第一電離能：W<Z<X

D.分子式為W2R4X的有機(jī)物一定能發(fā)生銀鏡反應(yīng)

【答案】B

【分析】Y可形成5個(gè)共價(jià)鍵，Z可形成3個(gè)共價(jià)鍵，Z和Y同族，Y原子序數(shù)比Z大，即Z為N元素，Y

為P元素，W可形成4個(gè)共價(jià)鍵，原子序數(shù)比N小，即W為C元素，R可形成1個(gè)共價(jià)鍵，原子序數(shù)比C

小，即R為H元素，X可形成2個(gè)共價(jià)鍵，原子序數(shù)在N和P之間，即X為0元素，綜上：R為H元素、

W為C元素、Z為N元素、X為0元素、Y為P元素。

【解析】A.氨分子中N—H鍵之間夾角為107。18，；水分子中O-H鍵角為104.5。；，故鍵角A

錯(cuò)誤；

B.P的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物是H3Po4，是一種中強(qiáng)酸，B正確；

C.同周期元素從左到右第一電離能有增大趨勢，IIA族、VA族原子第一電離能大于同周期相鄰元素，即

第一電離能C<O<N,C錯(cuò)誤；

D.C2HQ存在同分異構(gòu)體，其中含有醛基的CH3cHO可以發(fā)生銀鏡反應(yīng)，而環(huán)氧乙烷（尸\）中不含

醛基，不能發(fā)生銀鏡反應(yīng)，D錯(cuò)誤；

故選B。

6.（2025?廣東?聯(lián)考）“深中通道”、“嫦娥六號(hào)”等彰顯了我國科技發(fā)展的巨大成就。下列科學(xué)技術(shù)涉及的相

應(yīng)化學(xué)知識(shí)正確的是

A.“深中通道”使用鋼殼混凝土沉管隧道技術(shù)：基態(tài)鐵原子的價(jià)層電子排布式為[Ar]3d64s2

B.“深中通道”隧道使用的LED燈具：發(fā)光過程電子吸收能量躍遷到較高能級(jí)

C.“嫦娥六號(hào)”探測器使用聚酰亞胺薄膜材料：聚酰亞胺薄膜材料屬于人工高分子材料

D.“嫦娥六號(hào)”探測器使用太陽能電池板：該過程存在太陽能一化學(xué)能-電能

【答案】C

【解析】A.基態(tài)鐵原子的價(jià)層電子排布式應(yīng)為3d64s2,A項(xiàng)錯(cuò)誤；

B.發(fā)光過程是電子由較高能級(jí)躍遷到較低能級(jí)，釋放能量，B項(xiàng)錯(cuò)誤；

C.聚酰亞胺薄膜材料屬于人工高分子材料，C項(xiàng)正確；

D.探測器中的太陽能電池板將太陽能轉(zhuǎn)化為電能，沒有經(jīng)過化學(xué)能的轉(zhuǎn)化，D項(xiàng)錯(cuò)誤；

答案選C。

考向02分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

7.（2025?廣東?聯(lián)考）3.科學(xué)家研究發(fā)現(xiàn)石墨烯在室溫下具有前所未有的磁阻（一種物理參量）。已知：石墨

烯比金剛石更堅(jiān)硬，比銅更能導(dǎo)電。下列敘述錯(cuò)誤的是

A.石墨烯中碳原子都采用sp2雜化

B.石墨烯中碳碳鍵平均鍵能大于金剛石中的，石墨烯的熔點(diǎn)比金剛石的高

C.石墨烯可以看成由正六邊形構(gòu)成，碳原子、碳碳鍵數(shù)目之比為3：2

D.石墨烯是二維結(jié)構(gòu)，每個(gè)碳原子有1個(gè)電子能自由移動(dòng)，具有良好的導(dǎo)電性

【答案】C

【解析】A.石墨烯中每個(gè)碳原子與3個(gè)碳原子形成共價(jià)鍵，碳原子的最外層無孤電子對(duì)，則碳原子都采用

sp?雜化，A正確；

B.石墨烯中碳原子間通過p-p電子云的側(cè)面重疊形成離域大兀鍵，碳碳鍵長小于金剛石中碳碳鍵長，則碳

碳鍵平均鍵能大于金剛石中的，所以石墨烯的熔點(diǎn)比金剛石的高，B正確；

C.石墨烯可以看成由正六邊形構(gòu)成，每個(gè)碳原子與周圍的3個(gè)碳原子形成共價(jià)單鍵，平均每個(gè)碳原子形成

1.5個(gè)共價(jià)鍵，則碳原子、碳碳鍵數(shù)目之比為2:3,C錯(cuò)誤；

D.石墨烯是二維結(jié)構(gòu)，每個(gè)碳原子各提供1個(gè)電子形成離域大兀鍵，離域大兀鍵中的電子能自由移動(dòng)，因

此石墨烯具有良好的導(dǎo)電性，D正確；

故選C。

8.（2025?廣東?聯(lián)考）化合物X（結(jié)構(gòu)簡式如圖）是合成醫(yī)療造影液碘番酸的中間體。關(guān)于化合物X,下列說

法不正確的是

。戶

化合物X

A.分子中所有碳原子可能共面B.能與氨基酸中的氨基發(fā)生反應(yīng)

C.碳原子雜化方式有sp2和sp3D.該分子中共有四種官能團(tuán)

【答案】D

【解析】A.化合物X中苯環(huán)平面和碳碳雙鍵平面通過單鍵結(jié)合，可通過單鍵旋轉(zhuǎn)使兩個(gè)面重合，其他碳

原子也可通過單鍵旋轉(zhuǎn)處于該平面，A正確；

B.化合物X含有竣基，能與氨基酸中的氨基發(fā)生反應(yīng)形成酰胺基，B正確；

C.苯環(huán)、碳碳雙鍵和竣基的碳原子采取sp2雜化，剩余兩個(gè)碳原子采取sp3雜化，C正確；

D.化合物X含有碳碳雙鍵、硝基和竣基三種官能團(tuán)，苯環(huán)不是官能團(tuán)，D不正確；

故選D。

9.（2025?廣州?月考）從CPU針腳（含有銅、銀和鉆等金屬）中回收金的實(shí)驗(yàn)步驟如圖。下列說法錯(cuò)誤的是

A.除雜和溶金步驟需在通風(fēng)櫥中進(jìn)行，產(chǎn)生的氣體在空氣中呈紅棕色

B.溶金時(shí)，KBr的作用是增強(qiáng)了硝酸的氧化性

C.富集后，K［AuBr4］主要存在于濾渣中，K［AuBr4］中存在◎鍵

D.還原步驟中有SOj生成

【答案】B

【解析】A.除雜和溶金步驟中會(huì)生成污染性氣體二氧化氮、一氧化氮，需在通風(fēng)櫥中進(jìn)行，二氧化氮為紅

棕色氣體，A正確；

B.KBr提供了澳離子，和金生成四澳合金離子，利于金與硝酸的反應(yīng)的正向進(jìn)行，B錯(cuò)誤；

C.圖示可知，富集后，KIAuBq］主要存在于濾渣中，KIAUBQ］存在配位鍵，即存在0鍵，C正確；

D.還原步驟中Na2s2O5做還原劑得到金屬單質(zhì)金，硫元素化合價(jià)升高，反應(yīng)過程中有硫酸根生成，D正確;

故答案為：Bo

10.（2025?上海?練習(xí)）NH3和PH3都具有四面體結(jié)構(gòu)，NH3比PE的分解溫度高的原因是

A.NH3分子間有氫鍵B.NH3分子極性強(qiáng)

C.N-H鍵鍵能大于P-H鍵D.氨極易液化

【答案】C

【解析】A.NH3的分解溫度比PE高，說明NE的穩(wěn)定性比PE的高，分子間氫鍵不影響分子的穩(wěn)定性,

影響的是分子的熔沸點(diǎn)，A不符合；

B.NH3分子的極性強(qiáng)與NH3的穩(wěn)定性無關(guān)，B不符合；

C.由于N-H鍵鍵能大于P-H鍵鍵能，故NH3的穩(wěn)定性大于PH3,NH3比PH3的分解溫度高，C符合；

D.氨氣易液化與氨氣分子的穩(wěn)定性無關(guān)，D不符合；

答案選C。

11.（2025?湖北?聯(lián)考）某MOFs多孔材料孔徑大小和形狀恰好將NQ「固定”，利于工業(yè)廢氣中的NO?高效

轉(zhuǎn)化為HNC>3,其原理示意圖如下。

H2O、。2

灸I

MOFs材料N2O4

圖例

含NC>2的廢氣再生

HNO3

下列說法正確的是

A.該過程屬于氮的固定B.“固定”過程體現(xiàn)超分子的識(shí)別功能

C.溫度升高有利于N2O4的固定D.轉(zhuǎn)化為HNO3的原子利用率為83%

【答案】B

【解析】A.氮的固定是將游離態(tài)的氮轉(zhuǎn)化為化合態(tài)的氮，該過程不屬于氮的固定，A錯(cuò)誤;

B.根據(jù)原理示意圖知，“固定”過程體現(xiàn)超分子的識(shí)別功能，B正確；

C.2N02uN204AH<0,溫度升高，平衡逆向移動(dòng)，不利于N2O4被MOFs固定，C錯(cuò)誤;

D.轉(zhuǎn)化為HNO3的反應(yīng)是2204+。2+2旦0=4呱03,其原子利用率為100%,D錯(cuò)誤;

故選B。

12.（2025?河北?聯(lián)考）下列有關(guān)物質(zhì)結(jié)構(gòu)、性質(zhì)的說法正確的是

A.圖1中，18-冠-6中。原子（灰球）通過離子鍵與K+作用

B.圖2物質(zhì)相較NaBF,摩爾質(zhì)量更大，故具有更高的熔、沸點(diǎn)

C.圖2中，陽離子與陰離子含有的。鍵個(gè)數(shù)比為4：1

D.圖3中，表示硅氧四面體,則該硅酸鹽結(jié)構(gòu)的通式為（SieO"）："

【答案】D

【解析】A.冠酸中氧原子與K+之間并非離子鍵，而是通過配位鍵結(jié)合，故A錯(cuò)誤；

B.圖2中陽離子基團(tuán)較大，離子鍵較弱，所以晶格能較小，熔沸點(diǎn)較低，則圖2物質(zhì)相較NaBF4更低的熔

沸點(diǎn)，故B錯(cuò)誤；

C.單鍵都是b鍵，雙鍵中一個(gè)。鍵，則圖2中1個(gè)陽離子含有19個(gè)b鍵，陰離子含有4個(gè)b鍵，個(gè)數(shù)比

不是4：1,故C錯(cuò)誤；

D.該結(jié)構(gòu)的最小重復(fù)單元如圖,最小重復(fù)單元中Si原子個(gè)數(shù)為4+4x。=6,O原子

個(gè)數(shù)為14+6X：=17,Si元素化合價(jià)為+4價(jià)、O元素化合價(jià)為-2價(jià)，則（Sie。*）整體化合價(jià)為-10,所以該硅

酸鹽結(jié)構(gòu)的通式為（SifO,故D正確；

故選D。

13.（2025?四川成都?期中）一種制備鉆配合物[Co（NH3）6]Ch的反應(yīng)原理為：

活性炭「/、1

2COC12+2NH4C1+10NH3+H2O22[Co（NH3）6]Cl3+2H2O,設(shè)刈為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)

誤的是

A.消耗標(biāo)準(zhǔn)狀況下1L2LNH3時(shí)，反應(yīng)中轉(zhuǎn)移電子數(shù)為0.1跖

B.氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為1:2

C.N、0原子反應(yīng)前后雜化方式相同

D.lmol[Co（NH3）6]ci3含有c鍵的數(shù)目為18M

【答案】D

活性炭

【分析】在反應(yīng)2coe12+2NH4C1+10NH3+H2C）2^=2[CO（NH3）6]C13+2H2。中，CoCb中的Co元素由+2

價(jià)升高到+3價(jià)，中的0元素由-1價(jià)降低到-2價(jià)，貝UCoCk是還原齊上氏。2是氧化劑。

【解析】A.由反應(yīng)方程式可建立如下關(guān)系式：ION%—2e,消耗標(biāo)準(zhǔn)狀況下11.2LNH3（物質(zhì)的量為

—————=0.5mol）時(shí)，反應(yīng)中轉(zhuǎn)移電子數(shù)為^^^*2*k1110尸=0.1乂|,A正確；

22.4L/mol10

B.由分析可知，氏。2是氧化劑，CoCb是還原劑，則氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為1:2,B正確；

C.反應(yīng)前后，每個(gè)N原子都形成4個(gè)。鍵，每個(gè)O原子都形成2個(gè)?鍵，另有2個(gè)孤電子對(duì)，則N、O

原子反應(yīng)前后都發(fā)生Sp3雜化，雜化方式相同，C正確；

D.1個(gè)[CO（NH3）6『中，每個(gè)NH3分子形成3個(gè)共價(jià)鍵和1個(gè)配位鍵，即每個(gè)NH3分子共形成4個(gè)。鍵，

則lmol[Co（NH3）6]CL含有◎鍵的數(shù)目為4moix6x&4moH=24M，D錯(cuò)誤；

故選D。

14.（2025?河北?期中）下圖所示化合物是制備某些藥物的中間體，其中W、X、Y、Z、Q均為短周期元素，

且原子序數(shù)依次增大，分子中的所有原子均滿足稀有氣體的穩(wěn)定電子構(gòu)型，z原子的電子數(shù)是Q的一半。

下列說法正確的是

A.簡單氫化物的鍵角：Z>Q

B.第一電離能：Z>Y>X

C.基態(tài)原子的未成對(duì)電子數(shù)：X>Q

D.YZg和QZ；-空間結(jié)構(gòu)均為平面三角形

【答案】A

【分析】由均為短周期元素，且原子序數(shù)依次增大，分子中的所有原子均滿足稀有氣體的穩(wěn)定電子構(gòu)型，Z

原子的電子數(shù)是Q的一半，圖中W含有1個(gè)化學(xué)鍵，原子序數(shù)最小，故W為H,X含有4個(gè)共價(jià)鍵，故X

為C,Z和Q都含2個(gè)共價(jià)鍵，且Z原子的電子數(shù)是Q的一半，故Z為O,Q為S,Y含3個(gè)共價(jià)鍵，而

且原子序數(shù)介于C和0之間，故Y為N,據(jù)此回答。

【解析】A.Z的簡單氫化物為H2O,Q簡單氫化物為H2S,電負(fù)性0>S,0原子周圍成鍵電子多于S,成

鍵電子對(duì)斥力大，鍵角大，鍵角H2OH2S,A正確；

B.同一周期從左到右第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢，N元素2P軌道半充滿穩(wěn)定，故第一電離能N>0>C,即

Y>Z>X,B錯(cuò)誤；

C.基態(tài)原子中C的未成對(duì)電子數(shù)為2個(gè)，S的未成對(duì)電子數(shù)也為2個(gè)，故基態(tài)原子的未成對(duì)電子數(shù)：

X=Q,C錯(cuò)誤；

D.YZ：為NO],QZ；為SO；,NO；中心原子為N,價(jià)層電子對(duì)為3+出=3,空間結(jié)構(gòu)為平面三角

形，S0；中心原子為S,價(jià)層電子對(duì)為3+6+2；3X2=4,空間構(gòu)型為三角錐形，D錯(cuò)誤；

答案選A。

考向03晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

15.（2025?東三省?聯(lián)考）CaC?晶胞如圖所示。己知："為阿伏加德羅常數(shù)的值，晶胞體積為Ven?。下列

敘述正確的是

A.CaC?晶體中只含1種化學(xué)鍵B.在晶胞中，與Ca?+相鄰的C)個(gè)數(shù)為4

C.CaG中碳原子采用sp雜化D.CaC?晶體密度P=正二▽8?加一3

【答案】C

【解析】A.由圖可知，碳化鈣中存在碳碳三鍵(非極性鍵)和離子鍵，故A錯(cuò)誤；

B.晶胞中1個(gè)Ca?+周圍有6個(gè)C：,大灰球四周有4個(gè)上下各有一個(gè)C),故B錯(cuò)誤；

C.由圖可知，碳化鈣中碳和碳為直線型，所以采用sp雜化，故C正確；

D.晶胞中含Ca?+位于頂點(diǎn)和體內(nèi)8X：+1=2,C)位于棱上和面上4X2+2X2=2,所以1個(gè)晶胞中含有2

842

2x(40+24)128

=cm33

個(gè)CaC?’PNxVg,=5^g，cm‘故D錯(cuò)誤；

答案選C。

16.(2025?湖北?聯(lián)考)鋪(Ce,鐲系元素)的氧化物是一種常用的催化劑，能作為汽車尾氣的凈化器。下圖展

示的是兩種鈾的氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)(晶胞參數(shù)為xnm)。圖(b)晶胞中O原子出現(xiàn)缺陷，其中Ce的化合價(jià)有+

3和+4。下列說法正確的是

A.Ce位于元素周期表中的ds區(qū)

B.圖(a)晶胞中Ce的配位數(shù)為4

C.圖(a)物質(zhì)的摩爾體積為一人XX、10,m3/mol

4

D.圖(b)晶胞中化合價(jià)為+3的Ce的個(gè)數(shù)為2

【答案】D

【解析】A.Ce是錮系元素，屬于f區(qū)，A錯(cuò)誤；

B.根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知Ce的配位數(shù)為8,B錯(cuò)誤；

C.根據(jù)均攤法，圖a中O原子的個(gè)數(shù)為8,Ce原子個(gè)數(shù)為8x)+6x(=4,貝1mol晶胞中含有4moiceO2,

Mlnm=10-9m,則物質(zhì)的摩爾體積為((axlO-Txx，xlO3C錯(cuò)誤；

-----------------------------------------------in/moi

Imol4

D.圖b中O原子的個(gè)數(shù)為7,Ce原子個(gè)數(shù)為8x：+6xg=4,設(shè)化合價(jià)為+4的Ce有m個(gè)，+3的Ce有n

82

個(gè)，則根據(jù)原子守恒和化合價(jià)代數(shù)和為0可得：m+n=4,4m+3n=14,解得n=2,D正確;

答案選D。

17.(2025?河北?聯(lián)考)N元素基態(tài)原子的價(jià)層電子排布式為3d64s2。N元素的一種氧化物Z的晶體是由圖

1所示的結(jié)構(gòu)平移構(gòu)成。圖1包含I型和H型兩種小立方體；圖2是Z的晶胞，a?g分別對(duì)應(yīng)圖1中的小立

方體I或11(其中阿伏加德羅常數(shù)的值用以表示，Z的摩爾質(zhì)量為Mg/mol)。下列說法錯(cuò)誤的是

圖1圖2

A.N元素形成的氧化物Z的化學(xué)式為Fes。,

B.圖2中II型小立方體可能是b、d、e、g

C.II型中兩個(gè)N2+最近距離為該小立方體邊長的立

2

若I型和n型小立方體的邊長均為anm,則z的密度為"*g/cm3

D.

aM

【答案】C

【分析】N元素基態(tài)原子的價(jià)層電子排布式為3d64s2,則N是Fe元素，I型立體結(jié)構(gòu)中Fe2+位于頂點(diǎn)和體

心，離子數(shù)是4x：+l,CP一位于晶胞內(nèi)，離子數(shù)是4,II型立方體中Fe2+位于頂點(diǎn)，離子數(shù)是4x：,CP一位于

OO

晶胞內(nèi)，離子數(shù)是4,Fe3+位于晶胞內(nèi)，離子數(shù)是4,該立方晶胞由4個(gè)I型和4個(gè)n型小立方體構(gòu)成，所以1

個(gè)晶胞含有Fe2+數(shù)是8、CP-數(shù)是32、Fe3+數(shù)是16。

【解析】A.由分析可知，晶體中三種離子個(gè)數(shù)比N(Fe2+)：N(Fe3+)：N(C>2-)=8：16：32=1：2：4,故化學(xué)式為

Fe3O4,A正確;

B.由圖可知，晶胞中I型立體結(jié)構(gòu)、n型立方體交叉排列，所以n型小立方體可能是b、d、e、g,B正確;

C.n型小立方體中Fe2+位于頂點(diǎn)，最近距離兩個(gè)Fe2+為小立方體的面對(duì)角線，為邊長的行倍，C錯(cuò)誤；

一Mx88M/、3°ci?

D.由分析可知，圖2所水晶胞質(zhì)量為二一g=『g,晶胞體積為(2anm)=8a3xlOcm3,所以密度為

NANA

mMxlO21,3m弘…、,MxlO21,3

P=—=一jr:—g/cm,則Z的密度為一-g/cm,D正確。

VaNAaNA

故選C。

18.(2025?河北?聯(lián)考)KH2P。4晶體具有優(yōu)異的非線性光學(xué)性能。分別用。、?表示H/O；和K+,KH2PO4

晶體的四方晶胞如圖(a所示，圖(b)、圖(c)分別顯示的是H2PO,、K+在晶胞xz面、yz面上的位置。已知晶

胞底邊的邊長均為apm、高為cpm。NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是

A.