【MOOC】材料科學基礎（上）-西北工業(yè)大學 中國大學慕課MOOC答案

【MOOC】材料科學基礎（上）-西北工業(yè)大學中國大學慕課MOOC答案第一章原子結構及鍵合作業(yè)第一章原子結構及鍵合測驗1、【單選題】離子鍵通過（）成鍵本題答案：【價電子轉移?】2、【單選題】共價鍵通過（）成鍵本題答案：【共用電子對】3、【單選題】金屬鍵通過（）成鍵本題答案：【自由電子與陽離子】4、【多選題】共價鍵為主的晶體：本題答案：【熔點高#塑性差】5、【多選題】金屬鍵為主的晶體：本題答案：【硬度有高有低#固態(tài)導電#液態(tài)導電】6、【多選題】分子鍵為主的晶體：本題答案：【硬度低#熔點低】7、【多選題】離子鍵為主的晶體：本題答案：【熔點高#塑性差】8、【判斷題】分子鍵有方向性本題答案：【錯誤】9、【判斷題】氫鍵有方向性本題答案：【正確】10、【判斷題】一般地離子鍵比共價鍵的鍵合強度大。本題答案：【正確】11、【判斷題】共價鍵有方向性本題答案：【正確】12、【判斷題】金屬鍵鍵合強度相差很大。本題答案：【正確】13、【判斷題】金屬鍵有方向性本題答案：【錯誤】第二章晶體的結構（一）：作業(yè)第二章晶體的結構（一）：測驗1、【多選題】立方晶系包括：本題答案：【簡單立方#面心立方#體心立方】2、【多選題】正交晶系包括：本題答案：【簡單正交#底心正交#面心正交#體心正交】3、【判斷題】晶體結構有無數(shù)多種。本題答案：【正確】4、【判斷題】晶體結構和空間點陣中的點都表示原子。本題答案：【錯誤】5、【判斷題】相似的晶體結構可屬于不同點陣。本題答案：【正確】6、【判斷題】差別很大的晶體結構可以屬于同一點陣。本題答案：【正確】7、【判斷題】空間點陣可以劃分為七大晶系，包括14種點陣類型。本題答案：【正確】8、【判斷題】按照不同法則，點陣中可以選取多種不同的基本單元體。本題答案：【正確】9、【判斷題】晶胞就是點陣中最小的單元體。本題答案：【錯誤】第二章晶體的結構（二）：作業(yè)第二章晶體的結構（二）：測驗1、【單選題】在簡單立方晶胞中畫出晶面本題答案：【】2、【單選題】點陣常數(shù)為a的體心立方晶體中，（110）晶面間距為本題答案：【】3、【單選題】在簡單立方晶胞中畫出晶面本題答案：【】4、【單選題】點陣常數(shù)為a的面心立方晶體中，（100）晶面間距為本題答案：【】5、【單選題】點陣常數(shù)為a的簡單立方晶體中，（100）晶面間距為本題答案：【a】6、【單選題】點陣常數(shù)為a的面心立方晶體中，（111）晶面間距為本題答案：【】7、【單選題】立方晶系中，具有完全相同指數(shù)的晶向與晶面本題答案：【相互垂直】8、【單選題】非立方晶系中，具有完全相同指數(shù)的晶向與晶面本題答案：【有可能相互垂直】9、【單選題】點陣常數(shù)為a的面心立方晶體中，（110）晶面間距為本題答案：【】10、【多選題】晶向指數(shù)表示本題答案：【晶體中任意兩點的連線#晶體中平行、同向的晶體學方向】11、【多選題】晶面指數(shù)表示本題答案：【晶體中一個晶面#晶體中所有平行的晶面】第二章晶體的結構（三）：作業(yè)第二章晶體的結構（三）：測驗1、【單選題】面心立方、體心立方和密排六方的配位數(shù)分別為本題答案：【74％、68％、74％】2、【單選題】體心立方八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA分別為本題答案：【0.15、0.29】3、【單選題】面心立方、體心立方、密排六方的八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA本題答案：【面心立方與密排六方相同】4、【單選題】體心立方密排面、密排方向分別為本題答案：【{110},111】5、【單選題】面心立方、體心立方和密排六方的晶胞原子數(shù)分別為本題答案：【4、2、6】6、【單選題】面心立方八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA分別為本題答案：【0.414、0.225】7、【單選題】面心立方密排面、密排方向分別為本題答案：【{111},110】8、【單選題】面心立方密排面的堆垛方向和次序為本題答案：【111,ABC】9、【單選題】體心立方密排面的堆垛方向和次序為本題答案：【110,AB】第三章晶體缺陷（一）：作業(yè)第三章晶體缺陷（一）：測驗1、【多選題】點缺陷種類包括本題答案：【空位#間隙原子#溶質原子#雜質原子】2、【多選題】點缺陷使晶體的本題答案：【電阻升高#電子狀態(tài)改變#發(fā)生點陣畸變#強度升高】3、【多選題】點缺陷是本題答案：【零維缺陷#三個方向上尺寸都很小】4、【多選題】點缺陷種類包括本題答案：【弗蘭克缺陷#肖脫基缺陷#反位原子】5、【判斷題】完整晶體中是不含空位的。本題答案：【錯誤】6、【判斷題】常溫下，空位可以被完全消除。本題答案：【錯誤】7、【判斷題】點缺陷尺度太小，所有主要影響晶體的物理性質，對力學性質基本沒有影響。本題答案：【錯誤】8、【判斷題】點缺陷是熱力學平衡缺陷。本題答案：【正確】第三章晶體缺陷（二）：作業(yè)第三章晶體缺陷（二）：測驗1、【單選題】螺位錯的柏氏矢量本題答案：【與位錯線不平行，也不垂直】2、【單選題】刃位錯的柏氏矢量本題答案：【與位錯線垂直】3、【單選題】螺位錯的柏氏矢量本題答案：【與位錯線平行】4、【多選題】位錯是本題答案：【一維缺陷#線性缺陷#二個方向上尺寸很小】5、【多選題】位錯的基本類型包括本題答案：【螺位錯#刃位錯#混合位錯】6、【多選題】柏氏矢量本題答案：【反映畸變的大小#反映畸變的方向#與標定用的柏氏回路大小、形狀無關#與位錯線方向有關】7、【判斷題】隨著位錯線的彎曲，柏氏矢量是可變的。本題答案：【錯誤】8、【判斷題】一個柏氏回路只要包含的位錯沒有變，則無論柏氏回路的大小、形狀、位置如何變化，所得的柏氏矢量不變。本題答案：【正確】9、【判斷題】位錯的密度可以分為體密度和面密度。本題答案：【正確】10、【判斷題】混合位錯就是既有螺型位錯分量，又有刃型位錯分量的位錯。本題答案：【正確】11、【判斷題】一根位錯先不能終止與晶體內部。本題答案：【正確】第三章晶體缺陷（三）：作業(yè)第三章晶體缺陷（三）：測驗1、【多選題】刃位錯滑移本題答案：【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力垂直于位錯線或具有垂直的分量】2、【多選題】螺位錯滑移本題答案：【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面不唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力平行于位錯線或具有平行的分量】3、【多選題】混合位錯滑移本題答案：【滑移量＝柏氏矢量的模#位錯線沿法線方向運動#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量】4、【多選題】刃位錯的滑移是本題答案：【依次逐排的運動#正、負刃位錯運動方向相反】5、【多選題】螺位錯的滑移是本題答案：【依次逐排的運動#左螺、右螺位錯運動方向相反】6、【判斷題】半原子面縮短是正攀移本題答案：【正確】7、【判斷題】只有刃位錯才能發(fā)生交滑移本題答案：【錯誤】8、【判斷題】只有螺位錯才能發(fā)生攀移本題答案：【錯誤】9、【判斷題】攀移對塑性變形沒有直接作用，但可以使滑移繼續(xù)本題答案：【正確】10、【判斷題】刃位錯的攀移和交滑移都是守恒運動本題答案：【錯誤】11、【判斷題】攀移對塑性變形沒有意義本題答案：【錯誤】12、【判斷題】交滑移可以躲避障礙物，有利于塑性變形本題答案：【正確】13、【判斷題】只有刃位錯才能攀移本題答案：【正確】14、【判斷題】螺位錯的交滑移和滑移都是守恒運動本題答案：【正確】15、【判斷題】攀移和交滑移都是躲避障礙物的運動方式本題答案：【正確】第三章晶體缺陷（四）：作業(yè)第三章晶體缺陷（四）：測驗1、【多選題】螺位錯的應力場本題答案：【是純剪切應力場#沿z方向建立模型時，僅有z方向的切應力，正應力為零#遠離位錯線時，應力場逐漸減弱#與θ角無關】2、【多選題】研究位錯應力場的基本假設包括本題答案：【完全彈性體，服從胡可定律#各向同性#連續(xù)介質，可以用連續(xù)函數(shù)表達】3、【多選題】混合位錯的應力場本題答案：【可分解為刃型位錯分量和螺型位錯分量#既有正應力，也有切應力#遠離位錯線時，應力場逐漸減弱】4、【多選題】刃位錯的應力場本題答案：【既有正應力，也有切應力#沿z方向建立模型時，與z方向有關的切應力為零#遠離位錯線時，應力場逐漸減弱#含半原子面部分為壓應力區(qū)，不含半原子面部分為拉應力區(qū)】5、【判斷題】位錯線附近區(qū)域畸變嚴重，因而不符合連續(xù)介質模型的相關假設本題答案：【正確】6、【判斷題】位錯的應變能越高，位錯穩(wěn)定性越好本題答案：【錯誤】7、【判斷題】柏氏矢量的模越小，位錯的應變能越高本題答案：【錯誤】8、【判斷題】具有同樣柏氏矢量的刃位錯與螺位錯，刃位錯的應變能較高本題答案：【正確】9、【判斷題】位錯引起點陣畸變，因而必然具有應變能本題答案：【正確】第三章晶體缺陷（五）：作業(yè)第三章晶體缺陷（五）：測驗1、【多選題】位錯線張力本題答案：【使位錯自發(fā)收縮#與位錯柏氏矢量大小有關】2、【多選題】作用在刃位錯線上的力本題答案：【垂直位錯線#與柏氏矢量大小有關】3、【多選題】作用在螺位錯線上的力本題答案：【垂直位錯線#與柏氏矢量大小有關】4、【多選題】作用在混合位錯線上的力本題答案：【垂直位錯線#與柏氏矢量大小有關】5、【判斷題】位錯線張力類似與液體表明張力本題答案：【正確】6、【判斷題】位錯線引起的畸變越大，線張力越強本題答案：【正確】7、【判斷題】作用在位錯線上的力與柏氏矢量大小有關本題答案：【正確】8、【判斷題】位錯線張力的作用是降低體系能量本題答案：【正確】9、【判斷題】作用在位錯線上的力與外力大小有關本題答案：【正確】10、【判斷題】作用在位錯線上的力是實際推動位錯運動的力本題答案：【錯誤】第三章晶體缺陷（六）：作業(yè)第三章晶體缺陷（六）：測驗1、【單選題】異號、平行位錯之間相互本題答案：【吸引】2、【單選題】同號、平行位錯之間相互本題答案：【排斥】3、【判斷題】異號、平行位錯相互靠近可降低體系能量本題答案：【正確】4、【判斷題】同號、平行位錯相互靠近可降低體系能量本題答案：【錯誤】5、【判斷題】位錯交割產(chǎn)生的位錯線拐彎必然對位錯的后續(xù)運動產(chǎn)生影響本題答案：【錯誤】6、【判斷題】位錯塞積引起的集中應力大小與外應力大小相同本題答案：【錯誤】7、【判斷題】位錯塞積必然阻礙位錯運動本題答案：【正確】8、【判斷題】位錯可能通過攀移或交滑移繞過障礙物，減輕位錯塞積本題答案：【正確】9、【判斷題】位錯交割后，必然在位錯線上形成拐彎本題答案：【錯誤】10、【判斷題】位錯塞積是位錯與面缺陷間的彈性交互作用本題答案：【正確】第三章晶體缺陷（七）：作業(yè)第三章晶體缺陷（七）：測驗1、【判斷題】F-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，回縮力最小本題答案：【錯誤】2、【判斷題】F-R源開動需要克服一定的臨界阻力（勢壘）本題答案：【正確】3、【判斷題】F-R源開動臨界切應力值與固定點間距大小有關本題答案：【正確】4、【判斷題】位錯增殖機制可以使晶體中的位錯密度提高數(shù)個數(shù)量級本題答案：【正確】5、【判斷題】位錯源只有Frank-Read這一種類型本題答案：【錯誤】6、【判斷題】F-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，所需外應力最小本題答案：【錯誤】7、【判斷題】F-R源開動要克服位錯滑移阻力和位錯線張力本題答案：【正確】8、【判斷題】F-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，兩端點位錯必為同性質、異號位錯本題答案：【正確】9、【判斷題】F-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，兩端點位錯運動方向必定同向本題答案：【錯誤】第三章晶體缺陷（八）：作業(yè)第三章晶體缺陷（八）：測驗1、【單選題】單位位錯是本題答案：【柏氏矢量等于點陣矢量】2、【單選題】部分位錯是本題答案：【柏氏矢量小于點陣矢量】3、【單選題】堆垛層錯本題答案：【是面缺陷】4、【單選題】全位錯是本題答案：【柏氏矢量等于點陣矢量整數(shù)倍】5、【判斷題】Fcc晶體中，單位位錯的?？梢圆煌绢}答案：【正確】6、【判斷題】模越小的單位位錯，穩(wěn)定性越高本題答案：【正確】7、【判斷題】弗蘭克不全位錯是螺位錯本題答案：【錯誤】8、【判斷題】肖克萊不全位錯線一定是平面曲線本題答案：【正確】9、【判斷題】位錯反應肯定是合并，這樣才能降低體系自由能本題答案：【錯誤】10、【判斷題】Fcc晶體中，最短單位位錯是本題答案：【正確】11、【判斷題】若位錯反應能夠自發(fā)進行，必然使體系自由能降低本題答案：【正確】12、【判斷題】位錯反應實質上是應變場的拆分和合并本題答案：【正確】13、【判斷題】擴展位錯越寬，畸變能越低本題答案：【錯誤】14、【判斷題】只有密排面才能產(chǎn)生層錯本題答案：【錯誤】15、【判斷題】以AB為堆垛周期的原子面也可以產(chǎn)生層錯本題答案：【錯誤】16、【判斷題】不全位錯是局部層錯的邊界本題答案：【正確】17、【判斷題】弗蘭克不全位錯線可以是平面曲線，也可以是空間曲線本題答案：【正確】18、【判斷題】若位錯反應能夠自發(fā)進行，不一定需要使反應前后的柏氏矢量和相等本題答案：【錯誤】19、【判斷題】Bcc晶體中，最短單位位錯是本題答案：【正確】20、【判斷題】肖克萊不全位錯可以是刃位錯、螺位錯，也可以是混合位錯本題答案：【正確】第三章晶體缺陷（九）：作業(yè)第三章晶體缺陷（九）：測驗1、【判斷題】小角度晶界是位向差小于10°的晶界本題答案：【正確】2、【判斷題】相界兩側是異質的（不同的固體相之間的分界面）本題答案：【正確】3、【判斷題】表面指是不同態(tài)（固態(tài)與氣態(tài)、液態(tài)）物質之間的分界面本題答案：【正確】4、【判斷題】層錯是原子堆垛順序發(fā)生錯誤形成的分界面本題答案：【正確】5、【判斷題】孿晶面是孿晶的對稱面，屬于孿晶界的一部分本題答案：【正確】6、【判斷題】亞晶界是亞晶粒之間的分界面本題答案：【正確】7、【判斷題】按界面兩側是否同種介質，可分為晶界和相界本題答案：【正確】8、【判斷題】小角度晶界可以理解為位錯墻本題答案：【正確】9、【判斷題】孿晶面上的原子為兩側孿晶所共有本題答案：【正確】10、【判斷題】按界面兩側原子匹配程度分，可分為共格、半共格和非共格界面本題答案：【正確】11、【判斷題】按界面兩側晶體的位向差大小分類，可分為小角晶界和大角晶界本題答案：【正確】12、【判斷題】孿晶界是孿晶之間的分界面本題答案：【正確】13、【判斷題】與孿晶面不重合的孿晶界是非共格界面本題答案：【正確】14、【判斷題】小角晶界中位錯密度越大，位向差越大本題答案：【正確】15、【判斷題】小角晶界中位錯密度越大，晶界能越大本題答案：【正確】16、【判斷題】大角晶界畸變能大于小角晶界，所以大角晶界的晶界能較高本題答案：【正確】17、【判斷題】晶界兩側是同質的（相同的固體相之間的分界面）本題答案：【正確】18、【判斷題】層錯不產(chǎn)生晶格畸變本題答案：【錯誤】19、【判斷題】孿晶面是共格界面本題答案：【正確】20、【判斷題】亞晶之間的位向差一般小于10°，所以亞晶界往往是小角度晶界本題答案：【正確】21、【判斷題】小角晶界中位向差越大，晶界能越大本題答案：【正確】第四章固體中的相：作業(yè)第四章固體中的相：測驗1、【多選題】非晶相的形成條件包括本題答案：【熔融態(tài)的粘度#冷卻速度】2、【多選題】影響間隙固溶體的固溶度的因素有本題答案：【電負性#原子半徑差#組元晶體結構#電子濃度】3、【多選題】固體中的相是指本題答案：【結構相同#性質相同#聚集狀態(tài)相同#均勻體】4、【多選題】影響置換固溶體的固溶度的因素有本題答案：【電負性#原子半徑差#組元晶體結構#電子濃度】5、【多選題】晶態(tài)的陶瓷材料的特點包括本題答案：【以離子鍵為主#原子比例比較嚴格，可以用分子式表示#典型的非金屬性質】6、【多選題】硅酸鹽結構包括本題答案：【島狀硅酸鹽#鏈狀硅酸鹽#層狀硅酸鹽#網(wǎng)狀硅酸鹽】7、【判斷題】影響間隙固溶體固溶度的因素主要是原子尺寸差，另外組元晶體結構、電負性和原子價也有影響本題答案：【正確】8、【判斷題】對某一個具體的固溶體而言，并非所有影響固溶度的因素都起作用本題答案：【正確】9、【判斷題】影響間隙固溶體固溶度的因素只有原子尺寸差本題答案：【錯誤】10、【判斷題】固溶體與化合物都是兩種或多種原子混合形成的，若不形成新晶體結構，則為固溶體，若形成了新晶體結構，則為化合物本題答案：【正確】11、【判斷題】電負性差異越大，異類原子結合力越大，容易形成化合物本題答案：【正確】12、【判斷題】相是結構、性質、聚集狀態(tài)相同的均勻體，不涉及形貌本題答案：【正確】13、【判斷題】化合物中同類原子之間結合力大，因而化合物的結構往往是有序的本題答案：【正確】14、【判斷題】固溶體中異類原子間結合力越大，固溶體的有序度（有序的范圍和有序程度）越大本題答案：【正確】15、【判斷題】化合物中原子嚴格按比例結合，不存在偏差，因而可以用分子式表示本題答案：【錯誤】16、【判斷題】固溶體中同類原子之間結合力小，往往形成是有序固溶體本題答案：【錯誤】第五章固體中的擴散：作業(yè)第五章固體中的擴散：測驗1、【多選題】非穩(wěn)態(tài)擴散指的是本題答案：【與時間t有關#濃度梯度隨時間變化】2、【多選題】典型的上坡擴散誘發(fā)原因有本題答案：【彈性應力場作用#電磁場作用#晶界內吸附#調幅分解】3、【多選題】穩(wěn)態(tài)擴散指的是本題答案：【與時間t無關#濃度梯度不隨時間變化】4、【多選題】原子擴散激活能來自本題答案：【能量起伏#外界能量輸入】5、【多選題】反應擴散本題答案：【形成新相層，并有明確界面#反應擴散速度受原子擴散速度和反應速度共同影響#不可能出現(xiàn)兩相共存區(qū)#擴散引起反應的擴散過程】6、【多選題】科肯道爾效應本題答案：【揭示了宏觀擴散規(guī)律與微觀擴散機制間的內在聯(lián)系#擴散系統(tǒng)中每一種組元都有各自的擴散系數(shù)#擴散偶界面兩側原子遷移速度不相等】7、【多選題】影響擴散的因素包括本題答案：【溫度#晶體結構與固溶體類型#晶體缺陷#化學成分】8、【多選題】擴散的路徑包括本題答案：【體擴散#外表面擴散#界面擴散#位錯擴散】9、【判斷題】擴散的實際驅動力由濃度梯度提供本題答案：【錯誤】10、【判斷題】擴散通量為零時，擴散系數(shù)也必然為零本題答案：【錯誤】11、【判斷題】對擴散常數(shù)的影響因素主要是溫度和擴散激活能本題答案：【錯誤】12、【判斷題】晶體化合物中，非本征缺陷少，因此非本征擴散是次要機制本題答案：【錯誤】13、【判斷題】溶質原子濃度越高，擴散速度必然較快本題答案：【錯誤】14、【判斷題】若溶質原子提高基體的熔點，將是擴散系數(shù)升高本題答案：【錯誤】15、【判斷題】擴散通量是指擴散物質的流量本題答案：【錯誤】16、【判斷題】擴散第一定律只適用于穩(wěn)態(tài)擴散本題答案：【錯誤】17、【判斷題】擴散激活能是原子跳動時需要越過的勢壘本題答案：【錯誤】18、【判斷題】純物質中不存在濃度梯度，因此不存在擴散本題答案：【錯誤】19、【判斷題】晶界處原子排列混亂，因此擴散激活能高本題答案：【錯誤】20、【判斷題】溫度越高，擴散激活能越小，擴散越快本題答案：【錯誤】21、【判斷題】間隙固溶體中，溶質原子越多，則占據(jù)間隙越多，剩余間隙越少，因此使得擴散系數(shù)下降本題答案：【錯誤】22、【判斷題】若沒有宏觀擴散流，則說明沒有發(fā)生擴散本題答案：【錯誤】23、【判斷題】非晶體固體中擴散激活能高，所以擴散系數(shù)高本題答案：【錯誤】24、【判斷題】置換型擴散機制中，換位機制不依賴空位就能實現(xiàn)擴散，因此是主要的置換型擴散機制本題答案：【錯誤】材料科學基礎（上）期末考試1、【單選題】影響間隙固溶體的固溶度最主要的因素有本題答案：【原子半徑差】2、【單選題】面心立方、體心立方和密排六方的晶胞原子數(shù)分別為本題答案：【4、2、6】3、【單選題】混合位錯的柏氏矢量本題答案：【與位錯線不平行，也不垂直】4、【單選題】面心立方、體心立方和密排六方的配位數(shù)分別為本題答案：【12、8、12】5、【單選題】體心立方八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA分別為本題答案：【0.15、0.29】6、【單選題】面心立方密排面、密排方向分別為本題答案：【{111},110】7、【單選題】同號、平行位錯之間相互本題答案：【排斥】8、【單選題】立方晶系包括________種點本題答案：【3種】9、【單選題】全位錯是本題答案：【柏氏矢量等于點陣矢量整數(shù)倍】10、【單選題】部分位錯是本題答案：【柏氏矢量小于點陣矢量】11、【單選題】立方晶系中，具有完全相同指數(shù)的晶向與晶面本題答案：【相互垂直】12、【單選題】堆垛層錯本題答案：【是面缺陷】13、【單選題】非立方晶系中，具有完全相同指數(shù)的晶向與晶面本題答案：【有可能相互垂直】14、【單選題】面心立方、體心立方和密排六方的致密度分別為本題答案：【74％、68％、74％】15、【單選題】面心立方八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA分別為本題答案：【0.414、0.225】16、【單選題】面心立方、體心立方、密排六方的八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA本題答案：【面心立方與密排六方相同】17、【單選題】刃位錯的柏氏矢量本題答案：【與位錯線垂直】18、【單選題】螺位錯的柏氏矢量本題答案：【與位錯線平行】19、【單選題】異號、平行位錯之間相互本題答案：【吸引】20、【單選題】單位位錯是本題答案：【柏氏矢量等于點陣矢量】21、【單選題】六方晶系包括________點陣本題答案：【簡單六方】22、【單選題】點陣常數(shù)為a的面心立方晶體中，（100）晶面間距為本題答案：【】23、【單選題】體心立方密排面、密排方向分別為本題答案：【{110},111】24、【單選題】面心立方密排面的堆垛方向和次序為本題答案：【111,ABC】25、【單選題】體心立方密排面的堆垛方向和次序為本題答案：【110,AB】26、【多選題】科肯道爾效應本題答案：【揭示了宏觀擴散規(guī)律與微觀擴散機制間的內在聯(lián)系#擴散系統(tǒng)中每一種組元都有各自的擴散系數(shù)#擴散偶界面兩側原子遷移速度不相等】27、【多選題】典型的上坡擴散誘發(fā)原因有本題答案：【彈性應力場作用#電磁場作用#晶界內吸附#調幅分解】28、【多選題】位錯是本題答案：【一維缺陷#線形缺陷#二個方向上尺寸很小】29、【多選題】柏氏矢量本題答案：【反映畸變的大小#反映畸變的方向#與標定用的柏氏回路大小、形狀無關#與位錯線方向有關】30、【多選題】刃位錯的滑移是本題答案：【依次逐排的運動#正、負刃位錯運動方向相反】31、【多選題】混合位錯滑移本題答案：【滑移量＝柏氏矢量的模#位錯線沿法線方向運動#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分】32、【多選題】混合位錯的應力場本題答案：【可分解為刃型位錯分量和螺型位錯分量#既有正應力，也有切應力#遠離位錯線時，應力場逐漸減弱】33、【多選題】作用在螺位錯線上的力本題答案：【垂直位錯線#與柏氏矢量大小有關】34、【多選題】作用在混合位錯線上的力本題答案：【垂直位錯線#與柏氏矢量大小有關】35、【多選題】正交晶系包括本題答案：【簡單正交#底心正交#面心正交#體心正交】36、【多選題】刃位錯滑移本題答案：【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力垂直于位錯線或具有垂直的分量】37、【多選題】螺位錯滑移本題答案：【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面不唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力平行于位錯線或具有平行的分量】38、【多選題】穩(wěn)態(tài)擴散指的是本題答案：【與時間t無關#濃度梯度不隨時間變化】39、【多選題】研究位錯應力場的基本假設包括本題答案：【完全彈性體，服從胡可定律#各向同性#連續(xù)介質，可以用連續(xù)函數(shù)表達】40、【多選題】螺位錯的應力場本題答案：【是純剪切應力場#沿z方向建立模型時，僅有z方向的切應力，正應力為零#遠離位錯線時，應力場逐漸減弱#與θ角無關】41、【多選題】點缺陷種類包括本題答案：【弗蘭克缺陷#肖脫基缺陷#反位原子】42、【多選題】影響化合物類型的因素有本題答案：【電負性#原子半徑差#組元晶體結構#電子濃度】43、【多選題】螺位錯的滑移是本題答案：【依次逐排的運動#左螺、右螺位錯運動方向相反#能在任意經(jīng)過位錯線的原子面上運動】44、【多選題】晶態(tài)的陶瓷材料的特點包括本題答案：【以離子鍵為主#原子比例比較嚴格，可以用分子式表示#典型的非金屬性質】45、【多選題】硅酸鹽結構包括本題答案：【島狀硅酸鹽#鏈狀硅酸鹽#層狀硅酸鹽#網(wǎng)狀硅酸鹽】46、【多選題】刃位錯的應力場本題答案：【既有正應力，也有切應力#沿z方向建立模型時，與z方向有關的切應力為零#遠離位錯線時，應力場逐漸減弱#含半原子面部分為壓應力區(qū)，不含半原子面部分為拉應力區(qū)】47、【多選題】反應擴散本題答案：【形成新相層，并有明確界面#反應擴散速度受原子擴散速度和反應速度共同影響#不可能出現(xiàn)兩相共存區(qū)#擴散引起反應的擴散過程】48、【多選題】作用在刃位錯線上的力本題答案：【垂直位錯線#與柏氏矢量大小有關】49、【多選題】影響擴散的因素包括本題答案：【溫度#晶體結構與固溶體類型#晶體缺陷#化學成分】50、【多選題】位錯線張力本題答案：【使位錯自發(fā)收縮#與位錯柏氏矢量大小有關】51、【多選題】小角度晶界包括本題答案：【對稱傾側#不對稱傾側#扭轉晶界】52、【多選題】影響置換固溶體的固溶度的因素有本題答案：【電負性#原子半徑差#組元晶體結構#電子濃度】53、【多選題】非晶相的形成條件包括本題答案：【熔融態(tài)的粘度#冷卻速度】54、【多選題】非穩(wěn)態(tài)擴散指的是本題答案：【與時間t有關#濃度梯度隨時間變化】55、【多選題】擴散的路徑包括本題答案：【體擴散#外表面擴散#界面擴散#位錯擴散】56、【多選題】點缺陷種類包括本題答案：【空位#間隙原子#溶質原子#雜質原子】57、【多選題】點缺陷使晶體的本題答案：【電阻升高#改變電子狀態(tài)#引起點陣畸變#強度升高】58、【多選題】位錯類型包括本題答案：【螺位錯#刃位錯#混合位錯】59、【多選題】固體中的相是指本題答案：【結構相同#性質相同#聚集狀態(tài)相同#均勻體】60、【判斷題】影響間隙固溶體固溶度的因素只有原子尺寸差本題答案：【錯誤】61、【判斷題】差別很大的晶體結構可以屬于同一點陣本題答案：【正確】62、【判斷題】擴散激活能是原子跳動時需要越過的勢壘本題答案：【錯誤】63、【判斷題】晶界處原子排列混亂，因此擴散激活能高本題答案：【錯誤】64、【判斷題】點缺陷是熱力學平衡缺陷本題答案：【正確】65、【判斷題】若沒有宏觀擴散流，則說明沒有發(fā)生擴散本題答案：【錯誤】66、【判斷題】空位可以被完全消除。本題答案：【錯誤】67、【判斷題】置換型擴散機制中，換位機制不依賴空位就能實現(xiàn)擴散，因此是主要的置換型擴散機制本題答案：【錯誤】68、【判斷題】一根位錯先不能終止與晶體內部。本題答案：【正確】69、【判斷題】半原子面縮短是正攀移本題答案：【正確】70、【判斷題】攀移和交滑移都是躲避障礙物的運動方式本題答案：【正確】71、【判斷題】具有同樣柏氏矢量的刃位錯與螺位錯，刃位錯的應變能較高本題答案：【正確】72、【判斷題】作用在位錯線上的力是實際推動位錯運動的力本題答案：【錯誤】73、【判斷題】位錯可能通過攀移或交滑移繞過障礙物，減輕位錯塞積本題答案：【正確】74、【判斷題】F-R源開動臨界切應力值與固定點間距大小有關本題答案：【正確】75、【判斷題】F-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，所需外應力最小本題答案：【錯誤】76、【判斷題】晶體結構有無數(shù)多種本題答案：【正確】77、【判斷題】肖克萊不全位錯線一定是平面曲線本題答案：【正確】78、【判斷題】點陣中，按照不同法則，可以選取多種不同的基本單元體本題答案：【正確】79、【判斷題】小角度晶界可以理解為位錯墻本題答案：【正確】80、【判斷題】晶體結構和空間點陣中的點都表示原子本題答案：【錯誤】81、【判斷題】層錯是原子堆垛順序發(fā)生錯誤形成的分界面本題答案：【正確】82、【判斷題】孿晶面上的原子為兩側孿晶所共有本題答案：【正確】83、【判斷題】亞晶界是亞晶粒之間的分界面本題答案：【正確】84、【判斷題】亞晶之間的位向差一般小于10°，所以亞晶界往往是小角度晶界本題答案：【正確】85、【判斷題】小角晶界中位錯密度越大，位向差越大本題答案：【正確】86、【判斷題】相是結構、性質、聚集狀態(tài)相同的均勻體，不涉及形貌本題答案：【正確】87、【判斷題】固溶體與化合物都是兩種或多種原子混合形成的，若不形成新晶體結構，則為固溶體，若形成了新晶體結構，則為化合物本題答案：【正確】88、【判斷題】隨著位錯線的彎曲，柏氏矢量是可變的。本題答案：【錯誤】89、【判斷題】影響間隙固溶體固溶度的因素主要是原子尺寸差，另外組元晶體結構、電負性和原子價也有影響本題答案：【正確】90、【判斷題】化合物中原子嚴格按比例結合，不存在偏差，因而可以用分子式表示本題答案：【錯誤】91、【判斷題】只有螺位錯才能發(fā)生攀移本題答案：【錯誤】92、【判斷題】擴散通量是指擴散物質的流量本題答案：【錯誤】93、【判斷題】溫度越高，擴散激活能越小，擴散越快本題答案：【錯誤】94、【判斷題】純物質中不存在濃度梯度，因此不存在擴散本題答案：【錯誤】95、【判斷題】位錯的應變能越高，位錯穩(wěn)定性越好本題答案：【錯誤】96、【判斷題】間隙固溶體中，溶質原子越多，則占據(jù)間隙越多，剩余間隙越少，因此使得擴散系數(shù)下降本題答案：【錯誤】97、【判斷題】對擴散常數(shù)D0的影響因素主要是溫度和擴散激活能本題答案：【錯誤】98、【判斷題】同號、平行位錯相互靠近可降低體系能量本題答案：【錯誤】99、【判斷題】非晶體固體中擴散激活能高，所以擴散系數(shù)高本題答案：【錯誤】100、【判斷題】位錯塞積必然阻礙位錯運動本題答案：【正確】101、【判斷題】溶質原子濃度越高，擴散速度必然較快本題答案：【錯誤】102、【判斷題】F-R源開動需要克服一定的臨界阻力（勢壘）本題答案：【正確】103、【判斷題】F-R源開動要克服位錯滑移阻力和位錯線張力本題答案：【錯誤】104、【判斷題】F-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，兩端點位錯必為同性質、異號位錯本題答案：【正確】105、【判斷題】相似的晶體結構可屬于不同點陣本題答案：【正確】106、【判斷題】空間點陣可以劃分為七大晶系，包括14種點陣類型本題答案：【正確】107、【判斷題】Fcc晶體中，單位位錯的?？梢圆煌绢}答案：【正確】108、【判斷題】不全位錯是局部層錯的邊界本題答案：【正確】109、【判斷題】位錯反應肯定是合并，這樣才能降低體系自由能本題答案：【錯誤】110、【判斷題】位錯反應實質上是應變場的拆分和合并本題答案：【正確】111、【判斷題】擴展位錯越寬，畸變能越低本題答案：【錯誤】112、【判斷題】小角晶界中位錯密度越大，晶界能越大本題答案：【正確】113、【判斷題】小角晶界中位向差越大，晶界能越大本題答案：【正確】114、【判斷題】一個柏氏回路只要包含的位錯沒有變，則無論柏氏回路的大小、形狀、位置如何變化，所得的柏氏矢量不變。本題答案：【正確】115、【判斷題】大角晶界畸變能大于小角晶界，所以大角晶界的晶界能較高本題答案：【正確】116、【判斷題】位錯的密度可以分為體密度和面密度。本題答案：【正確】117、【判斷題】按界面兩側是否同種介質，可分為晶界和相界本題答案：【正確】118、【判斷題】混合位錯就是既有螺型位錯分量，又有刃型位錯分量的位錯。本題答案：【正確】119、【判斷題】只有刃位錯才能攀移本題答案：【正確】120、【判斷題】刃位錯的攀移和交滑移都是守恒運動本題答案：【錯誤】121、【判斷題】電負性差異越大，異類原子結合力越大，容易形成化合物本題答案：【正確】122、【判斷題】攀移對塑性變形沒有意義本題答案：【錯誤】123、【判斷題】化合物中同類原子之間結合力大，因而化合物的結構往往是有序的本題答案：【錯誤】124、【判斷題】交滑移可以躲避障礙物，有利于塑性變形本題答案：【正確】125、【判斷題】固溶體中同類原子之間結合力小，往往形成是有序固溶體本題答案：【錯誤】126、【判斷題】固溶體中異類原子間結合力越大，固溶體的有序度（有序的范圍和有序程度）越大本題答案：【正確】127、【判斷題】柏氏矢量的模越小，位錯的應變能越高本題答案：【錯誤】128、【判斷題】擴散通量為零時，擴散系數(shù)也必然為零本題答案：【錯誤】129、【判斷題】作用在位錯線上的力與位錯寬度有關本題答案：【正確】130、【判斷題】若溶質原子提高基體的熔點，將是擴散系數(shù)升高本題答案：【錯誤】131、【判斷題】位錯塞積是位錯與面缺陷間的彈性交互作用本題答案：【正確】132、【判斷題】位錯源只有Frank-Read這一種類型本題答案：【錯誤】133、【判斷題】F-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，回縮力最小本題