10.5.2 靜態(tài)隨機(jī)存儲器與閃存_第1頁
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文檔簡介

1第十章數(shù)字集成電路基本單元與版圖10.1TTL基本電路10.2CMOS基本門電路及版圖實(shí)現(xiàn)10.3數(shù)字電路標(biāo)準(zhǔn)單元庫設(shè)計(jì)10.4焊盤輸入輸出單元10.5了解CMOS存儲器210.5.2靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）圖10.59靜態(tài)RAM單元的各種結(jié)構(gòu)3圖10.60CMOSSRAM單元的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

在互補(bǔ)位線上帶有PMOS列上拉晶體管。存儲單元由一個(gè)簡單的CMOS鎖存器（兩個(gè)背對背連接的反相器）及兩個(gè)互補(bǔ)存取晶體管（VT3和VT4）構(gòu)成。

最重要的優(yōu)點(diǎn)是靜態(tài)功耗非常小，實(shí)際上它只受PMOS晶體管漏電流的限制。410.5.3閃存閃存單元由一個(gè)帶浮柵的晶體管構(gòu)成，該晶體管的閾值電壓可通過在其柵極上施加電場而被反復(fù)改變(編程)。通過溝道熱電子注入或Fowler-Nordheim隧穿機(jī)理向MOS晶體管的浮柵存儲或釋放電子，就可以對閃存的單元數(shù)據(jù)編程。圖10.61閃存存儲器的數(shù)據(jù)編程及擦除方法5閃存單元的等效耦合電容電路

當(dāng)給控制柵極和漏極加電壓(VCG和VD)時(shí)，浮柵的電壓(VFG)可以用耦合電容表示為：VCG和VD分別為控制柵和漏極的電壓。

用VT(FG)代替式(10.26)中的VFG并整

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