2022-2023學(xué)年高二物理競賽課件：熱電子發(fā)射理論_第1頁
2022-2023學(xué)年高二物理競賽課件：熱電子發(fā)射理論_第2頁
2022-2023學(xué)年高二物理競賽課件：熱電子發(fā)射理論_第3頁
2022-2023學(xué)年高二物理競賽課件：熱電子發(fā)射理論_第4頁
2022-2023學(xué)年高二物理競賽課件：熱電子發(fā)射理論_第5頁
已閱讀5頁，還剩7頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

熱電子發(fā)射理論熱電子發(fā)射理論假設(shè)流過勢壘的電流主要受電子越過勢壘的過程限制。適于電子的平均自由程遠(yuǎn)大于勢壘區(qū)寬度的半導(dǎo)體。平衡時(shí)，界面處半導(dǎo)體側(cè)的電子濃度:流過勢壘的電流密度：半導(dǎo)體勢壘區(qū)與中性區(qū)存在濃度梯度，所以有擴(kuò)散電流。有外加電壓時(shí)，存在漂移電流。利用：得到：根據(jù)：同乘以得到：積分：利用邊界條件：由于隨x增加迅速減小只考慮在x=0附近2xxd＞＞x2積分，得到：其中討論：1）當(dāng)qV﹥﹥k0T，有J=JsDexp（qV/k0T），為通常情況。2）當(dāng)-qV﹥﹥k0T，則J=-JsD，不飽和，JsD隨外加電壓的升高而增加。單位時(shí)間入射到單位面積上的電子數(shù)為：nVth/4，平衡時(shí)，由半→金的熱電子發(fā)射電流密度與金→半都為：當(dāng)V>0時(shí)，界面處半導(dǎo)體側(cè)勢壘高度降低,電子濃度:當(dāng)V>0時(shí)，由半→金的電子流密度:金屬一側(cè)勢壘高度不變，實(shí)際凈正向電流密度為：其中：令∴其中：.兩個(gè)理論模型的比較1、擴(kuò)散理論的：J=J[exp(qVkT)?1]JSD不飽和，與外加電壓相關(guān)。熱電子發(fā)射理論：J=J[exp(qV/kT)?1]JsT與外加電壓無關(guān)，但強(qiáng)烈依賴于溫度。2、擴(kuò)散理論適于勢壘區(qū)寬度遠(yuǎn)大于電子的平均自由程的半導(dǎo)體,如氧化亞銅，非晶硅。熱電子發(fā)射理論適于勢壘區(qū)寬度遠(yuǎn)小于電子的平均自由程的半導(dǎo)體，如Ge、Si、GaAs等。理論模型與實(shí)測結(jié)果的偏差（影響因素）1.鏡像力的影響：在金屬、真空系統(tǒng)中，一個(gè)在金屬外面的電子，要在距離金屬表面同樣距離（在金屬內(nèi)部）感應(yīng)出等量的正電荷，這個(gè)正電荷稱為鏡像電荷，電子和鏡像電荷之間的吸引力稱為鏡像力。鏡像力引起的勢壘降低，并隨反向電壓的增加而增大。從而使反向電流增加。鏡像力在反向電壓

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論