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文檔簡介
據(jù)外媒報道,三星電子表示,2025據(jù)外媒報道,三星電子表示,20253DDRAM3DDRAM技術(shù),包括垂直通道電大廠動態(tài) 晶體和堆疊DRAM。相較傳統(tǒng)電晶體結(jié)構(gòu),垂直通道電晶體將通道從水準(zhǔn)變?yōu)榇怪?,大幅減少元件面積,但提升刻蝕精確度要求。據(jù)悉,隨著3DDRAM市場發(fā)展,有望2028年達(dá)千億美元規(guī)模。事件大廠動態(tài)
三星是將向英偉達(dá)、AMD等GPU廠商提供下一代GDDR7顯存解決方案的三家內(nèi)存制造商之一,另外兩家公司包括SK海力士和美光也宣布了新一代產(chǎn)品,并透露了新產(chǎn)品的性能,能夠提供高達(dá)40Gbps的引腳速度和高達(dá)64Gb(8GB)GDDR7266FBGAGDDR7的兩種規(guī)格,分32Gbps28GbpsGDDR7。日前在全球芯片制造商聚會日前在全球芯片制造商聚會Memcon2024上,三星公司執(zhí)行副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)主管HwangSang-joong表大廠動態(tài) 示,預(yù)計將增加HBM芯片產(chǎn)量,2024年產(chǎn)量是2023年的2.9倍。三星2024年年初在CES2024上給出的預(yù)測為2.52026HBM202313.82028年,HBM2023年水平的23.1倍。
美光宣布其位于西安的封裝和測試新廠房已正式破土動工。美光曾在2023年宣布在西安追加投資43億元人民幣,包括加建這座新廠房,引入全新產(chǎn)線,制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案,包括但不限于移動DRAM、NAND及SSD,從而拓展西安工廠現(xiàn)有的DRAM封裝和測試能力。同時,美光也在推進(jìn)收購力成半導(dǎo)體(西安)有限公司(力成西安)的資產(chǎn),并將向力成西安1,200名全體員工提供新的就業(yè)合同。SK海力士CEO郭魯正3月27日表示,預(yù)計用于AI芯片組的HBM芯片在公司DRAM芯片銷售中所占比重將從2023年的個位數(shù)上升至2024年的兩位數(shù)。郭魯正另外就“SK海力士擬投資約40億美元,在美國印第安納州西拉斐特建造一座先進(jìn)芯片封裝廠”的媒體報道回應(yīng)稱,工廠最終選址仍在慎重研究中,尚未做出決定,將于2024年內(nèi)完成選址工作。大廠動態(tài) SK海力士將投資40億美元在印第安納州建設(shè)芯片封裝廠。大廠動態(tài) SK海力士首席執(zhí)行官預(yù)計大廠動態(tài) SK海力士將投資40億美元在印第安納州建設(shè)芯片封裝廠。大廠動態(tài) 據(jù)臺媒報道,臺積電將上調(diào)2024年資本支出,由原預(yù)估280~320億美元上調(diào)至300~340億美元,調(diào)幅超7%。終端需求 乘聯(lián)會預(yù)估終端需求 乘聯(lián)會預(yù)估2024年3月全國新能源乘用車廠商批發(fā)銷量82萬輛,同比增長33%,環(huán)比增長84%。終端需求
根據(jù)CounterpointResearch的《全球智能手機(jī)出貨量預(yù)測》,2024年全球智能手機(jī)出貨量預(yù)計將增長3%,達(dá)到12億部。在加勒比及拉丁美洲、印度和中東非市場復(fù)蘇的推動下,中低端市場(150-249美元)將有所反彈。得益于蘋果和華為的增長,高端市場(600-799美元)預(yù)計將同比增長17%。資料來源:閃存市場、研究所附圖1:4月3日中國臺灣發(fā)生7.3級地震,多家半導(dǎo)體大廠停機(jī)檢查資料來源:TrendForce850750650550450350本周:+1.26%2024年初至今:+23.18%750700650600550500450400本周:-0.42%2024年初至今:+16.01%附圖2:指數(shù):2024年第850750650550450350本周:+1.26%2024年初至今:+23.18%750700650600550500450400本周:-0.42%2024年初至今:+16.01%NAND指數(shù) DRAM指數(shù)數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所 數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所當(dāng)前價 周漲跌幅2024年初至今漲跌幅(美元)產(chǎn)品名稱周漲跌幅2024當(dāng)前價 周漲跌幅2024年初至今漲跌幅(美元)產(chǎn)品名稱周漲跌幅2024年初至今漲跌幅當(dāng)前價(美元)產(chǎn)品名稱Wafer:256GbTLC 2.10 0.00% 23.53% TLC 7.55 0.00% 23.77% 0.00 0.40 0.00 1.45Wafer:512GbTLC 4.05 0.00% 28.57% QLC 7.00 0.00% 27.27% 0.00 0.90 0.00 1.50數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所附表3:價格復(fù)盤:2024年第14周DDR價格平均下降1.5%產(chǎn)品名稱當(dāng)前價 周漲跌幅2024年初至今漲跌幅 產(chǎn)品名稱 當(dāng)前價 周漲跌幅2024年初至今漲跌幅(美元) (美元)DDR4/8Gb/32001.40 -3.45% -1.41% DDR4/8Gb/eTT 1.16 -2.52% 7.41% -0.05 -0.02 -0.03 0.08DDR4/16Gb/32003.10 -1.59% 6.90% DDR4/4Gb/eTT 0.72 0.00% 2.86% -0.05 0.20 0.00 0.02DDR4/16Gb/eTT2.80 0.00% 15.70% 0.00 0.38數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所附表4:價格復(fù)盤:2024年第14周SSD(渠道市場)價格基本持平產(chǎn)品名稱當(dāng)前價(美元) 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅SSD/120GB/SATA38.40 -3.45% 9.09% -0.30 0.70SSD/240GB/SATA314.40 -2.70% 16.13% -0.40 2.00SSD/480GB/SATA324.80 -0.80% 15.89% -0.20 3.40SSD/256GB/PCIe3.016.30 -0.61% 17.27% -0.10 2.40SSD/512GB/PCIe3.028.20 0.00% 20.00% 0.00 4.70SSD/1TB/PCIe3.052.00 0.00% 26.83% 0.00 11.00SSD/512GB/PCIe4.037.60 0.00% 22.88% 0.00 7.00SSD/1TB/PCIe4.056.50 -0.88% 31.40% -0.50 13.50SSD/2TB/PCIe4.0110.00 0.00% 34.15% 0.00 28.00數(shù)據(jù)來源:閃存市場、開源證券研究所附表5:價格復(fù)盤:2024年第14周SSD(行業(yè)市場)價格平均上漲4.3%產(chǎn)品名稱當(dāng)前價(美元) 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅SSD/256GB/SATA319.00 3.83% 5.56% 0.70 1.00SSD/512GB/SATA333.00 0.61% 3.13% 0.20 1.00SSD/1TB/SATA362.00 6.90% 12.73% 4.00 7.00SSD/256GB/PCIe3.021.80 3.81% 9.00% 0.80 1.80SSD/512GB/PCIe3.037.00 3.35% 8.82% 1.20 3.00SSD/1TB/PCIe3.066.00 7.32% 13.79% 4.50 8.00SSD/512GB/PCIe4.039.00 5.41% 8.33% 2.00 3.00SSD/1TB/PCIe4.068.00 6.25% 13.33% 4.00 8.00SSD/2TB/PCIe4.0125.00 1.63% 26.26% 2.00 26.00數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所產(chǎn)品名稱 當(dāng)前價(美元) 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅附表6:價格復(fù)盤:2024年第產(chǎn)品名稱 當(dāng)前價(美元) 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅DDR4/UDIMM/8GB/3200 13.00 -5.11% 6.56% -0.70 0.80DDR4/UDIMM/16GB/3200 23.80 -0.83% 5.78% -0.20 1.30DDR4/UDIMM/32GB/3200 48.00 -2.04% 11.63% -1.00 5.00數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所產(chǎn)品名稱 當(dāng)前價(美元) 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅附表7:價格復(fù)盤:2024產(chǎn)品名稱 當(dāng)前價(美元) 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅DDR4/SODIMM/4GB/3200 11.00 0.00% 22.22% 0.00 2.00DDR4/SODIMM/8GB/3200 18.00 0.00% 16.13% 0.00 2.50DDR4/SODIMM/16GB/3200 30.00 0.00% 15.38% 0.00 4.00數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所附表8:價格復(fù)盤:2024年3月內(nèi)存條(服務(wù)器)價格平均上漲5.1%產(chǎn)品名稱3月價月漲跌幅2024年初至今漲跌幅DDR4RDIMM16GB320048.006.67%23.08%DDR4RDIMM32GB320074.002.78%27.59%DDR4RDIMM64GB3200143.005.93%30.00%數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所產(chǎn)品名稱 當(dāng)前價(美元) 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅附表9:價格復(fù)盤:2024年第12產(chǎn)品名稱 當(dāng)前價(美元) 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅eMMC/8GB/5.11.85 -5.13% -2.63% -0.10 -0.05eMMC/16GB/5.12.50 0.00% 4.17% 0.00 0.10eMMC/32GB/5.12.70 -1.82% 3.85% -0.05 0.10eMMC/64GB/5.14.75 1.06% 25.00% 0.05 0.95eMMC/128GB/5.19.00 3.45% 32.35% 0.30 2.20eMMC/256GB/5.1 17.80 1.71% 33.83% 0.30 4.50數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所產(chǎn)品名稱 當(dāng)前價(美元) 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅附表10:價格復(fù)盤:2024年第14周產(chǎn)品名稱 當(dāng)前價(美元) 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅eMCP(eMMC+LPDDR4X)64GB+32Gb 15.00 3.45% 25.00% 0.50 3.00eMCP(eMMC+LPDDR4X)128GB+32Gb 19.00 2.70% 26.67% 0.50 4.00eMCP(eMMC+LPDDR4X)128GB+48Gb 24.50 2.08% 36.11% 0.50 6.50數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所附表11:價格復(fù)盤:2024年第14周LPDDR價格平均上漲1.7%產(chǎn)品名稱當(dāng)前價 周漲跌幅2024年初至今漲跌幅 產(chǎn)品名稱 當(dāng)前價 周漲跌幅2024年初至今漲跌幅(美元) (美元)LPDDR4X/96Gb27.00 0.75% 42.11% LPDDR4X/32Gb 8.50 0.00% 13.33% 0.20 8.00 0.00 1.00LPDDR4X/64Gb20.50 2.50% 28.13% LPDDR4/16Gb 3.70 0.00% 12.12% 0.50 4.50 0.00 0.40LPDDR4X/48Gb15.00 7.14% 25.00% LPDDR4/8Gb 2.35 0.00% 6.82% 1.00 3.00 0.00 0.15數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所產(chǎn)品名稱 當(dāng)前價(美元) 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅附表12:價格復(fù)盤:2024年第14周產(chǎn)品名稱 當(dāng)前價(美元) 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅UFS/64GB 5.30 1.92% 20.45% 0.10 0.90UFS/128GB 9.50 3.26% 30.14% 0.30 2.20UFS/256GB 18.30 1.67% 32.61% 0.30 4.50數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所產(chǎn)品名稱 當(dāng)前價(美元) 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅附表13:價格復(fù)盤:2024年第14周產(chǎn)品名稱 當(dāng)前價(美元) 周漲跌幅 2024年初至今漲跌幅uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)4GB+128GB 19.00 2.70% 31.03% 0.50 4.50uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)6GB+128GB 24.50 2.08% 28.95% 0.50 5.50uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)8GB+128GB 30.00 1.69% 30.43% 0.50 7.00uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)8GB+256GB 40.00 1.27% 35.59% 0.50 10.50數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所品類 2024Q1(E) 2024Q2(品類 2024Q1(E) 2024Q2(F)PCDRAM up15%~20%(DDR4&DDR5:up15%~20%)ServerDRAM up15%~20%(DDR4:up~20%;DDR5:up15%~20%)
up3~8%(DDR4&DDR5:up3~8%)up3-8%(DDR4:up5~10%;DDR5:up3~8%)MobileDRAM up18~23% up3~8%GraphicsDRAM up13~18% up3~8%ConsumerDRAM up10~15%(DDR3:up8~13%;DDR4:up10~15%)
up3~8%DRAM up~20% up3~8%數(shù)據(jù)來源:TrendForce、研究所附表15:價格預(yù)測:預(yù)計2024Q2NANDFLASH產(chǎn)品合約價上漲13%-18%品類2024Q1(E)2024Q2(F)eMMC/UFSup25-30%up10-15%EnterpriseSSDup23-28%up20-25%ClientSSDup23-28%up10-15%3DNANDWafers(TLC&QLC)up23-28%up5-10%TotalNANDFlashup23-28%up13-18%數(shù)據(jù)來源:TrendForce、研究所附表16:價格預(yù)測:2024年DRAM&NANDFLASH產(chǎn)品合約價格全年看漲品類2024Q1(E)2024Q2(E)2024Q3(E)2024Q4(E)BlendedDRAMup13%-18%up3-8%up8%-13%up8%-13%BlendedNANDFlashup18-23%up3-8%up8%-13%up0-5%數(shù)據(jù)來源:TrendForce、研究所附表17:需求預(yù)測:預(yù)計2024年三大終端DRAM/NAND單機(jī)平均搭載容量將同比增加DRAMNANDFlash20232024(E)20232024(E)智能手機(jī)17.50%14.10%19.20%9.30%服務(wù)器13.60%17.30%14.90%13.20%筆電9.00%12.40%10.10%9.70%數(shù)據(jù)來源:TrendForce、研究所附表18:需求預(yù)測:2024年智能手機(jī)、服務(wù)器、PC出貨量預(yù)計同比增長4%/2%/8%2023E2023YoY2024F2024FYoY智能手機(jī)(億部)11.50-6.00%12.00+4.00%服務(wù)器(百萬臺)13.90-2.00%14.20+2.00%PC(億臺)2.50-14.00%2.70+8.00%數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所附圖4:供給側(cè):2023Q4DRAM市場CR3高達(dá)96.6% 附圖5:供給側(cè):2023Q4NAND場CR5高達(dá)94.1%科技,1.6%美光科技,1.6%美光,19.9%電子,0.8%1.1%三星,44.2%SK海力士32.5%
其他,
美光,10.1%
其他,5.9%西部數(shù)據(jù),13.7%
鎧俠,14.6%
三星,35.6%SK海力士+Solidigm,20.1%三星 海力士 美光 南亞科技 華邦電子 其他
三星 海力士+Solidigm 鎧俠 西部數(shù)據(jù) 美光 其他數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所 數(shù)據(jù)來源:閃存市場、研究所附表19:供給側(cè):海外三大原廠集體調(diào)升2024Q1-Q2稼動率廠商季度上調(diào)前上調(diào)后三星電子2024Q177%81%2024Q285%89%SK海力士2024Q192%94%2024Q2-95%美光2024Q195%98%2024Q2--數(shù)據(jù)來源:集微網(wǎng)、研究所附圖6:熱點賽道:三大原廠HBM3e預(yù)計于2024H2逐季放量資料來源:TrendForce附表20:熱點賽道:2023-2024HBM市場競爭格局預(yù)計將由三星和SK海力士主導(dǎo)公司20222023(E)2024(F)SK海力士50%46%~49%47%~49%三星40%46%~49%47%~49%美光10%4%~6%3%~5%數(shù)據(jù)來源:TrendForce、研究所800.87841.520%518.638%3%附圖7:熱點賽道:2024年HBM800.87841.520%518.638%3%02022 2023 2024EDRAM產(chǎn)業(yè)營收(億美元) HBM營收占比
25%20%15%10%5%0%數(shù)據(jù)來源:TrendForce,研究所附表21:熱點賽道:2024年三星海力士HBM產(chǎn)能規(guī)劃積極,美光占比提升三星SK海力士美光截至2023年底HBMTSV產(chǎn)能預(yù)估45K/m45
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