元件參數(shù)符號(hào)含義精

場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)符號(hào)意義Ta---環(huán)境溫度Cdu---漏-襯底電容Tc---管殼溫度Cgd---柵-源電容Tj---結(jié)溫Cds---漏-源電容Tjm---最大允許結(jié)溫Ciss---柵短路共源輸入電容Tstg---貯成溫度Coss---柵短路共源輸出電容VDSS---漏源擊穿電壓Crss---柵短路共源反向傳輸電容ID(ID25---漏極電流(Tc=25℃,直流di/dt---電流上升率(外電路參數(shù)RDS(on---通態(tài)漏源電阻dv/dt---電壓上升率(外電路參數(shù)PD---漏極耗散功率IDQ---靜態(tài)漏極電流(射頻功率管trr---反向恢復(fù)時(shí)間IDSM---最大漏源電流V(BRGSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓IDSS---柵-源短路時(shí),漏極電流VGSF--正向柵源電壓(直流IDS(sat---溝道飽和電流(漏源飽和電流VGSR---反向柵源電壓(直流IG---柵極電流(直流VGS(th---啟動(dòng)電壓或閥電壓IGDO---源極開路時(shí),截止柵電流Cgs---漏-源電容IGSO---漏極開路時(shí),截止柵電流IDM---漏極脈沖電流IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流VDS---漏源電壓(直流IDSS1---對(duì)管第一管漏源飽和電流VGS---柵源電壓(直流IDSS2---對(duì)管第二管漏源飽和電流PDM---漏極最大允許耗散功率Iu---襯底電流ID(on---通態(tài)漏極電流Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數(shù)ton---開通時(shí)間,Ton=Td(on+Trgfs---正向跨導(dǎo)td(on---開通延遲時(shí)間Gp---功率增益tr---上升時(shí)間Gps---共源極中和高頻功率增益toff---關(guān)斷時(shí)間,Toff=Td(off+TfGpG---共柵極中和高頻功率增益td(off---關(guān)斷延遲時(shí)間GPD---共漏極中和高頻功率增益tf---下降時(shí)間ggd---柵漏電導(dǎo)IGM---柵極脈沖電流gds---漏源電導(dǎo)IGP---柵極峰值電流K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)IF---二極管正向電流Ku---傳輸系數(shù)RDS(on---漏源通態(tài)電阻L---負(fù)載電感(外電路參數(shù)

RDS(of---漏源斷態(tài)電阻LD---漏極電感R(thjc---結(jié)殼熱阻Ls---源極電感R(thja---結(jié)環(huán)熱阻RGD---柵漏電阻VDD---漏極(直流電源電壓(外電路參數(shù)RGS---柵源電阻VGG---柵極(直流電源電壓(外電路參數(shù)Rg---柵極外接電阻(外電路參數(shù)Vss---源極(直流電源電壓(外電路參數(shù)RL---負(fù)載電阻(外電路參數(shù)VDS(on---漏源通態(tài)電壓PIN--輸入功率VGD---柵漏電壓(直流POUT---輸出功率D---占空比(占空系數(shù),外電路參數(shù)Vsu---源襯底電壓(直流PPK---脈沖功率峰值(外電路參數(shù)VDu---漏襯底電壓(直流IDS---漏源電流VGu---柵襯底電壓(直流IGF---正向柵電流Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻IGR---反向柵電流η---漏極效率(射頻功率管VDS(sat---漏源飽和電壓Vn---噪聲電壓TL---晶格溫度(Latticetemp/或指下限溫度與TH相對(duì)aID---漏極電流溫度系數(shù)Te---電子溫度(ElectrontempTe=TLards---漏源電阻溫度系數(shù)IAR(IA---雪崩電流(AvalancheCurrentEAR---重復(fù)雪崩電壓(RepetitiveAvalancheEnergy半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號(hào)及其意義Ta---環(huán)境溫度Tc---殼溫Tj(TVJ---結(jié)溫TjM(TVJM---最高結(jié)溫Tstg---溫度賠償二極管的貯成溫度VRRM---反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓IF(AV---正向平均電流IF---正向直流電流(正向測(cè)試電流。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下,通過(guò)極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許持續(xù)通過(guò)的最大工作電流(平均值,硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過(guò)的最大正向直流電流;測(cè)穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電流

trr---反向恢復(fù)時(shí)間Pd(Ptot---總耗散功率VF---正向壓降(正向直流電壓IRM---反向峰值電流IFRM---正向重復(fù)峰值電流PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率IFM(IM---正向峰值電流(正向最大電流。在額定功率下,允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IF(ov---正向過(guò)載電流

IFMP---正向脈沖電流IFSM---正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流IRRM---反向重復(fù)峰值電流V(BR---擊穿電壓VF(AV---正向平均電壓VRM---反向峰值電壓(最高測(cè)試電壓VRWM---反向工作峰值電壓VR---反向工作電壓(反向直流電壓Vs---通向電壓(信號(hào)電壓或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓Vz---穩(wěn)定電壓f---頻率Ii---

發(fā)光二極管起輝電流IP---峰點(diǎn)電流IR(AV---反向平均電流IR(In---反向直流電流(反向漏電流。在測(cè)反向特性時(shí),給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中,加反向電壓規(guī)定值時(shí),所通過(guò)的電流;硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時(shí)所通過(guò)的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。PK---最大開關(guān)功率PMP---最大漏過(guò)脈沖功率PMS---最大承受脈沖功率Pomax---最大輸出功率Po---輸出功率R(thja----結(jié)到環(huán)境的熱阻R(thjc---結(jié)到殼的熱阻r(th---瞬態(tài)電阻Rth----熱阻td---延遲時(shí)間tfr---正向恢復(fù)時(shí)間tf---下降時(shí)間tgt---門極控制極開通時(shí)間tg---電路換向關(guān)斷時(shí)間toff---關(guān)斷時(shí)間ton---開通時(shí)間tr---上升時(shí)間Vc---整流輸入電壓V---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓DRMav---電壓溫度系數(shù)a---溫度系數(shù)IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流i---反向恢復(fù)電流riR---反向總瞬時(shí)電流Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流PFT(AV---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β蔖FTM---正向峰值耗散功率PFT---正向?qū)偹矔r(shí)耗散功率PR---反向浪涌功率Rs(rs----串聯(lián)電阻ts---存儲(chǔ)時(shí)間Vop---工作電壓Vp---峰點(diǎn)電壓IH---恒定電流、維持電流。Vth---閥電壓(門限電壓Cs---管殼電容或封裝電容CTV---電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下,穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比CT---勢(shì)壘電容Ct---總電容Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過(guò)的工作電流△

λ---光譜半寬度△VF---正向壓降差△Vz---穩(wěn)壓范疇電壓增量Cjo/Cjn---結(jié)電容變化Cjo---零偏壓結(jié)電容Cjv---偏壓結(jié)電容Cj---結(jié)(極間電容,

表達(dá)在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容Co---零偏壓電容CTC---電容溫度系數(shù)Cvn---標(biāo)稱電容di/dt---通態(tài)電流臨界上升率dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流ICM---最大輸出平均電流IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流ID---暗電流IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流IEM---發(fā)射極峰值電流iF---正向總瞬時(shí)電流IGFM---控制極正向峰值電流IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流IOM---最大正向(整流電流。在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時(shí)電流;在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許持續(xù)通過(guò)鍺檢波二極管的最大工作電流Iop---工作電流Irp---反向恢復(fù)電流IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流IRSM---反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流IV---谷點(diǎn)電流Izk---穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過(guò)的電流I---穩(wěn)壓二極管浪涌電流ZSMIz---穩(wěn)定電壓電流(反向測(cè)試電流。測(cè)試反向電參數(shù)時(shí),給定的反向電流n---電容變化指數(shù);電容比PB---承受脈沖燒毀功率PC---控制極平均功率或集電極耗散功率PGM---門極峰值功率PG---門極平均功率Pi---輸入功率Psc---持續(xù)輸出功率PSM---不重復(fù)浪涌功率PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率Q---優(yōu)值(品質(zhì)因素r

δ---衰減電阻RBB---雙基極晶體管的基極間電阻RE---射頻電阻RF(r---正向微分電阻。在正向?qū)〞r(shí),電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流對(duì)應(yīng)增加△I,則△V/△I稱微分電阻RL---負(fù)載電阻Rz(ru---動(dòng)態(tài)電阻V

v---谷點(diǎn)電壓VB2B1---基極間電壓VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓VB---反向峰值擊穿電壓VEB---飽和壓降VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓VGD---門極不觸發(fā)電壓VGFM---門極正向峰值電壓VGRM---門極反向峰值電壓VGT---門極觸發(fā)電壓Vk---膝點(diǎn)電壓(穩(wěn)流二極管VL

---極限電壓Vn---中心電壓VOM---最大輸出平均電壓Vo---交流輸入電壓δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移η---單結(jié)晶體管分壓比或效率λp---發(fā)光峰值波長(zhǎng)雙極型晶體管參數(shù)符號(hào)及其意義Ta---環(huán)境溫度T---管殼溫度cTj---結(jié)溫tstg---溫度賠償二極管的貯成溫度VCEO---發(fā)射極接地,基極對(duì)地開路,集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。P(Ptot---總耗散功率dtrr---反向恢復(fù)時(shí)間hFE---共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)ts---存貯時(shí)間fT---特性頻率ICMP---集電極最大允許脈沖電流PCM---集電極最大允許耗散功率Pc---集電極耗散功率Po---輸出功率td---延遲時(shí)間tfr---正向恢復(fù)時(shí)間tf---下降時(shí)間tgt---門極控制極開通時(shí)間toff---關(guān)斷時(shí)間ton---開通時(shí)間tr---上升時(shí)間Ts---結(jié)溫Vcc---集電極(直流電源電壓(外電路參數(shù)VEE---發(fā)射極(直流電源電壓(外電路參數(shù)av---電壓溫度系數(shù)a---溫度系數(shù)BV

cer---基極與發(fā)射極串接一電阻,CE結(jié)擊穿電壓BVcbo---發(fā)射極開路,集電極與基極間擊穿電壓BVceo---基極開路,CE結(jié)擊穿電壓BVces---基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓BVebo---

集電極開路EB結(jié)擊穿電壓Ccb---集電極與基極間電容Cce---發(fā)射極接地輸出電容Cc---集電極電容Cib---共基極輸入電容Cic---集電結(jié)勢(shì)壘電容Cieo---共發(fā)射極開路輸入電容Cies---共發(fā)射極短路輸入電容Cie---共發(fā)射極輸入電容Ci---輸入電容Cjo/Cjn---結(jié)電容變化Cjo---零偏壓結(jié)電容Cjv---偏壓結(jié)電容Cj---結(jié)(極間電容,

表達(dá)在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容CL---負(fù)載電容(外電路參數(shù)Cn---中和電容（外電路參數(shù)）Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容Coeo---共發(fā)射極開路輸出電容Coe---共發(fā)射極輸出電容Co---零偏壓電容Co---輸出電容Cp---并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）Cre---共發(fā)射極反饋電容Cs---管殼電容或封裝電容CTC---電容溫度系數(shù)CTV---電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下，穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比Ct---總電容Cvn---標(biāo)稱電容di/dt---通態(tài)電流臨界上升率dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率D---占空比ESB---二次擊穿能量fmax---最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時(shí)的工作頻率f---頻率h

RE---共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)hfe---共發(fā)射極小信號(hào)短路電壓放大系數(shù)hIE---共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗hie---共發(fā)射極小信號(hào)短路輸入阻抗

hOE---共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)hoe---共發(fā)射極小信號(hào)開路輸出導(dǎo)納hre---共發(fā)射極小信號(hào)開路電壓反饋系數(shù)IAGC---正向自動(dòng)控制電流IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IBM---在集電極允許耗散功率的范疇內(nèi)，能持續(xù)地通過(guò)基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值IB---基極直流電流或交流電流的平均值Icbo---基極接地，發(fā)射極對(duì)地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流Iceo---發(fā)射極接地，基極對(duì)地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Icer---基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R，集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Ices---發(fā)射極接地，基極對(duì)地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Icex---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流