集成電路制造工藝員（三級）考試真題及答案三

集成電路制造工藝員(三級)考試真題及答案三

1、單選(江南博哥)早期，研究離子注入技術(shù)是用()來進(jìn)行的。

A.重離子加速器

B.熱擴(kuò)散爐

C.質(zhì)子分析儀

D.輕離子分析器

答案：

?單選A()主要是以化學(xué)反應(yīng)方式來進(jìn)行薄膜沉積的。

A.PVD

B.CVD

C.濺射

D.蒸發(fā)

答案：B

3、單選銅互連金屬多層布線中，磨料的粒徑一般為()。

A.5?10nm

B.20~30nm

C.50~80nm

D.100~200nm

答案：B

4、單選降低靶的溫度，有利于非晶層的形成，所以臨界注入量隨之()o

A.增大

B堿小

C.不變

D.變?yōu)?

答案：B

5、單選dryvacuumpump的意思是()。

A.擴(kuò)散泵

B.誰循環(huán)泵

C.干式真空泵

D.路茲泵

答案：C

6、單選我們可以從測量去離子水的酸度來判別陰陽樹脂誰先失效，陰樹脂先失

效，水呈()性。

A.酸

B堿

C.弱酸

D.弱堿

答案：A

7、單選當(dāng)注入劑量增加到某個值時，損傷量不再增加，趨于飽和。開始飽和的

注入劑量稱為OO

A.臨界劑量

B.飽和劑量

C.無損傷劑量

D.零點(diǎn)劑量

答案：A

8、單選如果固體中的原子排列情況是紊亂的，就稱之為()o

A.單晶靶

B.超晶靶

C.多晶靶

D.非晶靶

答案：D

9、單選檢驗(yàn)水中是否有鹽酸，可用()溶液滴入水中，如果出現(xiàn)白色沉淀，就

表示水中有鹽酸。

A.氧化銅

B.硝酸鎂

C.硝酸銀

D.氯化銅

答案:C

10、多選直流二極管輝光放電系統(tǒng)是由()構(gòu)成。

A.抽真空的玻璃管

B.抽真空后再充入某種低壓氣體的玻璃管

C.兩個電極

D.加速器

E.增益管

答案：B,C

11、單選ESD產(chǎn)生()種不同的靜電總類。

A.1

B.4

C.3

D.2

答案：D

12、單選局域網(wǎng)中使用中繼器的作用是()o

A.可以實(shí)現(xiàn)兩個以上同類網(wǎng)絡(luò)的聯(lián)接

B.可以實(shí)現(xiàn)異種網(wǎng)絡(luò)的互連

C.實(shí)現(xiàn)信號的收集、緩沖及格式的變換

D.實(shí)現(xiàn)傳遞信號的放大和整形

答案：D

13、單選()是與氣體輝光放電現(xiàn)象密切想關(guān)的一種薄膜淀積技術(shù)。

A.蒸鍍

B.離子注入

C.濺射

D.沉積

答案：C

14、單選光刻工藝中，脫水烘焙的最初溫度是()o

A.150-200℃

B.200C左右

C.250C左右

D.300C左右

答案：A

15、單選干氧氧化中，氧化爐內(nèi)的氣體壓力應(yīng)()一個大氣壓。

A.稍高于

B.大大于

C.等于

D.沒有要求

答案：A

16、單選靜電偏轉(zhuǎn)電極和靜電掃描器都是()電容器。

A.片狀

B.針尖狀

C.圓筒狀

D.平行板

答案：D

17、單選在實(shí)際工作中，常常需要知道離子注入層內(nèi)損傷量按()的分布情況。

A.長度

B.深度

C.寬度

D.表面平整度

答案：B

18、多選擴(kuò)散工藝使雜質(zhì)由半導(dǎo)體晶片表面向內(nèi)部擴(kuò)散，改變了晶片(),所

以晶片才能被人們所使用。

A.內(nèi)部的雜質(zhì)分布

B.表面的雜質(zhì)分布

C.整個晶體的雜質(zhì)分布

D.內(nèi)部的導(dǎo)電類型

E.表面的導(dǎo)電類型

答案：A,E

19、單選()的氣體源中一般包含H+,C+,B+,C1+,0+等離子。

A.C12

B.BC13

C.C02

D.H2

答案：B

20、單選射程在垂直入射方向的平面內(nèi)的投影長度稱之為()o

A.投影射程

B.射程縱向分量

C.射程橫向分量

D.有效射程

答案：C

21、單選擴(kuò)散爐中的管道一般都是用()制作。

A.陶瓷

B.玻璃

C.石英

D.金屬

答案：C

22、單選在空位擴(kuò)散中，如果遷移到空位的原子是基質(zhì)原子，擴(kuò)散屬于()o

A.推擠擴(kuò)散

B.雜質(zhì)擴(kuò)散

C.填隙擴(kuò)散

D.自擴(kuò)散

答案：D

23、單選()就是用功率密度很高的激光束照射半導(dǎo)體表面，使其中離子注入

層在極短的時間內(nèi)達(dá)到高溫，消除損傷。

A.熱退火

B.激光退火

C.連續(xù)激光退火

D.脈沖激光退火

答案：B

24、單選由于水中陰陽離子都有導(dǎo)電能力，所以水的()越高，水中離子數(shù)就

越少。

A.電阻率

B.電導(dǎo)率

C.電阻

D.電導(dǎo)

答案：A

25、單選離子散射方向與入射方向的夾角，稱為()o

A.漸近角

B.偏折角

C.散射角

D.入射角

答案：C

26、單選半導(dǎo)體硅常用的受主雜質(zhì)是()o

A.錫

B硫

C.硼

D.磷

答案：C

27、單選樹脂的外形為()的球狀顆粒。

A.淡黃色或褐色

B.黑色或棕色

C.淡紅色或褐色

D.淡藍(lán)色或棕色

答案：A

28、單選以下屬于口腔醫(yī)務(wù)人員個人保護(hù)措施的是()

A.手套

B.口罩

C.防護(hù)鏡

D.保護(hù)性工作服

E.以上均是

答案：E

29、單選有機(jī)性氣體大多產(chǎn)生在下列哪道工藝()o

A.離子注入

B.刻蝕

C.擴(kuò)散

D.光刻

答案：D

30、單選濺鍍法，因?yàn)槠潆A梯覆蓋的能力不良，很容易造成因填縫不完全所留

下的()。

A.鳥嘴

B.空洞

C.裂痕

D.位錯

答案：B

31、多選凈化室里廢氣收集管系統(tǒng)分為兩類，分別是()。

A.一般排氣系統(tǒng)

B.特殊排氣系統(tǒng)

C.制程排氣系統(tǒng)

D.專用排氣系統(tǒng)

E.排氣排水系統(tǒng)

答案：A,C

32、單選在確定擴(kuò)散率的實(shí)驗(yàn)中，擴(kuò)散層電阻的測量可以用()測量。

A.SIMS技術(shù)

B.擴(kuò)展電阻技術(shù)

C微分電導(dǎo)率技術(shù)

D.四探針技術(shù)

答案：D

33、多選下列物質(zhì)中是結(jié)晶形態(tài)二氧化硅的有()o

A.硅土

B.石英

C.磷石英

D.玻璃

E.水晶

答案：B,C,E

34、多選二氧化硅薄膜厚度的測量方法有()o

A.比色法

B.雙光干涉法

C.橢圓偏振光法

D.腐蝕法

E.電容-電壓法

答案：A,B,C,D,E

35、單選銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無法以化學(xué)反應(yīng)來

進(jìn)行，而必須施以()0

A.等離子體刻蝕

B.反應(yīng)離子刻蝕

C.濕法刻蝕

D.濺射刻蝕

答案：D

36、單選分析器是一種()分選器。

A.電子

B.中子

C.離子

D.質(zhì)子

答案：C

37、單選危害半導(dǎo)體工藝的典型金屬雜質(zhì)是()o

A.2族金屬

B.堿金屬

C.合金金屬

D.稀有金屬

答案：B

38、多選二氧化硅層中的鈉離子可能來源于()o

A.玻璃器皿

B.高溫器材

C.人體沾污

D.化學(xué)試劑

E.去離子水

答案：A,B,C,D,E

39、單或二限分析擴(kuò)散系數(shù)，考慮兩種條件，即恒定表面濃度條件和()。

A.恒定總摻雜劑量

B.不恒定總摻雜劑量

C.恒定雜志濃度

D.不恒定雜志濃度

答案：A

40、單選請?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出硅化金屬的英文簡稱：()o

A.Oxide

B.Nitride

C.Silicide

D.Polycide答案：C

41、多選去正膠常用的溶劑有()

A.丙酮

B.氫氧化鈉溶液

C.丁酮

D.甲乙酮

E.熱的氯化碳?xì)浠衔?/p>

答案：A,B,C,D

42、單選在刻蝕二氧化硅過程中假如我們在CF4的()內(nèi)加入適量的氫氣，能

夠降低刻蝕的速率。

A.氣體

B.等離子體

C.固體

D.液體

答案：B

43、單選硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對器件穩(wěn)定性影響最大的離子是

()0

A.鈉

B.鉀

C.氫

D硼

答案：A

44、單選用電容一電壓技術(shù)來測量擴(kuò)散剖面分布是用了()的原理。

A.pn結(jié)理論

B.歐姆定律

C.庫侖定律

D.四探針技術(shù)

答案：A

45、單選在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在950?1100C的條件下，擴(kuò)散

時間大約()為宜。

A.4?6h

B.50min?2h

C.10?40min

D.5?lOmin

答案：C

46、單選由于離子交換樹脂反應(yīng)，它既可以去除水中雜質(zhì)離子，又可以將失效

樹脂進(jìn)行處理，恢復(fù)交換能力，所以稱為()反應(yīng)。

A.置換

B.化學(xué)

C.不可逆

D.可逆

答案：D

47、單選真空蒸發(fā)又被人們稱為()o

A.真空沉積

B.真空鍍膜

C.真空外延

D.真空答案：B

48、、單親損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的()的分布密切相關(guān)。

A.能量淀積

B.動量淀積

C.能量振蕩

D.動量振蕩

答案：A

49、多選解決氧化層中的鈉離子沾污的方法有()o

A.加強(qiáng)工藝操作

B.加強(qiáng)人體和環(huán)境衛(wèi)生

C.使用高純化學(xué)試劑、高純水和超凈設(shè)備

D.采用HC1氧化工藝

E.硅片清洗后，要充分烘干，表面無水跡

答案：A,B,C,D,E

50、單選引出系統(tǒng)要求能引出分散性較好的強(qiáng)束流，還希望具有較()的氣阻。

A.無序

B.穩(wěn)定

C.小

D.大

答案：D

51、單選下列關(guān)于曝光后烘烤的說法正確的是()o

A.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分

B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應(yīng)

C.烘烤的溫度一般在300℃左右

D.烘烤的時間越長越好

答案：B

52、單選真空鍍膜室內(nèi)，在蒸發(fā)源加熱器與襯底加熱器之間裝有活動擋板，用

來()。

A.隔擋氣體交換

B提制蒸發(fā)的過程

C.輔助熱量交換

D.溫度調(diào)節(jié)

答案：B

53、多選哪種方法可以增加缺陷的積累率而降低臨界注入量：()o

A.低溫注入

B.常溫注入

C.高溫注入

D.分子注入

E.雙注入

答案：A,D,E

54、多選超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有()。

A.高分辨率

B.高靈敏度

C.精密的套刻對準(zhǔn)

D.大尺寸

E.低缺陷

答案：A,B,C,D,E

55、單或速通片前方設(shè)一抑制柵，作用是將()抑制回去，從而保證測量的準(zhǔn)

確性。

A.二次電子

B.二次中子

C.二次質(zhì)子

D.無序離子

答案：A

56、單選請?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出多晶硅化金屬的英文簡稱：()o

A.Oxide

B.Nitride

C.Silicide

D.Polycide答案：D

57、多選下列擴(kuò)散雜質(zhì)源中，()不僅是硅常用的施主雜質(zhì)，也是錯常用的施

主雜質(zhì)。

A硼

B錫

c鍋

D磷

碑

除

E.答

：C,D

58、單選采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是()的。

A.結(jié)晶形態(tài)

B.非結(jié)晶形態(tài)

C.可能是結(jié)晶形態(tài)的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的

D.以上都不對

答案：B

59、單選在VLSI工藝中，常用的前烘方法是()o

A.熱空氣對流法

B.真空熱平板傳導(dǎo)法

C.紅外線輻射法

D.射頻感應(yīng)加熱法

答案：B

60、單選在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，磷的擴(kuò)散溫度為()o

A.600?750℃

B.900?1050C

C.1100—1250℃

D.950-1100℃

答案：B

61、多選對于非晶靶，離子注入的射程分布取決于()o

A.入射離子的能量

B.入射離子的質(zhì)量

C.入射離子的原子序數(shù)

D.靶原子的質(zhì)量、原子序數(shù)、原子密度

E.注入離子的總劑量

答案：A,B,C,D,E

62、多壺者黃光刻膠的顯影下列說法錯誤的是()o

A.負(fù)膠受顯影液的影響比較小

B.正膠受顯影液的影響比較小

C.正膠的曝光區(qū)將會膨脹變形

D.使用負(fù)膠可以得到更高的分辨率

E.負(fù)膠的曝光區(qū)將會膨脹變形

答案：A,C,D

63、單窟獷散工藝現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于制作()o

A.晶振

B.電容

C.電感

D.PN結(jié)

答案：D

64、單選下列哪些因素不會影響到顯影效果的是()o

A.顯影液的溫度

B.顯影液的濃度

C.顯影液的溶解度

D.顯影液的化學(xué)成分

答案：C

65、單選()是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時的飽和蒸汽壓來進(jìn)

行薄膜沉積的。

A.蒸鍍

B.濺射

C.離子注入

D.CVD

答案：A

66、單選()是因?yàn)槲皆釉诰砻嫔媳舜伺鲎膊⒔Y(jié)合所形成的。

A.晶核

B.晶粒

C核心

D.核團(tuán)

答案：A

67、多選關(guān)于正膠和負(fù)膠在顯影時的特點(diǎn)，下列說法正確的是()o

A.負(fù)膠的感光區(qū)域溶解

B.正膠的感光區(qū)域溶解

C.負(fù)膠的感光區(qū)域不溶解

D.正膠的感光區(qū)域不溶解

E.負(fù)膠的非感光區(qū)域溶解

答案：B,C,E

68、單選當(dāng)二氧化硅膜很薄時，膜厚與時間()o

A.t2成正比

B.t2成反比

C.t成正比

D.t成反比

答案：C

69、單選企業(yè)的戰(zhàn)略一般由四個要素組成，即經(jīng)營范圍、資源配置、競爭優(yōu)勢

以及協(xié)同合作，其中協(xié)同合作是指企業(yè)通過共同的努力達(dá)到()。

A.分力之和大于簡單相加的結(jié)果

B.分力之和等于簡單相加

C.共享開發(fā)工具、共享信息

D.共同分擔(dān)著開發(fā)失敗的風(fēng)險(xiǎn)

答案：A

70、多選靜電釋放帶來的問題有哪些()o

A.金屬電遷移

B.金屬尖刺現(xiàn)象

C.芯片產(chǎn)生超過1A的峰值電流

D.柵氧化層擊穿

E.吸引帶電顆?；驑O化并吸引中性顆粒到硅片表面

答案：C,D,E

71、單選半導(dǎo)體硅常用的施主雜質(zhì)是()。

A.錫

B.硫

C硼

D.磷

答案：D

72、單選二氧化硅薄膜的折射率是表征其()學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。

A.電

B.磁

C.光

D.熱

答案：C

73、單選在刻蝕()過程中假如我們在CF5的等離子體內(nèi)加入適量的氧氣，能

夠提高刻蝕的速率。

A.銅

B.鋁

C.金

D.二氧化硅

答案：D

74、單選晶體中，每個原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置時其勢

能為()。

A.極大值

B.極小值

C.既不極大也不極小

D.小于動能

答案：B

75、、單選用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電

極的()。

A.重要步驟

B.次要步驟

C.首要步驟

D.不一定

答案：C

76、單選目前，最廣泛使用的退火方式是()。

A.熱退火

B.激光退火

C.電子束退火

D.離子束退火

答案：A

77、單選菲克一維擴(kuò)散定律公式中的J是代表單位面積溶質(zhì)()o

A.傳輸率

B.載流子濃度

C.擴(kuò)散梯度

D.擴(kuò)散系數(shù)

答案：A

78、單選當(dāng)注入劑量增加到某個值時，損傷量不再增加，趨于飽和。飽和正是

對應(yīng)連續(xù)()的形成。

A.非晶層

B.單晶層

C.多晶層

D.超晶層

答案：A

79、多選離子注入的主要?dú)怏w源中，易燃、易爆的有()。

A.碑化氫

B.二硼化氫

C.三氟化硼

D碓烷

E.氧氣

答案：A,B,D

80、單或策子束蒸發(fā)的設(shè)備中產(chǎn)生電子束的裝置稱為()o

A.電子源

B.電子泵

C.電子管

D.電子槍

答案：D

81、多選電氣測量儀表若按照電流的種類來分，有()o

A.低壓儀表

B.高壓儀表

C.直流儀表

D.交流儀表

E.交直流儀表

答案：&D,E

82、多選下列有關(guān)ARC工藝的說法正確的是()o

A.ARC可以是硅的氮化物

B.可用干法刻蝕除去

C.ARC膜可以通過PVD或者CVD的方法形成

D.ARC在刻蝕中也可做為掩蔽層

E.ARC膜也可以通過CVD的方法形成

答案:A,B,C,D,E

83、單選為了避免()在經(jīng)過氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕,

必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來除去這些表面殘留物。

A.多晶硅

B.單晶硅

C.鋁硅銅合金

D.銅

答案：C

84、單選復(fù)合床和混合床可以串聯(lián)使用。復(fù)合床就是指將陽樹脂和陰樹脂分別

裝在兩個()內(nèi)串接起來。

A.交換柱

B.混合床

C.混合柱

D.復(fù)合柱

答案：A

85、單選將具有交換能力的陽樹脂和陰樹脂按一定比例混合后，裝在聚氯乙稀

或有機(jī)玻璃做的圓柱形交換柱內(nèi)，自來水()通過交換柱就能稱為高純度去離子

水。

A.自上而下

B.自下而上

C.自左而右

D.自右而左

答案:A

86、單選激光退火目前有()激光退火兩種。

A.一般和特殊

B.脈沖和連續(xù)

C.IWJ溫.和低溫

D.快速和慢速

答案：B

87、多選在半導(dǎo)體制造中，熔斷絲可以應(yīng)用在()o

A.MOS柵極

B.保護(hù)性元件

C.電容器極板

D.制造只讀存儲器PROM

E.晶圓背面電鍍

答案：B,D

88、單選硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分

子或其它粒子，它們主要是通過()到達(dá)晶片表面的。

A.粒子的擴(kuò)散

B.化學(xué)反應(yīng)

C.從氣體源通過強(qiáng)迫性的對流傳送

D.被表面吸附

答案：A

89、單選在酸性漿料中，最常使用的氧化劑為()o

A.硝酸

B.硝酸銅

C硫酸

D.磺酸答案：A

90、單選在將清洗完的硅片放進(jìn)擴(kuò)散爐擴(kuò)散時，需要將硅片先裝入()，然后

再裝入擴(kuò)散爐。

A.耐熱陶瓷器皿

B.金屬器皿

C.石英舟

D.玻璃器皿

答案：C

91、多選在對層間絕緣膜進(jìn)行CMP時，層間絕緣膜的表面會隨下列那些因素產(chǎn)

生變化()0

A.電路圖形結(jié)構(gòu)的凹凸

B.尺寸大小

C.位置分布

D.高度

E.密集程度

答案：A,B,C,D,E

92、單松山西物半導(dǎo)體碑化綠常用的施主雜質(zhì)是()o

A.錫

B.硼

C.磷

D.鎰

答案：A

93、單選()方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛

的技術(shù)。

A.蒸鍍

B.離子注入

C濺射

D.沉積

答案：C

94、單選()由鐘罩、蒸氣源加熱器、襯底加熱器、活動擋板和底盤構(gòu)成。

A.真空鍍膜機(jī)

B.真空鍍膜室

c.真空鍍膜器

D.真空鍍膜儀

答案：B

95、單選大硅片上生長的()的不均勻和各個部位刻蝕速率的不均勻會導(dǎo)致刻

蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。

A.薄膜厚度

B.圖形寬度

C.圖形長度

D.圖形間隔

答案：A

96、單選離子從進(jìn)入靶起到停止點(diǎn)所通過的總路程稱作()o

A.離子距離

B.靶厚

C.射程

D.注入深度

答案：C

97、單選在深紫外曝光中，需要使用CA光刻膠，CA的含義是()o

A.化學(xué)增強(qiáng)

B.化學(xué)減弱

C.厚度增加

D.厚度減少

答案：A

98、多選為了滿足半導(dǎo)體器件對金屬材料的低電阻連接以及可靠的要求，金屬

材料應(yīng)該滿足()0

A.低電阻率

B.易與p或n型硅形成歐姆接觸

C.可與硅或二氧化硅反應(yīng)

D.易于光刻

E.便于進(jìn)行鍵合

答案：A,B,D,E

99、單選離子源產(chǎn)生的離子在()的加速電場作用下得到加速。

A.分析器

B.掃描器

C.加速器

D.偏轉(zhuǎn)器

答案：C

100、多選在半導(dǎo)體工藝中，如果淀積的薄膜不是連續(xù)的，存在一些空隙，則

()O

A.使薄膜的介電常數(shù)變大

B.可能引入雜質(zhì)

C.可能使薄膜層間短路

D.使薄膜介電常數(shù)變小

E.可能使薄膜厚度增加

答案：B,C

51、單或()是指每個入射離子濺射出的靶原子數(shù)。

A.濺射率

B.濺射系數(shù)

C.濺射效率

D.濺射比

答案：A

52、單選在半導(dǎo)體器件制造中，對清洗用水的純度有比較高的要求，要用經(jīng)過

純化的()作為清潔用水。

A.蒸儲水

B.自來水

C.去離子水

D.礦泉水

答案：C

53、多選解決氧化層中的鈉離子沾污的方法有()o

A.加強(qiáng)工藝操作

B.加強(qiáng)人體和環(huán)境衛(wèi)生

C.使用高純化學(xué)試劑、高純水和超凈設(shè)備

D.采用HC1氧化工藝

E.硅片清洗后，要充分烘干，表面無水跡

答案：A,B,C,D,E

54、單或祭屋中，每個原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置時其勢

能為()。

A.極大值

B極小值

C.既不極大也不極小

D.小于動能

答案：B

55、多選關(guān)于正膠和負(fù)膠在顯影時的特點(diǎn)，下列說法正確的是()o

A.負(fù)膠的感光區(qū)域溶解

B.正膠的感光區(qū)域溶解

C.負(fù)膠的感光區(qū)域不溶解

D.正膠的感光區(qū)域不溶解

E.負(fù)膠的非感光區(qū)域溶解

答案：B,C,E

56、單癥.鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是()雜質(zhì)。

A.替位式

B.間隙式

C施主

D.可能是替位式也可能是間隙式

答案：B

57、單選在各種離子源常用的放電方式中，EOS是指有()o

A.電子振蕩放電

B.離子自動放電

C.低電壓弧光放電

D.雙等離子電弧放電

答案：A

58、單選在酸性漿料中，最常使用的氧化劑為()o

A.硝酸

B.硝酸銅

C硫酸

D.磺酸答案：A

59、單選下列哪些元素在硅中是快擴(kuò)散元素：()o

A.Na

B.B

C.P

D.As

答案：A

60＞單選我們可以從測量去離子水的酸度來判別陰陽樹脂誰先失效，陰樹脂先

失效，水呈()性。

A.酸

B.堿

C.弱酸

D.弱堿

答案：A

61、、單選企業(yè)的戰(zhàn)略一般由四個要素組成，即經(jīng)營范圍、資源配置、競爭優(yōu)勢

以及協(xié)同合作，其中協(xié)同合作是指企業(yè)通過共同的努力達(dá)到()o

A.分力之和大于簡單相加的結(jié)果

B.分力之和等于簡單相加

C.共享開發(fā)工具、共享信息

D.共同分擔(dān)著開發(fā)失敗的風(fēng)險(xiǎn)

答案：A

62、單選陽樹脂用鹽酸做再生液，濃度為()溶液可用原水配制。

A.5%

B.10%

C.15%

D.20%

答案：B

63、單選離子散射方向與入射方向的夾角，稱為()o

A.漸近角

B.偏折角

C.散射角

D.入射角

答案：C

64、多選下列有關(guān)ARC工藝的說法正確的是。

A.ARC可以是硅的氮化物

B.可用干法刻蝕除去

C.ARC膜可以通過PVD或者CVD的方法形成

D.ARC在刻蝕中也可做為掩蔽層

E.ARC膜也可以通過CVD的方法形成

答案:A,B,C,D,E

65、單選降低靶的溫度，有利于非晶層的形成，所以臨界注入量隨之()o

A.增大

B堿小

C不變

D.變?yōu)?

答案：B

66、多選下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有()o

A.CF4

B.BC13

C.C12

D.F2

E.CHF3

答案：B,C

67、單良奉獻(xiàn)社會的實(shí)質(zhì)是()o

A.獲得社會的好評

B.盡社會義務(wù)

C.不要回報(bào)的付出

D.為人民服務(wù)

答案：C

68、單選在新一代的CMP中，有使用()磨料在金屬表面上形成軟質(zhì)皮膜并加

以去除的趨勢。

A.二氧化鎰

B.鋁

C.氧化鋁

D.金剛石

答案：A

69、多選薄膜沉積的機(jī)構(gòu)包括那些步驟()o

A.形成晶核

B.晶粒成長

C.晶粒凝結(jié)

D.縫道填補(bǔ)

E.沉積膜成長

答案：A,B,C,D,E

70、多3%'若是指半導(dǎo)體制造過程中引入半導(dǎo)體硅片的任何危害微芯片()的

不希望有的物質(zhì)。

A.功能

B.成品率

C.物理性能

D.電學(xué)性能

E.外觀

答案：B,D

71、多選樹脂使用過程中需保持一定溫度，陽樹脂和陰樹脂分別不能高于()

度，使用溫度不能過低，低于0度會使樹脂凍裂。

A.80

B.60

C.40

D.20

E.10

答案：A,C

72、單速通常熱擴(kuò)散分為兩個大步驟，其中第一個步驟是()o

A.再分布

B.等表面濃度擴(kuò)散

C.預(yù)淀積

D.等總摻雜劑量擴(kuò)散

答案：C

73、單選早期，研究離子注入技術(shù)是用()來進(jìn)行的。

A.重離子加速器

B.熱擴(kuò)散爐

C.質(zhì)子分析儀

D.輕離子分析器

答案：A

74、單項(xiàng)選擇題硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多

氣體分子或其它粒子，它們主要是通過（）到達(dá)晶片表面的。

A.粒子的擴(kuò)散

B.化學(xué)反應(yīng)

C.從氣體源通過強(qiáng)迫性的對流傳送

D.被表面吸附

答案：A

75、單選將具有交換能力的陽樹脂和陰樹脂按一定比例混合后，裝在聚氯乙稀

或有機(jī)玻璃做的圓柱形交換柱內(nèi)，自來水（）通過交換柱就能稱為高純度去離子

水。

A.自上而下

B.自下而上

C.自左而右

D.自右而左

答案：A

76、單選擴(kuò)散工藝現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于制作（）o

A.晶振

B.電容

C.電感

D.PN結(jié)

答案：D

77、單選買來的新樹脂往往是Na型或Q型，新樹脂使用前必須分別用酸（陽

樹脂），堿（陰樹脂）浸泡約（）個小時，把Na型或Q型轉(zhuǎn)換成H型或0H型。

A.3

B.4

C.5

D.6

答案：B

78、單選（）是與氣體輝光放電現(xiàn)象密切想關(guān)的一種薄膜淀積技術(shù)。

A.蒸鍍

B.離子注入

C.濺射

D.沉積

答案：C

79、多選對于非晶靶，離子注入的射程分布取決于()o

A.入射離子的能量

B.入射離子的質(zhì)量

C.入射離子的原子序數(shù)

D.靶原子的質(zhì)量、原子序數(shù)、原子密度

E.注入離子的總劑量

答案:A,B,C,D,E

80、單選離子注入裝置的主要部件有()、分析器、加速聚焦系統(tǒng)等。

A.中子源

B.離子源

C電子源

D.質(zhì)子源

答案：B

81、單選復(fù)合床和混合床可以串聯(lián)使用。復(fù)合床就是指將陽樹脂和陰樹脂分別

裝在兩個()內(nèi)串接起來。

A.交換柱

B.混合床

C.混合柱

D.復(fù)合柱

答案：A

82、單選銅互連金屬多層布線中，磨料的粒徑一般為()。

A.5~10nm

B.20~30nm

C.50~80nm

D.100~200nm

答案：B

83、單選物理氣相沉積簡稱()o

A.LVD

B.PED

C.CVD

D.PVD

答案：D

84、單選光刻的主要工藝流程按照操作順序是()o

A.涂膠、前烘、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠

B.涂膠、前烘、堅(jiān)膜、曝光、顯影、去膠

C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、去膠

D.前烘、涂膠、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠

答案：C

85、單選請?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出多晶硅化金屬的英文簡稱：()o

A.Oxide

B.Nitride

C.Silicide

D.Polycide答案：D

86、單選菲克一維擴(kuò)散定律公式中的J是代表單位面積溶質(zhì)()o

A.傳輸率

B.載流子濃度

C.擴(kuò)散梯度

D.擴(kuò)散系數(shù)

答案：A

87、單選固體中的擴(kuò)散模型主要有填隙機(jī)制和()o

A.自擴(kuò)散機(jī)制

B.雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)制

C.空位機(jī)制

D.菲克擴(kuò)散方程機(jī)制

答案：C

88、單選TCP/IP協(xié),議中的TCP相當(dāng)于OSI中的()。

A.應(yīng)用層

B.網(wǎng)絡(luò)層

C.物理層

D.傳輸層

答案：D

89、單選多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對()的高選擇性。超薄的柵氧化層

使得在刻蝕多晶硅電極時對柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.單晶硅

D.多晶硅

答案：A

90、單選損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的()的分布密切相關(guān)。

A.能量淀積

B.動量淀積

C.能量振蕩

D.動量振蕩

答案：A

91、單選()的氣體源中一般包含H+,C+,B+,C1+,0+等離子。

A.C12

B.BC13

C.C02

D.H2

答案：B

92、單選濺鍍法，因?yàn)槠潆A梯覆蓋的能力不良，很容易造成因填縫不完全所留

下的()。

A.鳥嘴

B.空洞

C.裂痕

D.位錯

答案：B

93、多選二氧化硅膜的質(zhì)量要求有()o

A.薄膜表面無斑點(diǎn)

B.薄膜中的帶電離子含量符合要求

C.薄膜表面無針孔

D.薄膜的厚度達(dá)到規(guī)定指標(biāo)

E.薄膜厚度均勻，結(jié)構(gòu)致密

答案:A,B,C,D,E

94、單選由于離子交換樹脂反應(yīng)，它既可以去除水中雜質(zhì)離子，又可以將失效

樹脂進(jìn)行處理，恢復(fù)交換能力，所以稱為()反應(yīng)。

A.置換

B.化學(xué)

C.不可逆

D.可逆

答案：D

95、單選懸浮在空氣中的顆粒稱為()o

A.懸浮物

B.塵埃

C.污染顆粒

D.浮質(zhì)

答案：D

96、單選半導(dǎo)體硅常用的受主雜質(zhì)是()o

A錫

B硫

C硼

口.磷

答案：c

97、單選刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有

被()覆蓋及保護(hù)的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)

移掩膜圖案到薄膜上面的目的。

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.光刻膠

D.去離子水

答案：C

98、單選半導(dǎo)體硅常用的施主雜質(zhì)是()o

A.錫

B.硫

C硼

D磁

答案：D

99、單選我們可以通過簡單的結(jié)深測量和()測量來獲得擴(kuò)散層的重要信息。

A.橫向電阻

B.平均電阻率

C.薄層電阻

D.擴(kuò)展電阻

答案：C

100、單選對于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用()方法引入到硅片中。

A.離子注入

B.濺射

C.淀積

D.擴(kuò)散

答案：D

集成電路制造工藝員(三級)測試題

1、單選在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，磷的擴(kuò)散溫度為OO

A.600?750℃

B.900?1050C

C.1100—1250℃

D.950?1100C

答案：B

2、多選在半導(dǎo)體工藝中，淀積的薄膜層應(yīng)滿足的參數(shù)包含有()o

A.均勻性

B.表面平整度

C.自由應(yīng)力

D.純凈度

E.電容

答案：A,B,C,D,E

3、多選樹脂使用過程中需保持一定溫度，陽樹脂和陰樹脂分別不能高于()度，

使用溫度不能過低，低于0度會使樹脂凍裂。

A.80

B.60

C.40

D.20

E.10

答案：A,C

4、單選’在各種離子源常用的放電方式中，EOS是指有()o

A.電子振蕩放電

B.離子自動放電

C.低電壓弧光放電

D.雙等離子電弧放電

答案：A

5、多選下列擴(kuò)散雜質(zhì)源中，()不僅是硅常用的施主雜質(zhì)，也是錯常用的施主

雜質(zhì)。

A硼

B錫

C.睇

D.磷

E.碑

答案：C,D

6、單選‘用高能粒子從某種物質(zhì)的表面撞擊出原子的物理過程叫Oo

A.蒸鍍

B.離子注入

C.濺射

D.沉積

答案：C

7、單選濺鍍法，因?yàn)槠潆A梯覆蓋的能力不良，很容易造成因填縫不完全所留下

的()。

A.鳥嘴

B.空洞

C.裂痕

D.位錯

答案：B

8、單選激光退火目前有()激光退火兩種。

A.一般和特殊

B.脈沖和連續(xù)

C.高溫和低溫

D.快速和慢速

答案：B

9、單選大硅片上生長的()的不均勻和各個部位刻蝕速率的不均勻會導(dǎo)致刻蝕

圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。

A.薄膜厚度

B.圖形寬度

C.圖形長度

D.圖形間隔

答案：A

10、單選為了保證保護(hù)裝置能可靠地動作，27.5A的接地電流只能保證斷開動

作電流不超過多少的繼電保護(hù)裝置。()

A.18.3A

B.13.8A

C.11A

D.9.2A

答案：A

11、單選下列幾種氧化方法相比，哪種方法制得的二氧化硅薄膜的電阻率會高

些()。

A.干氧氧化

B.濕氧氧化

C.水汽氧化

D.與氧化方法無關(guān)

答案：A

12、多選離子注入的主要?dú)怏w源中，易燃、易爆的有()o

A.碑化氫

B.二硼化氫

C.三氟化硼

D.硅烷

E.氧氣

答案：A,B,D

13、單相’()方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛

的技術(shù)。

A.蒸鍍

B.離子注入

C.濺射

D.沉積

答案：C

14、單選多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對()的高選擇性。超薄的柵氧化層

使得在刻蝕多晶硅電極時對柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.單晶硅

D.多晶硅

答案：A

15、多選電氣測量儀表若按照電流的種類來分，有()o

A.低壓儀表

B.高壓儀表

C.直流儀表

D.交流儀表

E.交直流儀表

答案：C,D,E

16、單或加果固體中的原子排列情況是紊亂的，就稱之為Oo

A.單晶靶

B.超晶靶

C.多晶靶

D.非晶靶

答案：D

17、多選為了滿足半導(dǎo)體器件對金屬材料的低電阻連接以及可靠的要求，金屬

材料應(yīng)該滿足()o

A.低電阻率

B.易與p或n型硅形成歐姆接觸

C.可與硅或二氧化硅反應(yīng)

D.易于光刻

E.便于進(jìn)行鍵合

答案：A,B,D,E

18、單選陽樹脂用鹽酸做再生液，濃度為()溶液可用原水配制。

A.5%

B.10%

C.15%

D.20%

答案：B

19、單選目前，最廣泛使用的退火方式是()。

A.熱退火

B.激光退火

C.電子束退火

D.離子束退火

答案：A

20、單選在空位擴(kuò)散中，如果遷移的空位的原子是雜質(zhì)原子，擴(kuò)散稱為()o

A.填隙擴(kuò)散

B.雜質(zhì)擴(kuò)散

C.推擠擴(kuò)散

D.自擴(kuò)散

答案：B

21、單選離子源腔體中的氣體放電形成()而引出正離子的。

A.等離子體

B.不等離子體

C.正離子體

D.液電流

答案：A

22、多選靜電釋放帶來的問題有哪些()o

A.金屬電遷移

B.金屬尖刺現(xiàn)象

C.芯片產(chǎn)生超過1A的峰值電流

D.柵氧化層擊穿

E.吸引帶電顆?；驑O化并吸引中性顆粒到硅片表面

答案：C,D,E

23、單選dryvacuumpump的意思是()。

A.擴(kuò)散泵

B.誰循環(huán)泵

C.干式真空泵

D.路茲泵

答案：C

24、單選下列關(guān)于曝光后烘烤的說法正確的是()o

A.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分

B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應(yīng)

C.烘烤的溫度一般在300℃左右

D.烘烤的時間越長越好

答案：B

25、單選離子源的作用是使所需要的雜質(zhì)原子電離成()離子，并通過一個引

出系統(tǒng)形成離子束。

A.正

B.負(fù)

C.中性

D.以上答案都可以

答案：A

26、多選關(guān)于正膠和負(fù)膠在顯影時的特點(diǎn)，下列說法正確的是()。

A.負(fù)膠的感光區(qū)域溶解

B.正膠的感光區(qū)域溶解

C.負(fù)膠的感光區(qū)域不溶解

D.正膠的感光區(qū)域不溶解

E.負(fù)膠的非感光區(qū)域溶解

答案：B,C,E

27、單戒備深紫外曝光中，需要使用()光刻膠。

A.DQN

B.CA

C.ARC

D.PMMA

答案：A

28、單選通常選熔斷器熔斷電流為電路額定電流的()o

A.1?1.8倍

B.1.3?1.8倍

C.1.3?2.1倍

D.1.5?2.3倍

答案：C

29、單選在生產(chǎn)過程中必須使用()來完成淺溝槽隔離STI。

A.單晶硅刻蝕

B.多晶硅刻蝕

C.二氧化硅刻蝕

D.氮化硅刻蝕

答案：A

30、單選靜電釋放的英文簡述為()o

A.ESC

B.SED

C.ESD

D.SEM

答案：C

31、單選分析器是一種()分選器。

A.電子

B.中子

C.離子

D.質(zhì)子

答案：C

32、單選復(fù)合床和混合床可以串聯(lián)使用。復(fù)合床就是指將陽樹脂和陰樹脂分別

裝在兩個()內(nèi)串接起來。

A.交換柱

B.混合床

C.混合柱

D.復(fù)合柱

答案：A

33、單選在磁分析器中常用()分析磁鐵。

A.柱形

B.扇形

C.方形

D.圓形

答案：B

34、單選懸浮在空氣中的顆粒稱為()o

A.懸浮物

B.塵埃

C.污染顆粒

D.浮質(zhì)

答案：D

35、多選涂膠之前，要保證晶片的質(zhì)量以及涂膠工序的順利進(jìn)行，下列操作正

確的是()0

A.進(jìn)行去水烘烤以保證晶片干燥

B.在晶片表面涂上增粘劑以保證晶片黏附性好

C.剛剛處理好的晶片應(yīng)立即涂膠

D.貯存的晶片在涂膠前必須再次清洗及干燥

E.也可以直接使用貯存的晶片

答案:A,B,C,D

36、單選檢驗(yàn)水中是否有鹽酸，可用()溶液滴入水中，如果出現(xiàn)白色沉淀，

就表示水中有鹽酸。

A.氧化銅

B.硝酸鎂

C.硝酸銀

D.氯化銅

答案：C

37、單選通常熱擴(kuò)散分為兩個大步驟，其中第一個步驟是()o

A.再分布

B.等表面濃度擴(kuò)散

C.預(yù)淀積

D.等總摻雜劑量擴(kuò)散

答案：C

38、單選用電容一電壓技術(shù)來測量擴(kuò)散剖面分布是用了()的原理。

A.pn結(jié)理論

B.歐姆定律

C.庫侖定律

D.四探針技術(shù)

答案：A

39、單選由靜電釋放產(chǎn)生的電流泄放最大電壓可以達(dá)()o

A.幾伏

B.幾十伏

C.幾百伏

D.幾萬伏

答案：D

40、單選電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子

組成的，前者則是()和中性粒子組成的集合體。

A.離子

B.原子團(tuán)

C.電子

D.帶電粒子

答案：D

41、多選下列物質(zhì)中是結(jié)晶形態(tài)二氧化硅的有()o

A碓土

B.石英

C.磷石英

D.玻璃

E.水晶

答案：B,C,E

42、單選物理氣相沉積簡稱()o

A.LVD

B.PED

C.CVD

D.PVD

答案：D

43、單選鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是()雜質(zhì)。

A.替位式

B.間隙式

C施主

D.可能是替位式也可能是間隙式

答案：B

44、單選由于干法刻蝕中是同時對晶片上的光刻膠及裸露出來的薄膜進(jìn)行刻蝕

的，所以其()就比以化學(xué)反應(yīng)的方式進(jìn)行刻蝕的濕法還來得差。

A.刻蝕速率

B.選擇性

C.各向同性

D.各向異性

答案：B

45、單選光刻的主要工藝流程按照操作順序是()o

A.涂膠、前烘、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠

B.涂膠、前烘、堅(jiān)膜、曝光、顯影、去膠

C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、去膠

D.前烘、涂膠、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠

答案：C

46、多選二氧化硅層中的鈉離子可能來源于()o

A.玻璃器皿

B.高溫器材

C.人體沾污

D.化學(xué)試劑

E.去離子水

答案：A,B,C,D,E

47、單選下列哪些因素不會影響到顯影效果的是()o

A.顯影液的溫度

B.顯影液的濃度

C.顯影液的溶解度

D.顯影液的化學(xué)成分

答案：C

48、單選有機(jī)性氣體大多產(chǎn)生在下列哪道工藝()o

A.離子注入

B.刻蝕

C.擴(kuò)散

D.光刻

答案：D

49、單選()是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時的飽和蒸汽壓來進(jìn)

行薄膜沉積的。

A.蒸鍍

B.濺射

c.離子注入

D.CVD

答案：A

50、單選在刻蝕二氧化硅過程中假如我們在CF4的()內(nèi)加入適量的氫氣，能

夠降低刻蝕的速率。

A.氣體

B.等離子體

C.固體

D.液體

答案：B

51、單選當(dāng)二氧化硅膜很薄時，膜厚與時間()o

A.t2成正比

B.t2成反比

C.t成正比

D.t成反比

答案：C

52、單選()是與氣體輝光放電現(xiàn)象密切想關(guān)的一種薄膜淀積技術(shù)。

A.蒸鍍

B.離子注入

C.濺射

D.沉積

答案:C

53、單選決定吸附原子彼此間能否形成一個穩(wěn)定的核團(tuán)，以便于進(jìn)行凝結(jié)的主

要因素主宰于所形成的核團(tuán)是否()而定。

A.動能最低

B.穩(wěn)定

C.運(yùn)動

D.靜止

答案：B

54、單選不可以對SiO2進(jìn)行干法刻蝕所使用的氣體是()o

A.CHF3

B.C2F6

C.C3F8

D.HF答案：D

55、單選硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對器件穩(wěn)定性影響最大的離子是

()0

A.鈉

B.鉀

C.氫

D硼

答案：A

56、單選為了避免()在經(jīng)過氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕，

必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來除去這些表面殘留物。

A.多晶硅

B.單晶硅

C.鋁硅銅合金

D.銅

答案：C

57、單選刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有

被()覆蓋及保護(hù)的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)

移掩膜圖案到薄膜上面的目的。

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.光刻膠

D.去離子水

答案：C

58、'單選硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分

子或其它粒子，它們主要是通過()到達(dá)晶片表面的。

A.粒子的擴(kuò)散

B.化學(xué)反應(yīng)

C.從氣體源通過強(qiáng)迫性的對流傳送

D.被表面吸附

答案：A

59、多選擴(kuò)散工藝使雜質(zhì)由半導(dǎo)體晶片表面向內(nèi)部擴(kuò)散，改變了晶片()，所

以晶片才能被人們所使用。

A.內(nèi)部的雜質(zhì)分布

B.表面的雜質(zhì)分布

C.整個晶體的雜質(zhì)分布

D.內(nèi)部的導(dǎo)電類型

E.表面的導(dǎo)電類型

答案：A,E

60、單選當(dāng)熱氧化的最初階段，()為限制反應(yīng)速率的主要原因。

A溫度

B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反應(yīng)

C.氧的擴(kuò)散速率

D壓力

答案：B

61、多選去正膠常用的溶劑有()

A.丙酮

B.氫氧化鈉溶液

C.丁酮

D,甲乙酮

E.熱的氯化碳?xì)浠衔?/p>

答案：A,B,C,D

62、多選干氧氧化法具備以下一系列的優(yōu)點(diǎn)()。

A.生長的二氧化硅薄膜均勻性好

B.生長的二氧化硅干燥

C.生長的二氧化硅結(jié)構(gòu)致密

D.生長的二氧化硅是很理想的鈍化膜

E.生長的二氧化硅掩蔽能力強(qiáng)

答案：A,B,C,D,E

63、單3%’蔣引起的電學(xué)缺陷引起()，硅片上的管芯報(bào)廢以及很高的芯片制

造成本。

A.不會影響成品率

B.晶圓缺陷

C.成品率損失

D.晶圓損失

答案：C

64、多選凈化室將硅片制造設(shè)備與外部環(huán)境隔離，免受諸如()的沾污。

A.顆粒

B.金屬

C.有機(jī)分子

D.靜電釋放(ESD)

E冰

答案：A,B,C,D

65、單或薯’集成電路工藝中，光復(fù)制圖形和材料刻蝕相結(jié)合的工藝技術(shù)是()。

A.刻蝕

B.氧化

C.淀積

D.光刻

答案：D

66、單選()是測量在刻蝕過程中物質(zhì)被移除的速率有多快的一種參數(shù)。

A.刻蝕速率

B.刻蝕深度

C.移除速率

D.刻蝕時間

答案：A

67、單選為了解決中性束對注入均勻性的影響，可在系統(tǒng)中設(shè)有（），使離子

束偏轉(zhuǎn)后再達(dá)到靶室。

A.磁分析器

B.正交電磁場分析器

C.靜電偏轉(zhuǎn)電極

D.束流分析儀

答案：C

68、多選下列有關(guān)曝光系統(tǒng)的說法正確的是（）o

A.投影式同接觸式相比，掩模版的利用率比較高

B.接觸式的分辨率優(yōu)于接近式

C.接近式的分辨率受到衍射的影響

D.投影式曝光系統(tǒng)中不會產(chǎn)生衍射現(xiàn)象

E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系統(tǒng)

答案：A,B,C,E

69,單梅受來的新樹脂往往是Na型或C1型，新樹脂使用前必須分別用酸（陽

樹脂），堿（陰樹脂）浸泡約（）個小時，把Na型或C1型轉(zhuǎn)換成H型或0H型。

A.3

B.4

C.5

D.6

答案：B

70、單選樹脂的外形為（）的球狀顆粒。

A.淡黃色或褐色

B.黑色或棕色

C.淡紅色或褐色

D.淡藍(lán)色或棕色

答案：A

71、單選晶體中，每個原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置時其勢

能為（）。

A.極大值

B.極小值

C.既不極大也不極小

D.小于動能

答案：B

72、單選損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的（）的分布密切相關(guān)。

A.能量淀積

B.動量淀積

C.能量振蕩

D.動量振蕩

答案：A

73、單選在刻蝕()過程中假如我們在CF5的等離子體內(nèi)加入適量的氧氣，能

夠提高刻蝕的速率。

A.銅

B.鋁

C.金

D.二氧化硅

答案：D

74、單選下列哪些元素在硅中是快擴(kuò)散元素：()o

A.Na

B.B

C.P

D.As

答案：A

75、多選在半導(dǎo)體工藝中，如果淀積的薄膜不是連續(xù)的，存在一些空隙，則

()0

A.使薄膜的介電常數(shù)變大

B.可能引入雜質(zhì)

C.可能使薄膜層間短路

D.使薄膜介電常數(shù)變小

E.可能使薄膜厚度增加

答案：B,C

76、單虛降低靶的溫度，有利于非晶層的形成，所以臨界注入量隨之(