GB/T 41765-2022碳化硅單晶位錯密度的測試方法

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T41765—2022

碳化硅單晶位錯密度的測試方法

Testmethodfordislocationdensityofmonocrystallinesiliconcarbide

2022-10-12發(fā)布2023-05-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T41765—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司

:、。

本文件主要起草人彭同華佘宗靜婁艷芳王大軍趙寧王波郭鈺楊建李素青

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T41765—2022

碳化硅單晶位錯密度的測試方法

1范圍

本文件規(guī)定了碳化硅單晶位錯密度的測試方法

。

本文件適用于晶面偏離面偏向方向的碳化硅單晶位錯密度的測試

{0001}、<1120>0°~8°。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

碳化硅單晶拋光片

GB/T30656

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264GB/T30656。

31

.

螺位錯threadingscrewdislocationTSD

;

位錯線和伯格斯矢量平行的位錯

。

32

.

刃位錯threadingedgedislocationTED

;

位錯線和伯格斯矢量垂直的位錯

。

33

.

基平面位錯basalplanedislocationBPD

;

位錯線與伯格斯矢量均位于面內(nèi)的位錯

{0001}。

4原理

采用擇優(yōu)化學(xué)腐蝕技術(shù)顯示碳化硅單晶中的位錯由于碳化硅單晶中位錯周圍的晶格發(fā)生畸變

。,

當(dāng)用氫氧化鉀熔融液腐蝕碳化硅單晶表面時(shí)在碳化硅單晶表面的位錯露頭處腐蝕速度較快因而容

,,,

易形成由某些低指數(shù)面組成的具有特定形狀的腐蝕坑在顯微鏡下觀察碳化硅單晶硅面并按一定規(guī)則

。

統(tǒng)計(jì)這些具有特定形狀的腐蝕坑單位視場面積內(nèi)的腐蝕坑個(gè)數(shù)即為位錯密度

,。

5干擾因素

51腐蝕過程中氫氧化鉀熔融液溫度和腐蝕時(shí)間會影響樣品的腐蝕效果對測試結(jié)果產(chǎn)生影響

.,。

52腐蝕過程中氫氧化鉀熔融液使用時(shí)長會影響樣品的腐蝕效果建議熔融液使用時(shí)長不超過

.