標(biāo)準(zhǔn)解讀

《yb 1603-1983 硅單晶切割片和研磨片》這一標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了硅單晶材料在制備成切割片及研磨片過(guò)程中需要遵循的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存等方面的要求。該標(biāo)準(zhǔn)適用于電子工業(yè)中作為半導(dǎo)體器件基底或進(jìn)一步加工前使用的硅單晶制品。

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容，硅單晶切割片與研磨片按照其直徑大小分為多個(gè)規(guī)格等級(jí)，并且對(duì)每種規(guī)格的產(chǎn)品都設(shè)定了明確的尺寸公差范圍。此外，還定義了幾何形狀上的具體要求，比如平面度、厚度均勻性等指標(biāo)，確保產(chǎn)品能夠滿足后續(xù)工藝流程的需求。

對(duì)于物理性能方面，《yb 1603-1983》規(guī)定了包括電阻率、少數(shù)載流子壽命在內(nèi)的關(guān)鍵參數(shù)值域限制，這些參數(shù)直接關(guān)系到最終制成的半導(dǎo)體器件性能表現(xiàn)。同時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)也涵蓋了外觀質(zhì)量檢查項(xiàng)目，如表面缺陷（劃痕、裂紋）、邊緣狀況等，以保證產(chǎn)品的視覺一致性和機(jī)械強(qiáng)度。

在檢測(cè)方法上，本標(biāo)準(zhǔn)提供了多種測(cè)試手段來(lái)驗(yàn)證上述各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)是否達(dá)標(biāo)，例如使用四探針法測(cè)定電阻率、通過(guò)光譜分析儀測(cè)量雜質(zhì)含量等。另外，還制定了抽樣計(jì)劃與合格判定準(zhǔn)則，指導(dǎo)生產(chǎn)單位如何有效地進(jìn)行質(zhì)量控制。


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  • 1983-08-18 頒布
  • 1984-10-01 實(shí)施
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YB中華人民共和國(guó)治金工業(yè)部部標(biāo)準(zhǔn)YB1603—83硅單晶切割片和研磨片1983-08-18發(fā)布1984-10-01實(shí)施中華人民共和國(guó)治金工業(yè)部批準(zhǔn)

中華人民共和國(guó)治金工業(yè)部部標(biāo)準(zhǔn)YB1603-83硅單晶切割片和研磨片本標(biāo)準(zhǔn)適用于制造半導(dǎo)體器件（分立器件和集成電路）的三種等直徑硅單品切割片和雙面研磨片。用作其他器件的硅單晶切割片和研磨片，可參照本標(biāo)準(zhǔn)確定其相應(yīng)的技術(shù)參數(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)只列出硅片的外形幾何尺寸和品向參數(shù)，硅片所涉及的硅單晶物理參數(shù)應(yīng)符合YB1602—83《硅單晶》所規(guī)定的技術(shù)要求。技術(shù)要求1.1術(shù)語(yǔ)1.1.1晶向：品體結(jié)品方向。1.1.2品向偏離：切割硅片時(shí)，使硅片法線與晶體結(jié)品方向偏離一定的角度。1.1.3正交取向偏差：（111）硅單晶片作品向偏離時(shí)，硅片法線與最近的<110>方向在（11）平面上投影之間的夾角（見圖I）11.4主參考面：硅單品鍵上磨制一確定方向的平面，用作硅片劃片方向的標(biāo)志。1.1.5次參考面：硅單品片導(dǎo)電類型和品向的標(biāo)志。1.1.6硅片厚度；硅單晶片中心點(diǎn)厚度值.1.1.7厚度偏差：硅單品片中心點(diǎn)厚度的測(cè)量值與公稱值之差。1.1.8總厚度變化：硅單晶片五點(diǎn)厚度（中心一點(diǎn)和距邊緣6mm處間隔90“的四點(diǎn)）間的最大值與最小值之差。1.1.9彎曲度：硅片處于自由無(wú)夾持狀態(tài)下相對(duì)于一理想平面的單純凹或凸的體形變，1.1.10缺口：；硅片周邊穿透兩面的缺損。1.1.11邊：：硅片邊緣不穿透兩面的破損，1.2技術(shù)要求1.2.1硅單品切割片和研磨片的技術(shù)參數(shù)應(yīng)符合表1的規(guī)定，表1硅單晶切割片和研磨片技術(shù)參數(shù)直徑及共允許偏差,品名稱4050.8(50)mm76.2（975）允許偏差，不大于+0.3士0.4+0.5切235(翻片總厚度交化，世m(xù)彎曲度，1公老面長(zhǎng)度，mm19~25沃參老面長(zhǎng)度，mm10~1323002490厚度偏差總口醫(yī)賣化：mum

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