標準解讀
GB/T 4937.15-2018 是《半導體器件 機械和氣候試驗方法》系列標準的一部分,專門針對通孔安裝器件的耐焊接熱性能進行規(guī)定。該標準旨在通過一系列嚴格的測試條件來評估這類半導體器件在經(jīng)歷焊接過程中的熱應力后能否保持其功能性和可靠性。
根據(jù)標準內容,主要測試方法包括但不限于將被測樣品暴露于模擬實際焊接條件下的高溫環(huán)境中,具體溫度、時間等參數(shù)需嚴格遵循標準中給出的規(guī)定值。目的是為了確保器件能夠承受住電路板組裝過程中可能遇到的極端溫度變化而不發(fā)生損壞或性能下降。此外,還對試驗后的外觀檢查及電氣特性測試提出了要求,以驗證器件是否仍符合使用前的技術規(guī)格。
此標準適用于所有采用通孔技術安裝到印刷電路板上的半導體分立元件和集成電路產品。它為制造商提供了統(tǒng)一的測試依據(jù),有助于提高產品質量控制水平,并促進不同供應商之間產品的互換性。同時,也為用戶選擇適合特定應用場景需求的產品時提供了重要參考信息。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權發(fā)布的權威標準文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2018-09-17 頒布
- 2019-01-01 實施




文檔簡介
ICS3108001
L40..
中華人民共和國國家標準
GB/T493715—2018/IEC60749-152010
.:
半導體器件機械和氣候試驗方法
第15部分通孔安裝器件的耐焊接熱
:
Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—
Part15Resistancetosolderintemeratureforthrouh-holemounteddevices
:gpg
(IEC60749-15:2010,IDT)
2018-09-17發(fā)布2019-01-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T493715—2018/IEC60749-152010
.:
前言
半導體器件機械和氣候試驗方法由以下部分組成
GB/T4937《》:
第部分總則
———1:;
第部分低氣壓
———2:;
第部分外部目檢
———3:;
第部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗
———4:(HAST);
第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗
———5:;
第部分高溫貯存
———6:;
第部分內部水汽含量測試和其他殘余氣體分析
———7:;
第部分密封
———8:;
第部分標志耐久性
———9:;
第部分機械沖擊
———10:;
第部分快速溫度變化雙液槽法
———11:;
第部分掃頻振動
———12:;
第部分鹽霧
———13:;
第部分引出端強度引線牢固性
———14:();
第部分通孔安裝器件的耐焊接熱
———15:;
第部分粒子碰撞噪聲檢測
———16:(PIND);
第部分中子輻照
———17:;
第部分電離輻射總劑量
———18:();
第部分芯片剪切強度
———19:;
第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響
———20:;
第部分對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標志和運輸
———20-1:、、;
第部分可焊性
———21:;
第部分鍵合強度
———22:;
第部分高溫工作壽命
———23:;
第部分加速耐濕無偏置強加速應力試驗
———24:(HSAT);
第部分溫度循環(huán)
———25:;
第部分靜電放電敏感度試驗人體模型
———26:(ESD)(HBM);
第部分靜電放電敏感度試驗機械模型
———27:(ESD)(MM);
第部分靜電放電敏感度試驗帶電器件模型器件級
———28:(ESD)(CDM);
第部分閂鎖試驗
———29:;
第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理
———30:;
第部分塑封器件的易燃性內部引起的
———31:();
第部分塑封器件的易燃性外部引起的
———32:();
第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮
———33:;
第部分功率循環(huán)
———34:;
第部分塑封電子元器件的聲學掃描顯微鏡檢查
———35:;
第部分恒定加速度
———36:;
Ⅰ
GB/T493715—2018/IEC60749-152010
.:
第部分采用加速度計的板級跌落試驗方法
———37:;
第部分半導體存儲器件的軟錯誤試驗方法
———38:;
第部分半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量
———39:;
第部分采用張力儀的板級跌落試驗方法
———40:;
第部分非易失性存儲器件的可靠性試驗方法
———41:;
第部分溫度和濕度貯存
———42:;
第部分集成電路可靠性鑒定方案指南
———43:(IC);
第部分半導體器件的中子束輻照單粒子效應試驗方法
———44:。
本部分為的第部分
GB/T493715。
本部分按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本部分使用翻譯法等同采用半導體器件機械和氣候試驗方法第部分
IEC60749-15:2010《15:
通孔安裝器件的耐焊接熱
》。
與本部分中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應關系的我國文件如下
:
電工電子產品環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗錫焊
———GB/T2423.28—20052:T:
(IEC60068-2-20:1979,IDT)。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任
。。
本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本部分由全國半導體器件標準化技術委員會歸口
(SAC/TC78)。
本部分起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所北京大學微電子研究院無錫必創(chuàng)傳感科
:、、
技有限公司
。
本部分主要起草人高金環(huán)彭浩柳華光黃杰高兆豐崔波張威陳得民周剛
:、、、、、、、、。
Ⅱ
GB/T493715—2018/IEC60749-152010
.:
半導體器件機械和氣候試驗方法
第15部分通孔安裝器件的耐焊接熱
:
1范圍
的本部分規(guī)定了耐焊接熱的試驗方法以確定通孔安裝的固態(tài)封裝器件承受波峰焊或
GB/T4937,
烙鐵焊接引線時產生的熱應力的能力
。
為制定具有可重復性的標準試驗程序選用試驗條件較易控制的浸焊試驗方法本程序為確定器
,。
件組裝到電路板時對所需焊接溫度的耐受能力要求器件的電性能不產生退化且內部連接無損傷
,。
本試驗為破壞性試驗可以用于鑒定批接收及產品檢驗
,、。
本試驗與基本一致但鑒于半導體器件的特殊要求采用本部分的條款
IEC60068-2-20,,。
2總則
電路板背面的焊接熱可經(jīng)過引線傳導進入器件封裝內本部分不適用于在器件本體所在的電路板
。
一側進行波峰焊或回流焊的情況
。
3試驗設備
31焊槽
.
焊槽尺寸應足夠大至少可以容納焊料并可將引線完全浸入而不觸及槽底該焊槽應能使
,1kg,。
焊料保持在表所規(guī)定的溫度
1。
32浸焊裝置
.
表1浸焊參數(shù)
參數(shù)條件波峰焊條件烙鐵焊
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