標準解讀
《GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場效應(yīng)晶體管》相較于《GB 4586-1984》,主要在標準編號、內(nèi)容范圍以及技術(shù)要求上進行了更新和調(diào)整。具體變化包括:
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標準性質(zhì)的變化:從原來的強制性國家標準(GB)變更為推薦性國家標準(GB/T),這意味著該標準更多地作為指導(dǎo)和建議使用,而非強制執(zhí)行。
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內(nèi)容與結(jié)構(gòu)的調(diào)整:新版本對原有的章節(jié)結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化,更加清晰地定義了場效應(yīng)晶體管的技術(shù)規(guī)格、測試方法等內(nèi)容。這可能涉及到術(shù)語定義的更新、分類方式的細化等。
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技術(shù)指標及試驗方法的修訂:根據(jù)當時最新的科學(xué)技術(shù)發(fā)展水平,《GB/T 4586-1994》可能增加了新的技術(shù)參數(shù)或改進了原有的一些測試條件與方法,以更好地適應(yīng)市場和技術(shù)發(fā)展的需求。例如,對于某些特定類型的場效應(yīng)晶體管,可能會有更詳細的操作環(huán)境描述或是性能評估標準。
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參考文獻與附錄信息的增補:為了提供更加全面的信息支持,《GB/T 4586-1994》或許還添加了一些相關(guān)領(lǐng)域的最新研究成果或者國際通用標準作為參考資料,并通過附錄形式給出額外的數(shù)據(jù)表或其他有用資料。
這些改變體現(xiàn)了隨著時代進步,半導(dǎo)體行業(yè)對于產(chǎn)品質(zhì)量控制和技術(shù)規(guī)范制定方面不斷追求更高標準的趨勢。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1994-12-30 頒布
- 1995-08-01 實施



文檔簡介
UDC621.382.323:621.317.3.08L42中華人民共和國國家標準GB/T4586—94EC747-81984半導(dǎo)體器件分立器件第8部分:場效應(yīng)晶體管SemiconductordevicesDiscretedevicesPart8:Field-effecttransistors1994-12-31發(fā)布1995-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
次第I章總則…·術(shù)語和文字符號第I章(第章基本額定值和特性(第W章(16)第V章接接收和可靠性·(38)
中華人民共和國國家標準半導(dǎo)體器件分立器件GB/T4586-94IEC747-8-1984第8部分:場效應(yīng)晶體管代替GB4586—84SemiconductordevicesDiscretedevicesPart8:Field-effecttransistors本標準等同采用IC747-8一1984《半導(dǎo)體器件,分立器件:第8部分:場效應(yīng)晶體管》及其IEC747-8第1次更改(1991)。第I章總1引言分立器件和集成電路通常,本標準需要與IEC747-1—1983《半導(dǎo)體器件第1部分:總則》一起使用。在IEC747-1中,可找到下列的全部基礎(chǔ)資料:·術(shù)語;文字符號;基本額定值和特性;測試方法;接收和可靠性。各章節(jié)編排順序符合IEC747-1第Ⅱ章2.1條的規(guī)定2范圍本標準給出了下列類型場效應(yīng)晶體管的標準:-A型:結(jié)柵型;-B型:絕緣柵耗盡型;-C型;絕緣柵增強型。3類型由于場效應(yīng)品體管可具有一個或幾個柵極,故可分成如下類型:場效應(yīng)品體管(源極、漏極、一個或幾個柵極)有一個或幾個有一個或幾個P溝道的器件N溝道的器件結(jié)柵器件絕緣粉器件結(jié)柵器件絕緣粉器件耗盡型器件增強型器件耗盡型
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