GB/T 4060-2018硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

ICS77040

H17.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T4060—2018

代替

GB/T4060—2007

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

Testmethodforboroncontentinpolycrystallinesiliconbyvacuum

zone-meltingmethod

2018-09-17發(fā)布2019-06-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T4060—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法與相比除編

GB/T4060—2007《》,GB/T4060—2007,

輯性修改外主要技術(shù)變化如下

:

增加了規(guī)范性引用文件

———GB/T620—2011、GB/T626—2006、GB/T11446.1—2013、GB/T25915.1—

見(jiàn)第章

2010(2);

修改了方法提要將以的速度區(qū)熔提純次成晶后改為以不高于

———,“1.0mm/min14”“1.0mm/min

的速度多次區(qū)熔提純后見(jiàn)第章年版的第章

”(4,20074);

在干擾因素中增加了酸洗用的器皿酸液和去離子水純度腐蝕速度腐蝕溫度樣品暴露時(shí)

———“、、、、

間都可能帶來(lái)沾污應(yīng)加以控制見(jiàn)

,”(5.4);

刪除了干擾因素中關(guān)于區(qū)熔后單晶的要求測(cè)試環(huán)境見(jiàn)年版的

———、(20075.6、5.7);

在試劑和材料中型電阻率不低于的籽晶修改為籽晶應(yīng)為無(wú)位錯(cuò)的型

———“p3000Ω·cm”“P

高阻硅單晶且受主雜質(zhì)含量原子數(shù)小于12-3碳含量原子數(shù)小于

<111>,()2.5×10cm、()

15-3晶向偏離度小于見(jiàn)年版的

5×10cm、5°”(6.4,20076.1);

在儀器設(shè)備中的取芯設(shè)備修改為取芯設(shè)備可鉆出直徑約為且長(zhǎng)度不小

———“”“,15mm~20mm

于的多晶硅樣芯見(jiàn)年版的

100mm”[7.1,20077a)];

增加了兩探針或四探針電阻率測(cè)試儀見(jiàn)

———(7.6);

增加了測(cè)試環(huán)境見(jiàn)第章

———(8);

在取樣中平行于硅芯鉆取長(zhǎng)左右直徑為左右的樣芯作樣品修改

———“180mm,15mm~20mm”

為平行于硅芯鉆取長(zhǎng)度不小于直徑為的樣芯作樣品見(jiàn)年

“100mm,15mm~20mm”(9.2,2007

版的

8.2);

樣芯距多晶硅棒底部的距離由不低于改為不小于見(jiàn)年版的

———“50mm”“250mm”(9.4,20078.4);

刪除了選擇電阻率大于碳含量小于-6無(wú)位錯(cuò)晶向偏離度小于的

———“3000Ω·cm,0.2×10,,5°

型高阻硅單晶切割制備成的籽晶見(jiàn)年版的

p<111>”(200710.1.1);

在區(qū)熔拉晶步驟增加了第次與第次提純完成后每次保留一個(gè)熔區(qū)長(zhǎng)度的尾部第次

———“12,,3

開(kāi)始固定區(qū)熔長(zhǎng)度見(jiàn)

”(11.4)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司亞洲硅業(yè)青海有限公司洛陽(yáng)中硅高科技有

:、()、

限公司峨嵋半導(dǎo)體材料研究所

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人胡偉劉曉霞耿全榮魯文鋒王桃霞胡自強(qiáng)宗冰肖建忠萬(wàn)燁楊旭

:、、、、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T4060—1983、GB/T4060—2007。

Ⅰ

GB/T4060—2018

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了多晶硅中基硼含量的測(cè)試方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于在硅芯上沉積生長(zhǎng)的多晶硅棒中基硼含量的測(cè)定基硼含量原子數(shù)測(cè)定范圍為

。()

13-315-3

0.01×10cm~5×10cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

化學(xué)試劑氫氟酸

GB/T620—2011

化學(xué)試劑硝酸

GB/T626—2006

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

電子級(jí)水

GB/T11446.1—2013

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

GB/T13389

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級(jí)

GB/T25915.1—20101:

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

硅芯siliconcore

小直徑硅棒用