GB/T 37131-2018納米技術(shù)半導(dǎo)體納米粉體材料紫外-可見(jiàn)漫反射光譜的測(cè)試方法

ICS17180

G10.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T37131—2018

納米技術(shù)半導(dǎo)體納米粉體材料

紫外-可見(jiàn)漫反射光譜的測(cè)試方法

Nanotechnologies—Testmethodofsemiconductornanopowderusing

UV-Visdiffusereflectancespectroscopy

2018-12-28發(fā)布2018-12-28實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T37131—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

方法原理

4…………………2

儀器

5………………………3

紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)

5.1-………………3

積分球

5.2………………3

樣品池

5.3………………4

參比白板

5.4……………4

儀器校準(zhǔn)

5.5……………4

樣品制備

6…………………4

測(cè)試方法

7…………………4

測(cè)試條件

7.1……………4

測(cè)試步驟

7.2……………4

主要影響因素

7.3………………………5

數(shù)據(jù)處理與結(jié)果分析

8……………………5

測(cè)試報(bào)告

9…………………5

附錄資料性附錄金紅石型納米氧化鈦帶隙寬度值的計(jì)算

A()………6

附錄資料性附錄操作參數(shù)對(duì)納米氧化鋅紫外可見(jiàn)漫反射光譜的影響

B()-…………8

附錄資料性附錄測(cè)試報(bào)告

C()…………11

參考文獻(xiàn)

……………………12

Ⅰ

GB/T37131—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)院提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC279)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位國(guó)家納米科學(xué)中心北京為康環(huán)?？萍加邢薰緩V州特種承壓設(shè)備檢測(cè)研究院

:、、、

北京市理化分析測(cè)試中心北京科技大學(xué)北京粉體技術(shù)協(xié)會(huì)

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人樸玲鈺吳志嬌曹文斌楊麟高峽常懷秋劉文秀尹宗杰高原

:、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T37131—2018

引言

與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比半導(dǎo)體納米粉體材料呈現(xiàn)出特殊的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)

,,

化特性在新能源制備環(huán)境保護(hù)化工醫(yī)藥航空和軍事等領(lǐng)域均得到廣泛應(yīng)用

,、、、、。

紫外可見(jiàn)漫反射光譜是研究半導(dǎo)體納米粉體材料光學(xué)性質(zhì)的重要表征手段可用于帶隙色差分

-,、

析表面吸附粉體之間的反應(yīng)以及其他一些重要性質(zhì)的研究在半導(dǎo)體納米粉體材料的紫外可見(jiàn)漫

,、,。-

反射光譜中特征漫反射峰位置與其帶隙直接相關(guān)帶隙是半導(dǎo)體納米粉體材料非常重要的物理特性

,。,

直接影響材料的光學(xué)性質(zhì)與應(yīng)用領(lǐng)域及范圍結(jié)合紫外可見(jiàn)漫反射光譜與庫(kù)貝爾卡蒙克

。--(Kubelka~

方程可計(jì)算半導(dǎo)體納米粉體材料的帶隙為滿足我國(guó)科研與生產(chǎn)部門的需求需要對(duì)該測(cè)試方

Munk)。,

法進(jìn)行規(guī)范與標(biāo)準(zhǔn)化

。

Ⅳ

GB/T37131—2018

納米技術(shù)半導(dǎo)體納米粉體材料

紫外-可見(jiàn)漫反射光譜的測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體納米粉體材料的紫外可見(jiàn)漫反射光譜測(cè)試方法

-。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于不透光半導(dǎo)體納米粉體材料漫反射光譜的測(cè)試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

反射率測(cè)定儀校準(zhǔn)規(guī)范

JJF1232

紫外可見(jiàn)近紅外分光光度計(jì)檢定規(guī)程

JJG178、、

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

半導(dǎo)體semiconductor

電阻率介于導(dǎo)體與絕緣體之間其范圍為-310的一種固體物質(zhì)電流是由帶

,10Ω·cm~10Ω·cm。

正電的空穴和帶負(fù)電的電子的定向傳輸實(shí)現(xiàn)的

。

定義

[GB/T14264—2009,3.218]

32

.

納米粉體nanopowder

離散納米顆粒的集合體

。

注改寫(xiě)自定義

:GB/T19619—2004,3.2.1.1。

33

.

漫反射diffuseref