標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 36357-2018 中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范》是針對中功率LED芯片的技術(shù)要求而設(shè)立的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)適用于照明、顯示等領(lǐng)域的中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的設(shè)計、生產(chǎn)和質(zhì)量控制。它規(guī)定了這類產(chǎn)品應(yīng)滿足的基本性能參數(shù)和技術(shù)指標(biāo)，包括但不限于電學(xué)特性、光學(xué)特性以及可靠性測試等方面的要求。

在電學(xué)特性方面，標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)定義了正向電壓、反向漏電流等關(guān)鍵參數(shù)的具體數(shù)值范圍；對于光學(xué)特性，則涵蓋了光通量、色坐標(biāo)、顯色指數(shù)等內(nèi)容，并給出了相應(yīng)的測量方法與條件限制。此外，還特別強(qiáng)調(diào)了關(guān)于熱阻值的測定及其重要性，因為良好的散熱性能直接關(guān)系到LED芯片的工作穩(wěn)定性和使用壽命。

可靠性測試部分主要包括高溫存儲試驗、溫度循環(huán)試驗、高壓蒸煮試驗等多項內(nèi)容，旨在驗證LED芯片在不同環(huán)境條件下長期工作的能力。通過這些嚴(yán)格的測試流程可以確保最終出廠的產(chǎn)品能夠達(dá)到預(yù)期的質(zhì)量水平和服務(wù)壽命。

本標(biāo)準(zhǔn)還提供了有關(guān)如何正確標(biāo)識產(chǎn)品信息（如型號、生產(chǎn)日期等）以及包裝運輸時應(yīng)注意的安全事項等方面的指導(dǎo)建議，以幫助制造商更好地遵循相關(guān)法規(guī)并保護(hù)消費者權(quán)益。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2018-06-07 頒布
  • 2019-01-01 實施
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GB/T 36357-2018中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范_第3頁
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GB/T 36357-2018中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范-免費下載試讀頁

文檔簡介

ICS31260

L53.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T36357—2018

中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范

Technicalspecificationformiddlepowerlight-emittingdiodechips

2018-06-07發(fā)布2019-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T36357—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

要求

3………………………1

檢驗方法

4…………………3

檢驗規(guī)則

5…………………5

包裝運輸和儲存

6、…………………………9

附錄規(guī)范性附錄中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的目檢

A()…………11

附錄規(guī)范性附錄人體模式和機(jī)器模式的靜電放電敏感度分級及標(biāo)志

B()…………14

GB/T36357—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部電子歸口

()。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院廈門市三安光電科技有限公司中國電子科技集團(tuán)

:、、

公司第十三研究所

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人劉秀娟趙英張戈蔡偉智張瑞霞趙敏張晨朝

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T36357—2018

中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片產(chǎn)品以下簡稱芯片的技術(shù)要求檢驗方法檢驗規(guī)

()、、

則包裝運輸和儲存等

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗交變濕熱

GB/T2423.4—20082:Db:(12h+

循環(huán)

12h)

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗和導(dǎo)則穩(wěn)態(tài)加

GB/T2423.15—20082:Ga:

速度

環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗溫度變化

GB/T2423.22—20122:N:

半導(dǎo)體器件第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T4589.1—200610:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法第部分總則

GB/T4937.1—20061:

半導(dǎo)體發(fā)光二極管測試方法

SJ/T11394—2009

半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片測試方法

SJ/T11399—2009

所有部分半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法

IEC60749()(Semiconductordevices—Mechanical

andclimatictestmethods)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法第部分芯片剪切強(qiáng)度

IEC60749-19:201019:(Semicon-

ductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part19:Dieshearstrength)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法第部分鍵合強(qiáng)度

IEC60749-22:200222:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part22:Bondstrength)

3要求

31通則

.

311優(yōu)先順序

..

芯片應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)和相關(guān)詳細(xì)規(guī)范的要求本標(biāo)準(zhǔn)的要求與相關(guān)詳細(xì)規(guī)范不一致時應(yīng)以相關(guān)詳

。,

細(xì)規(guī)范為準(zhǔn)

。

312對詳細(xì)規(guī)范的引用

..

本標(biāo)準(zhǔn)中使用按規(guī)定一詞而未指明引用的文件時即指引用相關(guān)詳細(xì)規(guī)范

“”,。

32材料和結(jié)構(gòu)

.

321材料

..

應(yīng)采用

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