GB/T 36081-2018納米技術(shù)硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體表征熒光發(fā)射光譜法

ICS17180

A40.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T36081—2018

納米技術(shù)硒化鎘量子點(diǎn)納米

晶體表征熒光發(fā)射光譜法

Nanotechnology—CharacterizationofCdSequantumdotnanocrystal—

Fluorescencespectroscopy

2018-03-15發(fā)布2018-10-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T36081—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

方法原理

4…………………2

儀器

5………………………2

樣品

6………………………3

樣品檢測(cè)

7…………………3

檢測(cè)報(bào)告

8…………………4

附錄資料性附錄硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體熒光發(fā)射光譜的檢測(cè)

A()…………………6

附錄資料性附錄量子點(diǎn)納米晶體相對(duì)熒光量子產(chǎn)率的測(cè)量

B()……8

附錄資料性附錄量子點(diǎn)納米晶體熒光發(fā)射光譜檢測(cè)報(bào)告

C()………10

參考文獻(xiàn)

……………………11

GB/T36081—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)院提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC279)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位國(guó)家納米科學(xué)中心蘇州星爍納米科技有限公司武漢大學(xué)武漢珈源量子點(diǎn)技術(shù)

:、、、

開發(fā)有限責(zé)任公司北京北達(dá)聚邦科技有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人劉忍肖葛廣路朱東亮王允軍龐代文朱小波李青松

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T36081—2018

引言

量子點(diǎn)是一種具有量子限域效應(yīng)的熒光納米粒子又稱納米晶體主要是由族或族元素

,,Ⅱ-ⅥⅢ-Ⅴ

組成尺寸一般處于量子點(diǎn)納米晶體具有獨(dú)特的光學(xué)特性激發(fā)光譜波長(zhǎng)范圍寬而發(fā)射

,2nm~10nm。:

光譜波長(zhǎng)范圍窄熒光發(fā)射峰波長(zhǎng)隨納米晶體尺寸的減小而漸次藍(lán)移熒光發(fā)射峰半峰寬與納米晶體尺

,,

寸的單分散性相關(guān)

。

含鎘量子點(diǎn)具有穩(wěn)定性好發(fā)光效率高半峰寬窄納米晶體的尺寸分布相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差小于時(shí)

、、(5%,

其熒光發(fā)射峰的半峰寬通常小于波長(zhǎng)可調(diào)自吸收小等特點(diǎn)在光電轉(zhuǎn)換如器件顯示

35nm)、、,(LED、

面板場(chǎng)效應(yīng)晶體管等和生物醫(yī)學(xué)如細(xì)胞成像分子標(biāo)記熒光探針等領(lǐng)域得到了廣泛的研究和應(yīng)

、)(、/)

用本標(biāo)準(zhǔn)的制定將為量子點(diǎn)的熒光發(fā)射光譜檢測(cè)提供規(guī)范統(tǒng)一的表征方法

。、。

Ⅱ

GB/T36081—2018

納米技術(shù)硒化鎘量子點(diǎn)納米

晶體表征熒光發(fā)射光譜法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體的熒光發(fā)射光譜檢測(cè)的表征方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體的熒光發(fā)射光譜表征其他納米材料的熒光發(fā)射光譜表征也

,

可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

刑事技術(shù)微量物證的理化檢驗(yàn)第部分紫外可見吸收光譜法

GB/T19267.22:-

硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體的表征紫外可見吸收光譜方法

GB/T24370—2009-

納米科技術(shù)語(yǔ)第部分核心術(shù)語(yǔ)

GB/T30544.11:

紫外可見近紅外分光光度計(jì)檢定規(guī)程

JJG178、、

熒光分光光度計(jì)檢定規(guī)程

JJG537

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T30544.1。

31

.

量子點(diǎn)納米晶體quantumdotnanocrystal

在常溫下具有量子尺寸效應(yīng)的半導(dǎo)體納米晶體

。

注1準(zhǔn)零維納米粒子半徑小于或接近于其激子波爾半徑

:,。

注2受激時(shí)通常會(huì)發(fā)射熒光

:。

注3改寫定義

:GB/T24370—2009,3.1。

32

.

量子