材料科學(xué)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)

材料科學(xué)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)2023/2/4第一章原子結(jié)構(gòu)與鍵合◆原子的電子結(jié)構(gòu)核外電子排布規(guī)律：能量最低原理、泡利（Pauli）不相容原理、洪德（Hund）法則。要求：熟悉且能寫(xiě)出一般元素的核外電子排布式。如C、O、N、Na、Mg、Al等。◆原子間的鍵合

物理鍵：范德華力、氫鍵主要依靠原子間的偶極吸引力結(jié)合

化學(xué)鍵：金屬鍵、離子鍵、共價(jià)鍵（極性和非極性）主要依靠?jī)r(jià)電子轉(zhuǎn)移或共用電子對(duì)云成鍵。第二章晶體材料中的原子排列基本概念晶體、非晶體，以及兩者之間的區(qū)別。晶體中的原子在空間呈有規(guī)則的周期性重復(fù)排列，而非晶體的原子則是無(wú)規(guī)則排列的。兩者之間的區(qū)別主要有兩點(diǎn)：（1）晶體熔化時(shí)具有固定的熔點(diǎn)，而非晶體卻無(wú)固定熔點(diǎn)，存在一個(gè)軟化溫度范圍。（2）晶體具有各向異性，而非晶體卻為各向同性。為了便于對(duì)晶體進(jìn)行描述，引出了空間點(diǎn)陣和晶胞兩個(gè)概念。空間點(diǎn)陣選取的一個(gè)重要原則：

每個(gè)陣點(diǎn)周?chē)沫h(huán)境（原子的種類(lèi)以及分布）必須都是相同的。陣點(diǎn)都是等同點(diǎn)。第二章晶體材料中的原子排列根據(jù)六個(gè)點(diǎn)陣常數(shù)之間的相互關(guān)系，將空間點(diǎn)陣歸屬于7大晶系：（三斜、單斜、正交、六方、菱方、四方、立方）14種布拉維點(diǎn)陣（簡(jiǎn)單三斜、簡(jiǎn)單單斜、底心單斜、簡(jiǎn)單正交、底心正交、體心正交、面心正交、簡(jiǎn)單六方、簡(jiǎn)單菱方、簡(jiǎn)單四方、體心四方、簡(jiǎn)單立方、體心立方、面心立方）。第二章晶體材料中的原子排列晶體結(jié)構(gòu)與空間點(diǎn)陣的相互關(guān)系晶體結(jié)構(gòu)是晶體的直接表達(dá)點(diǎn)陣是對(duì)晶體結(jié)構(gòu)的數(shù)學(xué)抽象晶體結(jié)構(gòu)中的球代表實(shí)際的原子點(diǎn)陣中的球（陣點(diǎn)）代表一個(gè)或幾個(gè)原子，是數(shù)學(xué)上抽象的點(diǎn)晶體結(jié)構(gòu)有無(wú)數(shù)多種點(diǎn)陣只有14種第二章晶體材料中的原子排列為了能明確的、定量的表示晶格中任意兩原子間連線(xiàn)的方向或任意一個(gè)原子面。且能方便地使用數(shù)學(xué)方法處理晶體學(xué)問(wèn)題。晶向（指數(shù)）、晶面（指數(shù)）晶面（crystalplane）——晶體結(jié)構(gòu)一系列原子所構(gòu)成的平面。晶向（crystaldirections）——通過(guò)晶體中任意兩個(gè)原子中心連成直線(xiàn)來(lái)表示晶體結(jié)構(gòu)的空間的各個(gè)方向。晶向指數(shù)(indicesofdirections)和晶面指數(shù)(indicesofcrystalplane)是分別表示晶向和晶面的符號(hào)，國(guó)際上用Ｍiller指數(shù)（Ｍillerindices）來(lái)統(tǒng)一標(biāo)定。第二章晶體材料中的原子排列晶向、晶面的畫(huà)法。晶向指數(shù)、晶面指數(shù)的表示方法。1）晶向指數(shù)[uvw]確定方法：定原點(diǎn)—建坐標(biāo)—求坐標(biāo)—化最小整數(shù)—加[]注意，負(fù)數(shù)時(shí)的表示方法。2）晶面指數(shù)（hkl）確定方法：定原點(diǎn)—求截距—取倒數(shù)—化最小整數(shù)—加（）3）晶向指數(shù)與晶面指數(shù)之間的相互關(guān)系第二章晶體材料中的原子排列例：(重點(diǎn)在習(xí)題的講解)xyzo[111]x軸坐標(biāo)——1y軸坐標(biāo)——1z軸坐標(biāo)——1第三章典型金屬晶體結(jié)構(gòu)金屬的晶體結(jié)構(gòu)主要分為以下三種類(lèi)型：面心立方結(jié)構(gòu)(face—centeredcubic,fcc/A1)體心立方結(jié)構(gòu)

(body—centeredcubic,bcc/A2)密排六方結(jié)構(gòu)

(hexagonalclose-packed,hcp/A3)

第三章典型金屬晶體結(jié)構(gòu)描述晶胞的參數(shù)：點(diǎn)陣常數(shù)：晶格常數(shù)和晶軸間夾角晶胞中原子數(shù)原子半徑R(和點(diǎn)陣常數(shù)的關(guān)系)：采用剛球模型(見(jiàn)后)配位數(shù)(coordinativenumber)：最近鄰且等距原子數(shù)。致密度：鋼球模型中,晶胞中原子所占體積與晶胞總體 積之比密排方向和密排面晶體結(jié)構(gòu)中的間隙

(大小和數(shù)量）第三章典型金屬晶體結(jié)構(gòu)基本參數(shù)fccbcchcp點(diǎn)陣常數(shù)晶胞內(nèi)原子數(shù)配位數(shù)1286+6致密度0.740.680.74最近原子間距第三章典型金屬晶體結(jié)構(gòu)fccbcchcpfcc{111}<110><111>ABCbcc{110}<111><110>ABhcp{0001}<0001>AB第三章典型金屬晶體結(jié)構(gòu)固溶體的形成條件置換固溶體形成條件——溶質(zhì)原子尺寸與溶劑原子尺寸相近間隙固溶體形成條件——溶質(zhì)原子尺寸與溶劑晶體結(jié)構(gòu)間隙尺寸相近第三章典型金屬晶體結(jié)構(gòu)中間相主要類(lèi)型中間相是合金組元間發(fā)生相互作用而形成的一種新相。主要類(lèi)型包括：正常價(jià)化合物、電子化合物、間隙相與間隙化合物、拓?fù)涿芏严嗟谒恼戮w缺陷●晶體中原子的排列會(huì)出現(xiàn)偏離理想結(jié)構(gòu)的情況，即晶體缺陷?！蚓w缺陷的分類(lèi)（據(jù)幾何特征）

點(diǎn)缺陷（零維缺陷）特征：在三維空間各個(gè)方向上尺寸都很小線(xiàn)缺陷（一維缺陷）特征：兩個(gè)方向上尺寸很小，另外一個(gè)方向延伸較長(zhǎng)面缺陷（二維缺陷）

特征：一個(gè)方向上尺寸很小，另外兩個(gè)方向上擴(kuò)展很大第四章晶體缺陷◎點(diǎn)缺陷的類(lèi)型

?肖特基缺陷——原子遷移到表面——形成空位

?弗蘭克缺陷——原子遷移到間隙中——形成空位間隙對(duì)

?雜質(zhì)或間隙原子缺陷——間隙式（小原子）或置換式（大原子）◎晶體的線(xiàn)缺陷表現(xiàn)為各種類(lèi)型的位錯(cuò)基本類(lèi)型：刃位錯(cuò)、螺位錯(cuò)、混合位錯(cuò)第四章晶體缺陷刃位錯(cuò)的特點(diǎn)第四章晶體缺陷螺位錯(cuò)的特點(diǎn)第四章晶體缺陷混合位錯(cuò)的特點(diǎn)第四章晶體缺陷復(fù)雜不同位錯(cuò)特點(diǎn)的簡(jiǎn)單總結(jié)第四章晶體缺陷第四章晶體缺陷2.伯氏矢量的性質(zhì)（小結(jié)）：（1）伯氏矢量的物理意義：

是一個(gè)反映位錯(cuò)周?chē)c(diǎn)陣畸變總累積的物理量。矢量的方向表示位錯(cuò)的性質(zhì)與取向，模表示了畸變的程度，即位錯(cuò)的強(qiáng)度。（2）伯氏矢量的確定與伯格斯回路的選擇無(wú)關(guān)。

（但與伯格斯回路的方向，即位錯(cuò)線(xiàn)l正向的選擇有關(guān)。b的正負(fù)受位錯(cuò)線(xiàn)l正向規(guī)定的影響。但l正向的選擇不會(huì)影響位錯(cuò)的類(lèi)型）（3）伯氏矢量的可加性

代表回路中所有矢量的總和（矢量和，既含方向、又含大?。?。（4）伯氏矢量的唯一性

一根不分岔的位錯(cuò)線(xiàn)具有唯一的伯氏矢量。第四章晶體缺陷2023/2/4

所以，可以用滑移矢量的晶向指數(shù)表示伯氏矢量（1）表示方法：對(duì)于立方晶體而言，由于a=b=c，因此，（n為正整數(shù)）伯氏矢量的大小：第四章晶體缺陷例：第四章晶體缺陷根據(jù)位錯(cuò)理論的提出背景，當(dāng)位錯(cuò)受到力的作用時(shí)，會(huì)發(fā)生運(yùn)動(dòng)。位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)有兩種基本形式：滑移和攀移。位錯(cuò)的類(lèi)型：刃位錯(cuò)、螺位錯(cuò)、混合位錯(cuò)第四章晶體缺陷類(lèi)型b與位錯(cuò)線(xiàn)位錯(cuò)線(xiàn)運(yùn)動(dòng)方向τ與bτ與位錯(cuò)線(xiàn)滑移面?zhèn)€數(shù)刃位錯(cuò)⊥法線(xiàn)//分量⊥唯一螺位錯(cuò)//法線(xiàn)//分量//不唯一混合位錯(cuò)一定角度法線(xiàn)//分量一定角度復(fù)雜位錯(cuò)滑移特征比較第四章晶體缺陷實(shí)際晶體結(jié)構(gòu)中的位錯(cuò)b=點(diǎn)陣矢量整數(shù)倍——全位錯(cuò)

其中，b=點(diǎn)陣矢量——單位位錯(cuò)b≠點(diǎn)陣矢量整數(shù)倍——不全位錯(cuò)

其中，b<點(diǎn)陣矢量——部分位錯(cuò)1）全位錯(cuò)與不全位錯(cuò)（1）實(shí)際晶體中的位錯(cuò)類(lèi)型簡(jiǎn)單立方：b點(diǎn)陣矢量——只有全位錯(cuò)實(shí)際晶體：>b=點(diǎn)陣矢量<第四章晶體缺陷第四章晶體缺陷幾何條件：反應(yīng)前后伯氏矢量和相等（方向、大?。┠芰織l件：反應(yīng)后能量降低求反應(yīng)前后各個(gè)位錯(cuò)伯氏矢量的矢量和由w=αGb2知wb2求反應(yīng)前后各位錯(cuò)的和第四章晶體缺陷第四章晶體缺陷面缺陷不做要求第五章固體材料中的擴(kuò)散擴(kuò)散是固體中原子遷移的唯一方式。第五章固體材料中的擴(kuò)散第五章固體材料中的擴(kuò)散第五章固體材料中的擴(kuò)散擴(kuò)散機(jī)制

間隙式擴(kuò)散、置換式擴(kuò)散擴(kuò)散的熱力學(xué)理論

第五章固體材料中的擴(kuò)散誘發(fā)原因：1）彈性應(yīng)力場(chǎng)的作用：應(yīng)力梯度抵消了濃度梯度。2）電場(chǎng)、磁場(chǎng)的作用：電場(chǎng)、磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生影響。3）晶界內(nèi)吸附作用：溶質(zhì)原子向晶界偏聚。4）調(diào)幅分解：典型的化學(xué)位梯度與濃度梯度方向相反。習(xí)題講解（要求，按照相關(guān)求解方法，做詳細(xì)說(shuō)明）請(qǐng)繪出下列晶向：請(qǐng)繪出下列晶面：

已知晶向指數(shù)，畫(huà)出晶向：1）定坐標(biāo)；2）化為最小整