標準解讀

《GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化鎵襯底》是一項國家標準，它主要針對用于LED外延生長的砷化鎵（GaAs）襯底材料制定了詳細的技術要求。該標準涵蓋了砷化鎵單晶的基本參數(shù)、尺寸偏差、表面質量以及電學性能等多個方面的要求。

在基本參數(shù)部分，標準規(guī)定了砷化鎵晶體直徑、厚度等物理尺寸的具體范圍；同時對晶體的導電類型（n型或p型）、載流子濃度也做了明確要求，以確保其適用于不同類型的LED器件制備過程中作為基板使用。

對于尺寸偏差，包括但不限于直徑偏差、總厚度變化量等方面都給出了嚴格限制，旨在保證產品一致性與可重復性。

此外，還特別強調了砷化鎵襯底的表面狀況，如拋光度、平整度以及缺陷密度等指標，這些直接影響到后續(xù)外延層的質量及LED的整體性能表現(xiàn)。

電學特性方面，則重點考察了電阻率及其均勻性，因為這直接關系到最終LED的工作效率和可靠性。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2014-07-24 頒布
  • 2015-04-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標準

GB/T30856—2014

LED外延芯片用砷化鎵襯底

GaAssubstratesforLEDepitaxialchips

2014-07-24發(fā)布2015-04-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T30856—2014

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會及材料分技術委員會

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標準主要起草單位中國科學院半導體研究所有研光電新材料有限公司云南中科鑫圓晶體材

:、、

料有限公司

。

本標準主要起草人趙有文提劉旺林泉于洪國惠峰趙堅強

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T30856—2014

LED外延芯片用砷化鎵襯底

1范圍

本標準規(guī)定了外延芯片用砷化鎵單晶襯底片以下簡稱襯底的要求檢驗方法和規(guī)則以及標

LED()、

志包裝運輸儲存質量證明書與訂貨單或合同內容

、、、、()。

本標準適用于外延芯片用的砷化鎵單晶襯底

LED。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

包裝儲運圖示標志

GB/T191

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

GB/T4326

半導體硅片電阻率及硅薄膜層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質量目測檢驗方法

GB/T6624

砷化鎵單晶位錯密度的測量方法

GB/T8760

硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法

GB/T13387

硅片參考面結晶學取向射線測試方法

GB/T13388X

硅片直徑測量方法

GB/T14140

半導體材料術語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

直徑砷化鎵單晶圓形拋光片切口規(guī)范

SEMIM9.7-0200150mm()

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41分類

.

砷化鎵襯底按導電類型分為型和型兩種類型

np。

42牌號

.

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