標準解讀

《GB/T 29856-2013 半導體性單壁碳納米管的近紅外光致發(fā)光光譜表征方法》是一項國家標準，該標準詳細規(guī)定了如何使用近紅外光致發(fā)光光譜技術(shù)來表征半導體性的單壁碳納米管。標準適用于研究與開發(fā)過程中對單壁碳納米管樣品進行質(zhì)量控制、純度分析以及結(jié)構(gòu)性質(zhì)的研究。

根據(jù)此標準，首先需要準備合適的樣品，并確保其處于適合進行近紅外光致發(fā)光測量的狀態(tài)。接下來，通過選擇適當?shù)募ぐl(fā)光源（通常為激光），在特定波長下激發(fā)樣品，從而使其發(fā)出熒光。所發(fā)射出的光線會被收集并通過光譜儀進行分析，以獲得詳細的光譜數(shù)據(jù)。這些數(shù)據(jù)能夠反映出樣品中不同手性碳納米管的存在情況及其相對比例，進而幫助研究人員了解樣品的具體組成和結(jié)構(gòu)特點。

標準還提供了關(guān)于實驗條件設(shè)置的具體指導，比如推薦使用的儀器參數(shù)、實驗環(huán)境要求等，旨在保證測試結(jié)果的一致性和可比性。此外，對于數(shù)據(jù)分析部分，也給出了相應的處理方法，包括如何從原始數(shù)據(jù)中提取有用信息，以及如何基于這些信息做出科學合理的解釋。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2013-11-12 頒布
  • 2014-04-15 實施
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文檔簡介

ICS7106099

G12..

中華人民共和國國家標準

GB/T29856—2013

半導體性單壁碳納米管的近紅外

光致發(fā)光光譜表征方法

Characterizationofsemiconductingsingle-walledcarbonnanotubes

usingnearinfraredphotoluminescencespectroscopy

2013-11-12發(fā)布2014-04-15實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T29856—2013

目次

前言…………………………

Ⅲ

引言…………………………

Ⅳ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語和定義………………

31

原理………………………

41

單壁碳納米管的結(jié)構(gòu)………………

4.11

能帶結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光峰……………

4.22

儀器………………………

53

近紅外光致發(fā)光光譜儀……………

5.13

光源…………………

5.23

制樣方法…………………

63

測量方法…………………

73

實驗數(shù)據(jù)處理及結(jié)果分析………………

84

樣品中半導體性單壁碳納米管手性指數(shù)的指認…………………

8.14

樣品中半導體性單壁碳納米管的相對質(zhì)量濃度…………………

8.24

不確定度影響因素分析…………………

94

測試報告…………………

105

附錄資料性附錄半導體性單壁碳納米管的近紅外光致發(fā)光光譜分析…………

A()6

參考文獻……………………

12

Ⅰ

GB/T29856—2013

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本標準的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中國科學院提出

。

本標準由全國納米技術(shù)標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC279)。

本標準起草單位國家納米科學中心

:。

本標準主要起草人江潮王志芳艾楠李彥王孝平高潔

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T29856—2013

引言

單壁碳納米管的帶隙熒光現(xiàn)象為低維材料獨特電子結(jié)

(single-walledcarbonnanotubes,SWCNT)

構(gòu)的表征提供了新方法此方法能夠給出試樣中所含有的半導體性單壁碳納米管的手性指數(shù)和他們的

。

相對光致發(fā)光積分強度根據(jù)光致發(fā)光截面的信息可以估算得到樣品中不同手性的半導體性單壁碳

。,

納米管的相對質(zhì)量濃度

。

Ⅳ

GB/T29856—2013

半導體性單壁碳納米管的近紅外

光致發(fā)光光譜表征方法

1范圍

本標準規(guī)定了近紅外光致發(fā)光光譜方法表征半導體性單壁碳納米管的原理的基礎(chǔ)上規(guī)范了使用

,

儀器制樣方法測量步驟實驗數(shù)據(jù)處理及結(jié)果分析不確定度影響因素分析和測試報告等內(nèi)容

、、、、。

本標準適用于利用近紅外光致發(fā)光光譜方法表征半導體性單壁碳納米管手性指數(shù)和相對質(zhì)量濃度

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

分析儀器術(shù)語

GB/T13966

納米材料術(shù)語

GB/T19619

納米技術(shù)術(shù)語和定義第部分碳納米材料

ISOTS80004-44:(Nanotechnologies—Terminol-

ogyanddefinitions—Part4:Carbonnano-objects)

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T13966、GB/T19619ISOTS80004-4。

31

.

單壁碳納米管的手性chiralityofsingle-walledcarbonnanotubes

用于描述單壁碳納米管結(jié)構(gòu)的矢量符號

。

32

.

手性指數(shù)chiralindices

描述單壁碳納米管手性矢量的兩個整數(shù)

。

33

.

相對質(zhì)量濃度relativemassconcentration

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