GB/T 2900.66-2004電工術語半導體器件和集成電路

ICS01.040.29K04中華人民共和國國家標準GB/T2900.66-2004/IEC60050-521:2002電工術語半導體器件和集成電路Electrotechnicalterminology-Semiconductordevicesandintegratedcircuits（IEC60050-521:2002,InternationalelectrotechnicalvocabularyPart521Semiconductordevicesandintegratedcireuits,IDT)2004-05-10發(fā)布2004-12-01實施中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標準化管理委員會

GB/T2900.66-2004/IEC60050-521:2002二次前言范圍2規(guī)范性引用文件3術語和定義3.1原子物理術語3.2半導體材料特性3.3半導體材料工藝·3.4半導體器件類型…3.5半導體通用術語…………3.6二極管專用術語·3.7晶體管專用術語……3.8流晶體管(晶閘管)專用術語2.3.9霍爾效應器件和磁電阻器專用術語………3.10：集成電路專用術語263.11數(shù)字集成電路專用術語27中文索引30英文索引85

GB/T2900.66-2004/IEC60050-521:2002前GB/T2900的本部分等同采用IEC60050-521:2002《國際電工詞匯第521部分：半導體器件和集成電路》本部分等同翻譯IEC60050-521:2002。為了便于使用，本部分做了下列編輯性修改：“本國際標準”一詞改為"本部分"；刪除國際標準的前言和說明。本標準中術語編號與IEC60050-808:2002保持一致本標準由全國電工術語標準化技術委員會提出。本標準由全國電工術語標準化技術委員會歸口。本標準起草單位:中國電子技術標準化研究所(CESI)、機械科學研究院本標準主要起草人：趙英、顧振球、楊芙、羅發(fā)明、劉春勛、陳裕燒.

GB/T2900.66—2004/1EC60050-521:2002電工術語半導體器件和集成電路1范圍GB/T2900的本部分界定了半導體技術、半導體設計和半導體類型的通用術語。范性引用文件IEC60050-151:2001.國際電工詞匯第151部分：電的和磁的器件8語和定義3.1原子物理術語521-01-01非量子化系統(tǒng)（粒子的）！non-quantizedsystem（ofparticles)拉子的能量能夠連續(xù)變化·且在某一瞬間由粒子的位置和速度確定的微觀狀態(tài)的數(shù)目不受限制的粒子系統(tǒng)。521-01-02量子化系統(tǒng)（粒子的）uantizedsystem(ofparticles)拉子能量只能取分立值的粒子系統(tǒng)521-01-03麥克斯韋-玻爾茲曼統(tǒng)計Maxwell-Boltzmannstatistics在非量子化系統(tǒng)中由有限小體積的位置、速度或能量平均值確定的該系統(tǒng)宏觀態(tài)的概率分布521-01-04玻爾茲曼關系Boltzmannrelation說明以下內(nèi)容的關系式：除一個可附加的常數(shù)外.粒子系統(tǒng)的嫡等于宏觀態(tài)概率的自然對數(shù)和玻爾茲曼常數(shù)的乘積。521-01-05麥克斯韋-玻爾茲曼速度分布律Maxwell-Boltzmannvelocity-distributionlaw給出非量子化系統(tǒng)中，速度分量分別處于間隔(a·4十da)，.v十do)，,十die)中的粒子數(shù)dN的代數(shù)式：dN=A·cxp-33/式中：N-拉粒子的總數(shù)：粒子的質量；-熱力學溫度；玻爾茲曼常數(shù)注：dN/N代表一個粒子的速度分量處于