標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 28276-2012 硅基MEMS制造技術(shù) 體硅溶片工藝規(guī)范》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在為硅基微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的制造過程中采用體硅溶片技術(shù)提供指導(dǎo)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了使用這種特定工藝時(shí)應(yīng)遵循的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法以及質(zhì)量控制等方面的內(nèi)容。

體硅溶片工藝是一種在MEMS器件制作中廣泛應(yīng)用的技術(shù)，主要用于形成三維結(jié)構(gòu)或釋放可動(dòng)部件。根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，首先明確了適用于該文檔范圍內(nèi)的術(shù)語定義，確保行業(yè)內(nèi)對(duì)于關(guān)鍵概念有著統(tǒng)一的理解。接著，它描述了整個(gè)工藝流程，從材料準(zhǔn)備到最終成品檢查，涵蓋了每一個(gè)步驟的具體操作指南。這些步驟可能包括但不限于晶圓清洗、光刻膠涂覆與曝光、蝕刻過程、保護(hù)層沉積等，并且對(duì)每一步驟所需條件如溫度、時(shí)間、化學(xué)品濃度等給出了建議值。

此外，《GB/T 28276-2012》還強(qiáng)調(diào)了安全性和環(huán)境保護(hù)的重要性，在實(shí)施相關(guān)工藝時(shí)必須遵守國家關(guān)于安全生產(chǎn)和環(huán)境保護(hù)的相關(guān)法律法規(guī)。同時(shí)，為了保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性與可靠性，本標(biāo)準(zhǔn)也提出了相應(yīng)的檢測項(xiàng)目及合格判定準(zhǔn)則，比如通過掃描電子顯微鏡觀察結(jié)構(gòu)形態(tài)是否符合設(shè)計(jì)要求，或者利用X射線衍射儀分析晶體結(jié)構(gòu)等手段來評(píng)估最終產(chǎn)品的性能指標(biāo)。

該文件不僅為企業(yè)提供了詳細(xì)的參考依據(jù)，同時(shí)也促進(jìn)了整個(gè)行業(yè)技術(shù)水平的進(jìn)步與發(fā)展。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2012-05-11 頒布
  • 2012-12-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T28276—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

體硅溶片工藝規(guī)范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Specificationfordissolvedwaferprocess

2012-05-11發(fā)布2012-12-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T28276—2012

目次

前言…………………………

Ⅰ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語和定義………………

31

工藝流程…………………

42

體硅溶片工藝流程…………………

4.12

硅片加工工藝流程…………………

4.22

玻璃片加工工藝流程………………

4.33

硅玻璃鍵合片工藝流程……………

4.4-4

工藝加工能力……………

54

工藝保障條件要求………………………

64

人員要求……………

6.14

環(huán)境要求……………

6.24

設(shè)備要求……………

6.35

原材料要求………………

76

安全操作要求……………

86

用電安全……………

8.16

化學(xué)試劑……………

8.26

排廢…………………

8.36

工藝檢驗(yàn)…………………

96

總則…………………

9.16

關(guān)鍵工序檢驗(yàn)………………………

9.27

最終檢驗(yàn)……………

9.38

附錄資料性附錄體硅溶片關(guān)鍵工序檢驗(yàn)方法……………………

A()10

GB/T28276—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國電子科技集團(tuán)第十三研究所中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心北京大學(xué)中國科學(xué)院上

:、、、

海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人崔波羅蓉劉偉張大成熊斌陳海蓉

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T28276—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

體硅溶片工藝規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用體硅溶片加工工藝進(jìn)行器件加工時(shí)應(yīng)遵循的工藝要求和工藝評(píng)價(jià)規(guī)范

MEMS。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于體硅溶片工藝的加工和質(zhì)量檢驗(yàn)

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范

GB50073—2001

測量管理體系測量過程和測量設(shè)備的要求

GB/T19022—2003

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語

GB/T26111—2010(MEMS)

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T26111—2010GB/T19022—2003。

31

.

微機(jī)電系統(tǒng)micro-electromechanicalsystemMEMS

;

關(guān)鍵部件特征尺寸在亞微米至亞毫米之間能獨(dú)立完成機(jī)光電等功能的系統(tǒng)

(),。

注1微機(jī)電系統(tǒng)一般包括微型機(jī)構(gòu)微傳感器微執(zhí)行器信號(hào)處理和控制通訊接口電路以及能源等部分

:、、、、。

注2微機(jī)電系統(tǒng)通常需要多學(xué)科領(lǐng)域技術(shù)的綜合應(yīng)用例如機(jī)電光生物等多種領(lǐng)域

:,、、、。

注3主要在美國使用微系統(tǒng)主要在歐洲使用微機(jī)械主要在日本使用

:MEMS,,。

定義

[GB/T26111—2010,3.1.1]

32

.

體微加工工藝bulkmicromachining

通過選擇性去除部分基底材料實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)的微機(jī)械加工方法

。

注體微機(jī)械工藝式通過化學(xué)方法刻蝕去除基底不需要部分的加工方法通過使用或掩膜可以保護(hù)表

:。SiO2SiN

面不被刻蝕硼參雜層也可以停止表面層以下部分的刻蝕

。。

定義

[GB/T26111—2010,3.5.16]

33

.

體硅溶片工藝

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