GB/T 28275-2012硅基MEMS制造技術(shù)氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標準

GB/T28275—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

SpecificationforKOHetchprocess

2012-05-11發(fā)布2012-12-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

硅基MEMS制造技術(shù)

氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范

GB/T28275—2012

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

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年月第一版

201210

*

書號

:155066·1-45572

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T28275—2012

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國微機電技術(shù)標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標準起草單位中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所重慶大學(xué)東南大學(xué)中國電子科技集

:、、、

團第四十九研究所中機生產(chǎn)力促進中心

、。

本標準主要起草人夏偉鋒熊斌馮飛戈肖鴻周再發(fā)李玉玲賀學(xué)鋒田雷劉偉

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T28275—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范

1范圍

本標準規(guī)定了采用氫氧化鉀腐蝕工藝進行器件加工時應(yīng)遵循的工藝要求

MEMS。

本標準適用于氫氧化鉀腐蝕工藝和管理

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微機電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語

GB/T26111—2010(MEMS)

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法表面粗糙度參數(shù)及其數(shù)值

GB/T1031—2009(GPS)

潔凈廠房設(shè)計規(guī)范

GB50073—2001

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T26111—2010。

31

.

潔凈度cleanliness

以單位體積空氣某粒徑粒子的數(shù)量來區(qū)分的潔凈程度

。

32

.

潔凈室cleanroom

空氣懸浮粒子濃度受控的房間它的建造和使用應(yīng)減少室內(nèi)誘入產(chǎn)生及滯留粒子室內(nèi)其他有

。、。

關(guān)參數(shù)如溫度濕度壓力等按要求進行控制

、、。

33

.

濕法刻蝕wetetching

利用與待刻材料可產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的溶液對薄膜或器件結(jié)構(gòu)進行腐蝕的技術(shù)

。

注在進行濕法刻蝕時將不需要腐蝕的一部分掩模暴露其余的部分然后將材料浸入反應(yīng)溶液中可分為各向

:,,,。

同性刻蝕和各向異性刻蝕

。

定義

[GB/T26111—2010,3.5.17]

34

.

腐蝕劑escharotic

有腐