GB/T 24577-2009熱解吸氣相色譜法測(cè)定硅片表面的有機(jī)污染物

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜２４５７７—２００９

熱解吸氣相色譜法測(cè)定

硅片表面的有機(jī)污染物

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱狊犳狅狉犪狀犪犾狔狕犻狀犵狅狉犵犪狀犻犮犮狅狀狋犪犿犻狀犪狀狋狊狅狀狊犻犾犻犮狅狀

狑犪犳犲狉狊狌狉犳犪犮犲狊犫狔狋犺犲狉犿犪犾犱犲狊狅狉狆狋犻狅狀犵犪狊犮犺狉狅犿犪狋狅犵狉犪狆犺狔

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜２４５７７—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用ＳＥＭＩＭＦ１９８２１１０３《熱解吸附氣相色譜法評(píng)估硅片表面有機(jī)污染物的方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)ＳＥＭＩＭＦ１９８２１１０３格式進(jìn)行了相應(yīng)調(diào)整。為了方便比較，在資料性附錄Ｂ中列出了本標(biāo)準(zhǔn)

章條和ＳＥＭＩＭＦ１９８２１１０３章條對(duì)照一覽表。并對(duì)ＳＥＭＩＭＦ１９８２１１０３條款的修改處用垂直單線標(biāo)

識(shí)在它們所涉及的條款的頁(yè)邊空白處。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＳＥＭＩＭＦ１３８９０７０４相比，主要技術(shù)差異如下：

———去掉了“目的”、“關(guān)鍵詞”；

———將實(shí)際測(cè)試得到的單一試驗(yàn)室的精密度結(jié)果代替原標(biāo)準(zhǔn)中的精度和偏差部分，并將原標(biāo)準(zhǔn)中

的精度和偏差部分作為資料性附錄Ａ。

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄Ａ、附錄Ｂ為資料性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研

究所。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王奕、褚連青、李靜。

Ⅰ

書

犌犅／犜２４５７７—２００９

熱解吸氣相色譜法測(cè)定

硅片表面的有機(jī)污染物

１范圍

１．１本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片表面的有機(jī)污染物的定性和定量方法，采用氣質(zhì)聯(lián)用儀或磷選擇檢測(cè)器或者兩

者同時(shí)采用。

１．２本標(biāo)準(zhǔn)描述了熱解吸氣相色譜儀（ＴＤＧＣ）以及有關(guān)樣品制備和分析的相關(guān)程序。

１．３本標(biāo)準(zhǔn)的檢測(cè)限范圍取決于被檢測(cè)的有機(jī)化合物，比如碳?xì)浠衔铮ǎ茫浮茫玻福┑臋z測(cè)范圍就是

１０－１２ｇ／ｃｍ２～１０－９ｇ／ｃｍ２。

１．４本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片和有氧化層的硅片。

１．５本標(biāo)準(zhǔn)中包含了兩種方法。方法Ａ適用于切割后的硅片，方法Ｂ則適用于完整的硅片。兩種方

法的不同點(diǎn)在第７部分中有詳細(xì)描述。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＡＳＴＭＤ６１９６吸附劑的選擇和取樣／熱解吸分析程序檢測(cè)空氣中的揮發(fā)性有機(jī)物

３術(shù)語(yǔ)、定義和縮略語(yǔ)

下列術(shù)語(yǔ)和定義及縮略語(yǔ)適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

３．１術(shù)語(yǔ)和定義

３．１．１

空白晶片犫犾犪狀犽狑犪犳犲狉

一片經(jīng)過熱處理但未吸收任何有機(jī)污染物的硅片。

３．２縮略語(yǔ)

ＡＥＤ———ａｔｏｍｉｃｅｍｉｓｓｉｏｎｄｅｔｅｃｔｏｒ原子發(fā)射檢測(cè)器

Ｃ１６———ｎｈｅｘａｄｅｃａｎｅ，ｎＣ１６Ｈ３４正十六烷

ＦＩＤ———ｆｌａｍｅｉｏｎｉｚａｔｉｏｎｄｅｔｅｃｔｏｒ火焰離子化檢測(cè)器

ＦＰＤ———ｆｌａｍｅｐｈｏｔｏｍｅｔｒｉｃｄｅｔｅｃｔｏｒ火焰光度檢測(cè)器

ＧＣ———ｇａｓｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ氣相色譜

ＭＳ———ｍａｓｓｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ質(zhì)譜

ＮＰＤ———ｎｉｔｒｏｇｅｎ／ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓｔｈｅｒｍｉｏｎｉｃｉｏｎｉｚａｔｉｏｎｄｅｔｅｃｔｏｒ氮磷檢測(cè)器