標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 17866-1999 掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準(zhǔn)則》這一標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了半導(dǎo)體制造過程中,用于檢測掩模(光罩)缺陷的系統(tǒng)靈敏度分析所需特制缺陷掩模的設(shè)計、制作及評估測量的具體方法。然而,您提供的對比項似乎不完整,沒有明確指出要與哪個具體的標(biāo)準(zhǔn)或版本進(jìn)行比較。因此,直接對比變更內(nèi)容較為困難。

但基于一般標(biāo)準(zhǔn)更新的常規(guī)路徑,如果將《GB/T 17866-1999》與該領(lǐng)域后續(xù)發(fā)布的新版標(biāo)準(zhǔn)或國際上同類標(biāo)準(zhǔn)相比,可能的變更點通常會涉及以下幾個方面:

  1. 技術(shù)進(jìn)步的吸納:新標(biāo)準(zhǔn)可能會納入新的檢測技術(shù)和設(shè)備進(jìn)展,提高缺陷檢測的精度和效率,如更先進(jìn)的光學(xué)或電子束檢測技術(shù)的規(guī)范。

  2. 測試方法的優(yōu)化:隨著對缺陷理解的深入,測試方法可能會得到改進(jìn),包括更精確的缺陷尺寸測量、形狀識別算法的升級,以及對不同類型缺陷(如粒子、劃傷、針孔等)的特定評估方法。

  3. 靈敏度要求的調(diào)整:鑒于半導(dǎo)體工藝節(jié)點的不斷縮小,對掩模缺陷的容忍度要求更加嚴(yán)格,新標(biāo)準(zhǔn)可能會設(shè)定更高的靈敏度要求,確保能夠有效檢測出更微小的缺陷。

  4. 質(zhì)量控制指標(biāo)的細(xì)化:為了更好地適應(yīng)高質(zhì)量生產(chǎn)需求,新標(biāo)準(zhǔn)可能會引入更多詳細(xì)的質(zhì)量控制指標(biāo)和評估參數(shù),確保掩模缺陷檢查系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

  5. 標(biāo)準(zhǔn)化語言和格式的統(tǒng)一:遵循國際標(biāo)準(zhǔn)化組織的最新指南,新標(biāo)準(zhǔn)在表述、符號使用、計量單位等方面可能進(jìn)行了規(guī)范化調(diào)整,便于國際交流與合作。

  6. 環(huán)境和安全考量的增強(qiáng):考慮到環(huán)境保護(hù)和操作人員安全,新標(biāo)準(zhǔn)可能會增加對檢測過程中使用的材料、廢棄物處理以及操作安全性的指導(dǎo)。

由于沒有具體的對比對象,以上僅為基于標(biāo)準(zhǔn)更新常見趨勢的一般性推測。若需具體分析與某特定標(biāo)準(zhǔn)之間的差異,提供完整的標(biāo)準(zhǔn)名稱或版本號是必要的。


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  • 正在執(zhí)行有效
  • 1999-09-13 頒布
  • 2000-06-01 實施
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GB/T 17866-1999掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準(zhǔn)則_第1頁
GB/T 17866-1999掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準(zhǔn)則_第2頁
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GB/T 17866-1999掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準(zhǔn)則-免費下載試讀頁

文檔簡介

ICS31.200L56中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T17866—1999idtSEMiP23.1993掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準(zhǔn)則Guidelineforprogrammeddefectmasksandbenchmarkproceduresforsensitivityanalysisofmaskdefectinspectionsystems1999-09-13發(fā)布2000-06-01實施國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T17866-1999目次前言……………·上范圍2引用標(biāo)準(zhǔn)……3特制缺陷的類別4特制缺陷的尺寸定義基本單元與基本子單元6侍制缺陷的識別符號7缺陷單元在芯片圖形上的排列規(guī)則特制缺陷掩模中芯片布局9測試掩模用于靈敏度評估10測試掩模的名稱、比例和標(biāo)題

GB/T17866--1999本標(biāo)準(zhǔn)等同采用1994年SEMI標(biāo)準(zhǔn)版本“微型構(gòu)圖”部分中的SEMIP23:1993《掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準(zhǔn)則》(Guidelineforprogrammeddefectmasksandbenchmarkproceduresforsensitivityanalysisofmaskdefectinspectionsystems)。SEMI標(biāo)準(zhǔn)是國際上公認(rèn)的一套半導(dǎo)體設(shè)備和材料國際標(biāo)準(zhǔn).SEMIP23:1993(搶模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準(zhǔn)則》是其中的一項,它將與如下已經(jīng)轉(zhuǎn)化的八項國家標(biāo)準(zhǔn):GB/T15870-1995《硬面光掩模用鉻薄膜》(eqvSEMIP2:1986):GB/T15871-1995《硬面光掩?;濉?neqSEMIP1:1992);GB/T16527-1996《硬面感光板中光致抗蝕劑和電子束抗蝕劑規(guī)范》eqvSEMIP3:1990)GB/T16523—1996《圓形石英玻璃光掩?;逡?guī)范》(eqvSEMIP4:1992):GB/T16524—1996《光掩模對準(zhǔn)標(biāo)記規(guī)范》(eqvSEMIP6:1988);GB/T16878-1997《用于集成電路制造技術(shù)的檢測圖形單元規(guī)范》idtSEMIP19:1992):GB/T16879-1997《掩模曝光系統(tǒng)精密度和準(zhǔn)確度的表示準(zhǔn)則》(idtSEMIP21:1992);GB/T16880—1997《光掩模缺陷分類和尺寸定義的準(zhǔn)則》(idtSEMIP22:1993),以及與本標(biāo)準(zhǔn)同時轉(zhuǎn)化的GB/T17864—1999關(guān)鍵尺寸(CD)計量方法》idtSEMIP24:1994)和GB/T17865—1999《焦深與最佳聚焦的測量規(guī)范》idrSEMIP25:1994)兩項SEMI標(biāo)準(zhǔn)形成一個國家標(biāo)準(zhǔn)微型構(gòu)圖系列。本標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)P23:1993《掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準(zhǔn)則》制定的。在技術(shù)內(nèi)容上等同地采用了該國際標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)從2000年6月1日起實施。本標(biāo)準(zhǔn)由中國科學(xué)院提出。本標(biāo)準(zhǔn)由SEMI中國標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國科學(xué)院微電子中心。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:陳寶欽、陳森錦、廖溫初、劉明

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷撞模和GB/T1999評估測量方法準(zhǔn)則Guidelineforprogrammeddefectmasksandbenchmarkproceduresforsensitivityanalysisofmaskdefectinspectionsystems1范圍本標(biāo)準(zhǔn)的目的是制定一套可用于評估掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度的測試掩模。這套測試掩模包括:含特制圖形缺陷的測試芯片,以及不含特制圖形缺陷的參考測試芯片。由于測試芯片是由各種單元集合而成·所以在本標(biāo)準(zhǔn)中,測試芯片是用單元圖形、單元圖形中的特制缺陷、以及單元的布局來定義的。此外.測試掩模是通過規(guī)定測試芯片的排列來定義的。本標(biāo)準(zhǔn)還講述這套掩模的用法。過去的設(shè)備在靈敏度測試中.許多設(shè)備生產(chǎn)廠家和用戶使用不同的掩模,而且每個廠家和用戶各自決定不同的測試方法。在某些情況下·逸今還沒有統(tǒng)一的測量方法或靈敏度分析方法。所以·在對各廠家的設(shè)備進(jìn)行靈敏度比較時,在廠家與用戶商定規(guī)范時,在用戶與用戶商定規(guī)范時.都免不了要發(fā)生混湯。所以在評估掩模缺陷檢查系統(tǒng)的靈敏度時,最好采用本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測試掩模2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文,通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時,所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會被修訂,使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性GB/T16880—1997光掩模缺陷分類和尺寸定義的準(zhǔn)則SJ/T10584-1994微微電子學(xué)光掩蔽技術(shù)術(shù)語特制缺陷的類別本標(biāo)準(zhǔn)所述的特制缺陷是利用兩種背景圖形來定義的。這兩種背景圖形是a)接觸孔圖形(contactpattern);b)線條套圈圖形(wiringpattern)圖形的設(shè)計規(guī)則規(guī)定為3Pm(在掩模上)。本章對這兩種背景圖形中的特制缺陷進(jìn)行分類、定義并編號在接觸孔圖形中的特制缺陷稱為“接觸孔缺陷":在線

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