標準解讀

《GB/T 17473.3-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 方阻測定》與《GB/T 17473.3-1998 厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 方阻測定》相比，主要在以下幾個方面進行了更新和調(diào)整：

  1. 適用范圍擴展：2008版標準不僅涵蓋了厚膜微電子技術(shù)領(lǐng)域，還更廣泛地適用于整個微電子技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的貴金屬漿料，反映出技術(shù)進步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展。

  2. 測試方法優(yōu)化：新版標準可能對手段、設(shè)備或具體測試步驟進行了細化或改進，以提高測試的準確性和可重復(fù)性。例如，可能引入了更先進的測量儀器，或?qū)Ψ阶栌嬎愎竭M行了修訂，以適應(yīng)技術(shù)發(fā)展的需求。

  3. 術(shù)語定義更新：隨著技術(shù)發(fā)展，相關(guān)術(shù)語和定義可能有所變化。2008版標準可能會對方阻、貴金屬漿料等關(guān)鍵術(shù)語給出更精確或符合當(dāng)前行業(yè)共識的定義，確保測試過程中的溝通無誤。

  4. 精度和誤差要求調(diào)整：為了適應(yīng)技術(shù)進步和對產(chǎn)品質(zhì)量更高要求，新標準可能對方阻測試的精度要求進行了調(diào)整，包括但不限于測試結(jié)果的允許誤差范圍、樣品制備的一致性要求等。

  5. 樣品處理和環(huán)境條件規(guī)定：考慮到實驗環(huán)境對方阻測試結(jié)果的影響，2008版標準可能對樣品的預(yù)處理流程、測試環(huán)境的溫濕度控制、以及測試前的穩(wěn)定時間等提出了更嚴格或具體的要求，以減少外界因素的干擾。

  6. 質(zhì)量控制和驗證程序：為了保證測試結(jié)果的可靠性，新標準可能增加了關(guān)于實驗室內(nèi)部質(zhì)量控制、數(shù)據(jù)處理方法、以及測試結(jié)果驗證的具體指導(dǎo)，幫助實驗室建立更加規(guī)范的操作流程。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2008-03-31 頒布
  • 2008-09-01 實施
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文檔簡介

犐犆犛７７．１２０．９９

犎６８

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法

方阻測定

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２００８０３３１發(fā)布２００８０９０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標準

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法

方阻測定

ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—２００８

中國標準出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

網(wǎng)址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國標準出版社秦皇島印刷廠印刷

各地新華書店經(jīng)銷

開本８８０×１２３０１／１６印張０．５字數(shù)９千字

２００８年６月第一版２００８年６月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３１５２２

如有印裝差錯由本社發(fā)行中心調(diào)換

版權(quán)專有侵權(quán)必究

舉報電話：（０１０）６８５３３５３３

書

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

前言

本標準是對ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法》（所有部分）的整合修

訂，分為７個部分：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．１—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法固體含量測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．２—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法細度測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．４—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法附著力測試；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．５—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法粘度測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法分辨率測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法可焊性、耐焊性測定。

本部分為ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。

本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定》。

本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８相比，主要有如下變動：

———將原標準名稱修改為微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定；

———增加低溫固化型漿料方阻的測定方法；

———原標準的原理中，“將漿料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基片，經(jīng)過燒結(jié)后，膜層在一定溫度及其厚度、寬

度不變的情況下……”修改為：“將漿料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基片或有機樹脂基片上，經(jīng)過燒結(jié)或

固化后，膜層在一定溫度及厚度、寬度不變的情況下”；

———測厚儀修改為：光切顯微測厚儀用于燒結(jié)型漿料：范圍為０ｍｍ～５ｍｍ，精度為０．００１ｍｍ。

千分尺用于固化型漿料：范圍為０ｍｍ～５ｍｍ，精度為０．００１ｍｍ。

本部分的附錄Ａ為規(guī)范性附錄。

本部分由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本部分由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會歸口。

本部分由貴研鉑業(yè)股份有限公司負責(zé)起草。

本部分主要起草人：金勿毀、劉繼松、李文琳、陳伏生、朱武勛、李晉。

本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８。

Ⅰ

書

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法

方阻測定

１范圍

本部分規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料方阻的測試方法。

本部分適用于微電子技術(shù)用貴金屬漿料方阻的測定。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本部分，然而，鼓勵根據(jù)本部分達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本

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