標準解讀

《GB/T 14030-1992 半導(dǎo)體集成電路時基電路測試方法的基本原理》作為一項國家標準，規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路時基電路的測試原則、方法及要求，旨在確保時基電路產(chǎn)品的性能和質(zhì)量。然而，您提供的對比參照物不完整，無法直接進行詳細的變更對比分析。通常，當對比兩個標準或版本時，會關(guān)注以下幾個方面來識別變更內(nèi)容：

  1. 測試方法和技術(shù)更新：新標準可能會引入更先進的測試技術(shù)或方法，以適應(yīng)技術(shù)進步和產(chǎn)品發(fā)展的需求，提高測試精度和效率。
  2. 參數(shù)指標調(diào)整：隨著應(yīng)用要求的提升，標準可能會對時基電路的關(guān)鍵性能指標（如穩(wěn)定度、頻率準確度、溫度系數(shù)等）提出更嚴格的要求。
  3. 兼容性與互操作性：新標準可能會增加關(guān)于與其他電子元件或系統(tǒng)兼容性測試的相關(guān)規(guī)定，以確保時基電路在復(fù)雜系統(tǒng)中的有效運作。
  4. 安全與環(huán)境要求：考慮到環(huán)境保護和用戶安全，新標準可能會加入更多關(guān)于材料、制造過程以及產(chǎn)品廢棄處理的環(huán)保要求，以及電氣安全測試規(guī)范。
  5. 術(shù)語與定義更新：為了與國際標準接軌或反映行業(yè)最新共識，標準中的專業(yè)術(shù)語和定義可能會有所更新或增補。
  6. 測試設(shè)備與校準要求：隨著測量技術(shù)的發(fā)展，可能會對測試所用的儀器設(shè)備及其校準方法提出新的要求，以保證測試結(jié)果的可靠性。

由于缺乏具體的對比對象，以上僅是一般性的變更方向概述。如果有具體的另一個標準或該標準的新版信息，可以進一步詳細對比其具體變更內(nèi)容。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1992-12-18 頒布
  • 1993-08-01 實施
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GB/T 14030-1992半導(dǎo)體集成電路時基電路測試方法的基本原理_第1頁
GB/T 14030-1992半導(dǎo)體集成電路時基電路測試方法的基本原理_第2頁
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文檔簡介

UDC621.382：681.11L55中華人民共和國國家標準GB/T14030－92半導(dǎo)體集成電路時基電路測試方法的基本原理Generalprinciplesofmeasuringmethodsoftimercircuitsforsemiconductorintegratedcircuits1992-12-18發(fā)布1993-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準半導(dǎo)體集成電路時基電路測試方法的基本原理GB/T14030-92Generalprinciplesofmeasuringmethodsoftimercircuitsforsemiconductorintegratedcircuits本標準規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路時基電路(以下簡稱器件或時基電路)電參數(shù)測試方法的基本原理時基電路與CMOS電路相同的靜態(tài)參數(shù)和動態(tài)參數(shù)測試可參照GB3834《半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理》?？偟囊笕魺o特殊說明，測試期間，環(huán)境或參考點溫度偏離規(guī)定值的范圍應(yīng)符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定12測試期間，施于被測器件的電參量應(yīng)符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定。1.3測試期間，應(yīng)避免外界干擾對測試精度的影響。測試設(shè)備引起的測試誤差應(yīng)符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定。1.4被測器件與測試系統(tǒng)連接或斷開時，不應(yīng)超過器件的使用極限條件。1.5若有要求時，應(yīng)按器件詳細規(guī)范規(guī)定的順序接通電源，1.6測試期間，被測器件應(yīng)連接器件詳細規(guī)范規(guī)定的外圍電路和補償網(wǎng)絡(luò)。17若電參數(shù)值是由幾步測試的結(jié)果經(jīng)計算而確定時，這些測試的時間間隔應(yīng)盡可能短。1.8本標準的參數(shù)定義按如下規(guī)定的真值表給出，如被測器件與本規(guī)定不符合時，可對測試電路進行相應(yīng)的調(diào)整。復(fù)位路引出端名稱閔值端觸發(fā)端輸出端引出端符號RESTHTROUT規(guī)范+HH表中：L為低電平,H為高電平,X為任意電平。2參數(shù)測試2.1復(fù)位電壓Va2.1.1目的在器件輸出電壓為低電平時,測試復(fù)位端施加的臨界輸入電壓2.1.2測試原理

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