GB/T 12963-1996硅多晶

5.39.045百中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)CB/T12963-1996硅晶Polycrystallinesilicon1996-11-04發(fā)布1997-04-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T12963-1996本標(biāo)準(zhǔn)中的直拉法用硅多品是等效采用半導(dǎo)體設(shè)備和材料國(guó)際組織(SEMI)標(biāo)準(zhǔn)SEMIM16-89《硅多晶規(guī)范》結(jié)合我國(guó)的硅多品材料的生產(chǎn)和使用情況,對(duì)GB12963—91進(jìn)行修訂而成的;懸浮區(qū)熔法用硅多晶是在原標(biāo)準(zhǔn)GB12963—91的基礎(chǔ)上，結(jié)合我國(guó)的實(shí)際情況對(duì)其進(jìn)行修訂而成的。本標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容包括直拉法和懸浮區(qū)熔法用硅多品。對(duì)于制備更高電阻率的區(qū)熔硅單晶，應(yīng)對(duì)硅多品進(jìn)行真空區(qū)域提純或使用純度更高的硅多晶。本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)GB12963—91比較，重要技術(shù)內(nèi)容改變的有：刪去硅多晶特級(jí)品及其溫度夾層要求·刪去硅烷熱分解制取硅多品的內(nèi)容，增加了塊狀硅多晶尺寸分和范圍，硅多品的各級(jí)“等級(jí)品”的技術(shù)指標(biāo)都有不同程皮的提高。本標(biāo)準(zhǔn)從1997年4月1日起實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)從生效之日起,代替GB12963—91。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位;峨眉半導(dǎo)體材料廠和中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王鴻高、尹建華、劉文魁、吳福立。本標(biāo)準(zhǔn)首次發(fā)布日期：1991年6月。

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T12963-1996Polycrystallinesilicon代梅GB12963-911范圈本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅多品的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、存。本標(biāo)準(zhǔn)適用于以三氯氫硅或四氯化硅用氫還原法制得的半導(dǎo)體級(jí)硅多晶。產(chǎn)品主要用于制備硅單2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí),所示版本均為有效，所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。GB/T1550硅單晶導(dǎo)電類型測(cè)定方法GB/T1553硅單品壽命直流光電導(dǎo)衰退測(cè)量方法GB/T1554一1995硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法GB1558—83測(cè)定硅晶體中代位碳含量紅外吸收方法GB4059-83硅多品氣家區(qū)熔磷檢驗(yàn)方法GB4060—83硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法GB4061—83硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法3產(chǎn)品分類3.1分類產(chǎn)品按外形分為塊狀硅多品和棒狀硅多品，根據(jù)純度的差別分為3級(jí)。3.2牌號(hào)硅多晶的牌號(hào)表示為：PSi-口-阿拉伯?dāng)?shù)字表示硅多晶等級(jí)英文大寫字母表示硅多晶形狀,I表示棒狀,N表示塊狀表示硅多