常用半導(dǎo)體器件圖課件

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第01章半導(dǎo)體器件第02章基本放大電路第03章多級(jí)放大電路第04章集成運(yùn)算放大電路第05章放大電路頻率響應(yīng)第06章放大電路中的反饋第07章信號(hào)運(yùn)算和處理第08章波形發(fā)生和信號(hào)轉(zhuǎn)換第09章功率放大電路第10章直流電源模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第01章半導(dǎo)體器件第06章放大電路中的反模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)學(xué)習(xí)方法1、不必預(yù)習(xí)、聽課記筆記，注重課后復(fù)習(xí)；2、例題要認(rèn)真理解、課后習(xí)題要及時(shí)完成；3、不缺課，不適合自學(xué)！通過課堂教學(xué)積累專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，注意單元電路的知識(shí)總結(jié)；4、讀書：以教材為主，一遍懂、二遍通、三遍精！5、注重實(shí)驗(yàn)！理論設(shè)計(jì)完成后，須實(shí)驗(yàn)調(diào)試；模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)學(xué)習(xí)方法1、不必預(yù)習(xí)、聽課記筆記，注重課后復(fù)第一章常用半導(dǎo)體器件1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)1.2半導(dǎo)體二極管1.3雙極型晶體管1.4場效應(yīng)管1.5單結(jié)晶體管和可控硅1.6集成電路中的元件返回第一章常用半導(dǎo)體器件1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)返回1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)圖1.1.1本征半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖圖1.1.2本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴圖1.1.3N型半導(dǎo)體圖1.1.4P型半導(dǎo)體圖1.1.5PN結(jié)的形成圖1.1.6PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通圖1.1.7PN結(jié)加反向電壓時(shí)截止圖1.1.8PN結(jié)平衡時(shí)載流子的分布圖1.1.9外加正向電壓時(shí)PN結(jié)載流子的分布圖1.1.10PN結(jié)的伏安特性圖1.1.11PN結(jié)的勢勢壘電容圖1.1.12P區(qū)少子濃度分布曲線返回1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)圖1.1.1本征半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖返半導(dǎo)體材料+14Si284+32Ge28184半導(dǎo)體材料+14284+3228圖1.1.1本征半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖

穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，使能量處于最低態(tài)！返回Si單晶共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)圖1.1.1本征半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖

穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，使能量處于最低圖1.1.2本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴返回本征激發(fā)：熱激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對，數(shù)量只與溫度有關(guān)圖1.1.2本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴返回本征激發(fā)：熱激圖1.1.3N型半導(dǎo)體返回+15P285本征半導(dǎo)體中摻入微量五價(jià)雜質(zhì)元素磷P，微量元素磷P被Si所包圍，出現(xiàn)自由電子（多子、濃度大），空穴僅由本征激發(fā)產(chǎn)生（少子、濃度?。?。圖1.1.3N型半導(dǎo)體返回+15285本征圖1.1.4P型半導(dǎo)體返回+5B23本征半導(dǎo)體中摻入微量三價(jià)雜質(zhì)元素硼B(yǎng)，微量元素硼B(yǎng)被Si所包圍，出現(xiàn)空穴（多子、濃度大），電子僅由本征激發(fā)產(chǎn)生（少子、濃度?。?。圖1.1.4P型半導(dǎo)體返回+523本征半導(dǎo)體中摻圖1.1.5PN結(jié)的形成返回1、由于載流子濃度不均勻，產(chǎn)生多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，建立空間電荷區(qū)；2、空間電荷區(qū)內(nèi)電場阻止多子繼續(xù)擴(kuò)散，卻有助于少子漂移運(yùn)動(dòng)；3、擴(kuò)散與漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，空間電荷區(qū)寬度不變，形成PN結(jié)；圖1.1.5PN結(jié)的形成返回1、由于載流子濃度不均勻，產(chǎn)生圖1.1.6PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通返回4、正偏電壓使內(nèi)電場減弱，形成正向擴(kuò)散電流（較大的多子流）；圖1.1.6PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通返回4、正偏電壓使內(nèi)電場圖1.1.7PN結(jié)加反向電壓時(shí)截止返回5、反偏電壓使內(nèi)電場增強(qiáng)，形成反向漂移電流（較小的少子流）；由于少子由本征激發(fā)產(chǎn)生，因此反向電流只與溫度有關(guān)，與電壓無關(guān)；

PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕赫螂娏鞔蟆⒎聪螂娏鳂O小。雙極型半導(dǎo)體器件：兩種載流子同時(shí)參與導(dǎo)電過程。（多子、少子）圖1.1.7PN結(jié)加反向電壓時(shí)截止返回5、反偏電壓使內(nèi)電場圖1.1.8PN結(jié)平衡時(shí)載流子的分布返回圖1.1.8PN結(jié)平衡時(shí)載流子的分布返回圖1.1.9外加正向電壓時(shí)PN結(jié)載流子的分布返回圖1.1.9外加正向電壓時(shí)PN結(jié)載流子的分布返回圖1.1.10PN結(jié)的伏安特性返回導(dǎo)通電壓正向壓降Si0.5V0.6~0.8V(0.7V)Ge0.1V0.1~0.3V(0.2V)工作電壓（很大）工作電流＋u－PNi圖1.1.10PN結(jié)的伏安特性返回導(dǎo)通電壓圖1.1.11PN結(jié)的勢壘電容返回圖1.1.11PN結(jié)的勢壘電容返回圖1.1.12P區(qū)少子濃度分布曲線返回圖1.1.12P區(qū)少子濃度分布曲線返回1.2半導(dǎo)體二極管圖1.2.1二極管的幾種外形圖1.2.2二極管的幾種常見結(jié)構(gòu)圖1.2.3二極管的伏安特性圖1.2.4由伏安特性折線化得到的等效電路圖1.2.5二極管加正向電壓的情況圖1.2.6例1.2.1電路圖圖1.2.7二極管的微變等效電路圖圖1.2.8直流電壓源和交流電壓源同時(shí)作用的二極管電路圖1.2.9圖1.2.8所示電路的波形分析圖1.2.10穩(wěn)壓管的伏安特性和等效電路圖1.2.11穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路圖1.2.12發(fā)光二極管圖1.2.13光電二極管的外形和符號(hào)圖1.2.14光電二極管的伏安特性圖1.2.15例圖1.2.3電路圖返回1.2半導(dǎo)體二極管圖1.2.1二極管的幾種外形返回圖1.2.1二極管的幾種外形返回圖1.2.1二極管的幾種外形返回圖1.2.2二極管的幾種常見結(jié)構(gòu)返回PN圖1.2.2二極管的幾種常見結(jié)構(gòu)返回PN圖1.2.3二極管的伏安特性返回圖1.2.3二極管的伏安特性返回圖1.2.4由伏安特性折線化得到的等效電路返回圖1.2.4由伏安特性折線化得到的等效電路返回圖1.2.5二極管加正向電壓的情況返回圖1.2.5二極管加正向電壓的情況返回圖1.2.6例1.2.1電路圖返回圖1.2.6例1.2.1電路圖返回圖1.2.7二極管的微變等效電路圖返回圖1.2.7二極管的微變等效電路圖返回圖1.2.8直流電壓源和交流電壓源

同時(shí)作用的二極管電路返回圖1.2.8直流電壓源和交流電壓源

同時(shí)圖1.2.9圖1.2.8所示電路的波形分析返回圖1.2.9圖1.2.8所示電路的波形分析返回圖1.2.10穩(wěn)壓管的伏安特性和等效電路返回IZminIZman圖1.2.10穩(wěn)壓管的伏安特性和等效電路返回IZminIP20圖1.2.11穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路返回=Uz

Uz

Iz限流電阻P20圖1.2.11穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路返回=UzUz圖1.2.12發(fā)光二極管返回陰極正向電流：10~20mA反峰壓：3~5V正向壓降：1.2V~2V4V5V紅~綠白蘭圖1.2.12發(fā)光二極管返回陰極正向電流：10~20圖1.2.13光電二極管的外形和符號(hào)返回圖1.2.13光電二極管的外形和符號(hào)返回圖1.2.14光電二極管的伏安特性1象限3象限4象限-i光電流反向光電流照度光電流1光電流2光電流3暗電流四象限：微型光電池

ui=-----

RV----RVV=u+iRV=-u-iRu=-iRV-----R-Vi+u--=u圖1.2.14光電二極管的伏安特性1象限3象限4象限圖1.2.15例圖1.2.3電路圖返回圖1.2.15例圖1.2.3電路圖返回1.3雙極型晶體管圖1.3.1晶體管的幾種常見外形圖1.3.2晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)圖1.3.3基本共射放大電路圖1.3.4晶體管內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)與外部電流圖1.3.5晶體管的輸入特性曲線圖1.3.6晶體管的輸出特性曲線圖1.3.7晶體管的極限參數(shù)圖1.3.8溫度對晶體管輸入特性的影響圖1.3.9溫度對晶體管輸出特性的影響圖1.3.10光電三極管的等效電路、符號(hào)和外形圖1.3.11光電三極管的輸出特性曲線返回1.3雙極型晶體管圖1.3.1晶體管的幾種常見外形返回圖1.3.1晶體管的幾種常見外形返回圖1.3.1晶體管的幾種常見外形返回圖1.3.2晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)返回很薄!++圖1.3.2晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)返回很薄!++圖1.3.3基本共射放大電路返回圖1.3.3基本共射放大電路返回晶體管工作在放大區(qū)的電流分配關(guān)系β(IB+ICBO)少子ICBOIBNP高摻雜N+ICIE從E區(qū)到達(dá)B區(qū)的電子(IB+ICBO)，則必有β(IB+ICBO)電子到達(dá)C區(qū)：IC=β(IB+ICBO)+ICBO=βIB+(1+β)ICBO=βIB+ICEO(穿透電流)≈βIB(電流放大)IE=IB+ICBO

+β(IB+ICBO)=IB+ICE區(qū)電子擴(kuò)散注入B區(qū)，C結(jié)強(qiáng)電場將其拉入C區(qū)，由于到達(dá)C區(qū)電子來自E區(qū)，因此反映了E結(jié)電壓規(guī)律。反偏正偏BCE箭頭：電流方向晶體管工作在放大區(qū)的電流分配關(guān)系β(IB+ICBOβICBOICBOIBNPN+ICEOICEOICEO

=βICBO+ICBO=(1+β)ICBOICEO：從C區(qū)穿透B區(qū)到達(dá)E區(qū)反偏正偏穿透電流ICEO

與反向飽和電流ICBO穿透電流ICEO

與少子電流ICBO有關(guān)，因此ICEO越大，溫度穩(wěn)定性越差！βICBOICBOIBNPN+ICEOICEOI圖1.3.4晶體管內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)與外部電流返回圖1.3.4晶體管內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)與外部電流返回圖1.3.5晶體管的輸入特性曲線返回+UBE-UCE

=0兩PN結(jié)并聯(lián)僅E結(jié)正偏兩PN結(jié)并聯(lián)圖1.3.5晶體管的輸入特性曲線返回+UCE=0兩返回β晶體管的輸出特性曲線返回β晶體管的輸出特性曲線圖1.3.6晶體管的輸出特性曲線返回ICEO三極管工作狀態(tài)：1、放大：E結(jié)正偏C結(jié)反偏此時(shí)IC=βIB2、截止：E結(jié)非正偏此時(shí)IB≈03、飽和：E結(jié)C結(jié)均正偏此時(shí)βIB>ICβ=βBCE圖1.3.6晶體管的輸出特性曲線返回ICEO三極管工作狀態(tài)基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)C結(jié)E結(jié)+-有效基區(qū)VAEarly電壓VCEICVC↑→C結(jié)寬度↑→基區(qū)有效寬度↓→基區(qū)復(fù)合機(jī)會(huì)↓→相當(dāng)于β↑←IC↑←到達(dá)C區(qū)電子數(shù)↑←故輸出特性上翹(等效為rCE)，其反向延長線交于VA點(diǎn)；VA越大，基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)越小。基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)C結(jié)E結(jié)+-有效基區(qū)VAVCEICVC↑飽和時(shí)ICS恒定，VCES很小，C結(jié)電場很弱；發(fā)射有余，收集不足：飽和時(shí)的集電極飽和電流ICS、超量存儲(chǔ)電荷RBRCVCC–VCESVCC↓ICS=-------------≈-----RCRC+VCC+VCES-IBNPN+ICSIE正偏正偏復(fù)合大大恒定IB↑→C結(jié)動(dòng)態(tài)空穴濃度↑由于B區(qū)很薄，超量存儲(chǔ)空穴將由B區(qū)深入至C區(qū)。復(fù)合使空穴與電子動(dòng)態(tài)積累，C區(qū)內(nèi)部的復(fù)合電流：形成C結(jié)正偏電流；過驅(qū)動(dòng)IB：C區(qū)內(nèi)多余空穴流（忽略ICEO）飽和時(shí)ICS恒定，VCES很小，飽和時(shí)的集電極飽和電流IC晶體管工作在飽和區(qū)N+PNBEC飽和時(shí)VBE為結(jié)電壓，由于E區(qū)、B區(qū)、C區(qū)充滿大量電子，發(fā)射有余，收集不足：故CE間呈低阻態(tài)，VCES很小。晶體管工作在飽和區(qū)N+PNBEC飽和時(shí)VBE為結(jié)電壓，退出飽和時(shí)超量存儲(chǔ)電荷的消失過程復(fù)合-IBICIE超量存儲(chǔ)電荷消失須經(jīng)歷一段存儲(chǔ)時(shí)間，此期間CE間仍有電流，晶體管不能立即關(guān)斷，存儲(chǔ)時(shí)間成為影響開關(guān)速度的主要因素。退出飽和措施：1、電路設(shè)計(jì)考慮基極抽取電流-IB：由于電中性，超量存儲(chǔ)積累了等量空穴與電子，抽取空穴：形成-IB時(shí)，也抽取電子：形成IC，2、超量存儲(chǔ)空穴與電子復(fù)和：進(jìn)行較緩，常在C區(qū)采用摻金Au工藝，縮短少子壽命。抽取電流-IB退出飽和時(shí)超量存儲(chǔ)電荷的消失過程復(fù)合-IBICIE圖1.3.7晶體管的極限參數(shù)返回圖1.3.7晶體管的極限參數(shù)返回圖1.3.8溫度對晶體管輸入特性的影響返回VBE負(fù)溫度特性：|VBE|降2–2.5mV/溫升1C（若保持VBE不變，則溫升導(dǎo)致IB增加）圖1.3.8溫度對晶體管輸入特性的影響返回VBE負(fù)溫度特性圖1.3.9溫度對晶體管輸出特性的影響返回溫升時(shí)IB增加導(dǎo)致IC增加圖1.3.9溫度對晶體管輸出特性的影響返回溫升時(shí)IB增圖1.3.10光電三極管的等效電路、符號(hào)和外形返回等效電路符號(hào)外形圖1.3.10光電三極管的等效電路、符號(hào)和外形返回等效電路圖1.3.11光電三極管的輸出特性曲線返回暗電流光電流圖1.3.11光電三極管的輸出特性曲線返回暗電流光電流1.4場效應(yīng)管圖1.4.1結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)圖1.4.2N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖圖1.4.3uDS＝0時(shí)uGS對導(dǎo)電溝道的控制作用圖1.4.4UGS(off)<uGS<0且uDS>0的情況圖1.4.5場效應(yīng)管的輸出特性圖1.4.6場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線圖1.4.7N溝道增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)示意圖及增強(qiáng)型MOS的符號(hào)圖1.4.8uDS＝0時(shí)uGS對導(dǎo)電溝道的影響圖1.4.9uGS為大于UGS(th)的某一值時(shí)uDS對iD的影響圖1.4.10N溝道增強(qiáng)型MOS管的特性曲線圖1.4.11N溝道耗盡型MOS管結(jié)構(gòu)示意圖及符號(hào)圖1.4.12N溝道增強(qiáng)型VMOS管的結(jié)構(gòu)示意圖圖1.4.13場效應(yīng)管的符號(hào)及特性圖1.4.14例1.4.1輸出特性曲線圖1.4.15例1.4.2電路圖圖1.4.16例1.4.3電路圖返回1.4場效應(yīng)管圖1.4.1結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)返回圖1.4.1結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)的結(jié)構(gòu)和符號(hào)返回++漏D源S結(jié)構(gòu)對稱單極型器件：僅多子導(dǎo)電。ID箭頭表示PN結(jié)正方向圖1.4.1結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)的結(jié)構(gòu)和符號(hào)返回+圖1.4.2N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖返回+-柵源負(fù)偏壓直流高電位側(cè)為漏直流低電位側(cè)為源PP圖1.4.2N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖返回+-柵源負(fù)偏圖1.4.3uDS＝0時(shí)，改變

uGS對導(dǎo)電溝道的影響返回uGS=UGS(off)時(shí)溝道夾斷(截止電壓)圖1.4.3uDS＝0時(shí)，改變uGS對導(dǎo)電溝返回柵漏電壓=夾斷電壓柵漏電壓>夾斷電壓：柵極與該點(diǎn)間電壓=夾斷電壓電子流從源極到達(dá)夾斷點(diǎn)后，在漏極正電壓吸引下，穿過夾斷區(qū)，到達(dá)漏極。柵漏電壓<夾斷電壓：ID沿溝道使漏至源各點(diǎn)電位不再相等UGS(off)<uGS<0時(shí)源極側(cè)未夾斷，調(diào)節(jié)uDS

時(shí)溝道情況：返回柵漏電壓=夾斷電壓柵漏電壓>夾斷電壓：柵漏電壓圖1.4.5場效應(yīng)管的漏極特性（歐姆區(qū)）(截止區(qū))電壓控制器件IDUDS夾斷電壓VpIDSS

返回圖1.4.5場效應(yīng)管的漏極特性（歐姆區(qū)）(截止區(qū))電壓控制圖1.4.6場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線返回UGS(off)

=-VpIDUGS截止電壓圖1.4.6場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線返回UGS(off)場效應(yīng)管三個(gè)工作區(qū)域1、截止區(qū)：|VGS|>Vp=|VGS(off)|VGS2、恒流區(qū)：ID=IDSS(1–----------)ID只受VGS控制VGS(off)(壓控)VGS3、歐姆區(qū)：ID<IDSS(1–----------)RDS受VGS控制VGS(off)

22場效應(yīng)管三個(gè)工作區(qū)域1、截止區(qū)：|VGS|>Vp圖1.4.7N溝道增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)示意圖

及增強(qiáng)型MOS的符號(hào)返回圖1.4.7N溝道增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)示意圖

N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管工作原理N+N+N溝道PVGS>VTSGDBVDS=0AlSiO2N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管工作原理N+N+N溝道PVGSN溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管工作原理N+N+N溝道0VDSPVGS>VTSGDBVDS↓IDVGD>VTVDS=0AlSiO2VGD>VTIDVDSN溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管工作原理N+N+N溝道0VDSPN溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管工作原理N+N+N溝道0VDSPVGS>VTSGDBVDS↓IDVGD=VTVGD>VTVDS=0AlSiO2VGD=VTVGD>VTIDVDSN溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管工作原理N+N+N溝道0VDSPN溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管工作原理VGD<VTVGD=VTVGD>VTIDVDSVGD<VT恒流區(qū)歐姆區(qū)漏極特性轉(zhuǎn)移特性IDVGS開啟電壓VTN+N+0VDSPVGS>VTSGDBVDS↓IDAlSiO2ΔVGSVGS-VTLGDBSN溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管工作原理VGD<VTVGD=VT1、VDS=0時(shí)：VGS將N+區(qū)電子拉出，當(dāng)VGS>VT(開啟電壓)后形成N型溝道；2、固定VGS（>VT），加VDS產(chǎn)生ID，從溝道的S端至D端電位逐漸升高，即SiO2絕緣層下側(cè)（溝道側(cè)）由S至D各點(diǎn)電位逐漸升高，而SiO2絕緣層上側(cè)（柵極側(cè)）各點(diǎn)電位均為VGS（固定），在S端SiO2絕緣層上下電壓大，電場強(qiáng)，溝道深，D端SiO2絕緣層上下電壓小，電場弱，溝道薄，VDS↑→D側(cè)溝道深度↓→溝道電阻↑→漏極特性右彎，3、VDS增至VGD=VT時(shí)，D端處于剛形成溝道狀態(tài)。4、VDS繼續(xù)增加，D處溝道被夾斷，夾斷長度Δ很小，因是耗盡層，比溝道電阻大得多，阻礙了ID的繼續(xù)增加，5、溝道夾斷點(diǎn)處，SiO2絕緣層上下電壓正好VT，即溝道夾斷點(diǎn)處電位為（VGS–VT），而溝道S處電位為0，（VGS–VT）

（VGS–VT）故溝道中電流I=---------------≈---------------=恒定，K(L–Δ)KL6、Δ很小使該處電場很強(qiáng)，溝道中電子流I沿溝道流至夾斷點(diǎn)處，受到VDS吸引到達(dá)D極，形成ID。7、VDS↑↑→Δ↑→ID↑，故漏極特性略有上翹。221、VDS=0時(shí)：VGS將N+區(qū)電子拉出，當(dāng)VGS>圖1.4.8uDS＝0時(shí)uGS對導(dǎo)電溝道的影響返回圖1.4.8uDS＝0時(shí)uGS對導(dǎo)電溝道的影響返回圖1.4.9uGS為大于UGS(th)的某一值時(shí)

uDS對iD的影響返回圖1.4.9uGS為大于UGS(th)的某一值時(shí)

圖1.4.10N溝道增強(qiáng)型MOS管的特性曲線返回圖1.4.10N溝道增強(qiáng)型MOS管的特性曲線返回圖1.4.11N溝道耗盡型MOS管結(jié)構(gòu)示意圖及符號(hào)返回IDIDSSUGS(off)

VGS轉(zhuǎn)移特性圖1.4.11N溝道耗盡型MOS管結(jié)構(gòu)示意圖及符號(hào)返回圖1.4.12N溝道增強(qiáng)型VMOS管的結(jié)構(gòu)示意圖返回圖1.4.12N溝道增強(qiáng)型VMOS管的結(jié)構(gòu)示意圖返回圖1.4.13場效應(yīng)管的符號(hào)及特性返回圖1.4.13場效應(yīng)管的符號(hào)及特性返回圖1.4.14例1.4.1輸出特性曲線返回圖1.4.14例1.4.1輸出特性曲線返回圖1.4.15例1.4.2電路圖返回圖1.4.15例1.4.2電路圖返回圖1.4.16例1.4.3電路圖返回圖1.4.16例1.4.3電路圖返回1.5單結(jié)晶