電子技術基礎模擬部分-ch04

1、半導體三極半導體三極BJT的結構簡放大狀態(tài)下BJT的工作原BJT的V-I特性曲BJT的主要參BJT的結構簡(a)小功BJT的結構簡(a)小功率(b)小功率(c)大功率率BJT的結構簡BJT的結構簡BJT的結構簡型：NPN型和PNP型BJT的結構簡型：NPN型和PNP型集電極，用C或表示集發(fā)集電結基基極，用B或表示發(fā)射結三極管BJT的結構簡結BJT的結構簡結構特點放大狀態(tài)下BJT的工作原外部條件放大狀態(tài)下BJT的工作原外部條件：由于三極管內有兩種載流子電olarJunctionTransistor)管或( （以NPN為例IE=IB+IC=InC+載流子的傳輸過2. 根據(jù)傳輸過程可IE=IB+I2

2、. 根據(jù)傳輸過程可IE=IB+IC=InC+ 傳輸?shù)郊姌O的電設發(fā)射極注入電即 IE通常ICIC則有 IE關。一般 =0.90.99載流子的傳輸過2. 1InC I =I +I = + 根C2. 1InC I =I +I = + 根CCIEICEO=(1+)ICBO 且電流 CEO時， IC當ICCIIBB是另一個電流放大系數(shù)。同樣，它也只與管子的結構尺寸和摻雜濃度有關，與外加電壓無關。一般1。3. BJT的三種組3. BJT的三種組共發(fā)射極接法，發(fā)射極作為公共電極，用CE表示共基極接法，基極作為公共電極，用CB表示共集電極接法，集電極作為公共電極，用CC表示4. ICec+b+O4. ICe

3、c+b+OIBB-共基極放大電iE=-1vI=0.98時若則使當iC=iE =-0.98mA，vO =-iCRL=0.98 vO A電壓放大倍VI4. vI=若+IC=20BcIB-=b4. vI=若+IC=20BcIB-=b+e-+則CB1IV-IBEEVvO =-iCRL=-0.98共射極放大電 0.98V A電壓放大倍VI放大狀態(tài)下BJT的工作放大狀態(tài)下BJT的工作原條件：發(fā)射區(qū)雜質濃度遠大于基區(qū)雜濃度，且基區(qū)很?。┩獠織l件：發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置。4.1.3 BJT的VI特性曲（以共射極放大電路為例iB=f(4.1.3 BJT的VI特性曲（以共射極放大電路為例iB=f(vBE)

4、當vCE=0V時，相當于發(fā)射結的正向伏安特性曲線當vCE1V時， vCB= vCE - vBE0，集電結已進入反偏狀態(tài)，開始收集電子，基區(qū)復合減少，同樣的vBE下 IB減小，特性曲線右移。cev=iBb+-V共射極放大電4.1.3 BJT的VI特4.1.3 BJT的VI特性曲BJT的VI 特BJT的VI 特性曲iC=f(vCE)輸出特性曲線的三個區(qū)域飽和區(qū)：iC明顯受vCE放大區(qū)：iC平行于vCE時，偏BJT的主要參共發(fā)射極直流電流放BJT的主要參共發(fā)射極直流電流放大系 IC ICvCEIIBBBJT的主BJT的主要參1. (2) 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)BJT的主要參1. (3)BJT的主要參1. (3) 共基極直流電流放大系 (4) 共基極交流電流放大系數(shù)=IC/IE 當ICBO和ICEO很小時，、 BJT的主要參集電極基極間反向飽和電流cb-+eBJT的主要參集電極基極間反向飽和電流cb-+eBJT的主要參-c2. (2)集電極發(fā)射極間的反向飽ICEO=（1+BJT的主要參-c2. (2)集電極發(fā)射極間的反向飽ICEO=（1+ Y坐標的數(shù)值。 ICEO也+ebBJT的主要參3BJT的主要參3. 集電極最大允許電流集電極最大允許功率損耗PCM=BJT的主BJT的主要參反向擊穿電V(BREBO集電極開路時發(fā)射結的反V(BR)CEOV(BR)CBOV(BR)CEOV(