（IT產(chǎn)業(yè)分析）存儲(chǔ)器行業(yè)趨勢(shì)

1、IT產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告IT產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告存儲(chǔ)器行業(yè)趨勢(shì) 2021年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)估計(jì)同比增長(zhǎng)26.4%，市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1567.9億美元。存儲(chǔ)器行業(yè)總是處于交替消失的漲跌循環(huán)之中，其產(chǎn)業(yè)周期強(qiáng)于電子元器件市場(chǎng)整體的周期性，暴漲暴跌的狀況可謂常態(tài)。以下對(duì)存儲(chǔ)器行業(yè)趨勢(shì)分析。 2021年1-9月中國(guó)存儲(chǔ)器出口數(shù)量為15867百萬(wàn)個(gè)，同比下降2%;存儲(chǔ)器行業(yè)分析指出，2021年1-9月中國(guó)存儲(chǔ)器出口金額為38960974千美元，同比增長(zhǎng)23.3%。 2021-2021年9月中國(guó)存儲(chǔ)器出口數(shù)量及出口金額統(tǒng)計(jì)表 存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)、物聯(lián)網(wǎng)、國(guó)家平安等重要領(lǐng)域，是一種重要的、根底性的產(chǎn)品。在

2、計(jì)算機(jī)的運(yùn)算過(guò)程中，輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都會(huì)保存在存儲(chǔ)器里，可以說(shuō)存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)進(jìn)展的核心部件之一?，F(xiàn)從四大方一直分析存儲(chǔ)器行業(yè)趨勢(shì)。 多芯片封裝產(chǎn)品成市場(chǎng)主流 多芯片封裝(MCP)技術(shù)可以將FLASH、DRAM等不同規(guī)格的芯片利用系統(tǒng)封裝方式整合成單一芯片，生產(chǎn)時(shí)間短、制造本錢(qián)低，且具低功耗、高數(shù)據(jù)傳輸速率等優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)是便攜式電子產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存產(chǎn)品最主要的規(guī)格。另外，數(shù)字電視、機(jī)頂盒、網(wǎng)絡(luò)通信產(chǎn)品等也已經(jīng)開(kāi)頭采納各式MCP產(chǎn)品。2021年，MCP的全球需求量由2021年的2.3億塊增長(zhǎng)到3.4億塊，增長(zhǎng)了47.8%。存儲(chǔ)器行業(yè)趨勢(shì)估計(jì)2021年全球需求量

3、將到達(dá)4.2億塊。包括Samsung、Hynix、Intel等重量級(jí)IC廠商都紛紛看好此市場(chǎng)前景，競(jìng)相推出相關(guān)產(chǎn)品。目前Renesas的嵌入式存儲(chǔ)器出貨量中大約90%是MCP，Spansion公司無(wú)線(xiàn)市場(chǎng)上存儲(chǔ)器的出貨量80%也是MCP，而兩年前這一比例只有30%。 SRAM進(jìn)展面臨挑戰(zhàn) 針對(duì)不同的應(yīng)用市場(chǎng)，SRAM產(chǎn)品的技術(shù)進(jìn)展已經(jīng)呈現(xiàn)出了兩大趨勢(shì)：一是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件進(jìn)展;另一個(gè)是降低功耗，以適應(yīng)蓬勃進(jìn)展的便攜式應(yīng)用市場(chǎng)。存儲(chǔ)器行業(yè)趨勢(shì)分析，2021年， 等移動(dòng)終端市場(chǎng)對(duì)SRAM的需求約占總需求的50%左右，另有30%左右的SRAM產(chǎn)品被通信市場(chǎng)消化。將來(lái)SRAM市場(chǎng)的增長(zhǎng)將

4、是平穩(wěn)和漸進(jìn)的。這種特點(diǎn)一方面與其所效勞的應(yīng)用市場(chǎng)的進(jìn)展有關(guān)，更重要的一點(diǎn)是傳統(tǒng)的SRAM技術(shù)正在受到其他競(jìng)爭(zhēng)性的DRAM技術(shù)的沖擊。例如，在高速網(wǎng)絡(luò)方面，F(xiàn)CRAM和RLDRAM技術(shù)正在相互競(jìng)爭(zhēng)中快速成長(zhǎng);在便攜式應(yīng)用領(lǐng)域，諸如CellularRAM與MobileFCRAM等PSRAM產(chǎn)品也正在漸漸擠壓原先由SRAM獨(dú)占的低功耗應(yīng)用空間。 DDR2成主流尚需時(shí)日 在2021年其次季度舉辦的Intel信息技術(shù)峰會(huì)(IDF)上，很多DRAM廠商都推出了DDR2產(chǎn)品的樣片，但是，DDR2成為市場(chǎng)主流還需要時(shí)日。存儲(chǔ)器行業(yè)趨勢(shì)分析，目前，DDR2產(chǎn)品的價(jià)格還很高。而DDR2產(chǎn)品價(jià)格偏高主要因素有以下

5、幾個(gè)方面：首先，由于DDR2器件尺寸的增加，每個(gè)晶圓上生產(chǎn)出更少的器件;其次，DDR2采納了本錢(qián)較高的BGA封裝和速度更快的測(cè)試，也增加了本錢(qián)。通常，產(chǎn)品在進(jìn)入市場(chǎng)的前6個(gè)季度都會(huì)存在價(jià)格偏高的現(xiàn)象，隨著技術(shù)的進(jìn)展和產(chǎn)量的增加，DDR2產(chǎn)品的價(jià)格將會(huì)不斷下降?？傊?，DDR和DDR2產(chǎn)品還必定會(huì)在市場(chǎng)上并存很長(zhǎng)一段時(shí)間。 成技術(shù)進(jìn)展推動(dòng)力 正在取代PC成為高密度半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的技術(shù)驅(qū)動(dòng)器，而且很可能在將來(lái)幾年主導(dǎo)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的進(jìn)展。隨著市場(chǎng)從簡(jiǎn)潔的語(yǔ)音終端轉(zhuǎn)向功能 、智能 及移動(dòng)媒體網(wǎng)關(guān)，這種小型的設(shè)備已經(jīng)具備操作系統(tǒng)及文件系統(tǒng)。存儲(chǔ)器行業(yè)趨勢(shì)分析，為了滿(mǎn)意這種市場(chǎng)需求，一場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)在四種產(chǎn)品中綻開(kāi)

6、：目前用于保存易失數(shù)據(jù)的DRAM存儲(chǔ)器，用于代碼存儲(chǔ)的NORFLASH，試圖提高速度以超越附加卡應(yīng)用的NANDFLASH，以及已經(jīng)在一些功能 中消失的微型硬盤(pán)。在2021年Electronica展覽會(huì)上，Samsung發(fā)布了采納90納米工藝的1GbOneNAND。這種帶有一個(gè)NOR接口的NAND閃存具有高達(dá)5Kb的內(nèi)部緩存RAM，它能供給100 Mbps的恒定讀取速率，這比現(xiàn)有的NANDFLASH快4倍。M-Systems供給了基于NAND的固態(tài)磁盤(pán)仿真硬件。該產(chǎn)品可以將媒體數(shù)據(jù)直接寫(xiě)入系統(tǒng)，而不必將其在DRAM中進(jìn)行緩存，可以削減系統(tǒng)中DRAM的數(shù)量。Spansion聲稱(chēng)將把其N(xiāo)ORMirrorBit FLASH進(jìn)展成與一般NAND FLASH具有相同密度和價(jià)位水平的產(chǎn)品，同時(shí)供給更快的速度和更高的牢靠性。 存儲(chǔ)器行業(yè)趨勢(shì)分析，如今的存儲(chǔ)器更小，集成度更高，芯片級(jí)存儲(chǔ)器層出不窮，隨著