等離子體化學及其應用課件

1、等離子體化學參考書等離子體化學參考書 (要目要目) 1. 趙化僑趙化僑, “等離子體化學與工藝等離子體化學與工藝”, 中國科技大學出版社中國科技大學出版社, 1993年年. 2. 徐學基等徐學基等, “氣體放電物理氣體放電物理”, 復旦大學出版社復旦大學出版社, 1996年年. 3. 陳杰瑢陳杰瑢, “低溫等離子體化學及其應用低溫等離子體化學及其應用”, 科學出版社科學出版社, 2001年年. 4.K. H. Becker et al. , “Non-Equilibrium Air Plasmas at Atmospheric Pressure ”, Institute of Physics

2、Publishing, 2005. 什么是等離子體什么是等離子體? “Plasma” I. Langmuir 1926*定義定義1: “包含足夠多的正負電荷數(shù)目近于相包含足夠多的正負電荷數(shù)目近于相等等的帶電粒子的物質聚集狀態(tài)的帶電粒子的物質聚集狀態(tài)。” （金佑民，樊友三，（金佑民，樊友三，“低溫等離子體物理基礎低溫等離子體物理基礎”， 清華大學出版社，清華大學出版社，1983年）年） 過分廣義。過分廣義。 固態(tài)等離子體：晶格中正離子與自由電子組合固態(tài)等離子體：晶格中正離子與自由電子組合; 半導體中電子與空穴的組合等。半導體中電子與空穴的組合等。 液態(tài)等離子體：如電解質溶液中正負離子的組合。液態(tài)

3、等離子體：如電解質溶液中正負離子的組合。*定義定義2: “等離子體是由大量帶電粒子組成的非等離子體是由大量帶電粒子組成的非凝聚系統(tǒng)凝聚系統(tǒng)?！?（國家自然科學基金委，（國家自然科學基金委，“等離子體物理學發(fā)展等離子體物理學發(fā)展 戰(zhàn)略調研報告戰(zhàn)略調研報告”，1994年）年） 強調了非凝聚系統(tǒng)，即排除了單純的固態(tài)和液強調了非凝聚系統(tǒng)，即排除了單純的固態(tài)和液 態(tài)，但包含了電子束和離子束。態(tài)，但包含了電子束和離子束。等離子體定義等離子體定義3:“等離子體是包含足夠多的正負電荷等離子體是包含足夠多的正負電荷數(shù)目近于相等的帶電粒子的非凝聚系統(tǒng)數(shù)目近于相等的帶電粒子的非凝聚系統(tǒng)?！?（YXF）單純氣態(tài)：單純

4、氣態(tài)： 完全或部分電離了的氣體完全或部分電離了的氣體 (微放電區(qū)電離度下限微放電區(qū)電離度下限 10-6, 大氣壓下大氣壓下 放電空間平均電離度可低至放電空間平均電離度可低至10-12) 非單純氣態(tài)：塵埃等離子體非單純氣態(tài)：塵埃等離子體 (伊林，王友年，王曉剛，伊林，王友年，王曉剛， 王德真）王德真） 霧滴等離子體霧滴等離子體 （YXF） * * 等離子體科學等離子體科學是一門典型的物理、化學是一門典型的物理、化學和材料等學科的交叉科學，它包含了電磁和材料等學科的交叉科學，它包含了電磁學、分子碰撞動力學、化學反應動力學和學、分子碰撞動力學、化學反應動力學和表面科學等分支學科表面科學等分支學科*

5、* 等離子體物理等離子體物理是研究等離子體自身運動是研究等離子體自身運動規(guī)律及其與周圍物質相互作用過程的一門規(guī)律及其與周圍物質相互作用過程的一門分支學科，它是分支學科，它是物理學物理學的一門獨立分支學的一門獨立分支學科科 （物理學之二級學科（物理學之二級學科）* * 等離子體化學等離子體化學這個名詞最早出現(xiàn)在國外這個名詞最早出現(xiàn)在國外19671967年出版的一本專著書名上年出版的一本專著書名上 （“Plasma Chemistry in ElectricalPlasma Chemistry in Electrical Discharges Discharges ” ）* * “等離子體化學是研

6、究等離子體中各種等離子體化學是研究等離子體中各種粒子之間或這些粒子與電磁輻射及周圍粒子之間或這些粒子與電磁輻射及周圍物質間相互化學作用的一門分支學科。物質間相互化學作用的一門分支學科?！?（YXFYXF） 國家標準國家標準（一級學科一級學科二級學科二級學科三級學科三級學科） 化學化學 物理化學物理化學 高能化學（包括高能化學（包括輻射化學、等離子體化學等）輻射化學、等離子體化學等） 分子活化的幾種主要手段（一）分子活化的幾種主要手段（一）1. 熱活化熱活化 通過升高反應溫度提高分子平動能通過升高反應溫度提高分子平動能 k = p z0 exp(-Ea /RT) 2. 催化活化催化活化 是經典的

7、但仍是當前工業(yè)上應用最廣的是經典的但仍是當前工業(yè)上應用最廣的 促進化學反應的主要手段促進化學反應的主要手段 1). 通過表面吸附濃縮反應物通過表面吸附濃縮反應物 (相當于提高相當于提高 碰撞頻率碰撞頻率 z0 ) 2). 在催化劑表面形成有利的分子取向在催化劑表面形成有利的分子取向 (提高方位因子提高方位因子p) 3). 通過形成新的反應途徑降低反應活化通過形成新的反應途徑降低反應活化 能能 Ea分子活化的幾種主要手段（二）分子活化的幾種主要手段（二）3. 光子活化光子活化 通過合適波長光子對反應物分子內能態(tài)通過合適波長光子對反應物分子內能態(tài)(轉動態(tài)、轉動態(tài)、振動態(tài)及電子態(tài)振動態(tài)及電子態(tài))的激

8、發(fā)提高反應速度，往往也同時的激發(fā)提高反應速度，往往也同時增加新的反應途徑。如膠片感光，天然及人工光合增加新的反應途徑。如膠片感光，天然及人工光合作用，各種光化學反應研究等。作用，各種光化學反應研究等。 H2O + hn n OH + H (D DH 242 nm) (H20 僅吸收短于僅吸收短于185 nm 的光的光,到達地球之太陽光中含此波到達地球之太陽光中含此波段光很少段光很少) RN Dixon, DW Hwang, XF Yang, , XM Yang, Science, 285 (1999)1249-53. （ = = 121.6 nm）4. 電子活化電子活化(系等離子體活化之一次過

9、程系等離子體活化之一次過程) 電子與反應分子碰撞產生激發(fā)態(tài)原子、分子、電子與反應分子碰撞產生激發(fā)態(tài)原子、分子、 自由基和離子等。自由基和離子等。 分子活化的幾種主要手段（三）分子活化的幾種主要手段（三）幾種活化方式的組合：幾種活化方式的組合： 1). 光催化光催化 2). 等離子體等離子體 + 催化催化 3). 等離子體等離子體 + 光光 + 催化催化太陽能光解水太陽能光解水產業(yè)化產業(yè)化?(2003年年1月月10日日, 大連經濟技術開發(fā)區(qū)招商會大連經濟技術開發(fā)區(qū)招商會)Dr. Dae-Chul PARK (樸大吉樸大吉)(韓國化學研究院韓國化學研究院) (1992年研究光解水至今年研究光解水至

10、今)光催化劑光催化劑: Ni/CdxZnxSyMz, 壽命壽命 1年年, US$40/kg產氫產氫(99.99%)率率: 3,000 ml/(h m2) (cat.量量: 500g)利用波長利用波長: UV 470 nm*問題問題: Na2S/Na2SO3 催化劑保護劑催化劑保護劑 (除氧除氧)價格價格: US$2/m3高純氫高純氫 ? 催化劑耐氧催化劑耐氧, 氫氫-氧及時廉價分離；氧及時廉價分離； 真正產業(yè)化真正產業(yè)化 100年？年？半導體光半導體光(電電)催化分解水催化分解水SC2hn n2e2h+ + H2O(空穴空穴, hole) O22 H+SCH22H2O(g) + 2hn n2H

11、2 + O2l lth = 495 nm-等離子體分類等離子體分類(一一) 按存在分類按存在分類 1). 天然等離子體天然等離子體 宇宙中宇宙中99%的物質是以等離子體狀態(tài)的物質是以等離子體狀態(tài) 存在的存在的, 如恒星星系、星云，地球附近的閃如恒星星系、星云，地球附近的閃 電、極光、電離層等。如太陽本身就是一電、極光、電離層等。如太陽本身就是一 個灼熱的等離子體火球。個灼熱的等離子體火球。 2). 人工等離子體人工等離子體 如：如：*日光燈、霓虹燈中的放電等離子體。日光燈、霓虹燈中的放電等離子體。 *等離子體炬（焊接、新材料制備、等離子體炬（焊接、新材料制備、 消除污染）中的電弧放電等離子體。

12、消除污染）中的電弧放電等離子體。 *氣體激光器及各種氣體放電中的電氣體激光器及各種氣體放電中的電 離氣體。離氣體。 等離子體分類等離子體分類(二二) 按電離度分類按電離度分類 e + A A+ + 2e 忽略二階電離忽略二階電離, ni = ne, nn為中性粒子濃度為中性粒子濃度 a a = ne /(ne+ nn) 1). 完全電離等離子體完全電離等離子體 a a = 1 2). 部分電離等離子體部分電離等離子體 0.01 a a 1 3). 弱電離等離子體弱電離等離子體 10-12 a a 0.01等離子體分類等離子體分類SAHA 方程方程 在僅含單種氣體的完全平衡和局域熱力學平在僅含單

13、種氣體的完全平衡和局域熱力學平衡等離子體中存在著電離平衡衡等離子體中存在著電離平衡:A A+ + eSAHA推導出如下方程推導出如下方程: a a2 2/(1-a/(1-a2 2) ) = 2.410 - 4 (T 5/2/P ) exp(-wi /kT) P 氣壓氣壓 (Torr) T 絕對溫度絕對溫度 ( K) wi 氣體分子（原子）電離電位氣體分子（原子）電離電位 ( eV) k Boltzman常數(shù)常數(shù) (8.61410-5 eVdeg-1) 電離過程電離過程: e + A A+ + 2ekion P2三體復合過程三體復合過程: e + A+ + M A + Mkrecom P3等離子

14、體分類等離子體分類 常壓熱平衡條件下氮等離子體的電離度常壓熱平衡條件下氮等離子體的電離度 a a 隨隨溫度變化溫度變化 T ( K ) a a 5,000 3.210-7 10,000 0.0065 15,0000. 22 20,000 0. 82* * * 星際空間氣壓很低星際空間氣壓很低 (101-2 粒子粒子/cm3)，低溫下即會，低溫下即會高度電離高度電離 （電離源：宇宙射線（電離源：宇宙射線, 或直接來自太陽大氣或直接來自太陽大氣層層太陽風）。太陽風）。等離子體分類等離子體分類 (三三) 按熱力學平衡分類按熱力學平衡分類 1. 完全熱（力學）平衡等離子體完全熱（力學）平衡等離子體 (

15、CTE) (Complete Thermal Equilibrium Plasma) 2. 局域熱（力學）平衡等離子體局域熱（力學）平衡等離子體 (LTE) (Local Thermal Equilibrium Plasma) 3. 非熱（力學）平衡等離子體非熱（力學）平衡等離子體 (NTE) (Non-Thermal Equilibrium Plasma) （or Non-Equilibrium Plasma) 等離子體分類等離子體分類 (四四) 按系統(tǒng)溫度分類按系統(tǒng)溫度分類 ( 1 eV = 11,610 K ) 1. 高溫等離子體高溫等離子體 (LTE) Tg = Ti = Te = =

16、 108-9 K ( 104-5 eV )2. 低溫等離子體低溫等離子體 1). 熱等離子體熱等離子體 Tg Ti Te （ LTE ) 5,000 K Tg Ti Tg （ NTE ) 100 K Tg Ti Tg 102 K 電暈層電暈層筒狀電極筒狀電極線電極線電極介質阻擋放電介質阻擋放電形成條件形成條件:1. 二電極間有絕緣介質二電極間有絕緣介質存在存在2. 交變電場交變電場特點：特點：1. 高氣壓高氣壓 (105-106 Pa)2. 高電壓降高電壓降 (103-105 V)3. 低電流密度低電流密度 (10-2-10-3A/cm2)4. Te Ti Tg 102 K HV（a.c.)大

17、氣壓輝光放電大氣壓輝光放電 (APGD)lMasuhoro Kogoma et al. 1987 年世界上首次獲得年世界上首次獲得APGD (2004年年12月月Kogoma 來大工訪問來大工訪問)l早期三條件早期三條件: 1) He 2) 交流頻率交流頻率 1 kHz 3) DBD亞穩(wěn)態(tài)壽命長，擴散系數(shù)大亞穩(wěn)態(tài)壽命長，擴散系數(shù)大, 其能量與電離勢接近其能量與電離勢接近 高分子膜及紡織品改性處理高分子膜及紡織品改性處理; 大氣壓下均勻大氣壓下均勻CVD等等F. Massines: (8th APCPST, Australia, July, 2006) N2: APTD; He: APGD (雙

18、介質層雙介質層; 緊密接觸緊密接觸)清華清華 王新新王新新, 大工大工 王德真等王德真等, 國自重點基金國自重點基金(2004-2007)2等離子體化學的主要應用及若干最新進展等離子體化學的主要應用及若干最新進展1.大規(guī)模集成電路制備中的等離子體化學刻蝕與大規(guī)模集成電路制備中的等離子體化學刻蝕與沉積沉積 (已大規(guī)模工業(yè)應用）已大規(guī)模工業(yè)應用）2.等離子體平面顯示器等離子體平面顯示器 (PDP) (已進入規(guī)模生產階段）已進入規(guī)模生產階段）3.等離子體化工合成及轉化等離子體化工合成及轉化 （O3發(fā)生器，已工業(yè)化半發(fā)生器，已工業(yè)化半世紀，世紀，CH4轉化，煤轉化，等離子體引發(fā)聚合，轉化，煤轉化，等離

19、子體引發(fā)聚合，)4.等離子體環(huán)境工程等離子體環(huán)境工程 （燃煤電廠煙氣中氮、硫氧化物燃煤電廠煙氣中氮、硫氧化物脫除脫除，VOC脫除，脫除， 汽車尾氣中氮氧化物脫除，汽車尾氣中氮氧化物脫除，固體廢固體廢料處理料處理，)5.紡織品等材料表面的等離子體改性紡織品等材料表面的等離子體改性 ( (已產業(yè)化）已產業(yè)化）6.等離子體增強化學氣相沉積（等離子體增強化學氣相沉積（PECVD)制備各種制備各種新型材料新型材料 （金剛石，類金剛石，碳納米管，（金剛石，類金剛石，碳納米管，)1. 大規(guī)模集成電路制備中的等離子體化學刻大規(guī)模集成電路制備中的等離子體化學刻蝕與沉積蝕與沉積 * 全世界與大規(guī)模集成電路相關工業(yè)

20、總產值已達全世界與大規(guī)模集成電路相關工業(yè)總產值已達萬億美元以上。等離子體化學刻蝕與沉積是大萬億美元以上。等離子體化學刻蝕與沉積是大規(guī)模集成電路工業(yè)生產中的核心環(huán)節(jié)之一。規(guī)模集成電路工業(yè)生產中的核心環(huán)節(jié)之一。* 1998年年7月，參觀了設在臺新竹交通大學內的月，參觀了設在臺新竹交通大學內的“國科會毫微米元件實驗室國科會毫微米元件實驗室”。其設備總值約。其設備總值約1億美元，包含一套從美進口的億美元，包含一套從美進口的90年代中期水平年代中期水平的大規(guī)模集成電路工業(yè)生產流水線（超凈廠房，的大規(guī)模集成電路工業(yè)生產流水線（超凈廠房，10級，級，10 塵埃塵埃/m3 )。已完成。已完成250 nm 元件

21、技術元件技術開發(fā)，正在開發(fā)開發(fā)，正在開發(fā) 130 nm元件制備技術。每年來元件制備技術。每年來此實驗室工作的臺研究生有約此實驗室工作的臺研究生有約400人。人。 大規(guī)模集成電路制備中的等離子體化學刻蝕與沉積大規(guī)模集成電路制備中的等離子體化學刻蝕與沉積 以以Si刻蝕為例：刻蝕為例：Mask 制備：制備： UV, VUV lasers: X-ray 100 nm (同步輻射）同步輻射） Electron-beamFMaskSi 等離子體化學刻蝕：等離子體化學刻蝕： 屬干法刻蝕，刻蝕形狀規(guī)屬干法刻蝕，刻蝕形狀規(guī)則，應可勝任則，應可勝任 100 nm 之刻蝕。之刻蝕。 刻蝕中要求保持刻蝕中要求保持盡可

22、能低的氣體壓力和盡可能高的電子密度盡可能低的氣體壓力和盡可能高的電子密度(等離等離子體密度）。子體密度）。 如如90年代初工業(yè)上開始采用的新型年代初工業(yè)上開始采用的新型“Helicon” 射頻源射頻源（70年代中期實驗室研究成功）年代中期實驗室研究成功）氣體壓力從數(shù)百氣體壓力從數(shù)百 mtorr 降至數(shù)降至數(shù)mtorr，等離子體密，等離子體密度從度從109 cm-3 上升至上升至1010-12 cm-3 (相當于電離度從相當于電離度從10-6上升至上升至10-3- 10-1)。大規(guī)模集成電路制備中的等離子體化學刻蝕與沉積大規(guī)模集成電路制備中的等離子體化學刻蝕與沉積 Si刻蝕用氣體以刻蝕用氣體以C

23、F4 + O2 最為常用。與刻蝕最為常用。與刻蝕相關主要反應：相關主要反應：）CF4 + e CF3 ( CF2 , CF, F ) + e O2 + e O + O + e 2）CF2+ O COF + F CF2+ O CO + F + F COF + O CO2 + F 3）Si + 4F SiF4 *王友年等，新一代等離子體源刻蝕機理研究王友年等，新一代等離子體源刻蝕機理研究:(國自重點基金國自重點基金: 2007-2010)FrontBackGlassGlassPbO, Dielectric layer (transp.)ITO (In+Tin Oxide, transparent

24、sustained electrode)Phosphor (RGB: red, green, blue)h= 0.13mm, d= 0.1 mm,1 Pixel = R+G+B , 1.08 mm Ag electrodeAddress electrode(Not in scale)MgO(500 nm)2. 等離子體平面顯示器等離子體平面顯示器 (PDP)DBD discharge (200V, 160 kHz, 2 s Sq. W.) VUV (147 nm Xe*, 173 nm, Xe2*) Phosphorescence (RGB)Ne (96%) + Xe (4%) , 400 T

25、orrNe + e Ne*Ne* + Xe Ne + Xe+ (Penning Ionization)Xe+ + Xe + M Xe2+ + MXe2+ + e Xe*+ Xe Xe* Xe* + hn nXe* + Xe + M Xe2* + M Xe2* Xe2* + hn nPDP 優(yōu)點優(yōu)點:1). 相對于相對于CRT, 低電壓低電壓 (1,000 C方發(fā)生方發(fā)生Ea 170 kcal/moleD DH = 0.45kcal/moleGD天然及人工金剛石有關發(fā)展歷史天然及人工金剛石有關發(fā)展歷史 (一一)* 天然金剛石天然金剛石: 三千余年前在印度發(fā)現(xiàn)三千余年前在印度發(fā)現(xiàn)* 高溫高壓高溫高

26、壓(HPHT)合成金剛石合成金剛石: 5 10萬大氣壓萬大氣壓, 2,000 C 1953年在瑞典及美國工業(yè)化成功年在瑞典及美國工業(yè)化成功 (Nobel獎獎) 金剛石產量金剛石產量(飾物、磨料等）飾物、磨料等） 年代年代 天然（噸）天然（噸） HPHT（噸）（噸） 1968 2.2 6.8 1990 50 70價格價格 (US$/Carat) ( 1 Carat = 0.2 g ) 黃金黃金: 2-3 ; 金剛石平均金剛石平均: 50 ( 2 10 k )天然及人工金剛石有關發(fā)展歷史天然及人工金剛石有關發(fā)展歷史 (二二)低壓低壓 ( 或或 1 atm )化學氣相沉積金剛石膜化學氣相沉積金剛石膜

27、* 1952 (美美)首次有記錄成功首次有記錄成功 (專利專利1962), CH4等等 熱分解熱分解, 沉積速率沉積速率 1 m/h.* 1980年代末年代末90年代初年代初, 研究規(guī)模劇升研究規(guī)模劇升 如美如美, 1986年年, 9個研究組個研究組; 1992年年50個個* 1990年代末年代末00年代初年代初, 相對低潮相對低潮 碳納米管時代碳納米管時代 (peak: 1995-2005) 金剛石無與倫比的奇異特性金剛石無與倫比的奇異特性*最大原子數(shù)密度最大原子數(shù)密度*最已知最硬物質最已知最硬物質 (1.76 1023/cm3) (100GPa)*室溫下具最高熱導室溫下具最高熱導*極小的熱

28、膨脹極小的熱膨脹 率率,為為Cu之之5倍倍 系數(shù)系數(shù)*良好的紅外良好的紅外(至至100m)、*良好的電絕緣體良好的電絕緣體 可見、紫外可見、紫外(220m) 室溫下電阻率：室溫下電阻率： 及及X-射線波段透過率射線波段透過率 106 -cm * 可通過攙雜成為帶隙可通過攙雜成為帶隙*良好的化學惰性良好的化學惰性 5.45 eV 的半導體的半導體* 低摩擦系數(shù)（與聚低摩擦系數(shù)（與聚 四氟乙烯接近）四氟乙烯接近）ActivationH2 ( +e or heat) H + HH + CH4 CH3 + H2 Transport + ReactionSubstrateReactants H2/CH4

29、 (20 760 Torr) (100/1) Diamond ( 700 1,000 C)substratediamondCH3H atomsH2/HedistrargeCH3N=NCH3/He (1,000 C)Diamond CVD with H and CH3 beamsPeter Chen et al. Science, 263(1994)1596H原子在金剛石膜生長中的關鍵作用原子在金剛石膜生長中的關鍵作用1. 氣相中促進氣相中促進CH3等自由基生成等自由基生成, 如如: H + CH4 CH3 + H2 H + CH3 CH2 + H22. 促進金剛石碳骨架生成促進金剛石碳骨架生成

30、 H + S-CH3 S=CH2 + H23. 選擇性刻蝕石墨碳選擇性刻蝕石墨碳 H + S=CH S-CH2 CVD金剛石單晶金剛石單晶l2004 2004 年年1111月報道月報道: : Phoenix Crystal Corp.及及 Los Alamos National Laboratory 已制備出已制備出10 10 5 mm 5 mm 單晶單晶CVDCVD金剛石金剛石, ,性能明顯優(yōu)于多性能明顯優(yōu)于多( (微微) )晶金剛石晶金剛石. .CVD金剛石膜應用金剛石膜應用(一一)1. 機械加工工具覆蓋膜機械加工工具覆蓋膜 * 最高硬度最高硬度 * 低熱膨脹系數(shù)低熱膨脹系數(shù) (北京建材部

31、人工晶體所北京建材部人工晶體所)2. 芯片最佳襯底材料芯片最佳襯底材料 * 常溫下最高熱導率常溫下最高熱導率 * 良好絕緣性良好絕緣性* 化學惰性化學惰性* 低熱膨脹系數(shù)低熱膨脹系數(shù) (90年代初已有試商品問世年代初已有試商品問世) 各種絕緣材料的熱導率各種絕緣材料的熱導率 ( W m-1 C-1)天然天然金剛石金剛石CVD金剛石金剛石BeOAlNxAl2O32,000700 1,7002237023029CVD金剛石膜應用金剛石膜應用(二二)3. 光學窗口光學窗口 * 寬波段光學透過率寬波段光學透過率 * 最高硬度最高硬度 * 化學惰性化學惰性 * 低熱膨脹系數(shù)低熱膨脹系數(shù) (導彈紅外跟蹤器

32、窗口導彈紅外跟蹤器窗口; 大型大型CO2激光器窗口激光器窗口)(北京科技大學北京科技大學呂反修組呂反修組)4. 新一代金剛石基半導體新一代金剛石基半導體 ? * 寬帶隙寬帶隙 (金剛石金剛石5.45 eV, Si 1.10 eV )Si 基半導體工作溫度基半導體工作溫度: 35 s3. H- + H2 + M H3- + M a possible dominant formation mechanism of H3- Conclusions l“Since the existence of H3- has been contro-versially discussed since decade

33、s, this is an important result.” the observations “ may stimulate further experimental and theo-retical investigations on an interesting problem of molecular physics. ”l“因為對因為對H3-負離子存在有異議的討論已延續(xù)數(shù)十年，負離子存在有異議的討論已延續(xù)數(shù)十年，這是一個重要的實驗結果。這是一個重要的實驗結果。” 這一觀測這一觀測 “將對分子將對分子物理領域這一引人注目問題的更深入的實驗和理論物理領域這一引人注目問題的更深入的實驗

34、和理論研究起到激勵作用。研究起到激勵作用?！盕eb, 2004, M. Cizek, Private commun.1 Hartree (a.u.)= 27.2116 eVER = h2J(J+1)/(8p2R2)012345678910 11 12 13 14 1501x1062x106mass/charge (u/e)H-H2-H3-200601x1062x106Ion countsH-H2-H3-20032468100.05.0 x1031.0 x1041.5x104HD2-D2-m/z0.05.0 x1031.0 x1041.5x104Ion counts (cps)(b)(a)H-H

35、2-H3-D-HD-D3-H-Wei-Guo Wang, Y Xu, A-M Zhu, Z-W Liu, X Liu and X-F Yang, J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 40(2007) 921-933R. Golser & et al. “Experimental and theoretical evidence for long-lived molecular hydrogen anions H2- and D2- ”, , Phys. Rev. Lett. 2005, 94: 223003/1-4 在該論文致謝中特別感謝我們把此課題帶入到在該論文致

36、謝中特別感謝我們把此課題帶入到他們的視野他們的視野: : “We would like to thank Hartmut Hotop . and Xuefeng Yang (Dalian University of Technology, PR China) for bringing the problem of the existence of the metastable molecular hydrogen anion to our attention. ” 光腔衰蕩吸收光譜用于等離子體活性物種原位診斷光腔衰蕩吸收光譜用于等離子體活性物種原位診斷 ( (國內首臺連續(xù)波光腔衰蕩光譜裝置國內首臺連續(xù)波光腔衰蕩光譜裝置, ,6565萬，徐勇，劉忠偉，趙國利等萬，徐勇，劉忠偉，趙國利等) )1.1.等離子體等離子體- -催化協(xié)同脫除氮氧化物、甲醛等