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1、WORD格式多晶硅生產(chǎn)工藝流程 (簡介 )-來自于網(wǎng)絡(luò)收集多晶硅生產(chǎn)工藝流程 ,多晶硅最主要的工藝包括,三氯氫硅合成、四氯化硅的熱氫化有的采用氯氫化,精餾,復(fù)原,尾氣回收,還有一些小的主項,制氫、氯化氫合成、廢氣廢液的處理、硅棒的整理等等。主要反響包括: Si+HCl-SiHCl3+H2 三氯氫硅合成;SiCl4+H2-SiHCl3+HCl 熱氫化;SiHCl3+H2-SiCl4+HCl+Si復(fù)原多晶硅是由硅純度較低的冶金級硅提煉而來,由于各多晶硅生產(chǎn)工廠所用主輔原料不盡一樣,因此生產(chǎn)工藝技術(shù)不同; 進而對應(yīng)的多晶硅產(chǎn)品技術(shù)經(jīng)濟指標(biāo)、產(chǎn)品質(zhì)量指標(biāo)、用途、產(chǎn)品檢測方法、過程平安等方面也存在差異,
2、各有技術(shù)特點和技術(shù)秘密,總的來說,目前國際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有:改良西門子法、 硅烷法和流化床法。改良西門子法是目前主流的生產(chǎn)方法,采用此方法生產(chǎn)的多晶硅約占多晶硅全球總產(chǎn)量的85。但這種提煉技術(shù)的核心工藝僅僅掌握在美、 德、日等 7 家主要硅料廠商手中。這些公司的產(chǎn)品占全球多晶硅總產(chǎn)量的90% ,它們形成的企業(yè)聯(lián)盟實行技術(shù)封鎖,嚴(yán)禁技術(shù)轉(zhuǎn)讓。短期內(nèi)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)壟斷封鎖的局面不會改變。西門子改良法生產(chǎn)工藝如下:這種方法的優(yōu)點是節(jié)能降耗顯著、本錢低、質(zhì)量好、采用綜合利用技術(shù),對環(huán)境不產(chǎn)生污染,具有明顯的競爭優(yōu)勢。改良西門子工藝專業(yè)資料整理WORD格式法生產(chǎn)多晶硅所用設(shè)備主要有:氯化氫合成爐
3、, 三氯氫硅沸騰床加壓合成爐,三氯氫硅水解凝膠處理系統(tǒng),三氯氫硅粗餾、精餾塔提純系統(tǒng),硅芯爐,節(jié)電復(fù)原爐, 磷檢爐,硅棒切斷機,腐蝕、清洗、枯燥、包裝系統(tǒng)裝置,復(fù)原尾氣干法回收裝置;其他包括分析、檢測儀器,控制儀表,熱能轉(zhuǎn)換站,壓縮空氣站,循環(huán)水站,變配電站,凈化廠房等。1石英砂在電弧爐中冶煉提純到 98%并生成工業(yè)硅,其化學(xué)反響 SiO2+CSi+CO22為了滿足高純度的需要,必須進一步提純。把工業(yè)硅粉碎并用無水氯化氫 (HCl) 與之反響在一個流化床反響器中,生成擬溶解的三氯氫硅 (SiHCl3) 。其化學(xué)反響 Si+HClSiHCl3+H2反響溫度為 300 度,該反響是放熱的。同時形成
4、氣態(tài)混合物( 2, 1,Si 13,SiC14,Si)。3第二步驟中產(chǎn)生的氣態(tài)混合物還需要進一步提純,需要分解 :過濾硅粉,冷凝 Si 13,SiC14,而氣態(tài)2, 1返回到反響中或排放到大氣中。然后分解冷凝物 Si 13,SiC14,凈化三氯氫硅多級精餾。專業(yè)資料整理WORD格式4凈化后的三氯氫硅采用高溫復(fù)原工藝,以高純的SiHCl3 在H2 氣氛中復(fù)原沉積而生成多晶硅。其化學(xué)反響 SiHCl3+H2Si+HCl。多晶硅的反響容器為密封的,用電加熱硅池硅棒直徑5-10 毫米,長度 1.5-2 米,數(shù)量 80 根,在 1050-1100 度在棒上生長多晶硅,直徑可到達 150-200 毫米。這樣大約三分之一的三氯氫硅發(fā)生反響,并生成多晶硅。剩余部分同2, 1,Si 13,SiC14從反響容器中別離。這些混合物進展低溫別離
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