LED芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

1、WORD格式文件編號(hào)QA-WI-064文件名稱正裝芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件版次A/0文件頁(yè)次第 1頁(yè)共6頁(yè)修訂記錄日期版次修訂條款修訂內(nèi)容簡(jiǎn)述修訂人備注專業(yè)資料整理WORD格式編制/日期：審核 /日期：批準(zhǔn) /日期 ：專業(yè)資料整理WORD格式會(huì)簽專業(yè)資料整理WORD格式總經(jīng)辦財(cái)務(wù)中心營(yíng)銷中心市場(chǎng)部研發(fā)資材中心采購(gòu)倉(cāng)庫(kù)專業(yè)資料整理WORD格式體系課工程辦人力資源行政事業(yè)部品保工程設(shè)備處 OJT運(yùn)營(yíng)中心照明燈絲插件 COB工程設(shè)備 IE SMD本資料為源磊科技之所有財(cái)產(chǎn)，未經(jīng)書(shū)面許可不準(zhǔn)透露或使用本資料，亦不準(zhǔn)復(fù)印、復(fù)制或轉(zhuǎn)變成其它形式使用。專業(yè)資料整理WORD格式文件編號(hào)QA-WI-064文件名稱正

2、裝芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件版次A/0文件頁(yè)次第2頁(yè)共6頁(yè)1. 目的標(biāo)準(zhǔn)公司內(nèi)LED 正裝芯片檢驗(yàn)判定標(biāo)準(zhǔn)。防止不合格原材料流入產(chǎn)線，提高生產(chǎn)良率。2. X圍適用于公司LED 正裝芯片類產(chǎn)品3. 定義CR ：功能不正常嚴(yán)重影響信賴性或嚴(yán)重影響成品規(guī)格或嚴(yán)重影響客戶作業(yè)等。MA ：成品質(zhì)量有明顯性或潛在性的影響而不能正常使用。MI ：使用上有一定的影響，但不是功能上的影響。4. 權(quán)責(zé)品保部：品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)的建立、修改、執(zhí)行及相關(guān)品質(zhì)記錄。5. 內(nèi)容5.1 抽樣依據(jù)：依照"MIL-STD-105E "并結(jié)合實(shí)際情況。5.2 必須是合格供應(yīng)商，成認(rèn)書(shū)和環(huán)保資料齊全，才可進(jìn)展下一步，否那么拒絕

3、檢驗(yàn)。5.3 檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) :檢驗(yàn)工程檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說(shuō)明抽樣水準(zhǔn)檢驗(yàn)方法、 工具缺陷資料1.型號(hào)、數(shù)量、參數(shù)與送無(wú)全檢目視CR檢查貨單據(jù)一致送貨單1.包裝完好，紙盒整齊、芯片靜電袋、 藍(lán)膜完好無(wú)包裝全檢，包裝標(biāo)識(shí)破損，無(wú)受潮現(xiàn)象無(wú)藍(lán)膜抽 10目視CR2. 可使用期限必須在保X檢查質(zhì)期內(nèi)一半及以上電極芯片正負(fù)極氧化變色10 X藍(lán)膜 /顯微鏡 *20MA變色允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有批外觀檢同一片中不同芯片間和測(cè)一顆芯片正負(fù)電極間顏10 X藍(lán)膜 /電極顯微鏡 *20MA色差色差異大批允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有電極上探針痕跡不得超探針過(guò)電極面積的 1/3 ，不可10 X藍(lán)膜 /顯微鏡 *20MA痕跡露底材， 不可

4、偏移超過(guò)電批極X圍專業(yè)資料整理WORD格式檢驗(yàn)工程檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說(shuō)明抽樣水準(zhǔn)檢驗(yàn)方法、 工具缺陷專業(yè)資料整理WORD格式文件編號(hào)QA-WI-064文件名稱正裝芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件版次A/0文件頁(yè)次第3頁(yè)共6頁(yè)芯片破損、增生、形狀大小不規(guī)那么、裂紋，切割允收標(biāo)準(zhǔn)：10 X藍(lán)膜 /MA不良芯片破損增生面積顯微鏡 *20批1/5 芯片面積 ,裂紋不可有。芯片外表的電極區(qū)域有刮傷的痕跡允收標(biāo)準(zhǔn)：電極區(qū)： 芯片任一電極刮電極10 X藍(lán)膜 /MA傷面積該電極面積的顯微鏡 *20刮花批1/5非電極區(qū)： 非電極區(qū)刮傷面積該芯片面積的1/4且不可損傷到 PN 結(jié)。外專業(yè)資料整理WORD格式觀檢測(cè)芯片表

5、面臟污掉電極排列方向錯(cuò)誤芯片外表有污染痕跡允收標(biāo)準(zhǔn)：電極區(qū)： 污染面積該電10 X藍(lán)膜 /MA極面積的 1/5顯微鏡 *20批非電極區(qū)： 污染面積該芯片面積的 1/41.電極脫落，有缺口允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有10 X藍(lán)膜 /2.金手指脫落CR顯微鏡 *20允收標(biāo)準(zhǔn)：距離電極批1/2以內(nèi)脫落不可承受芯片中有一排列或幾排列與其他多數(shù)材料10 X藍(lán)膜 /CR排列方向相反， 排列不整顯微鏡 *20批齊專業(yè)資料整理WORD格式檢驗(yàn)工程檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說(shuō)明抽樣水準(zhǔn)檢驗(yàn)方法、 工具缺陷專業(yè)資料整理WORD格式文件名稱外表多金外觀檢測(cè)外表漏洞尺寸芯片檢尺寸測(cè)文件編號(hào)QA-WI-064正裝芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件

6、版次A/0文件頁(yè)次第4頁(yè)共6頁(yè)芯片外表任何地方有多10 X藍(lán)膜 /出的殘金CR顯微鏡 *20允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有批芯片任何部位有漏洞、燒黑或其他疑似擊穿現(xiàn)象10 X藍(lán)膜 /CR顯微鏡 *45允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有批每批抽10PCS 檢驗(yàn)芯片的長(zhǎng)、寬，及電極正負(fù)極無(wú)10PCS二次元CR尺寸是否在規(guī)格X圍內(nèi)校正過(guò)的廠商芯片每批抽 0.5K 測(cè)試 DVF ，VFM11 和 VFM12 設(shè)置1uA ， DVF1 設(shè)置為規(guī)格專業(yè)資料整理WORD格式DVF電流，時(shí)間設(shè)置為5ms，無(wú)0.5K裸晶測(cè)試儀CR未校正的廠商芯片暫無(wú)法測(cè)試。允收標(biāo)準(zhǔn)：-0.1V<DVF<0.1V校正過(guò)的廠商芯片每批性進(jìn)料抽 0.5

7、K 測(cè)試 VFD2 ，能未校正的廠商芯片暫無(wú)檢法測(cè)試無(wú)0.5K裸晶測(cè)試儀CR閘流體允收標(biāo)準(zhǔn)：電流測(cè)5mA 時(shí)3V 檔芯片 VFD2<0.05V9V 檔芯片 VFD2<0.1V18V 檔芯片 VFD2<0.15V校正過(guò)的廠商芯片每批進(jìn)料抽 0.5K 測(cè)試；未校正向正的廠商芯片每批進(jìn)料裸晶測(cè)試儀 /積抽 10PCS 測(cè)試。無(wú)0.5K/10PCSCR電壓分球 /IS 機(jī)允收標(biāo)準(zhǔn)：標(biāo)簽電壓±0.1V ，且平均值在標(biāo)簽X圍內(nèi)；專業(yè)資料整理WORD格式檢驗(yàn)工程檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說(shuō)明抽樣水準(zhǔn)檢驗(yàn)方法、 工具缺陷專業(yè)資料整理WORD格式文件編號(hào)QA-WI-064文件名稱正裝芯

8、片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件版次A/0文件頁(yè)次第 5頁(yè)共6頁(yè)校正過(guò)的廠商芯片每批進(jìn)料抽 0.5K測(cè)試；未校裸晶測(cè)試儀 /積反向無(wú)0.5K/10PC S正的廠商芯片每批進(jìn)料分球 /ISCR電流機(jī)抽 10PCS 測(cè)試，測(cè)試條件和判定按規(guī)格書(shū)標(biāo)準(zhǔn)。校正過(guò)的廠商芯片每批進(jìn)料抽0.5K 測(cè)試；未校正的廠商芯片每批進(jìn)料裸晶測(cè)試儀 /積波長(zhǎng)抽 10PCS 測(cè)試。 無(wú) 0.5K/10PC S CR 分球 /IS 機(jī)允收標(biāo)準(zhǔn)：標(biāo)簽波長(zhǎng)± 1nm ，且平均值在標(biāo)簽X圍內(nèi)正裝雙電極芯片每批進(jìn)料抽 0.5K 測(cè)試 PO 值 mw，其它類型的芯片暫無(wú)法測(cè)試亮度允收標(biāo)準(zhǔn)： 實(shí)測(cè)平均值在0.5K裸晶測(cè)試儀MA檢測(cè)無(wú)標(biāo)簽X圍

9、內(nèi)， 最小值不低于芯片標(biāo)簽下限的5% ，且低于標(biāo)簽下限的數(shù)量占測(cè)試數(shù)量比例不得超過(guò) 10% ，不管控上限。每批進(jìn)料抽 10PCS 用反向 2000V 擊打，然后測(cè)試靜電IR無(wú)10PCS靜電測(cè)試儀檢測(cè)/允收標(biāo)準(zhǔn)： 按成認(rèn)書(shū)標(biāo)準(zhǔn)裸晶測(cè)試儀判定 IR2 ，通過(guò)率不低于80%靜電檢測(cè)后的芯片用小電流再測(cè)試啟動(dòng)電壓；其中 3V 檔、6V 檔和 9V 檔芯片用 1uA 測(cè)試 VF5 ，18V檔和 24V 檔芯片用啟動(dòng)10uA 測(cè)試 VF410PCSCR電壓無(wú)裸晶測(cè)試儀允收標(biāo)準(zhǔn)：3V檔芯片： VF5 ：2-2.8V6V檔芯片： VF5 ：4-5.5V9V檔芯片： VF5 ： 6-8V18V檔芯片：VF4 ：12-16V24V檔芯片：VF4 ：16-21V專業(yè)資料整理WORD格式6、參考文件專業(yè)資料整理WORD格式文件編號(hào)QA-WI-064文件名稱正裝芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件版次A/0文件頁(yè)次第6頁(yè)共6頁(yè)"產(chǎn)品檢驗(yàn)控制程序"YL-