雙極性電晶體(BJT)的特性

1、單元四 雙極性電晶體(BJT)的特性單元能力目標(biāo)評(píng)量標(biāo)準(zhǔn)及配分1. 能寫出及辨別電晶體的符號(hào)及接腳名稱2. 能寫出電晶體在正常工作(動(dòng)作區(qū))時(shí)之偏壓3. 能寫出電晶體在飽和區(qū)之偏壓4. 能寫出電晶體在數(shù)位電路使用時(shí)之工作區(qū)1. 寫出及辨別電晶體的符號(hào)及接腳名稱(20分)2. 寫出NPN、PNP電晶體於工作區(qū)時(shí)EB.BC之偏壓 (25分)3. 寫出NPN、PNP電晶體於飽和壓時(shí)BE.CB之偏壓 (25分)4. 電晶體在數(shù)位電路於ON:飽和區(qū)，OFF:截止區(qū) (30分)一、重點(diǎn)整理1.電晶體(Tr) 之符號(hào)與接腳(1)有箭頭者為射極(E)(2)射極(E)之另一端為集極(C)(3)E.C之間為基極(

2、B)(4)箭頭方向?yàn)镻到N 箭頭往內(nèi)者為PNP 箭頭往外者為NPN(5)PNP電晶體 NPN電晶體 2.Tr於工作區(qū)時(shí)之偏壓(1) E接面(BE接面)順偏(NPN之Vbe >0 PNP之Vbe <0)(2) C接面(BE接面)逆偏(NPN之Vbe <0 PNP之Vbe >0)3.Tr於飽和區(qū)之偏壓(1) E接面(BE接面)順偏(NPN之Vbe >0 PNP之Vbe <0)(2) C接面(BC接面)亦為順偏(NPN之Vbc >0 PNP之Vbc <0)4.Tr在數(shù)位電路中作為開(kāi)關(guān)(1)Tr在數(shù)位電路中作用似開(kāi)關(guān)(2)Tr作為開(kāi)關(guān)是工作在飽和區(qū)(ON

3、)與截止區(qū)(OFF)(3)截止區(qū)之兩個(gè)接面接工作與逆偏即E接面(BE接面)和C接面(BC接面)都是逆偏二、例題講解1.標(biāo)出Tr之接腳名稱：（評(píng)量1） 2.試?yán)L出NPN電路符號(hào) 。（評(píng)量1）3.NPN電晶體工作區(qū)中Veb須( )零；Vbc須( )零,(填 > < = )。（評(píng)量2）4.NPN電晶體飽和區(qū)中Veb須( )零; Vbc須( )零; (填 > < =)。（評(píng)量3）5.Tr在數(shù)位電路中他的作用似( )。（評(píng)量4）6.Tr在數(shù)位電路中視工作在( )和( )中兩區(qū)之間交換。（評(píng)量4）7.截止之Tr其E接面須( )且其C接面之偏壓須( )。（評(píng)量4）三、練習(xí)題 1.標(biāo)出Tr之接腳名稱：（評(píng)量1） 2.試?yán)L出PNP之電路符號(hào) 。（評(píng)量1）3.PNP電晶體工作區(qū)中Veb須( )零 而Vbc須( )零;(填 > < =)。（評(píng)量2）4.PNP電晶體飽和區(qū)中Veb須( )零; Vbc須( )零; (填 > < =)。（評(píng)量3）5.Tr當(dāng)作