電力電子技術(shù)重點

1、單相半波可控整流電路 帶電阻負載的工作情況直流輸出電壓平均值流過晶閘管的電流平均值IdT和有效值IT分別為續(xù)流二極管的電流平均值IdDR和有效值IDR分別為其移相范圍為180°，其承受的最大正反向電壓均為u2的峰值即 單相半波可控整流電路的特點是簡單，但輸出脈動大，變壓器二次側(cè)電流中含直流分量，造成變壓器鐵芯直流磁化。為使變壓器鐵芯不飽和，需增大鐵芯截面積，增大了設(shè)備的容量。 單相橋式全控整流電路 帶電阻負載的工作情況全波整流在交流電源的正負半周都有整流輸出電流流過負載，因此該電路為全波整流。直流輸出電壓平均值負載直流電流平均值 I2Id 晶閘管參數(shù)計算 承受最大正向電壓： 承受最大

2、反向電壓： 觸發(fā)角的移相范圍：時，；時，。因此移相范圍為。 晶閘管電流平均值：。（5）流過晶閘管的電流有效值為：IVTId（6）晶閘管的額定電壓=(23)×最大反向電壓（7）晶閘管的額定電流=(1.52)×電流的有效值1.57單相橋式全控整流電路 帶阻感負載直流輸出電壓平均值觸發(fā)角的移相范圍時，；時，。因此移相范圍為。晶閘管承受電壓：正向：；反向：單相橋式半控整流電路，帶電阻負載與全控電路在電阻負載時的工作情況相同。單相橋式全控整流電路 帶反電動勢負載Ud0.9 U2 cos Id (UdE)/R I2Id 晶閘管承受的最大反向電壓為：U2流過每個晶閘管的電流的有效值為：I

3、VTId 三相半波可控整流電路 帶電阻負載 時，整流電壓平均值（負載電流連續(xù)）：當時，最大，。時，整流電壓平均值（負載電流斷續(xù)）：當時，最小， 負載電流平均值： 晶閘管承受的最大反向電壓：為變壓器二次側(cè)線電壓的峰值， 晶閘管承受的最大正向電壓：三相半波可控整流電路 帶阻感負載 整流電壓平均值（負載電流始終連續(xù)）：。 晶閘管承受的最大正反向電壓：為變壓器二次側(cè)線電壓的峰值， 負載電流平均值：IdVTId3 IVTId三相橋式全控整流電路 帶電阻負載時的工作情況（1）帶電阻負載時的平均值 特點：時，整流輸出電壓連續(xù)；時，整流輸出電壓斷續(xù)。 整流電壓平均值計算公式：以所處的線電壓波形為背景，周期為。

4、 輸出電流平均值計算公式：三相橋式全控整流電路 帶電阻電感負載Ud2.34U2cosa IdUdR IDVTId3 IVTId第二章 電力電子器件2. 使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？答：使晶閘管導(dǎo)通的條件是：晶閘管承受正向陽極電壓，并在門極施加觸發(fā)電流（脈沖）?；颍簎AK>0且uGK>0。3. 維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？答：維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流，即維持電流。要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷，可利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下，即降到維持電流以下，便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。4. 圖

5、2-27中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形，各波形的電流最大值均為Im，試計算各波形的電流平均值Id1、Id2、Id3與電流有效值I1、I2、I3。圖2-27 晶閘管導(dǎo)電波形解：a) Id1=()0.2717 ImI1=0.4767 Imb) Id2 =()0.5434 ImI2 =0.6741Ic) Id3= ImI3 = Im5. 上題中如果不考慮安全裕量,問100A的晶閘管能送出的平均電流Id1、Id2、Id3各為多少？這時，相應(yīng)的電流最大值Im1、Im2、Im3各為多少?解：額定電流I T(AV) =100A的晶閘管，允許的電流有效值I =157A，由上題計算結(jié)果知a) Im13

6、29.35，Id10.2717 Im189.48b) Im2232.90,Id20.5434 Im2126.56c) Im3=2 I = 314,Id3= Im3=78.5第三章 整流電路 3單相橋式全控整流電路，U2100V，負載中R2，L值極大，當30°時，要求：作出ud、id、和i2的波形； 求整流輸出平均電壓Ud、電流Id，變壓器二次電流有效值I2； 考慮安全裕量，確定晶閘管的額定電壓和額定電流。解：ud、id、和i2的波形如下圖：輸出平均電壓Ud、電流Id，變壓器二次電流有效值I2分別為Ud0.9 U2 cos0.9×100×cos30°77.

7、97（V）IdUd /R77.97/238.99（A）I2Id 38.99（A） 晶閘管承受的最大反向電壓為：U2100141.4（V）考慮安全裕量，晶閘管的額定電壓為：UN（23）×141.4283424（V）具體數(shù)值可按晶閘管產(chǎn)品系列參數(shù)選取。流過晶閘管的電流有效值為：IVTId27.57（A）晶閘管的額定電流為：IN（1.52）×27.571.572635（A）具體數(shù)值可按晶閘管產(chǎn)品系列參數(shù)選取。 4單相橋式半控整流電路，電阻性負載，畫出整流二極管在一周內(nèi)承受的電壓波形。解：注意到二極管的特點：承受電壓為正即導(dǎo)通。因此，二極管承受的電壓不會出現(xiàn)正的部分。在電路中器件均

8、不導(dǎo)通的階段，交流電源電壓由晶閘管平衡。 整流二極管在一周內(nèi)承受的電壓波形如下： 5單相橋式全控整流電路，U2=100V，負載中R=2，L值極大，反電勢E=60V，當a=30°時，要求： 作出ud、id和i2的波形； 求整流輸出平均電壓Ud、電流Id，變壓器二次側(cè)電流有效值I2； 考慮安全裕量，確定晶閘管的額定電壓和額定電流。解：ud、id和i2的波形如下圖： 整流輸出平均電壓Ud、電流Id，變壓器二次側(cè)電流有效值I2分別為Ud0.9 U2 cos0.9×100×cos30°77.97(A)Id (UdE)/R(77.9760)/29(A)I2Id 9(

9、A) 晶閘管承受的最大反向電壓為：U2100141.4（V）流過每個晶閘管的電流的有效值為：IVTId 6.36（A）故晶閘管的額定電壓為：UN(23)×141.4283424（V） 晶閘管的額定電流為：IN(1.52)×6.361.5768（A）晶閘管額定電壓和電流的具體數(shù)值可按晶閘管產(chǎn)品系列參數(shù)選取。 11三相半波可控整流電路，U2=100V，帶電阻電感負載，R=5，L值極大，當a=60°時，要求： 畫出ud、id和iVT1的波形； 計算Ud、Id、IdT和IVT。解：ud、id和iVT1的波形如下圖： Ud、Id、IdT和IVT分別如下Ud1.17U2cos

10、a1.17×100×cos60°58.5（V）IdUdR58.5511.7（A）IdVTId311.733.9（A）IVTId6.755（A） 13三相橋式全控整流電路，U2=100V，帶電阻電感負載，R=5，L值極大，當a=60°時，要求： 畫出ud、id和iVT1的波形； 計算Ud、Id、IdT和IVT。解：ud、id和iVT1的波形如下： Ud、Id、IdT和IVT分別如下Ud2.34U2cosa2.34×100×cos60°117（V）IdUdR117523.4（A）IDVTId323.437.8（A）IVTId23

11、.413.51（A） 15三相半波可控整流電路，反電動勢阻感負載，U2=100V，R=1，L=，LB=1mH，求當a=30°時、E=50V時Ud、Id、g 的值并作出ud與iVT1和iVT2的波形。 解：考慮LB時，有：Ud1.17U2cosUdUd3XBId2Id（UdE）R 解方程組得：Ud（R 1.17U2cos3XBE）（2R3XB）94.63（V）Ud6.7（V）Id44.63（A）又2U2 即得出=0.752 換流重疊角g 41.28°- 30°=11.28°ud、iVT1和iVT2的波形如下： 17三相全控橋，反電動勢阻感負載，E=200V

12、，R=1，L=，U2=220V，a=60°，當LB=0和LB=1mH情況下分別求Ud、Id的值，后者還應(yīng)求g 并分別作出ud與iT的波形。解：當LB0時：Ud2.34U2cos2.34×220×cos60°257.4（V）Id（UdE）R（257.4200）157.4（A）當LB1mH時Ud2.34U2cosUdUd3XBIdId（UdE）R解方程組得：Ud（2.34U2R cos3XBE）（R3XB）244.15（V）Id44.15（A）Ud13.25（V）又2XBIdU20.448563.35°60°3.35°ud、IV

13、T1和IVT2的波形如下：第1章 緒 論1 電力電子技術(shù)定義：是使用電力電子器件對電能進行變換和控制的技術(shù)，是應(yīng)用于電力領(lǐng)域的電子技術(shù)，主要用于電力變換。2 電力變換的種類（1）交流變直流AC-DC：整流（2）直流變交流DC-AC：逆變（3）直流變直流DC-DC：一般通過直流斬波電路實現(xiàn)（4）交流變交流AC-AC：一般稱作交流電力控制3 電力電子技術(shù)分類：分為電力電子器件制造技術(shù)和變流技術(shù)。第2章 電力電子器件1 電力電子器件與主電路的關(guān)系（1）主電路：指能夠直接承擔電能變換或控制任務(wù)的電路。（2）電力電子器件：指應(yīng)用于主電路中，能夠?qū)崿F(xiàn)電能變換或控制的電子器件。2 電力電子器件一般都工作于開

14、關(guān)狀態(tài)，以減小本身損耗。3 電力電子系統(tǒng)基本組成與工作原理（1）一般由主電路、控制電路、檢測電路、驅(qū)動電路、保護電路等組成。（2）檢測主電路中的信號并送入控制電路，根據(jù)這些信號并按照系統(tǒng)工作要求形成電力電子器件的工作信號。（3）控制信號通過驅(qū)動電路去控制主電路中電力電子器件的導(dǎo)通或關(guān)斷。（4）同時，在主電路和控制電路中附加一些保護電路，以保證系統(tǒng)正?？煽窟\行。4 電力電子器件的分類根據(jù)控制信號所控制的程度分類（1）半控型器件：通過控制信號可以控制其導(dǎo)通而不能控制其關(guān)斷的電力電子器件。如SCR晶閘管。（2） 全控型器件：通過控制信號既可以控制其導(dǎo)通，又可以控制其關(guān)斷的電力電子器件。如GTO、GT

15、R、MOSFET和IGBT。（3）不可控器件：不能用控制信號來控制其通斷的電力電子器件。如電力二極管。根據(jù)驅(qū)動信號的性質(zhì)分類（1）電流驅(qū)動型器件：通過從控制端注入或抽出電流的方式來實現(xiàn)導(dǎo)通或關(guān)斷的電力電子器件。如SCR、GTO、GTR。（2）電壓驅(qū)動型器件：通過在控制端和公共端之間施加一定電壓信號的方式來實現(xiàn)導(dǎo)通或關(guān)斷的電力電子器件。如MOSFET、IGBT。根據(jù)器件內(nèi)部載流子參與導(dǎo)電的情況分類（1）單極型器件：內(nèi)部由一種載流子參與導(dǎo)電的器件。如MOSFET。（2）雙極型器件：由電子和空穴兩種載流子參數(shù)導(dǎo)電的器件。如SCR、GTO、GTR。（3）復(fù)合型器件：有單極型器件和雙極型器件集成混合而成

16、的器件。如IGBT。5 半控型器件晶閘管SCR將器件N1、P2半導(dǎo)體取傾斜截面，則晶閘管變成V1-PNP和V2-NPN兩個晶體管。電力二極管的主要參數(shù)正向平均電流IF(AV) 指電力二極管長期運行時，在指定的管殼溫度（簡稱殼溫，用TC表示）和散熱條件下，其允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。 IF(AV)是按照電流的發(fā)熱效應(yīng)來定義的，使用時應(yīng)按有效值相等的原則來選取電流定額，并應(yīng)留有一定的裕量。正向壓降UF 指電力二極管在指定溫度下，流過某一指定的穩(wěn)態(tài)正向電流時對應(yīng)的正向壓降。反向重復(fù)峰值電壓URRM 指對電力二極管所能重復(fù)施加的反向最高峰值電壓。使用時，應(yīng)當留有兩倍的裕量。 最高工作結(jié)溫

17、TJM 結(jié)溫是指管芯PN結(jié)的平均溫度，用TJ表示。 最高工作結(jié)溫是指在PN結(jié)不致?lián)p壞的前提下所能承受的最高平均溫度。 TJM通常在125175°C范圍之內(nèi)。反向恢復(fù)時間trr浪涌電流IFSM 指電力二極管所能承受最大的連續(xù)一個或幾個工頻周期的過電流。電力二極管的主要類型普通二極管又稱整流二極管，快恢復(fù)二極管，快恢復(fù)外延二極管，肖特基二極管肖特基二極管優(yōu)缺點優(yōu)點：反向恢復(fù)時間很短（1040ns），正向恢復(fù)過程中不會有明顯的電壓過沖；在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很小，明顯低于快恢復(fù)二極管；因此，其開關(guān)損耗和正向?qū)〒p耗都比快速二極管還要小，效率高。 弱點：當所能承受的反向耐壓提高時

18、其正向壓降也會高得不能滿足要求，因此多用于200V以下的低壓場合；反向漏電流較大且對溫度敏感，因此反向穩(wěn)態(tài)損耗不能忽略，而且必須更嚴格地限制其工作溫度。晶閘管的導(dǎo)通工作原理（1）當AK間加正向電壓，晶閘管不能導(dǎo)通，主要是中間存在反向PN結(jié)。（2）當GK間加正向電壓，NPN晶體管基極存在驅(qū)動電流，NPN晶體管導(dǎo)通，產(chǎn)生集電極電流。（3）集電極電流構(gòu)成PNP的基極驅(qū)動電流，PNP導(dǎo)通，進一步放大產(chǎn)生PNP集電極電流。（4）與構(gòu)成NPN的驅(qū)動電流，繼續(xù)上述過程，形成強烈的負反饋，這樣NPN和PNP兩個晶體管完全飽和，晶閘管導(dǎo)通。2.3.1.4.3 晶閘管是半控型器件的原因（1）晶閘管導(dǎo)通后撤掉外部門

19、極電流，但是NPN基極仍然存在電流，由PNP集電極電流供給，電流已經(jīng)形成強烈正反饋，因此晶閘管繼續(xù)維持導(dǎo)通。（2）因此，晶閘管的門極電流只能觸發(fā)控制其導(dǎo)通而不能控制其關(guān)斷。2.3.1.4.4 晶閘管的關(guān)斷工作原理滿足下面條件，晶閘管才能關(guān)斷：（1）去掉AK間正向電壓；（2）AK間加反向電壓；（3）設(shè)法使流過晶閘管的電流降低到接近于零的某一數(shù)值以下。2.3.2.1.1 晶閘管正常工作時的靜態(tài)特性（1）當晶閘管承受反向電壓時，不論門極是否有觸發(fā)電流，晶閘管都不會導(dǎo)通。（2）當晶閘管承受正向電壓時，僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能導(dǎo)通。（3）晶閘管一旦導(dǎo)通，門極就失去控制作用，不論門極觸發(fā)電流是

20、否還存在，晶閘管都保持導(dǎo)通。（4）若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，只能利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下。2.4.1.1 GTO的結(jié)構(gòu)（1）GTO與普通晶閘管的相同點：是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，外部引出陽極、陰極和門極。（2）GTO與普通晶閘管的不同點：GTO是一種多元的功率集成器件，其內(nèi)部包含數(shù)十個甚至數(shù)百個供陽極的小GTO元，這些GTO元的陰極和門極在器件內(nèi)部并聯(lián)在一起，正是這種特殊結(jié)構(gòu)才能實現(xiàn)門極關(guān)斷作用。2.4.1.2 GTO的靜態(tài)特性（1）當GTO承受反向電壓時，不論門極是否有觸發(fā)電流，晶閘管都不會導(dǎo)通。（2）當GTO承受正向電壓時，僅在門極有觸發(fā)電流的

21、情況下晶閘管才能導(dǎo)通。（3）GTO導(dǎo)通后，若門極施加反向驅(qū)動電流，則GTO關(guān)斷，也即可以通過門極電流控制GTO導(dǎo)通和關(guān)斷。（4）通過AK間施加反向電壓同樣可以保證GTO關(guān)斷。2.4.3 電力場效應(yīng)晶體管MOSFET（1）電力MOSFET是用柵極電壓來控制漏極電流的，因此它是電壓型器件。（3）當大于某一電壓值時，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度，從而使P型半導(dǎo)體反型成N型半導(dǎo)體，形成反型層。2.4.4 絕緣柵雙極晶體管IGBT（1）GTR和GTO是雙極型電流驅(qū)動器件，其優(yōu)點是通流能力強，耐壓及耐電流等級高，但不足是開關(guān)速度低，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜。（2）電力MOSFET是單極型電壓

22、驅(qū)動器件，其優(yōu)點是開關(guān)速度快、所需驅(qū)動功率小，驅(qū)動電路簡單。（3）復(fù)合型器件：將上述兩者器件相互取長補短結(jié)合而成，綜合兩者優(yōu)點。（4）絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復(fù)合型器件，由GTR和MOSFET兩個器件復(fù)合而成，具有GTR和MOSFET兩者的優(yōu)點，具有良好的特性。（1）IGBT是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。（2）IGBT由MOSFET和GTR組合而成。3.7.1.3 逆變產(chǎn)生的條件（1）單相全波電路（相當于發(fā)電機）- 電動機系統(tǒng)（2）單相全波電路（整流狀態(tài)） - 電動機（電動狀態(tài)）系統(tǒng) 電動機處于電動運行狀態(tài)，全波電路處于整流工作狀態(tài)（），直流輸出電壓，而且，才能輸出電樞電流

23、。 能量流向：交流電網(wǎng)輸出電功率，電動機輸入電功率。（3）單相全波電路（有源逆變狀態(tài)） - 電動機（發(fā)電回饋制動）系統(tǒng) 電動機處于發(fā)電回饋制動運行狀態(tài)，由于晶閘管單向?qū)щ娦裕娐穬?nèi)的方向依然不變。 這樣，要保證電動機有電動運行變成發(fā)電回饋制動運行，必須改變的極性，同時直流輸出電壓也改變極性（，）。 此時，必須保證，才能把電能從直流側(cè)送到交流側(cè)，實現(xiàn)逆變。 能量流向：電動機輸出電功率，交流電網(wǎng)吸收電功率。 全波電路有源逆變工作狀態(tài)下，為什么晶閘管觸發(fā)角處于，仍能導(dǎo)通運行？答：主要由于全波電路有外接直流電動勢的存在且，這是電動機處于發(fā)電回饋制動狀態(tài)時得到的，這樣能夠保證系統(tǒng)得到很大的續(xù)流，即使晶閘

24、管的陽極電位大部分處于交流電壓為負的半周期，但是仍能承受正向電壓而導(dǎo)通。（4）有源逆變產(chǎn)生的條件 變流電路外側(cè)要有直流電動勢，其極性必須和晶閘管的導(dǎo)通方向一致，其值應(yīng)大于變流電路直流側(cè)的平均電壓。 要求晶閘管的控制觸發(fā)角，使為負值。第4章 逆變電路（1）逆變定義：將直流電能變成交流電能。（2）有源逆變：逆變電路的交流輸出側(cè)接在電網(wǎng)上。（3）無源逆變：逆變電路的交流輸出側(cè)直接和負載相連。換流方式 分為外部換流和自換流兩大類，外部換流包括電網(wǎng)換流和負載換流兩種，自換流包括器件換流和強迫換流兩種。 換流概念在晶閘管時代十分重要，全控型器件時代其重要性有所下降。分類 直接耦合式強迫換流（也叫電壓換流）

25、：由換流電路內(nèi)電容直接提供換流電壓。 電感耦合式強迫換流（也叫電流換流）：通過換流電路內(nèi)的電容和電感的耦合來提供換流電壓或換流電流。熄滅：當電流不是從一個支路向另一個支路轉(zhuǎn)移，而是在支路內(nèi)部終止流通而變?yōu)榱?，則稱為熄滅。4.2 電壓型逆變電路（1）逆變電路分類：根據(jù)直流側(cè)電源性質(zhì)可以分為電壓（源）型逆變電路和電流（源）型逆變電路。（2）電壓（源）型逆變電路VSI：直流側(cè)為電壓源。（3）電流（源）型逆變電路CSI：直流側(cè)為電流源。（4）電壓型逆變電路舉例： 直流側(cè)為電壓源，或并聯(lián)有大電容。直流側(cè)電壓基本無脈動，直流回路呈低阻抗。 由于直流電壓源的鉗位作用，交流側(cè)輸出電壓波形為矩形波，并且與負載阻

26、抗角無關(guān)。而交流側(cè)輸出電流波形和相位因負載阻抗情況的不同而不同。 當交流側(cè)為阻感負載時，需要提供無功功率，直流側(cè)電容起緩沖無功能量的作用。 圖中逆變橋各臂都并聯(lián)反饋二極管，為了給交流側(cè)向直流側(cè)反饋的無功能量提供通道。電壓型逆變電路的特點直流側(cè)為電壓源或并聯(lián)大電容，直流側(cè)電壓基本無脈動。由于直流電壓源的鉗位作用，輸出電壓為矩形波，輸出電流因負載阻抗不同而不同。阻感負載時需提供無功功率，為了給交流側(cè)向直流側(cè)反饋的無功能量提供通道，逆變橋各臂并聯(lián)反饋二極管。半橋逆變電路：在直流側(cè)接有兩個相互串聯(lián)的足夠大的電容，兩個電容的聯(lián)結(jié)點便成為直流電源的中點，負載聯(lián)接在直流電源中點和兩個橋臂聯(lián)結(jié)點之間。全橋逆變

27、電路 共四個橋臂，可看成兩個半橋電路組合而成。兩對橋臂交替導(dǎo)通180°。 輸出電壓和電流波形與半橋電路形狀相同，但幅值高出一倍。在這種情況下，要改變輸出交流電壓的有效值只能通過改變直流電壓Ud來實現(xiàn)。 三個單相逆變電路可組合成一個三相逆變電路。4.3 電流型逆變電路直流電源為電流源的逆變電路稱為電流型逆變電路。電流型逆變電路主要特點： 直流側(cè)串大電感，電流基本無脈動，相當于電流源。 交流輸出電流為矩形波，與負載阻抗角無關(guān)，輸出電壓波形和相位因負載不同而不同。 直流側(cè)電感起緩沖無功能量的作用，不必給開關(guān)器件反并聯(lián)二極管。自勵方式：實際工作過程中，感應(yīng)線圈參數(shù)隨時間變化，必須使工作頻率適

28、應(yīng)負載的變化而自動調(diào)整，這種控制方式稱為自勵方式。他勵方式：固定工作頻率的控制方式稱為他勵方式。第7章PWM（Pulse Width Modulation）控制就是對脈沖的寬度進行調(diào)制的技術(shù)，即通過對一系列脈沖的寬度進行調(diào)制，來等效地獲得所需要波形（含形狀和幅值）。PWM逆變電路控制波常用方法計算法 根據(jù)逆變電路的正弦波輸出頻率、幅值和半個周期內(nèi)的脈沖數(shù)，將PWM波形中各脈沖的寬度和間隔準確計算出來，按照計算結(jié)果控制逆變電路中各開關(guān)器件的通斷，就可以得到所需要的PWM波形，這種方法稱之為計算法。調(diào)制法 把希望輸出的波形作為調(diào)制信號，把接受調(diào)制的信號作為載波，通過信號波的調(diào)制得到所期望的PWM波

29、形。 通常采用等腰三角波或鋸齒波作為載波，其中等腰三角波應(yīng)用最多。 載波比：載波頻率fc與調(diào)制信號頻率fr之比N= fc/frPWM調(diào)制方式可分為異步調(diào)制和同步調(diào)制兩種。異步調(diào)制：載波信號和調(diào)制信號不保持同步的調(diào)制方式稱為異步調(diào)制。 同步調(diào)制：載波比N等于常數(shù)，并在變頻時使載波和信號波保持同步的方式稱為同步調(diào)制。 自然采樣法：在正弦波和三角波的自然交點時刻控制功率開關(guān)器件的通斷，這種生成SPWM波形的方法稱為自然采樣法。規(guī)則采樣法 ：是一種應(yīng)用較廣的工程實用方法，其效果接近自然采樣法，但計算量卻比自然采樣法小得多。第九章1.驅(qū)動電路主電路與控制電路之間的偽接口*驅(qū)動電路作用：（1） 使器件工作在較理想的開關(guān)狀態(tài)（2）縮短開關(guān)時間（3）減小開關(guān)損耗（4）提高裝置的運行效率、可靠性和安全性驅(qū)動電路的分類：（1）電流驅(qū)動型：GTO、GTR（2）電壓驅(qū)動型：MOSFET、IGBT（晶閘管的驅(qū)動電路常稱為觸發(fā)電路）驅(qū)動電路的發(fā)展趨勢：分立元件專用集成驅(qū)動電路*晶閘管的觸發(fā)電路 作用：產(chǎn)生符合要求的門極觸發(fā)脈沖，保證晶閘管在需要的時刻由阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。晶閘管觸發(fā)電路往往包括對其觸發(fā)時刻進行控制的相位控制電路。*電力電子