模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬綜合試卷12附答案

1、模擬綜合試卷12答案一、填空（24分，每空1分）1半導(dǎo)體中存在兩種載流子，分別為 電子和 空穴 。雜質(zhì)半導(dǎo)體分為兩種，分別為 N型半導(dǎo)體 和 P型半導(dǎo)體 。2、雙極性晶體三極管工作于放大模式的外部條件是 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 。3從信號(hào)的傳輸途徑看，集成運(yùn)放由 輸入級(jí) 、中間級(jí) 、 輸出級(jí) 、偏置電路 這幾個(gè)部分組成。4某放大器的下限角頻率，上限角頻率，則帶寬為（-）/2 Hz。5共發(fā)射極電路中采用恒流源做有源負(fù)載是利用其 交流電阻大 的特點(diǎn)以獲得較高增益。6在RC橋式正弦波振蕩電路中，當(dāng)滿足相位起振條件時(shí)，則其中電壓放大電路的放大倍數(shù)要略大于 3 才能起振。7電壓比較器工作時(shí)，在輸入電壓從

2、足夠低逐漸增大到足夠高的過(guò)程中，單限比較器的輸出狀態(tài)發(fā)生 1 次躍變，遲滯比較器的輸出狀態(tài)發(fā)生 1 次躍變。8、乙類推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，應(yīng)改用 甲乙 類推挽放大器。9、負(fù)反饋系統(tǒng)產(chǎn)生自激的條件是 ，相應(yīng)的振幅條件是，相位條件是。10、若三級(jí)放大電路中AU1=AU2=30dB，AU3=20dB，則其總電壓增益為 80 dB，折合為 104 倍。11、差分放大電路，若兩個(gè)輸入信號(hào)uI1=uI2，則輸出電壓，uO= 0 mV；若u I1=100mV，u I 2=80mV則差模輸入電壓uId= 20 mV；共模輸入電壓uIc= 90 mV。二、按要求選其中正確的一項(xiàng)填入括

3、號(hào)（26分，每小題2分）1當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流Is將增大，是因?yàn)榇藭r(shí)PN結(jié)內(nèi)部的。（ B）A 多數(shù)載流子濃度增大 B少數(shù)載流子濃度增大C多數(shù)載流子濃度減小 D少數(shù)載流子濃度減小2、晶體三極管的各極電流是由（ C ）形成的。A、多數(shù)載流子 B、少數(shù)載流子 C、兩種載流子 D、熱運(yùn)動(dòng)3、若要提高某放大器的輸入電阻且使輸出電壓穩(wěn)定，可以加入下列負(fù)反饋：( B )A、電流串聯(lián) B、電壓串聯(lián) C、電流并聯(lián) D、電壓并聯(lián)4、在某放大電路中，測(cè)的三極管三個(gè)電極的靜態(tài)電位分別為12V，3.7V，3V，則它是（ A ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型鍺管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型鍺

4、管5.RC橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成,即RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)和（ D ）。A、基本共射放大電路 B、基本共集放大電路C、反相比例運(yùn)算電路 D、同相比例運(yùn)算電路6、直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因主要是（ C ）。 A 電阻阻值有誤差 B 晶體管參數(shù)的分散性 C 晶體管參數(shù)受溫度影響 D 受輸入信號(hào)變化的影響7、 某只硅穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓Vz = 4v，其兩端施加的電壓分別為+5v（正向偏置）和5v（反向偏置）時(shí)，穩(wěn)壓管兩端的最終電壓分別為（ D ）。A +5v和-5v B -5v和+4v C +4v和-0.7v D +0.7v和-4v8、差分放大電路的長(zhǎng)尾電阻的主要功能是（ A ），而提

5、高共模抑制比。A 抑制共模信號(hào)； B 抑制差模信號(hào)；C 放大共模信號(hào)； D既抑制共模信號(hào)又抑制差模信號(hào)；9、組合放大電路的輸出級(jí)采用射極輸出方式是為了使（ D ）。 A 電壓放大倍數(shù)高 B 輸出電流小 C 輸出電阻增大 D 帶負(fù)載能力強(qiáng)10、由NPN型三極管組成的基本共射放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不當(dāng)時(shí)，輸出波形容易產(chǎn)生失真，Q點(diǎn)偏高時(shí)的失真叫做 失真，對(duì)應(yīng)的輸出電壓波形將出現(xiàn) 失真。（ B ）A 飽和；頂部 B 飽和；底部 C 截止；底部 D 截止；頂部11、當(dāng)我們想要放大頻率為10KHZ以上的信號(hào)時(shí)，應(yīng)采用（ B ）濾波器。A、低通 B、高通 C、帶阻 D、帶通0iD/mA-4 uGS/V5

6、12、石英晶體振蕩頻率穩(wěn)定的原因是（ B ）A 體積小 B 品質(zhì)因數(shù)高 C 振蕩頻率高 D 有兩個(gè)振蕩頻率13、某場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，該管為（ D ）。AP溝道增強(qiáng)型MOS管 B、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 C、N溝道增強(qiáng)型MOS管 D、N溝道耗盡型MOS管三 、電路分析（16分）1、判斷圖3.1.1，圖3.1.2電路的反饋極性與組態(tài)（6分） 圖3.1.1 圖3.1.2（瞬時(shí)極性標(biāo)圖1上） （瞬時(shí)極性標(biāo)圖2上） 電流并聯(lián)負(fù) 反饋 電壓串聯(lián)負(fù)反饋+VCCR2R1+C12、判斷電路工作狀況（10分）（1）圖3.2.1電路如下圖示，請(qǐng)回答問(wèn)題：圖1電路無(wú)（填有或無(wú)）放大作用。簡(jiǎn)單說(shuō)明理由：因電容隔直

7、作用，該電路中基極靜態(tài)偏置電流為零，所以放大電路處于截止?fàn)顟B(tài)，無(wú)法對(duì)交流信號(hào)進(jìn)行放大。 圖3.2.1（2）圖3.2.2電路如下圖示，試判斷各三極管分別工作在截止區(qū)、放大區(qū)還是飽和區(qū)，并說(shuō)明理由。 圖3.2.2解：圖A、晶體管為PNP，因發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏，所以三級(jí)管工作在放大區(qū)； 圖B、晶體管為NPN，因發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏，所以三級(jí)管工作在截止區(qū)； 圖C、晶體管為PNP，因發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)偏置電壓為零伏，所以三級(jí)管工作在臨界飽和區(qū)；四、電路分析和計(jì)算（34分）1、如下圖所示的電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路中，假設(shè)集成運(yùn)放的開環(huán)電壓放大倍數(shù)A=100000，電阻R1 = 2K，RF = 18K。（15分）1)估算反饋系數(shù)和反饋深度；2)估算閉環(huán)放大倍數(shù)；3)如果開環(huán)電壓放大倍數(shù)的相對(duì)變化量為±10%，求閉環(huán)電壓放大倍數(shù)的相對(duì)變化量。 圖4.1解：該電路為電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路，1）反饋系數(shù)為；反饋深度為。2）因反饋類型為電壓串聯(lián)負(fù)反饋，所以閉環(huán)放大倍數(shù)即為閉環(huán)電壓放大倍數(shù)。3）因，所以閉環(huán)電壓放大倍數(shù)的相對(duì)變化量為C2Ui-+RL+VCCRCRbC1UO2、下圖示放大電路中，已知三極管的， ，、，。（12分）（1）試估算靜態(tài)工作點(diǎn)；（2）計(jì)算三極管的值；（3）求出中頻時(shí)的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻；圖4.2 解：（1） （2） （3）中頻時(shí)的電壓放