晶硅太陽能電池的工作原理

1、Lorem ipsum PN節(jié)的介紹1光生伏打效應(yīng)2晶硅太陽能電池工作原理3N型半導(dǎo)體： 在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。 PN節(jié)介紹1P型半導(dǎo)體：在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半導(dǎo)體。 PN節(jié)介紹1PN結(jié)：采用不同的摻雜工藝，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上，在它們的交界面就形成PN結(jié)。 PN節(jié)介紹11、光生伏打效應(yīng):太陽能電池能量轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)是半導(dǎo)體PN結(jié)的光生伏打效應(yīng)。當(dāng)光照射到半導(dǎo)體光伏器件上時(shí)，能量大于硅禁帶寬度的光子穿過減反射膜進(jìn)入硅中，在N區(qū)、耗盡區(qū)和P區(qū)中激發(fā)出光生電子

2、-空穴對(duì)。耗盡區(qū)：耗盡區(qū)：光生電子-空穴對(duì)在耗盡區(qū)中產(chǎn)生后，立即被內(nèi)建電場分離，光生電子被送進(jìn)N區(qū)，光生空穴則被推進(jìn)P區(qū) 光生伏打效應(yīng)2在在N N區(qū)中：區(qū)中：光生電子-空穴對(duì)產(chǎn)生以后，光生空穴便向P-N結(jié)邊界擴(kuò)散，一旦到達(dá)P-N結(jié)邊界，便立即受到內(nèi)建電場作用，被電場力牽引作漂移運(yùn)動(dòng)，越過耗盡區(qū)進(jìn)入P區(qū)，光生電子（多子）則被留在N區(qū)。在在P P區(qū)中：區(qū)中：光生電子（少子）同樣的先因?yàn)閿U(kuò)散、后因?yàn)槠贫M(jìn)入N區(qū)，光生空穴（多子）留在P區(qū)。如此便在P-N結(jié)兩側(cè)形成了正、負(fù)電荷的積累，使N區(qū)儲(chǔ)存了過剩的電子，P區(qū)有過剩的空穴。從而形成與內(nèi)建電場方向相反的光生電場。 光生伏打效應(yīng)2光生電場除了部分抵消勢(shì)

3、壘電場的作用外，還使P區(qū)帶正電，N區(qū)帶負(fù)電，在N區(qū)和P區(qū)之間的薄層就產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，這就是光生伏打效應(yīng)。如果將P-N結(jié)兩端開路，可以測得這個(gè)電動(dòng)勢(shì)，稱之為開路電壓Uoc。對(duì)晶體硅電池來說，開路電壓的典型值為0.50.6V。如果將外電路短路，則外電路中就有與入射光能量成正比的光電流流過，這個(gè)電流稱為短路電流Isc。 光生伏打效應(yīng)2晶硅內(nèi)存在PN結(jié)，在P型和N型交界面兩邊形成勢(shì)壘電場，能將電子驅(qū)向N區(qū)，空穴驅(qū)向P區(qū)，從而使得N區(qū)有過剩的電子，P區(qū)有過剩的空穴，在PN結(jié)附近形成與勢(shì)壘電場方向相反的光生電場。 晶硅太陽能電池工作原理3若分別在P型層和N型層焊上金屬引線，接通負(fù)載，則外電路便有電流通過。如此形成的一個(gè)個(gè)電池元件，把它們串聯(lián)、并